「A-P」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A P+ base lead out diffusion layer 14 is formed on a substrate of SOI structure.例文帳に追加

SOI構造の基板上にP+ベース引き出し拡散層１４を形成する。 - 特許庁

A type P+ type embedded layer 2 is formed at a type P- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型半導体基板１にＰ＋型埋め込み層２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a p-type compound semiconductor thin film.例文帳に追加

pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。 - 特許庁

A code block 509 assembles PD and β (p) into a code block representing voice.例文帳に追加

符号ブロック509は、PDとSとβ(p)を音声を表す符号ブロックとする。 - 特許庁

If the piece is a white piece, it will be in upper case, like P, and if the piece is a black piece, it will be in lower case like p. 例文帳に追加

駒の色が白の場合は P のように大文字で表し、黒の場合は p のように小文字で表します。 - PEAR

A typical circuit that generates a chrominance vector absolute value in real time within an error of 1.5-% p-p is shown.例文帳に追加

１．５−％p-p誤差の範囲内で、リアルタイムなクロミナンスベクトル絶対値を生成する模範的な回路を示す。 - 特許庁

Then, a p-type clad layer 9, p-type contact layer 10, and a p-side electrode 11 are laminated on the p-type waveguide layer 7.例文帳に追加

そして、ｐ型導波層７上には、順次ｐ型クラッド層９、ｐ型コンタクト層１０、ｐ側電極１１が積層されている。 - 特許庁

A P-P logic path between the Ethernet device (3-2) and the Ethernet device (3-3) is automatically set by exchanging a VLAN (virtual LAN) ID in the Ethernet network (3-1) between adjacent devices.例文帳に追加

Ethernet網（３−１）内のVLAN IDを隣接装置間で交換することでEthernet装置（３−２）とEthernet装置（３−３）との間のP−Pの論理パスを自動で設定する。 - 特許庁

The counter 1 is cleared at the rear edge, counts a horizontal synchronizing signal PH(P) of the system at each clearing and outputs a scan signal L(P)i.例文帳に追加

カウンタは、その後縁でクリアされ、クリア毎に該方式の水平同期信号Ｐ_H(P)を計数し、走査信号Ｌ_(P)iを出力する。 - 特許庁

The p-side lead-out electrode includes a p-side metal wiring layer and a p-side metal pillar provided on the p-side metal wiring layer.例文帳に追加

ｐ側引き出し電極は、ｐ側金属配線層とｐ側金属配線層上に設けられたｐ側金属ピラーとを有する。 - 特許庁

The p+ layer 3 extends in a lateral direction from a p-type electrode end, and the width Lp of the p+ layer is larger than the width of the p-type electrode.例文帳に追加

ｐ＋層３はｐ型電極端部から横方向に延在し、ｐ＋層の幅Ｌｐが前記ｐ型電極の幅よりも大きい。 - 特許庁

A jaw member 5 is pressed against the pipe body P, rotates to a holding position, and an opening is closed by the stopper 6, thus the pipe body P is gripped.例文帳に追加

顎部材５を管体Pに押し当て、保持位置へ回転させ、ストッパ６で開口を閉じて管体Pを把持する。 - 特許庁

This base-isolating support, which is provided between a building P and a building foundation Q, allows the horizontal displacement of the building P.例文帳に追加

建造物Pと建造物基礎Qとの間に設けられ、建造物Pの水平方向への移動を許容する。 - 特許庁

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown.例文帳に追加

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。 - 特許庁

To obtain a new antiviral agent which can be replaced with an antiviral agent containing acyclovir or a polyacid ion such as [Eu_4(MoO_4)(H_2O)_16(Mo_7O_24)_4]^p- or [(SbW_9O_33)_2V_3O_3]^p-.例文帳に追加

アシクロビル、あるいは[Eu_4(MoO_4)(H_2O)_16(Mo_7O_24)_4]^p-や[(SbW_9O_33)_2V_3O_3]^p-などのポリ酸イオンを含む抗ウイルス剤に代わる新規な抗ウイルス剤を提供する。 - 特許庁

In a received data memory 910, received data of P parallel bits in the case of a parallel number P=6 is held using for 2 [words].例文帳に追加

受信データメモリ９１０には、並列数P=6の場合のPパラレルビットの受信データが2[word]分使って保持されている。 - 特許庁

A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.例文帳に追加

選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁

For example, [foo]P prints the characters foo (with no newline). a The top-of-stack is popped. 例文帳に追加

例えば、[foo]Pは文字列fooを表示します (が、改行文字は表示しません)。 - JM

Omit the -p if the user does not have a password.Otherwise, when prompted, type the password. 例文帳に追加

ユーザーにパスワードがない場合は -p を省略します。 - NetBeans

Removes the entry in dictionary p which has a key specified by the string key.例文帳に追加

辞書 p から文字列 key をキーとするエントリを除去します。 - Python

Returns the name of the file specified by p as a string object.例文帳に追加

p に指定したファイルの名前を文字列オブジェクトで返します。 - Python

When P itself has a dotted name, apply this recipe recursively.例文帳に追加

P自身がドット名のときは、このレシピを再帰的に適用してください。 - Python

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁

To provide a compound having selective affinity to human P-selectin.例文帳に追加

ヒトP-セレクチンに対する選択的親和性を有する化合物を提供する。 - 特許庁

The P-I-N photo diode 7 and the transparent electrode 9 both demarcate a sub pixel 5.例文帳に追加

P-I-Nフォトダイオード及び透明電極が共に副画素５を画定する。 - 特許庁

By these processes, hydrogen content in a clad layer 506 of p-type (Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P is lowered.例文帳に追加

これにより、p型（Al_0.7Ga_0.3）_0.5In_0.5Pクラッド層５０６中の水素含有量を低減する。 - 特許庁

A p-type electrode 230 is provided above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。 - 特許庁

A p-side electrode 78 is formed on the p-GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ側電極７８がｐ−ＧａＮコンタクト層上に形成されている。 - 特許庁

A p-electrode 20 is formed on the p-contact layer 10.例文帳に追加

また、ｐ−コンタクト層１０上にｐ電極２０が形成される。 - 特許庁

A p-type electrode 26 is formed on the p-type cap layer 23.例文帳に追加

ｐ型キャップ層２３上にはｐ形電極２６が形成されている。 - 特許庁

A p diffusion region 3 is formed with an interval to the p^- diffusion region 5.例文帳に追加

ｐ^-拡散領域５と間隔をあけてｐ拡散領域３が形成される。 - 特許庁

This method for producing a fluorine-containing polyether compound of the formula comprises reacting FOCCF_2O(CF_2CF_2O)_p(CF_2O)_qCF_2COF with XC_6H_4NHR^1.例文帳に追加

FOCCF_2O(CF_2CF_2O)_p(CF_2O)_qCF_2COFをXC_6H_4NHR^1と反応させ、含フッ素ポリエーテル化合物を得る。 - 特許庁

In the grating 14c, a following relation is satisfied; 0.5 nm>λ_0.2-λ_p>0.1 nm.例文帳に追加

グレーティング１４ｃにおいて０．５ｎｍ＞λ_0.2—λ_P＞０．１ｎｍである。 - 特許庁

A p-type ZnO layer is formed on the surface of the p-type ZnMgO layer (f).例文帳に追加

（ｆ）ｐ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ｐ型ＺｎＯ層を形成する。 - 特許庁

The p-InP cover layer 108 is etched with the SiO2 film 109 as a mask (Fig.3 (b)).例文帳に追加

SiO_2膜109をマスクとして、p-InPカバー層108をエッチングする（図３（b））。 - 特許庁

A p-side electrode is electrically connected to the p-type contact layer 14.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１４にはｐ側電極が電気的に接続される。 - 特許庁

Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加

p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＰ型拡散層１３も形成されている。 - 特許庁

A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加

第２のｐ型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁

When the automobile P is manufactured, a vehicle body number is given to the automobile P.例文帳に追加

自動車Ｐが製造されると自動車Ｐには車体番号が付与される。 - 特許庁

The page 'P' having moved to the reverse side is rewritten with a page 'P+2X'.例文帳に追加

一方、裏側に移動した「Ｐ」ページは「Ｐ＋２Ｘ」ページに書き替えられる。 - 特許庁

Wherein, [7] is the component in the welding material and []p is the component in a steel plate.例文帳に追加

尚、〔〕：溶接材料中の成分、〔〕_p：鋼板中の成分を示す。 - 特許庁

Wherein, [] is the component in the welding material and []p is the component in a steel plate.例文帳に追加

尚、〔〕：溶接材料中の成分、〔〕_p：鋼板中の成分を示す。 - 特許庁

A second P-well area 55b is formed on the semiconductor substrate 11 so as to surround the first P-well area 55a.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aを囲んで第2Pウェル領域55bを有する。 - 特許庁