「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

剥離性を有する難燃性組成物、難燃性樹脂の製造方法および絶縁電線例文帳に追加

FLAME-RETARDANT COMPOSITION HAVING PEELING PROPERTY, METHOD FOR PRODUCING FLAME-RETARDANT RESIN AND INSULATED WIRE - 特許庁

また素子分離用絶縁膜１２の幅をチップパターン１００内で同一とする。例文帳に追加

Moreover, widths of the element separating insulating films 12 are made identical in a chip pattern 100. - 特許庁

レーザ干渉測長装置の絶対距離測定方法、及びレーザ干渉測長装置例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING ABSOLUTE DISTANCE OF LASER INTERFERENCE MEASURING DEVICE, AND LASER INTERFERENCE MEASURING DEVICE - 特許庁

整流子シェルとモータフレームとの絶縁距離を容易に確保できる電動送風機を提供する。例文帳に追加

To provide a power blower in which insulation distance between a commutator shell and a motor frame is easily assured. - 特許庁

シリコン基板１００の上に堆積された絶縁膜１０１の上に剥離層１０２を堆積する。例文帳に追加

A peeling layer 102 is deposited on an insulating film 101 deposited on a silicon substrate 100. - 特許庁

残距離演算部３０Ｄは目標回転位置と現在の回転位置との差分を絶対値で求める。例文帳に追加

A remaining distance operating section 30D obtains the difference between a target rotational position and the present rotational position with absolute value. - 特許庁

コンタクト４５は、素子分離絶縁膜１４を突き抜けてＳＯＩ層１３にまで達する。例文帳に追加

The contact 45 penetrates through an element separating insulation film 14 into an SOI layer 13. - 特許庁

また、相対距離Ｄが大きくなるにつれ、速度調整分Δｖの絶対値は増加するものとする。例文帳に追加

If the relative distance D grows large, the absolute value of the speed adjusting amount Δv is increased accordingly. - 特許庁

また、ゲート電極部２１の下部には、それぞれ、素子分離用絶縁膜１３が設けられている。例文帳に追加

Element separating insulation films 13 are located on the lower portion of the gate electrode portion 21 respectively. - 特許庁

隣接する配線層間の距離が短くなり、配線層間の電気絶縁の信頼性が低い。例文帳に追加

To resolve a problem where the distance between adjacent wiring layers becomes shorter and thus the reliability of electrical insulation between the wiring layers is low. - 特許庁

狭ピッチ化を図りつつ、端子間に十分な絶縁距離を確保できる狭ピッチ電気コネクタを得る。例文帳に追加

To provide a narrow-pitch electric connector capable of securing a sufficient insulation distance between terminals while reducing the pitch. - 特許庁

絶縁膜の界面で生じる剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which stripping can be suppressed on the interface of an insulating film. - 特許庁

可動部中に絶縁分離構造を設けた光走査ミラーを容易に製造可能にする。例文帳に追加

To easily manufacture an optical scanning mirror having an insulating separation structure in a movable part. - 特許庁

引っ張りや横方向の曲げに対して、振動に強いインナー方式の完全ロック機能のピンヘッダーを用いる端子構造とするとともに、必要な絶縁沿面距離や絶縁空間距離を保つように、前記ピンヘッダーに特徴を持たせることにより、振動に強く、規定の絶縁沿面距離及び絶縁空間距離を確保したパワーモジュールを達成する。例文帳に追加

To obtain a power module strong for vibration and securing a predetermined creepage distance for insulation and clearance for insulation by adopting a terminal structure using a pin header having a complete inner system locking function strong for vibration for tension or transverse bending, and characterizing the pin header to keep the required creepage distance for insulation and clearance for insulation. - 特許庁

巻線間の絶縁距離を確保することができる巻線構造を提供する。例文帳に追加

To provide a winding structure with which insulation distance between windings can be secured. - 特許庁

所望の絶縁距離を確保しつつ、長さ寸法の短い電磁継電器を提供することにある。例文帳に追加

To provide an electromagnetic relay that ensures desired insulating distance and is short in length. - 特許庁

素子分離部が、アクティブエリア間に設けられ、絶縁膜で充填されている。例文帳に追加

An element separation part is provided between the active areas and filled with an insulating film. - 特許庁

変圧器等からＰＣＢの抽出と分離一体処理方法を含む絶縁油の回収、再生方法例文帳に追加

INSULATING OIL RECOVERING AND REGENERATING METHOD INCLUDING INTEGRATED TREATMENT METHOD FOR EXTRACTING AND SEPARATING PCB FROM TRANSFORMER OR THE LIKE - 特許庁

横溝加工または絞り加工における電気絶縁性樹脂層の剥離不良を低減する。例文帳に追加

To reduce defective peeling of an electrically insulative resin layer in a lateral groove processing or a draw processing. - 特許庁

導体２，３から離れた絶縁物１４中央部に繊維切断部１６が形成されている。例文帳に追加

A fiber cut portion 16 is formed at the central portion of an insulator 14 apart from conductors 2, 3. - 特許庁

容器は、その上部が気密封止キャップで密封され、絶縁材によって活性材と隔離される。例文帳に追加

The container, whose upper part is sealed up with a hermetic seal cap is insulated from the active materials by insulating materials. - 特許庁

基板に層間絶縁膜を剥離させずにＳＴＰ法により密着させる。例文帳に追加

To tightly make an interlayer insulation film stick to a substrate by STP method, without exfliating the insulation film. - 特許庁

第１の層と素子分離絶縁領域との間に第１の領域が配置される。例文帳に追加

A first region is arranged between the first layer and the device-isolation insulating region. - 特許庁

本発明にかかる素子分離絶縁膜によれば、その底面を通るリーク経路を延ばす構造、すなわち素子分離絶縁膜の底部（１０２，１０３）の幅が上部の幅（１０２）より大きく形成されたものあるいは素子分離絶縁膜の底部に形成されたさらに深い溝（２１０，３０９）内に素子分離絶縁膜（２１３，３１１）を有するものを備えている。例文帳に追加

This element isolation insulating film has such a structure where the base 103 of an element isolation insulating film is set larger in width than its upper part 102 or an element isolation insulating film is formed inside a deep groove provided to the base of the element isolation insulating film. - 特許庁

剥離性を有する難燃性組成物、難燃性樹脂の製造方法および絶縁電線例文帳に追加

FLAME RETARDANT COMPOSITION HAVING RELEASABILITY, METHOD FOR PRODUCING FLAME RETARDANT RESIN, AND INSULATED WIRE - 特許庁

凹部１以外の絶縁基板端縁から前記ランド外端までの距離が０．４ｍｍ以下とする。例文帳に追加

Distance from the edge of an insulating substrate to the outer end of a land is set at 0.4 mm or less except a recess 1. - 特許庁

絶縁あるいは不活性部（４２ｂ）は複数のメモリ・エレメント（４３，４４）を画定しかつ分離する。例文帳に追加

Memory elements 43 and 44 are demarcated by an insulating or inactive part 42b and are separated from each other. - 特許庁

素子分離絶縁層１６は、ＳＴＩ構造を有し、その上面は、平坦である。例文帳に追加

A device isolation insulating layer 16 has an STI structure with its upper surface being flat. - 特許庁

配線層１６から離れつつ絶縁膜１５には炭素系材１８が埋め込まれる。例文帳に追加

A carbon-based material 18 is embedded in the insulation film 15, which is apart from the wiring layer 16. - 特許庁

また、人手の触れる外面に対して、絶縁距離が確保できるので、商品の小型化が可能である。例文帳に追加

Furthermore, because an insulating distance can be secured against the outer face touched by one's hand, a downsizing of a product is possible. - 特許庁

絶縁被覆層の剥離が生じ難い積層型圧電体素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a laminated piezoelectric element which is prevented from exfoliation of an insulating coating layer. - 特許庁

コントロールゲートコンタクト層１２は、フローティングゲート１０と絶縁分離される。例文帳に追加

The control gate contact layer 12 is insulated from the floating gate 10. - 特許庁

光結合素子のＣＴＲの製造ばらつきを抑え、内部絶縁距離を確実に確保する。例文帳に追加

To secure certainly the internal insulation distance, suppressing the manufacturing variation of CTR of an optical coupling device. - 特許庁

絶縁特性の良好な素子分離構造により、半導体素子を集積する。例文帳に追加

To integrate a semiconductor element by introducing an element isolating structure ensuring excellent insulation characteristic. - 特許庁

私は獲物に出会えた嬉しさに、握ったフォーチュネートの手をこのまま絶対離すものかと思った。例文帳に追加

I was so pleased to see him, that I thought I should never have done wringing his hand.  - Edgar Allan Poe『アモンティリャードの酒樽』

素子分離絶縁膜２上には、コントロールゲート電極３とは第１の保護絶縁膜７及び第２のゲート絶縁膜１０によって絶縁され、且つフローティングゲート電極４とはトンネル絶縁膜１２を介してトンネル結合した消去ゲート電極５が形成されている。例文帳に追加

An erasing gate electrode 5 insulated from the control gate electrode 3 by a first protection insulation film 7 and a second gate insulating film 10 and tunnel-coupled to the floating gate electrode 4 through a tunnel insulation film 12 is formed on the element separating insulation film 2. - 特許庁

すなわち、グラニュラ層１８は、薄い第１の絶縁層２０と、それよりも厚い第２の絶縁層２２によって分離される構造となっており、前記第１の絶縁層２０が主に磁性粒子１４の微細化，第２の絶縁層２２が絶縁性の向上に寄与している。例文帳に追加

More specifically, the layer 18 is separated by a thin layer 20 and a second insulating layer 22 thicker than it, and the layer 20 mainly contributes to a miniaturaization of the particle 14, and the layer 22 to an improvement of the insulation. - 特許庁

CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。例文帳に追加

To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block. - 特許庁

大型化させることなく高電圧導体及び金属容器間の絶縁物の沿面距離を大きく取ることにより絶縁破壊を防止でき、金属異物が付着しても絶縁性能が低下することがなく信頼性の高い複合絶縁方式ガス絶縁開閉装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-reliability composite insulation-type gas-insulated switchgear whose dielectric breakdown is prevented, and whose insulation performance will not deteriorate, even if foreign metallic substances adhere, by increasing creeping distances of insulators between a high-voltage conductor and a metallic container, without increase in the size. - 特許庁

第１絶縁性基板１７の基板面に第１抵抗体１１、第２抵抗体１２を絶縁した状態で併設し、第１絶縁性基板１７に対して離間して対向配置する第２絶縁性基板１８には第１絶縁性基板１７との対向面に導電体１３を形成する。例文帳に追加

A first resistor 11 and a second resistor 12 are jointly arranged on the surface of a first insulating substrate 17 as they are electrically insulated from each other, a second insulating substrate 18 is arranged separately from the first insulating substrate 17, and a conductor 13 is formed on the surface of the second insulating substrate 18 which is opposed to the first insulating substrate 17. - 特許庁

絶縁ガスを充填した接地金属容器内に高電圧導体を絶縁支持する絶縁スペーサを、内部に電界緩和用のシールドを剥離やクラックなど応力による歪みが発生することなく配設し、電界集中が緩和された絶縁性能の優れた絶縁スペーサを、安価で簡便な設備で得る。例文帳に追加

To provide an insulating spacer for insulating and supporting a high voltage conductor in a ground metal container filled with an insulating gas, in which field concentration relaxing shields are arranged without causing separation and distortion due to stress such as cracking to provide field concentration relaxation and superior insulating performance using inexpensive and simple facilities. - 特許庁

絶縁層を、第１絶縁層と、第１絶縁層上に積層された第１絶縁層よりエッチング速度の遅い第２絶縁層から形成し、表面酸化膜のライトエッチング工程後においても、分離壁の上面がストレージノード層の上端より突出した構造とする。例文帳に追加

An insulating layer is made of the first insulating layer and the second insulating layer which is stacked on the first insulating layer and is lower in etching speed than the first insulating layer, and even in a light etching process for a surface oxide film, the topside of an isolation wall projects from the top end of the storage node layer. - 特許庁

半導体基板１０の表面には素子分離絶縁膜１６を形成すると共に絶縁膜１６の素子孔１６ａ，１６ｂ内にはそれぞれゲート絶縁膜１２Ａ，１２Ｂを形成し、ウェハ内周辺領域ＷＳには絶縁膜１２Ｂと同じ厚さの絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An element-separation insulating film 16 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 and gate insulating films 12A, 12B are respectively formed in element holes 16a, 16b of the insulating film 16, and an insulating film having the same thickness as that of the insulating film 12B is formed in a peripheral region WS in a wafer. - 特許庁

第１絶縁性基板１７の基板面に第１抵抗体１１、第２抵抗体１２を絶縁した状態で併設し、第１絶縁性基板１７に対して離間して対向配置する第２絶縁性基板１８には第１絶縁性基板１７との対向面に導電体１３を形成する。例文帳に追加

A first resistor 11 and a second resistor 12 are together formed on the surface of a first insulating substrate 17 while being electrically insulated; and a conductor 13 is formed on the opposite surface to the first insulating substrate 17, in a second insulating substrate 18 spaced apart from the first insulating substrate 17. - 特許庁

半導体層３上に素子分離を形成するための開口部１１を有するマスク絶縁膜５と下地絶縁膜４を形成した後、エッチングにより下地絶縁膜４ａをマスク絶縁膜５の端部から後退させてマスク絶縁膜５の端部下にくぼみ部１２を形成する。例文帳に追加

After a mask insulation film 5 and a basic insulation film 4 having an opening 11 for forming element separation on a semiconductor layer 3 are formed, the basic insulation film 4a is retreated from the end of the mask insulation film 5 by etching to form a recess part 12 downward of the end of the mask insulation film 5. - 特許庁