p-gpとは 意味・読み方・使い方

As the position of an LED head 227 shifts from the focus position for a photosensitive drum 222, density of each pattern G1'-Gp' of the image G' on the sheet P decreases.例文帳に追加

ＬＥＤヘッド２２７の位置が感光体ドラム２２２に対する合焦位置からずれるにしたがって、用紙Ｐ上における画像Ｇ′の各パターンＧ１′〜Ｇ９′の濃度が低下する。 - 特許庁

The estimator 10 frequency-analyzes the signals to calculate vibration gain Gav, finds resonance gain correction coefficients GP corresponding to differences ΔTP of the inner pressures P of the tyres from a reference pressure PS, finds corrected vibration gain GH by correcting the calculated vibration gain Gav by using the correction coefficients GP, and estimates the state of the road surface by comparing the gain GH with a given threshold.例文帳に追加

同装置１０は、前記信号を周波数解析して振動ゲインＧavを算出し、基準圧力ＰＳからの前記タイヤの内部圧力Ｐの偏差ΔＴＰに応じた共振ゲイン補正係数ＧＰを求め、同算出された振動ゲインＧavを共振ゲイン補正係数ＧＰにて補正して補正振動ゲインＧＨを求め、同ゲインＧＨと所与の閾値とを比較して路面の状態を推定する。 - 特許庁

In such a case, VTP is threshold voltage of the P channel MOS transistor 1, αp is operating voltage of the P channel MOS transistor 1, and βp is drain voltage needed to saturate drain current Idp when bias voltage (VTP+αp) is applied between the gate Gp and the source Sp of the P channel MOS transistor 1.例文帳に追加

ここで、ＶＴＰは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧、αｐは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の動作電圧、βｐはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のゲートＧｐ・ソースＳｐ間にバイアス電圧（ＶＴＰ＋αｐ）が印加されているときにドレン電流Ｉｄｐが飽和するのに必要なドレン電圧である。 - 特許庁

A pallet information display means 22 is provided to display pallet information display GP formed of existence of the pallets P in the workpiece supply station 6 and existence of a pallet accessory 12 in a screen 30 of a screen display device 29.例文帳に追加

このワーク格納システムにおいて、少なくとも、ワーク供給ステーション６におけるパレットＰの有無およびパレット付属品１２の有無からなるパレット情報表示ＧＰを画面表示装置２９の画面３０に表示するパレット情報表示手段２２を設ける。 - 特許庁

The iterative excitation, the smoothing of a pitch gain (gP^(m+1)(i)) of the next good frame and the multi-level articulation classification by the multiple thresholds of the correlation to determine the adaptive code book excitation contribution component subjected to linear interpolation and the fixed ode book excitation contribution component are used.例文帳に追加

消去されたフレームの隠蔽のため、反復励起と、次の良好なフレームのピッチ利得（ｇ_P^(m+1)（ｉ））の平滑化と、線形内挿された適応コードブック励起寄与分および固定コードブック励起寄与分を決める相関の多重閾値による多レベル構音分類とを使用する。 - 特許庁

A PMOS transistor QP is provided with a gate electrode GP and an n-type well 31 faced through a gate insulating film 5 to this, and an NMOS transistor QN is provided with a gate electrode GN and a p-type well 32 faced through the gate insulating film 5 to this.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＱＰはゲート電極ＧＰ及びこれとゲート絶縁膜５を介して対峙するＮ型ウェル３１を、ＮＭＯＳトランジスタＱＮはゲート電極ＧＮ及びこれとゲート絶縁膜５を介して対峙するＰ型ウェル３２を、それぞれ有している。 - 特許庁

A bias power supply 5 as a gate bias generating means is connected between the source Sp and the gate Gp of a P channel MOS transistor 1 of a CMOS type circuit through a bias resistor Rb, and the bias power supply 5 at this time is a direct current voltage source of (VTP+αp(≥βp))≤power supply voltage VDD.例文帳に追加

ＣＭＯＳ型回路のＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のソースＳｐ・ゲートＧｐ間にゲートバイアス発生手段としてのバイアス電源５をバイアス抵抗Ｒｂを介して接続し、このときのバイアス電源５を、（ＶＴＰ＋αｐ（≧βｐ））≦電源電圧ＶＤＤの直流電圧源とした。 - 特許庁

A PMOS transistor QP is provided with a gate electrode GP, and an n-type well 31 faced through a gate insulating film 5 and an NMOS transistor QN is provided with a gate electrode GN and a p-type well 32 faced through the gate insulating film 5 to this.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＱＰはゲート電極ＧＰ及びこれとゲート絶縁膜５を介して対峙するＮ型ウェル３１を、ＮＭＯＳトランジスタＱＮはゲート電極ＧＮ及びこれとゲート絶縁膜５を介して対峙するＰ型ウェル３２を、それぞれ有している。 - 特許庁