「離絶」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

反射板４４は、絶縁部５４と反射部５６とを有することで、反射機能と絶縁機能と機能分離させることにより、絶縁機能が高められる。例文帳に追加

A reflection plate 44 has an insulation part 54 and a reflection part 56, and separates functions into a reflection function and an insulation function so as to improve the insulation function. - 特許庁

端子３８を接合部２８から離れた位置に設けることで、端子３８を絶縁する絶縁材４２の温度を低く保ち、長期にわたって絶縁特性を確保する。例文帳に追加

An insulation member 42 insulating the terminal 38 is kept in low temperature and insulation property is secured over long period by arranging the terminal 38 at a position distant from the jointing part 28. - 特許庁

斯かるデバイス構造によれば、絶縁膜５０との密着性に優れた密着層４１が絶縁膜５０と誘電体膜３０との間に介在しているので、絶縁膜５０の剥離を抑制できる。例文帳に追加

According to this device structure, the adhesion layer 41 having excellent adhesiveness to the insulating film 50 is disposed between the insulating film 50 and the dielectric film 30, so that peeling of the insulating film 50 can be suppressed. - 特許庁

素子領域は、底面をｐ型支持基板１０上に形成された埋め込み絶縁膜１１で、側面をトレンチ絶縁膜１４およびポリシリコン膜１５で区画され、静電気から保護すべき他の素子と絶縁分離している。例文帳に追加

An element area of which the bottom is sectioned by a buried insulating film 11 formed on a p-type support substrate 10 and the side face is sectioned by a trench insulating film 14 and a polysilicon film 15 is insulated and separated from other elements to be protected from static electricity. - 特許庁

電機子巻線とティースとの間の絶縁を採るに際し、モールドのようにティースのバリに起因したピンホールが発生せず、絶縁フィルムと比較して重ね合わせ部分での絶縁沿面距離を得易い技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of preventing pin hole caused by burr of teeth such as a mold in insulating between an armature winding and teeth and enabling easier acquisition of an insulation creepage distance in a superimposing part than an insulation film. - 特許庁

ガラス系絶縁材料を用いる絶縁被覆であって、変形や振動によってもクラックや剥離が発生しにくく、かつ環境温度が変化してもクラック等が発生しにくい耐熱絶縁被覆を提供する。例文帳に追加

To provide a heat-resistant insulation coating, using a glass system insulating material, hardly generating crack or exfoliation even by deformation or vibration, and yet hardly causing cracks even with change of ambient temperature. - 特許庁

第１の絶縁フィルム１３と第２の絶縁フィルム１５との接着部１６を、第１、第２の絶縁フィルム１３，１５の周縁部１７から離間して設けるようにしたことを特徴とするものである。例文帳に追加

An adhesion part 16 of the first insulation film 13 to the second insulation film 15 is provided separated from the peripheral parts 17 of the first and second insulation films 13 and 15. - 特許庁

外部と内部の絶縁対象物との沿面距離を長く確保し、しかも従来の絶縁用カバーをそのまま使用したり、若干の変更を加えるだけで使用できる絶縁用カバーを提供する。例文帳に追加

To provide an insulation cover capable of ensuring long distances of fitting surfaces between external and internal objects to be insulated and capable of using a conventional insulation cover as it is, or being used only by adding a minor change. - 特許庁

このため、第２のゲート絶縁膜７上のゲート電極分離領域ＧＶに対して層間絶縁膜Ｚを埋込むときには第２のゲート絶縁膜７の上面まで埋込めばよい。例文帳に追加

Accordingly, when an interlayer insulating film Z is embedded in the gate electrode isolation region GV on the second gate insulating film 7, it may be embedded up to the top face of the second gate insulating film 7. - 特許庁

角柱形状の磁性体コア２の外周の一方部分より他方部分に向かい、絶縁被覆導線３を密着状態で捲回するとともに、該絶縁被覆導線の両端部分を絶縁剥離した端子部４とする。例文帳に追加

This wire-wound chip inductor is constituted by closely winding a conductor 3 coated for insulation around a prismatic magnetic core 2 from one side to the other side of the outer periphery of the core 2, and forming terminals 4 by removing the insulating coating film of the conductor 3 from both ends of the conductor 3. - 特許庁

また、絶縁性基板２には４個の分離電極１２からなるグランド電極１１を設け、これらの分離電極１２は互いに絶縁した状態で配置する。例文帳に追加

A ground electrode 11 consisting of four separate electrodes 12 is provided on the insulating substrate 2 and the separate electrodes 12 are arranged while being insulated from each other. - 特許庁

前記絶縁材料からなる容器に載置された電解次亜発生装置とステンレス製飲料水貯水槽内壁との絶縁性材料を回避した離間距離を少なくとも１００ｍｍとすることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to make a separated distance avoiding the insulation between the electrolytic hypo generator placed in the container made of the insulation and the inner wall of the stainless steel-made drinking water storage tank at least 100 mm. - 特許庁

そして、半導体基板１上の絶縁膜４をＣＭＰにより取り除くことにより、トレンチ分離用の溝に絶縁膜４が埋め込まれたトレンチ分離構造が形成できる（図１（ｅ））。例文帳に追加

The insulating film 4 on the semiconductor substrate 1 is eliminated by CMP, so that a trench isolating structure, wherein the insulating film 4 is embedded in the trench for trench isolation, can be formed (Figure 1(e)). - 特許庁

レーザ干渉計に基づく絶対的距離測定装置は、低、中、高解像度の測定技術を組み合わせて、サンプル表面までの絶対的距離を高解像度で求めることができる。例文帳に追加

An absolute distance measuring device based on a laser interferometer can combine measurement technologies of low, intermediate, and high resolution to determine an absolute distance to the surface of a sample. - 特許庁

本発明の半導体装置では、半導体基板１と、この半導体基板１に形成された素子分離絶縁膜２と、半導体基板１上から素子分離絶縁膜２上にかけて形成されたゲート電極４とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 1, an element isolation insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, and a gate electrode 4 formed from the upper part of the semiconductor substrate 1 toward the upper part of the element isolation insulating film 2. - 特許庁

その結果、電荷は、上側絶縁分離層内に蓄積されるのではなく、フィールド・シールドから下側絶縁分離層内へ、そしてその下の基板内に流れ込む。例文帳に追加

Consequently, an electric charge 220 is not allowed to build up in the upper isolation layer but rather bleeds from the field shield into the lower isolation layer and into the substrate below. - 特許庁

第二分離槽４は第一分離槽３から導入した絶縁油を極性溶媒と接触させて前記絶縁油に含まれる有機ハロゲン物質を前記極性溶媒の相に溶出させる。例文帳に追加

The second separation tank 4 brings the insulating oil introduced from the first separation tank 3 into contact with a polar solvent to elute an organic halogen substance included in the insulating oil in the phase of the polar solvent. - 特許庁

広い開口幅を有するＳＴＩ素子分離が、トレンチ５ａに充填された分離絶縁層７と、トレンチ５ａの底部に形成された絶縁層１３とで構成される。例文帳に追加

An STI element isolation having a broad opening width is composed by an isolation insulating layer 7 filled to a trench 5a and an insulating layer 13 formed on the bottom of the trench 5a. - 特許庁

次いで、分離溝１１、２１内に絶縁体６を塗布し、分離溝１１、２１の一方側の側縁部における第二の電極膜３と第一の電極膜１とを絶縁する。例文帳に追加

Subsequently, an insulator 6 is applied to the inside of the separation grooves 11, 21, and then the second electrode film 3 and the first electrode film 1 are insulated at one edges of the separation grooves 11, 21. - 特許庁

隣接する素子間で絶縁分離トレンチを共用してサイズの小形化を図った場合でも絶縁分離トレンチでの欠陥を確実に検出可能にすること。例文帳に追加

To surely detect a defect in an insulated isolation trench even in the case wherein the insulated isolation trench is shared by adjacent elements to minimize the device size. - 特許庁

絶縁分離トレンチの上部を平坦化するためのエッチバック工程の簡略化を実現し、同時に絶縁分離トレンチ上部の平坦性を十分に確保すること。例文帳に追加

To materialize the simplification of an etch back process for flattening the top of an insulated isolation trench, and secure the flatness of the top of the insulated isolation trench enough at the same time. - 特許庁

次に、素子分離絶縁膜（２）（３）の上面を露出し、その素子分離絶縁膜（２）（３）を第１導電体膜（２２）よりも低くなるようにエッチングする。例文帳に追加

Finally, the upper surfaces of the element separating insulating films (2) and (3) are exposed to etch the element separating insulating films (2) and (3) to make them lower than first conductor film (22). - 特許庁

半導体基板３３表面の第１の絶縁膜４０と、拡散層４３とその上の第２の絶縁膜４４によって形成され、隣接する画素間を分離する素子分離手段８６を有する。例文帳に追加

The solid-state image pickup device is formed with a first insulating film 40 on a semiconductor substrate 33 surface, a diffusion layer 43 and a second insulating film 44 on the diffusion layer and includes an element isolation means 86 for isolation neighboring pixels. - 特許庁

そして、ヒューズ素子２ａ、２ｂから所定の距離だけ離間した位置に、保護絶縁膜３及び層間絶縁膜１をエッチングして形成されたヒューズ近接開口部６ａが形成されている。例文帳に追加

A fuse proximity opening 6a formed by etching a protective insulating film 3 and the interlayer insulating film 1 is formed at a position spaced by a predetermined distance from the fuse elements 2a, 2b. - 特許庁

浮遊ゲート６上の第２のゲート絶縁膜７は、浮遊ゲート６と共に、素子分離絶縁膜４上でスリット１３により隣接するメモリセル間で分離される。例文帳に追加

By a slit 13 on the element isolating insulation film 4, between adjacent memory cells; the second gate insulating film 7 on the floating gate 6 is separated together with the floating gate 6. - 特許庁

シリコン基板１の上層部に形成されたトレンチ１０に埋め込まれて分離絶縁膜２が形成され、分離絶縁膜２によりシリコン基板１の上層部がＭＯＳＦＥＴ形成領域として規定される。例文帳に追加

In the semiconductor device, the upper layer of a silicon substrate 1 is specified as a MOSFET forming area by means of a separation insulating film 2 formed in a trench 10 formed in the upper layer of the substrate 1 in an embedded state. - 特許庁

ｐ型のシリコン基板１１上に、ＳｉＯ_２ 等からなる絶縁分離層１２を設け、その絶縁分離層１２上に、受動素子として金属層１３からなるインダクタ１４を形成させるようにした。例文帳に追加

An insulating separation layer 12 constituted of SiO_2 or the like is formed on a p-type silicon substrate 11, and an inductor 14 constituted of a metal layer 13 is formed on the insulating separation layer 12 as a passive element. - 特許庁

ダミー絶縁層を用いる多数の相互離隔されたラインを含み、ダミー絶縁層は相互離隔されたラインから１次選択される一部の間に形成される。例文帳に追加

A number of lines that use a dummy insulating layer and are mutually isolated are included, and the dummy insulating layer is formed between portions that are selected primarily from the lines that are mutually isolated. - 特許庁

開閉器全体の小型化に伴って対地間及び異相間の絶縁距離が短縮されることによる絶縁性能の低下は、対地間及び異相間の沿面距離が増大することにより補われる。例文帳に追加

Deterioration of insulation performance due to reduction of the insulation distance from the ground and between different phases based on downsizing of the whole switch can be compensated by increasing a creepage distance from the ground and between different phases. - 特許庁

これにより、絶縁距離を気にすることなく必要な絶縁距離を確保することができ、雷サージなどによる電力半導体素子１の破壊を防ぐことができる。例文帳に追加

Thus, a required insulation distance is secured without caring about the insulation distance, so that breakage of the power semiconductor element 1 due to lightning surge is prevented. - 特許庁

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。例文帳に追加

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC. - 特許庁

換言すれば、半導体装置は、電源配線２１の下方において、シリコン層４の上面から絶縁層３の上面に達して形成された完全分離型の素子分離絶縁膜を備えている。例文帳に追加

In other words, the semiconductor device includes the element isolation insulating film of a completely separated type, which is formed so as to reach from the top surface of the silicon layer 4 to the top surface of the insulating layer 3, under the power supply wiring 21. - 特許庁

絶縁膜４４ａの電界強度を低下させることで、高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ２０の耐圧低下や層間絶縁膜５の破壊および素子分離溝（トレンチ４ａ）の分離耐圧劣化を防止できる。例文帳に追加

The electric field intensity of the insulating film 44a is thus decreased to prevent the drop in breakdown voltage of the high-breakdown-voltage NMOSFET 20, the breakage of the inter-layer insulating film 5, and the isolation breakdown voltage deterioration of the element isolation groove (trench 4a). - 特許庁

また、絶縁膜側面３ｂの剥離を導電性配線２とダミー配線１０とによって抑制することができ、側面３ｂの剥離発生による絶縁膜３の熱変形量の増加を抑制することができる。例文帳に追加

Moreover, it is also possible to suppress the separation of the side 3b of the insulating 3 film by the conductive wiring 2 and the dummy wiring 10, enabling prevention of the amount of heat distortion of the insulating film 3 due to the separation of the side 3b from increasing. - 特許庁

導電箔６０に分離溝５４を形成した後、回路素子を実装し、この導電箔６０を支持基板として絶縁性樹脂５０を被着し、反転した後、今度は絶縁性樹脂５０を支持基板として導電箔を研磨して導電路として分離している。例文帳に追加

Conductive foil is polished with insulating resin 50 as the support substrate and is separated as a conductive path. - 特許庁

この電気絶縁部２１を設けることにより、本発明の密閉形電動圧縮機用保護装置３では、導電部の外部導電部に対する絶縁距離が空間沿面距離で９．５ｍｍ以上になるように構成されている。例文帳に追加

By forming the electrical insulating part 21, the protective device 3 for sealed electric compressor is formed so that the insulation distance corresponding to the external conductive part may be equal to or more than 9.5 mm in its spatial creepage distance of insulation. - 特許庁

また、絶縁膜側面３ｂの剥離を導電性配線２とダミー配線１０とによって抑制することができ、側面３ｂの剥離発生による絶縁膜３の熱変形量の増加を抑制することができる。例文帳に追加

Also, it is possible to suppress the peeling of the side face 3b of the insulating film by the conductive wiring 2 and the dummy wiring 10, and to reduce the increase of the thermal deformation quantity of the insulating film 3 due to the generation of the peeling of the side face 3b. - 特許庁

換言すれば、半導体装置は、電源配線２１の下方において、シリコン層４の上面から絶縁層３の上面に達して形成された完全分離型の素子分離絶縁膜を備えている。例文帳に追加

In other words, this semiconductor device is provided with a complete-isolation-type element isolation insulating film that is formed from the upper surface of the silicon layer 4 to the upper surface of the insulating layer 3 at the lower portion of the power supply wiring 21. - 特許庁

Ａｌ電極パッド２０は、筒状絶縁層６３の外周より所定距離離間位置に配置されており、筒状絶縁層６３と非接触となるように設けられている。例文帳に追加

The Al electrode pads 20 are arranged at the position distant from the outer periphery of the layer 63 in the predetermined distance, and provided in no contact with the layer 63. - 特許庁

素子分離絶縁膜２は、ゲート電極４下以外の該素子分離絶縁膜２の上部を掘り下げることによって上段部と下段部の段差構造を有している。例文帳に追加

The element isolation insulating film 2 has a multi-stage structure of an upper stage and a lower stage by digging down the upper part of the element isolation insulating film 2 other than a part under the gate electrode 4. - 特許庁

素子分離絶縁膜の上面の高さを、基板上の全面でほぼ均一にできるとともに、素子分離絶縁膜の上面を平坦化することができるエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an etching device capable of making a height of an upper surface of an element separation insulating film approximately equal on the entire surface of a substrate and planarizing the upper surface of the element separation insulating film. - 特許庁

ＭＯＳ型半導体記憶装置においてメモリセルアレイ領域の素子分離絶縁膜が掘れるのを抑制し、素子分離絶縁膜とコンタクトパッドとのオーバーラップを最少に設定し、チップ面積の増大を抑制する。例文帳に追加

To restrain removal of an isolation insulating film of a memory cell array region in an MOS-type semiconductor memory device, set an overlap between an isolation insulating film and a contact pad minimum, and restrain increase of a chip area. - 特許庁

チャネル領域を有するシリコン基板１に、チャネル領域を分離するようにトレンチ９を形成し、このトレンチ９を絶縁膜で埋め込んでトレンチ素子分離絶縁膜２を形成する。例文帳に追加

A trench is cut on the surface of a silicon substrate 1 provided with a channel region so as to isolate the channel region, and the trench is filled up with an insulating film to form a trench element isolation insulating film 2. - 特許庁

シリコン基板１１にゲート絶縁膜１５を介して第１のゲート電極材料膜１６ａを堆積した後、マスク材を用いて素子分離用溝１３を加工し、素子分離絶縁膜１４を埋め込む。例文帳に追加

After a first gate electrode material film 16a is deposited on a silicon substrate 11 through a gate insulating film 15, a mask material is used to work an element isolation groove 13 for embedding an element isolation insulating film 14. - 特許庁

絶縁ベースにおける位置設定溝の深さが異なるために、固定素子の固定端及び絶縁ベースの第１面は、異なる距離だけ離間され、固定端を互いに食い違い状態にさせる。例文帳に追加

Since the depths of the positioning grooves in the isolated base are different, the fixed end of the fixing element and the first surface of the isolated base are spaced from each other by the different distance so that the fixed ends may be discrepant. - 特許庁