「A-P」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.例文帳に追加

ｐ型バックゲート領域１は、比較的浅いｐ型拡散領域１ａと比較的深いｐ型拡散領域１ｂとを有している。 - 特許庁

The p emitter region is composed of a low-concentration p-channel region 103 and a high-concentration p^+ emitter region 100.例文帳に追加

そしてｐエミッタ領域を，低濃度のｐチャネル領域１０３と高濃度のｐ^＋エミッタ領域１００とで構成した。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

When the pipe inserting implement 1 is inserted into the pipe P, a plate spring 4 is elastically deformed in the pipe P, and a filter 2 is secured in the pipe P.例文帳に追加

パイプ挿入具１をパイプＰ内に挿入すると、パイプＰ内で板バネ４が弾性変形して、フィルタ２がパイプＰ内で固定される。 - 特許庁

The p-side metal pillar has a p-side external terminal that is exposed from the insulating material on a surface different from the surface onto which the p-side electrode is connected.例文帳に追加

ｐ側金属ピラーは、ｐ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｐ側外部端子を有する。 - 特許庁

The ratio (W/P) of one-turn winding length W to a knitting pitch P reaches a value within the range of 0.5-2.5 at the knitting pitch P of the braided wire 50.例文帳に追加

編組線50の編みピッチＰは、１ターン巻回長Ｗと編みピッチＰとの比（Ｗ／Ｐ）が０．５〜２．５の範囲内の値となるようにする。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of the P-type well area 52C is formed, and a MOS transistor is formed in the P-type well area 52C.例文帳に追加

Ｐ型ウエル領域５２Ｃの底部に接するＰ＋型埋め込み層５５を設け、Ｐ型ウエル領域５２Ｃの中にＭＯＳトランジスタを設ける。 - 特許庁

A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加

ソース領域７およびドレイン領域９は、ｎ型エピタキシャル層４に接続されている。 - 特許庁

A storage space part S for storing the paper P temporarily is provided on the downstream side of a light exposure engine 7 for scanning and exposing the paper P to light on the paper P.例文帳に追加

ペーパーＰ上に走査露光する露光エンジン７の下流側に、それを一時的に収容（貯留）する収容空間部Ｓを設ける。 - 特許庁

An aligning and feeding device aligns the parts P in a specified direction by an attitude selection mechanism 50 and discharges the parts P, while transferring the parts P by a moving mechanism.例文帳に追加

パーツの整列供給装置は、パーツＰを移送機構で移送しながら、姿勢選別機構５０で特定の方向に整列して排出する。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for producing p- dichlorobenzene(p-DCB) with a high activity and a high p-selectivity.例文帳に追加

高活性でｐ選択性が高くかつ工業的にも有利なｐ−ＤＣＢの製造方法を提供する。 - 特許庁

This p-well 13' is connected to a p-type semiconductor substrate 22 via a p-well 25 in order to be at the stable zero potential.例文帳に追加

このＰウェル１３’は、安定したゼロ電位をとるために、Ｐウェル２５を介して、Ｐ型半導体基板２２に接続されている。 - 特許庁

Heat distortion at the cutting position P is caused, when a linear beam X formed by converging light emitted from a light source at the cutting position P irradiates the cutting position P.例文帳に追加

この切断位置Ｐに熱源からの光を集光して成形した線状熱ビームＸを照射して、パネル部２ａに熱歪を発生させる。 - 特許庁

Consequently, a front end edge of the sheet P is set along a direction orthogonal to the conveying direction of the sheet P and the skew of the sheet P is corrected.例文帳に追加

これにより、用紙Ｐの搬送方向と直交する方向に用紙Ｐの先端縁が沿うようになり、用紙Ｐのスキューが補正される。 - 特許庁

The electron ray deflector generates first electron rays 21L-2, second electron rays 27 and third electron rays 28 which enter a container P permeably from a side part of the container P and have three different directions each other to the container P.例文帳に追加

電子線２４を生成する電子線生成器９と、電子線２４を磁気的に偏向する電子線偏向器とから構成されている。 - 特許庁

An amplitude and a phase of at least one component among a component of frequency 2F(A_A-A_P+A_R) and a component of frequency 2F(A_A+A_P-A_R) are found from a plurality of I(t_i)s.例文帳に追加

複数のI(t_i)から周波数2F(A_A-A_P+A_R)の成分と周波数2F(A_A+A_P-A_R)の成分とのうちの少なくとも1つの成分の振幅及び位相を求める。 - 特許庁

To provide a computing technology of scalar k multiplication k×P of a base point P on an elliptic curve E/GF(p^m) defined on GF(p^m) which is an m-th extension field of a finite field GF(p) with p as a prime number of 2 or more, rapid and resistant to a simple power analysis method.例文帳に追加

単純電力解析法に対して耐性を有し高速な、ｐを２以上の素数とする有限体ＧＦ（ｐ）のｍ次拡大体であるＧＦ（ｐ^ｍ）上で定義された楕円曲線Ｅ／ＧＦ（ｐ^ｍ）上のベースポイントＰのスカラーｋ倍算ｋ×Ｐの計算技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.例文帳に追加

p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

it is a type of multidrug resistance inhibitor and a type of p-glycoprotein antagonist. 例文帳に追加

多剤耐性阻害薬の一種であり、p糖蛋白拮抗薬の一種でもある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

tariquidar is a type of multidrug resistance inhibitor and a type of p-glycoprotein antagonist. 例文帳に追加

タリキダルは多剤耐性阻害薬の一種であり、p糖蛋白拮抗薬の一種でもある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

xr9576 is a type of multidrug resistance inhibitor and a type of p-glycoprotein antagonist. 例文帳に追加

xr9576は多剤耐性阻害薬の一種であり、p糖蛋白拮抗薬の一種でもある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

Furthermore, a p injection layer 6P is formed by the ion implantation of phosphorus (P) with the resist 7 as a mask.例文帳に追加

さらに、レジスト７をマスクにして、リン（Ｐ）をイオン注入してＰ注入層６Ｐを形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor doped with p-type impurities into a low resistance p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁

The source 13s is composed of a P^- layer and a P^+ layer mutually adjacently contacting.例文帳に追加

ソース１３ｓは互いに隣接して接触されたＰ^−層とＰ^＋層から構成されている。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

A P-electrode 4 is formed on a prescribed region of the P-contact layer 18.例文帳に追加

ｐ−コンタクト層１８の所定領域上にはｐ電極４が形成されている。 - 特許庁

A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ^+コンタクト領域６を形成する。 - 特許庁

In this manufacture, a p- epitaxial layer 3a is formed on the main surface of a p+ silicon substrate 1a.例文帳に追加

ｐ^+ シリコン基板１ａの主表面上にｐ^- エピタキシャル層３ａを形成する。 - 特許庁

A composite film consists of titanium oxide and a P-type semiconductor and has photocatalytic activity.例文帳に追加

酸化チタン及びp型半導体からなり、光触媒活性を有する複合膜。 - 特許庁

A peak/hold part 41 detects and retains a peak voltage Vout-p of the voltage Vout.例文帳に追加

ピークホールド部４１は、電圧Ｖout のピーク電圧Ｖout-p を検出して保持する。 - 特許庁

The present invention may be applicable to a video signal processing apparatus that performs I/P conversion of a video signal.例文帳に追加

本発明は、映像信号のI/P変換を行う映像信号処理装置に適用することができる。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをｐ型半導体で埋める。 - 特許庁

A correlation signal is obtained through a square-sum operation of (I/P)2+(Q/P)2 by the square calculation circuit a16.例文帳に追加

二乗演算回路ａ１６による二乗和演算（Ｉ／Ｐ）^2＋（Ｑ／Ｐ）^2により相関信号が得られる。 - 特許庁

A P-type impurity region 13b is formed simultaneously with a P-type well 13.例文帳に追加

まず、Ｐ型不純物領域１３ｂを、Ｐ型ウェル１３と同時に形成する。 - 特許庁

The p-side metallic protection film covers a surface and a side surface of the p-side contact electrode.例文帳に追加

ｐ側金属保護膜は、ｐ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 - 特許庁

A p-SiOC film 22 is formed and a cap film 23 is formed on the p-SiOC film 22.例文帳に追加

次に、ｐ−ＳｉＯＣ膜２２を形成し、ｐ−ＳｉＯＣ膜２２上にキャップ膜２３を形成する。 - 特許庁

A paper feeding roller 3 feeds paper P to a recording part keeping the paper P in contact with its roller surface.例文帳に追加

給紙ローラ３は，用紙Ｐをそのローラ面に接触させて記録部に給送する。 - 特許庁

P^+ contact in the P well can be connected with a reset voltage source and a pixel is reset.例文帳に追加

Ｐウェル中のＰ^+コンタクトはリセット電圧源に接続でき、これにより画素をリセットする。 - 特許庁

A plurality of p-type rings 124a to 124e are formed around a p-base region 13a.例文帳に追加

ｐベース領域１３ａの周りには複数のｐ型リング１２４ａ〜１２４ｅが形成されている。 - 特許庁

As the exchanger P, a shell and tube type heat exchanger P using sea water as a cooling water is used.例文帳に追加

熱交換器Ｐは、海水を冷却水として使用するシェルアンドチューブ型熱交換器Ｐとする。 - 特許庁

A P-well 5 common to a peripheral NMOS Tr 52 region is formed in the memory cell Tr 50 region.例文帳に追加

メモリセルTr50領域には、周辺NMOSTr52領域と共通のPウェル5が形成されている。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁