「A-P」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Within the p^- diffusion region 5, a plurality of p diffusion regions 20 containing p-type impurities are formed, which have high concentration as compared with the p^- diffusion region 5.例文帳に追加

ｐ^-拡散領域５内には、このｐ^-拡散領域５よりも高濃度のｐ型の不純物を含むｐ拡散領域２０が複数個形成される。 - 特許庁

The molar ratio of titanium oxide and the P-type semiconductor is, for example, 99:1-50:50 and, as the P-type semiconductor, for example, there is an oxide semiconductor, or a compd. semiconductor.例文帳に追加

酸化チタンとp型半導体のモル比は、例えば、99:1〜50:50の範囲であり、p型半導体は、例えば、酸化物半導体または化合物半導体である。 - 特許庁

The third p-type layer is provided between the first p-type layer and the second p-type layer and contains the p-type impurity at a third concentration lower than the second concentration.例文帳に追加

第３ｐ形層は第１ｐ形層と第２ｐ形層との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

It is preferable that the aqueous solution containing P contains 0.5 to 5,000 ppm P and has a pH of 4.0 to 12.0.例文帳に追加

この場合のP含有水溶液のP濃度は０．５〜５０００ｐｐｍ、pHは４.０〜１２.０であることが好ましい。 - 特許庁

When the paper sheet P passes through the paper sheet drawing-in roller mechanism, a terminating end of the paper sheet P is pressed against the stapling table 29 by the paper sheet holding lever 3a.例文帳に追加

紙Pが紙引込みローラ機構を通過すると、紙Pの終端部は紙押さえレバー3aによって綴じ処理テーブル29へ押さえつけられる。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

Then a GOP is composed of encoded data of the I, P, and B frames for forward reproduction and encoded data of the P frame for backward reproduction.例文帳に追加

そして、順方向再生用のI,P,Bフレームの符号化データと、逆方向再生用のPフレームの符号化データによってGOPを構成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

In the expression (6), p is the number of the processors; τ(p) is a processing time when it is executed by the processors of a number p; and γ_i(p) is a processing time of a portion wherein parallel calculation is performed by the i-th processor (wherein, 1≤i≤p, and p is the number of the processors).例文帳に追加

ただし、ｐはプロセッサ数、τ（ｐ）はプロセッサ数ｐで実行したときの処理時間，γ_ｉ（ｐ）はプロセッサ数ｐでｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のプロセッサで並列計算が行なわれている部分の処理時間である。 - 特許庁

A method comprises coating the surface of an article with a polymer comprising monomers of p-xylene and/or a ring halogenated p-xylene and/or p-fluoromethylxylene and absorbing macromolecules thereto.例文帳に追加

p-キシリレン及び／又は環ハロゲン化p-キシリレン及び／又はp-フルオロメチルキシリレンのモノマーを含むポリマーであって巨大分子を吸着し得るものを物品の表面にコーティングする方法について記載する。 - 特許庁

G is a rational point group of an elliptic curve, P is an element of G, p is the order of P, Q=xP with respect the element x of a set {1 to p} of secret keys, and (G, p, P, Q) is a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

The acceleration upper limit value is set to a value lower than a value obtained when the present vehicle speed Vo_p is lower than a present vehicle speed threshold value when the present vehicle speed Vo_p is higher than the present vehicle speed threshold value TH_p.例文帳に追加

この加速度上限値は、現在の自車速Vo_pが現在車速閾値TH_pよりも高い場合、現在の自車速Vo_pがそれよりも低い場合より低く設定される。 - 特許庁

A residual lifetime M_P of the rotating machine at this point is computed based on a relationship among insulating characteristics Y_P measured at one point N_P with an elapsed time of use, an initial insulating characteristics and a limit insulating characteristics.例文帳に追加

一つの使用経過時点Ｎ_Pで測定された絶縁特性Ｙ_Pと初期絶縁特性及び限界絶縁特性との関係から回転機のこの時点における余寿命Ｍ_Pを算出する。 - 特許庁

The raw material precursor is expressed by the formula: Ta(I5-m-n-p)(Brm-p)(Cln-p)(Rp) [(m) is an integer of 0-5; (n) is an integer of 0-4; (p) is an integer of 0-4; R is selected from a group consisting of hydrogen and a lower alkyl).例文帳に追加

原料前駆体は以下の式（Ｉ）で表される： Ｔａ（Ｉ_5-m-n-p）（Ｂｒ_m-p）（Ｃｌ_n-p）（Ｒ_p） （Ｉ） （ｍは０から５までの整数、ｎは０から４までの整数、ｐは０から４までの整数、Ｒは水素と低級アルキルとからなる群より選択される。） - 特許庁

Since the upper face of a p-AlInAs clad layer 7 is directly covered by a p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the p-AlInAs clad layer 7 is not exposed to atmospheric air during processing, therefore no reliability problem due to oxidation of the p-AlInAs clad layer 7 occurs.例文帳に追加

p-AlInAsクラッド層７の直上はp-InGaAsPエッチングストッパ層８に覆われているため、p-AlInAsクラッド層７がプロセス途中で大気中に露出することがないので、p-AlInAsクラッド層７の酸化に起因する信頼性の問題は発生しない。 - 特許庁

A P-type layer 20, having lower resistance than the P wells 11 and 12, is formed in a surface 50 while the P-type layer 20 is being laid across the P wells 11 and 12, and both the P wells 11 and 12 are electrically connected via the P-type layer 20.例文帳に追加

表面５０内にＰウエル１１，１２に跨って、Ｐウエル１１，１２よりも低抵抗のＰ型層２０が形成されており、両Ｐウエル１１，１２はＰ型層２０を介して電気的に接続される。 - 特許庁

A buried layer is formed by selective growth, and the structure of a p-type clad layer has an inverse trapezoidal shape, so that the resistance of the p-type clad layer and the resistance of the p-type contact layer can be reduced.例文帳に追加

埋め込み層を選択成長により形成し、p型クラッド層の構造を逆台形状とすることにより、p型クラッド層の抵抗、p型コンタクト層の抵抗を低減する。 - 特許庁

A determining means (S3-3) sequentially detects waveform peaks (P_N-2, P_N-1, P_N and P_N+1) retrospectively on the time base and compares the detected peaks (P_N-2 to P_N+1) with a predetermined noise level range (NLR).例文帳に追加

判定手段（Ｓ３−３）は波形のピーク（Ｐ_Ｎ−２，Ｐ_Ｎ−１，Ｐ_Ｎ，Ｐ_Ｎ＋１）を前記時間軸を遡って順次検出し、かつ検出したピーク（Ｐ_Ｎ−２〜Ｐ_Ｎ＋１）を予め定められたノイズレベル範囲（ＮＬＲ）と比較する。 - 特許庁

Feature points which are present in both of the present image P(ts), which has been photographed by the endoscope 10 at the present point ts, and a reference image P(tb), which is one of the two or more images constituting the background image B, are detected in each of the present image P(ts) and the reference image P(tb).例文帳に追加

内視鏡10により現時点tsで撮影された現在画像P(ts)と、背景画像Bを構成する２以上の画像のうち１つである基準画像P(tb)の両方に存在する特徴点を、現在画像P(ts)および基準画像P(tb)のそれぞれにおいて検出する。 - 特許庁

When the voltage range of the analog input signal is VIN_p-p/2, the full scale range of the sub A/D converter 9 is switched to VIN_p-p/2 and the gain of the operational amplifier circuit 11a is switched into double.例文帳に追加

アナログ入力信号の電圧レンジがＶＩＮ_p-p ／２のときに、サブＡ／Ｄコンバータ９のフルスケールレンジはＶＩＮ_p-_p ／２に切り替えられ、演算増幅回路１１ａの利得は２倍に切り替えられる。 - 特許庁

In this method, both of the three-phase voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source and the three-phase voltages Ua-g, Ub-g, and Uc-g of the power grid are detected, and the detected voltage is converted into the two components Ud-com and Uq-com on a d-q face.例文帳に追加

本発明の方法は、補助電源の三相電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pとパワー・グリッドの三相電圧Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gの両方を検出し、検出された電圧をd-q面上の2成分Ud＿com及びUq＿comに変換する。 - 特許庁

A safe balance _ss is calculated on the basis of the replenishment margin frequency Ti, the generation ratio P(Ti), the money reception rate P_I, the standard deviation σ_I, the money payment rate P_O, and the standard deviation σ_O (S11).例文帳に追加

補充余裕回数Ti、発生比率P(Ti)、入金率P_I、標準偏差σ_I、出金率P_O及び標準偏差σ_Oに基づいて安全残高ssを算出する（Ｓ１１）。 - 特許庁

A P-well area 21 of which impurity concentration is lower than those of the first P-well area 55a and the second P-well area 55b is formed between the first P-well area 55a and the second P-well area 55b.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aと第2Pウェル領域55bとの間には第1Pウェル領域55aおよび第2Pウェル領域55bよりも不純物濃度が低いP-型ウェル領域21を有する。 - 特許庁

This method for producing p,p'-biphenol comprises debutylating a 4,4'-biphenol compound having at least one tert-butyl group in the presence of a debutylating catalyst; wherein at least one compound selected from thiosulfates, sulfites and metal borohydrides is made to act on the crude p,p'- biphenol resulted from the debutylation reaction, or made to coexist in the process of the debutylation reaction.例文帳に追加

脱ブチル触媒の存在下に、少なくとも１個以上のtert-ブチル基を有する4,4'-ビフェノール類を脱ブチル化せしめて、p,p'-ビフェノールを製造するに際して、チオ硫酸類、亜硫酸類、水素化ホウ素金属類から選ばれる少なくとも１種の化合物を、脱ブチル化反応により得られた粗p,p'-ビフェノールに作用させる又は脱ブチル化反応時に共存させることを特徴とするp,p'-ビフェノールの製造法。 - 特許庁

To manufacture and supply an LED lighting lamp (P) of panel shape in which a lighting lamp fixing frame (S) of the LED lighting lamp (P) is made a heat sink part, and heat generated from the LED lighting lamp (P) is radiated to prevent deterioration of the lifetime of an LED by the heat.例文帳に追加

本発明は、パネル状のLED照明灯(P)においてLED照明灯(P)の照明灯固定用周囲枠（S）をヒートシンク部とすることにより、LED照明灯（P）から生じる熱を放出して、前記熱によりLEDの寿命を低下させることのないLED照明（P）を製作し提供することにある。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

The following example will paste the system's password file into the screen window (using register p, where a copy remains): C-a : readreg p /etc/passwd C-a : paste p redisplay Redisplay the current window. 例文帳に追加

以下の例はシステムのパスワードファイルをscreenの画面にペーストしている(レジスタ p を用いている。 これはコピーが残るレジスタである): C-a : readreg p /etc/passwd C-a : paste predisplay現在のウィンドウを再描画する。 - JM

A maximum value Pmax, a minimum value Pmin and a variation width ΔP of nozzle pressure are set, a charged phase is detected for a nozzle pressure P=Pmin and then an optimal charged phase is detected at that nozzle pressure P.例文帳に追加

ノズル圧力の最大値Pmaxと最小値Pminおよび、変化幅△Pを設定し、ノズル圧力P＝Pminで帯電位相の検出を行い、そのノズル圧力Pでの最適帯電位相を検出する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁

A pipe travel guide tool 10 is fitted in a pipe P in the jacking method wherein the pipe P is inserted into the precedent pipe P to connect the pipes P together for newly arranging a pipeline inside a sleeve pipe P'.例文帳に追加

管Ｐを先行する管Ｐに挿入して継合わせつつさや管Ｐ’内に管路を新設する推進工法における、管Ｐに嵌められるその管走行案内器具１０である。 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加

ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。 - 特許庁

A control unit 140 of the pairing calculation device 100 inputs y_p and y_p into a multiplier unit 130 with respect to a given point (x_p, y_p) on an ellipsoidal curve, causes the multiplier unit to calculate y_p^2, and stores the result in a storage unit 110.例文帳に追加

ペアリング算出装置１００の制御部１４０は、楕円曲線上の任意の点（ｘ_ｐ、ｙ_ｐ）に対し、乗算部１３０にｙ_ｐとｙ_ｐとを入力してｙ_ｐ^２を算出させて記憶部１１０に格納する。 - 特許庁

The mantissa part is a function periodical at a period P (P is a constant), the exponent part includes a structure of Be(QP)[i][j]=Be+QP/P by the constant P and the constant Be, and the value of the inverse quantization parameter is doubled in each period P.例文帳に追加

仮数部は周期Ｐ（Ｐは定数）で周期的な関数であり、指数部は、定数Ｐと定数ＢｅによりＢｅ（ＱＰ）［ｉ］［ｊ］＝Ｂｅ＋ＱＰ／Ｐなる構造を有し、逆量子化パラメータは周期Ｐ毎に値が二倍となる。 - 特許庁

When a magnetic pole slot teeth width is taken as B, a slot pitch as P, a slot pitch as P, and a teeth root portion height as H, H/P = 0.08 to 0.12 and S/P = 0.01 to 0.03 in the range of B/P = 0.5 to 0.7.例文帳に追加

また、磁極スロットティース幅をＢ、スロットピッチをＰ、ティース付根部高さをＨとした時、Ｂ／Ｐ＝０．５〜０．７の範囲のもので、Ｈ／Ｐ＝０．０８〜０．１２とし、Ｓ／Ｐ＝０．０１〜０．０３と設定したことを特徴とする。 - 特許庁

A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

A p-type well 22 of a photoelectric conversion part and a p-type well 24 of a signal scanning circuit part in a photodiode are formed on a p-type substrate 20.例文帳に追加

ｐ型基板２０上にフォトダイオードの光電変換部のｐ型ウェル２２と、信号走査回路部のｐ型ウェル２４が形成される。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

A controller writes data with first to p-th (p is a natural number satisfying p<n) addresses and p-th+1 to m-th (m is a natural number satisfying p+2≤m≤n) addresses to the first and second original blocks.例文帳に追加

コントローラは、第１乃至第ｐ（ｐはｐ＜ｎを満たす自然数）アドレス、第ｐ＋１乃至第ｍ（ｍはｐ＋２≦ｍ≦ｎを満たす自然数）アドレス、を付されたデータを第１、第２オリジナルブロックにそれぞれ書き込む。 - 特許庁

The p-electrode 6 is formed of such a material that cannot form ohmic junction between the p-type layer 4 and itself, so that a current does not flow from the p-electrode 6 to a part with which the p-electrode 6 of the p-type layer 4 is in direct contact.例文帳に追加

ｐ電極６は、ｐ型層４との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、ｐ型層４のｐ電極６が直接に接触している部分には、ｐ電極６から電流が流れない。 - 特許庁

A p-type AlAs layer 165 which always gives a strain in a constant amount is inserted between a p-type clad layer 150 and a p-type heterobuffer layer 160.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１５０とｐ型ヘテロバッファ層１６０の間に、常に一定量の歪みを与えるｐ型ＡｌＡｓ層１６５を挿入する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

In a game of the player, and an actual payment rate PP/BP is computed from the expenditure history BP and the income history PP, and the actual payment rate and a previously fixed set payment rate P/B are compared.例文帳に追加

そして、そのプレイヤーのゲームにおいて、支出履歴Ｂ_P及び収入履歴Ｐ_Pから過去の実質払出率Ｐ_P／Ｂ_Pを算出し、その実質払出率と、予め決められた設定払出率Ｐ／Ｂとを比較する。 - 特許庁