「A-P」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

It was a parade with a capital P. 例文帳に追加

それはこの上なくすばらしいパレードだった。 - Tanaka Corpus

The optional p is a digit specifying the precision, the number of fractional digits after a decimal point. 例文帳に追加

つまり小数点以下の桁数を指定します。 - JM

If invoked from a terminal, ed pauses at the end of each page until a newline is entered. 例文帳に追加

t (.,.)p指定した範囲の行の内容を表示します。 - JM

Returns true if p is a dict object or an instance of a subtype of the dict type.Changed in version 2.2:Allowed subtypes to be accepted.例文帳に追加

引数が PyDictObject のときに真を返します。 - Python

The driving pulse P contains a main pulse and a sub pulse.例文帳に追加

駆動パルスＰはメインパルスとサブパルスとを含む。 - 特許庁

In a third embodiment, the P-transition layer is a superlattice.例文帳に追加

第３実施形態では、Ｐ型遷移層は超格子である。 - 特許庁

A map is divided into areas A to P in four sides of a rectangle of 4 to 50 m depending on the precision of the GPS and position information in the areas A to P is registered in advance in a database 2 of a server 3.例文帳に追加

地図上でGPSの精度に応じて４〜５０ｍ四方にてエリアA〜Pを分け、そのエリアA〜Pの位置情報を予めサーバー３のデータベース２に登録する。 - 特許庁

A rotator 10 rotates around a rotation shaft P.例文帳に追加

回転子１０は回転軸Ｐの周りで回転する。 - 特許庁

A surface of the skin layer 2a forms a polishing surface P.例文帳に追加

スキン層２ａの表面が研磨面Ｐを形成している。 - 特許庁

(B) represents a transposition of a Bloom filter row BF(p).例文帳に追加

（Ｂ）は、ブルームフィルタ列ＢＦ（ｐ）の転置を示している。 - 特許庁

At this time, a speed of the paper P is a first speed.例文帳に追加

このとき、用紙Ｐの速度は、第一の速度である。 - 特許庁

A block B is selected with a pointer P through mouse operation.例文帳に追加

マウス操作するポインタＰでブロックＢを選択する。 - 特許庁

A double wall unit panel P is connected in the form of a face.例文帳に追加

二重壁ユニットパネルＰにて面状に連結する。 - 特許庁

A control means adjusts a light diminishing ratio of the pixel P.例文帳に追加

制御手段は、画素Ｐの減光率を調整する。 - 特許庁

A provider P is equipped with a distribution refusal server DRS.例文帳に追加

プロバイダＰは、配信拒否サーバＤＲＳを備える。 - 特許庁

A p+ layer 10 is formed in a channel region 4.例文帳に追加

チャネル領域４にはｐ＋層１０が形成されている。 - 特許庁

A present value KdB_c(a)_p of a corrected evaluation index of approach/separation condition is calculated from equation (1), and deceleration control is started when the KdB_c(a)_p exceeds a threshold value determined from a braking determining equation (S7).例文帳に追加

下記式から補正接近離間状態評価指標の現在値KdB_c(a)_pを算出し、KdB_c(a)_pがブレーキ判別式から定まる閾値を上回ったら減速制御を開始する（Ｓ７）。 - 特許庁

The pinion has a gear 30 with a pitch p.例文帳に追加

前記ピニオンはピッチｐの歯３０を有する。 - 特許庁

A control portion 10g detects a contour of the object P.例文帳に追加

制御部１０ｇは、被検体Ｐの外形を検出する。 - 特許庁

This structure is provided with a p-type layer 3a in a lower part of a center part of a p-type base region 3 connected between adjacent cells, specifically, a lower part of a body p-type layer 5 brought into contact with a source electrode 12 within the p-type base region 3.例文帳に追加

隣接するセル同士間で繋がったｐ型ベース領域３の中央部の下部、具体的にはｐ型ベース領域３のうちソース電極１２と接触させられるボディｐ型層５の下部にｐ型層３ａを備える。 - 特許庁

Further, in a (p) base region on the bottom of a trench, an n+ source region and a p+ contact region are formed, and a source electrode is connected to an n+ source region and p+ contact region respectively via a source connecting conductor and a p+ connecting conductor.例文帳に追加

また、トレンチ底部のｐベース領域内に、ｎ^+ ソース領域とｐ^+ コンタクト領域とを形成し、ソース電極とｎ^+ ソース領域、ｐ^+ コンタクト領域とをそれぞれソース接続導体、ｐ^+ 接続導体で接続する。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

In a prediction model memory 201, a proportional expression λ∝P^2/3 is memorized as a prediction model indicative of an increase in a frequency λ of communication between users in relation to an increase in a service coverage P.例文帳に追加

予測モデル記憶部２０１には、サービス普及率Pの増加に対するユーザ間通信頻度λの伸びを表す予測モデルとして、比例式λ∝P^2/3が記憶されている。 - 特許庁

Z-[(AO)_n-H]_p (1), wherein, Z is a residue formed by removing an active hydrogen atom from an active hydrogen atom-containing compound (a) having a valence of p, A is a 1-8C alkylene group, and n is an integer of 1-400, and p is an integer of 1-100.例文帳に追加

Ｚ−［（ＡＯ）_n−Ｈ］_p （１）式中、Ｚはｐ価の活性水素含有化合物から活性水素を除いた残基；Ａは炭素数１〜８のアルキレン基；ｎは１〜４００の整数；ｐは１〜１００の整数である。 - 特許庁

A solar battery 10 is constituted by laminating an upper cell 12 stacking an n+-layer, a p-layer, and a p+-layer upon a lower cell 14 in which n+-layers and p+-layers are arranged in the lower section of a p-layer along the rear surface of the cell 14.例文帳に追加

ｎ^+層、ｐ層、ｐ^+層で構成された上部セル１２とｐ層の下部に裏面に沿ってｎ^+層とｐ^+層を並べた下部セル１４とを積層し太陽電池１０とする。 - 特許庁

When the Status indicates the non-normal state, a Q calculating unit 107 sets a quantization step size Q to nSize[p, c-1]/tSize using nSize[p, c-1] as a normalized code of a last coding unit of the same picture in a step S62.例文帳に追加

Statusが非定常状態であるとき、Q計算部107は、ステップS62において、同じピクチャで1つ前のコーディングユニットにおける正規化符号量であるnSize[p,c-1]を用いて、量子化ステップサイズQをnSize[p,c-1]／tSizeに設定する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

In the thin-film forming apparatus, the substrate is heated to a temperature range of 150 to 230°C, and a partial pressure P_addedgas of an added gas and a partial pressure P_organometallicgas of a raw material gas prepared by evaporating the organic titanium compound are set in a range of 10≤P_addedgas/P_organometallicgas.例文帳に追加

基体を１５０℃乃至２３０℃の温度範囲に加熱し、添加ガスの分圧Ｐ_added _gasを、有機チタン化合物を気化させた原料ガスの分圧Ｐ_organometallic _gasに対し、１０≦Ｐ_added _gas／Ｐ_organometallic _gasの範囲に設定する薄膜形成装置とする。 - 特許庁

A hot carrier life is estimated by a hot carrier life model having a feature of τ∝I_p^-m.I_d^m-2 by setting τ as the life, I_p as light quantity of light emission of the MOS transistor, I_d as a drain current and (m) as a fitting parameter.例文帳に追加

τを寿命、I_pをMOSトランジスタの発光の光量強度、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ I_p^-m・I_d^m-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

A multijunction photovoltaic structure includes: a first subcell including a p-n or p-i-n junction with elongated structures; and a second subcell, arranged in tandem with the first subcell, and including a planar p-n or p-i-n junction.例文帳に追加

マルチ接合光電池構造は、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルと、上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを含む。 - 特許庁

The M. P.'s are all of a tremble―Shaking in the shoes―at the rumour of dissolution. 例文帳に追加

議員連は解散の噂でぶるぶるものだ - 斎藤和英大辞典

He must be a P. M., at the very least. 例文帳に追加

いくら安く踏んでも代議士位には見える - 斎藤和英大辞典

Open from 8 a. m. to 9 p. m. 例文帳に追加

（図書館の掲示）午前八時より午後九時まで開館 - 斎藤和英大辞典

As a new M. P., he shows a conspicuous activity―carries it off well. 例文帳に追加

彼は新議員としては活動ぶりはなかなか鮮かだ - 斎藤和英大辞典

He is at his desk from 9 a. m. to 3 p. m. 例文帳に追加

午前九時から午後三時まで執務します - 斎藤和英大辞典

You must mind your P's and Q's while on a visit. 例文帳に追加

よその家へ行って粗相をしないようになさい - 斎藤和英大辞典

You must mind your P's and Q's while on a visit. 例文帳に追加

よその家へ行ったら言語挙動に注意なさい - 斎藤和英大辞典

You must mind your P's and O's while on a visit. 例文帳に追加

よその家へ行ったら言語挙動に気を付けろ - 斎藤和英大辞典

The factory opens at 8 a. m., and closes at 5 p. m. 例文帳に追加

工場は午前八時始業午後四時終業 - 斎藤和英大辞典

Prove that P is a poset.例文帳に追加

Ｐが半順序集合であることを証明せよ。 - Tatoeba例文

an inscribed mark of the Japanese language named a p-sound mark 例文帳に追加

半濁点という,日本の言語の表記記号 - EDR日英対訳辞書

a chemical compound called {tetrachlorodibenzo-p-dioxin} 例文帳に追加

四塩化ジベンゾダイオキシンという化合物 - EDR日英対訳辞書