「A-P」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case of loss of Japanese citizenshi p of a family head. 例文帳に追加

戸主が日本国籍を失ったとき - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

The photoelectric converting element 1 includes a p-n junction.例文帳に追加

光電変換素子１は、ｐ−ｎ接合を含む。 - 特許庁

A comparing part 79 compares P_pmax to PL in magnitude.例文帳に追加

比較部７９によりＰ_pmaxとＰ_Lの大小を比較する。 - 特許庁

P_n=A_D×EXP(-k_n×n) (1).例文帳に追加

Ｐ_ｎ＝Ａ_Ｄ×ＥＸＰ（−ｋ_ｎ×ｎ） （１） - 特許庁

On the mesa region 20, a p-electrode 19 is formed.例文帳に追加

メサ領域２０上にはｐ電極１９が設けられる。 - 特許庁

A p-type micelle solution is prepared similarly.例文帳に追加

ｐ型も同様に分散させミセル溶液を作成する。 - 特許庁

In an electrooptical device, a unit circuit P includes element parts U1 and U2.例文帳に追加

単位回路Ｐは素子部Ｕ1・Ｕ2を含む。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁

Thus, a part of the p-electrodes 12 is exposed.例文帳に追加

これにより、ｐ電極１２の一部が露出している。 - 特許庁

A Ti protection layer 51 is formed on the p-side electrode 5.例文帳に追加

ｐ側電極５上にＴｉ保護膜５１を形成する。 - 特許庁

A light-transmissive electrode 20 comprising niobium titanium oxide and having a photocatalytic function is formed on a p-clad layer 14 comprising p-type AlGaN and a p-contact layer 15 comprising p-type GaN.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＮから成るｐクラッド層１４、ｐ型ＧａＮから成るｐコンタクト層１５の上には酸化ニオブチタンから成る、光触媒機能を有する透光性電極２０が形成されている。 - 特許庁

In an apparatus and method for generating a current pair I_p, I_m where the ratio of the pair is exponentially related to a control signal, either I_p or I_m is larger than a minimum value or smaller than a maximum value.例文帳に追加

対の比率が制御信号に指数関数的に関係する電流対I_p、I_mを発生する装置および方法であって、ここにI_pまたはI_mのいずれかは最小値より大きいかまたは最大値より小さい。 - 特許庁

Then, a p-side electrode 30 is formed.例文帳に追加

引き続き、ｐ側電極30を形成する。 - 特許庁

Wiring patterns 20 and 21 are provided on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐ上に配線パターン２０、２１が設けられる。 - 特許庁

To efficiently produce a P-type doped silicon precursor.例文帳に追加

Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。 - 特許庁

The surface of the skin layer 2a forms a polishing face P.例文帳に追加

スキン層２ａの表面が研磨面Ｐを形成している。 - 特許庁

The MOS transistor 2 is a p-channel type MOS transistor.例文帳に追加

MOSトランジスタ２はｐチャネル型MOSトランジスタである。 - 特許庁

The substrate P is placed on the surface of a stage.例文帳に追加

ステージは、基板Ｐをその上面に載置する。 - 特許庁

The image forming apparatus 1 forms an image on a paper P.例文帳に追加

用紙Ｐに画像を形成する画像形成装置１。 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層２１内にＳiＧe層２４を形成する。 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。 - 特許庁

A pressure P of the tank interior is detected (step 100).例文帳に追加

タンク内部の圧力Ｐを検出する（ステップ１００）。 - 特許庁

A P-type impurity is doped on the polysilicon film.例文帳に追加

前記ポリシリコン膜にＰ型不純物をドーピングする。 - 特許庁

To find a reducible polynomial nearest to an irreducible polynomial p.例文帳に追加

既約多項式ｐに最も近い可約多項式を求める。 - 特許庁

On the polishing surface P, an opening hole of a recess 5a is formed.例文帳に追加

研磨面Ｐには、凹部５ａの開孔が形成されている。 - 特許庁

Relating to a silicon carbide trench MOSFET, a semiconductor device has both a region of low p-body width concentration and narrow width, and a region of high p-body concentration and wide width.例文帳に追加

炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。 - 特許庁

Thus, a portion of the p-electrode 12 is exposed.例文帳に追加

これにより、ｐ電極１２の一部が露出している。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

At this time, the speed of the paper P is a second speed.例文帳に追加

このとき、用紙Ｐの速度は、第二の速度である。 - 特許庁

A control part 10g detects the outline of the subject P.例文帳に追加

制御部１０ｇは、被検体Ｐの外形を検出する。 - 特許庁

A check image 40 is formed on the sheet P.例文帳に追加

用紙Ｐには、チェック画像４０が形成される。 - 特許庁

More specifically, an estimated error covariance matrix P_ax, _y(t) and a diagonal matrix Q_u(t) are set as initial values (S31), and an estimated error covariance matrix P_bx, _y(t) is obtained by using a state shift result A_t(X_x+dx, _y+dy(t-1)) (S32).例文帳に追加

具体的には、初期値として推定誤差共分散行列P_ax,y(t)と対角行列Q_u(t)を設定し（Ｓ３１）、状態遷移結果A_t(X_x+dx,y+dy(t-1))を用いて推定誤差共分散行列P_bx,y(t)を求める（Ｓ３２）。 - 特許庁

The pellet, having a thickness between 0.05 and 1 mm, forms a colorless transparent protective film comprising Sn-30 to 50 at% O-5 to 15 at% P or Sn-10 to 30 at% In-40 to 60 at% O-5 to 15 at% P, on the surface of a lead-free solder alloy including Sn as a principal component when heated for soldering.例文帳に追加

Sn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明のSn-30〜50at%O−5〜15at%PやSn-10〜30at%In-40〜60at%O−5〜15at%Pからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットであり、厚さが0.05〜1mmである。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

A respiration detection section 15 detects the respiration of a subject P and outputs a respiratory signal, and an atomizer 41 intermittently sprays atomized water to the periphery of the head part of a sleeping person P.例文帳に追加

呼吸検出部（15）によって対象者（P）の呼吸を検出して呼吸信号を出力し、噴霧装置（41）では、この呼吸信号に応じて、就寝者（P）の頭部周辺に霧化した水を間欠的に噴霧する。 - 特許庁

Thus, bending work is applied to a pipe P.例文帳に追加

これにより、パイプＰに対して曲げ加工することができる。 - 特許庁

A ram 10 is arranged at the press position P.例文帳に追加

プレス位置Ｐにラム１０を配置する。 - 特許庁

The surface of the protruded part 5 constitutes a polishing surface P.例文帳に追加

凸部５の表面が研磨面Ｐを構成している。 - 特許庁

The load input point P is set at a suspension device.例文帳に追加

また、荷重入力点Ｐが懸架装置に設定されている。 - 特許庁

A pilot lamp P is embedded in the main body case 4.例文帳に追加

本体ケース４は、パイロットランプＰを内蔵している。 - 特許庁

In an epitaxial layer 12, a p-type embedded layer 13 A of the bottom is embeddedly formed and further a p-type connection layer 13B which connects the p-type embedded layer 13 and a p-type base layer 14 is embeddedly formed.例文帳に追加

エピタキシャル層１２には、底部のｐ型埋め込み層１３Ａが埋め込み形成され、更にｐ型埋め込み層１３とｐ型ベース層１４とを接続するｐ−型接続層１３Ｂが埋め込み形成されている。 - 特許庁

A phosphor P is diffused in the refrigerant R.例文帳に追加

そして、冷媒Ｒ中に蛍光体Ｐが分散されている。 - 特許庁

The conductivity type of pixel transistors is a P type.例文帳に追加

画素トランジスタの導電型をＰ型にした。 - 特許庁

A parallel p-n structure is formed by this processes.例文帳に追加

ここまでのプロセスで、並列ｐｎ構造が形成される。 - 特許庁