「Al-Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An alloy having a composition which comprises Zn, Al and Ge and in which respective contents of Al and Ge are made to 0.5 to 15%, respectively, total amount of Al and Ge are 5 to 20% and the balance is composed of Zn is worked into a fine wire.例文帳に追加

ＺｎとＡｌとＧｅとを含有し、ＡｌとＧｅのそれぞれの含有量が０．５〜１５％、ＡｌとＧｅとの合計量が５〜２０％、残部がＺｎの合金が細線に加工されてなる。 - 特許庁

Each Al purity in the first and second Al sheets is ≥99.98 wt.%, and the brazing filler metals are of Al-Si series or Al-Ge series.例文帳に追加

第１及び第２Ａｌ板の各Ａｌ純度は９９．９８重量％以上であり、ロウ材はＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｇｅ系である。 - 特許庁

M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.例文帳に追加

前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁

TWO-PHASE EUTECTIC Al-Ge ALLOY CAPABLE OF COLD WORKING, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

冷間加工可能な２相共晶Ａｌ−Ｇｅ合金とその製造方法 - 特許庁

In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加

式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁

The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加

コーティング元素は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｂ，Ａｓ，Ｚｒから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁

ALUMINUM BASED ALLOY OF Al-Mg-Ge SYSTEM AND ALUMINUM ALLOY MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｇｅ系のアルミニウム基合金及びそれを用いたアルミニウム合金材 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

To increase efficiency in a multijunction solar cell by adjusting the Al composition ratio of an (Al)InGaP cell in three multijunction solar cells of InGaP/InGaAs/Ge.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅの３接合太陽電池において、（Ａｌ）ＩｎＧａＰセルのＡｌ組成比を調整して多接合太陽電池の効率の向上を図ること。 - 特許庁

More specifically, a film constituted essentially of Ge and containing Al, Cr or the like is used as the super resolution layer.例文帳に追加

より具体的にはＧｅを主成分として、Ａｌ又はＣｒ等を含む膜を超解像層として使用する。 - 特許庁

Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb, Zn, Sn, Al and Sb.例文帳に追加

元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂのうち１種または２種以上である。 - 特許庁

In the formula, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al, and Ga, and x denotes 1-6.例文帳に追加

式中のＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択され、ｘは１〜６である。 - 特許庁

The Al in the intermetallic compound may be replaced with one or two kinds or more of Si, Ge, Ti and Zn.例文帳に追加

金属間化合物は、Ａｌに替えてＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ又はＺｎの１種又は２種以上でもよい。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加

金属イオンは、Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁

On either or both faces of a ceramic substrate 11, metal layers 13 are stacked adhesively via a brazing material 12 for an Al-Si system or Al-Ge system metal layer.例文帳に追加

セラミック基板１１の両面のいずれか一方又は双方にＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｇｅ系の金属層用ろう材１２を介して金属層１３が積層接着される。 - 特許庁

Furthermore, when the total amount of Al and the additional elements is 100%, it is desirable that the Al alloy film contains 0.1-1.0 atm% of Ge and 3.0 atm% or lower of Ni as additional elements.例文帳に追加

また、前記Ａｌ合金膜は、Ａｌと添加元素の総量を１００％とした時、添加元素としてＧｅを０．１〜１．０原子％、Ｎｉを３．０原子％以下含有することが望ましい。 - 特許庁

The Al alloy film for the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜用Ａｌ合金膜である。 - 特許庁

A thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or a thin line of an SiMC layer 14 doped with Al is formed on an SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設けられている。 - 特許庁

Preferably, the R2-based alloy may contain as a sub-element at least one of element selected from among Cu, Al, Ga, Ge, Sn, In, Si, P, and Co.例文帳に追加

上記Ｒ２系合金は、副元素として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏから選択される少なくとも１種の元素を含んでいると良い - 特許庁

Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb and Zn, and element Z represents one or two and more out of Al, Sn and Cr.例文帳に追加

元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、元素ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上である。 - 特許庁

The thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or the thin line of the SiMC layer 14 doped with Al is formed inside the SiC substrate 11 to allow the SiC substrate 11 to emit light.例文帳に追加

また、ＳｉＣ基板１１の内部に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設け発光させる。 - 特許庁

This optical amplifying fiber comprises a clad, a first core containing Ge and provided inside the clad, a second core containing Er and Al and provided inside the first core, and a third core containing Ge and provided inside the second core.例文帳に追加

光増幅用ファイバであって、クラッドと、クラッドの内側に設けられ、Ｇｅを含んだ第１コアと、第１コアの内側に設けられ、ＥｒとＡｌを含んだ第２コアと、第２コアの内側に設けられ、Ｇｅを含んだ第３コアとを含んでいる。 - 特許庁

The joining material is composed of an Al-based alloy layer containing metals of one or more out of Mg, Sn, Ge, Ga, Bi and In, and a Zn-based alloy layer provided on an outermost surface of the Al-based alloy layer.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 - 特許庁

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

This is a fuse element composed of a binary alloy with liquids temperature of 300°C to 550°C, that is Sn blended with either Cu, Pt, Pd, Ti, Ni, Mn, Mg, Ge or Al.例文帳に追加

ＳｎにＣｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ａｌの何れかを配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の２元合金からなるヒュ−ズ素子である。 - 特許庁

The memory layer 17 is doped with an ion conduction material such as Te or the like, Cu, Ag, Ge or Zn as a metal element, and, further, any one from a group of Si, Zr, Al, Ti and Cr.例文帳に追加

記憶層１７は、Ｔｅなどのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ，Ａｇ，ＧｅまたはＺｎ、更に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，ＴｉおよびＣｒのうちのいずれか１種が添加されている。 - 特許庁

The antioxidizing material is a carbide or a nitride of a simple substance selected from the group consisting of B, Si, Ge, Sb, Ti, Sn, Al and Zr or a simple substance of B or Si.例文帳に追加

耐酸化剤はＢ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｒの群から選ばれる単体の炭化物もしくは窒化物またはＢもしくはＳｉの単体である。 - 特許庁

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

Ｍ^２は希土類元素、Ｉｎ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ａｓ，Ａｌ，Ｇａの中から選ばれる少なくとも一種、Ｍ^３はＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

Hypercomplex alloy of liquidus temperature of 300°C to 550°C, in which two kinds or more of other metallic elements such as Ag, Cu, Ni, Ge, Al are combined with Sn, is worked into a small diameter wire.例文帳に追加

Ｓｎに、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｌ等の他の金属元素の二種以上を配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の多元合金を細線に加工した。 - 特許庁

This manufacturing method includes subjecting a composite wire rod consisting of an Al alloy containing more Si and Ge than the solid solubility limit in the equilibrium state and Nb, to rapid heating and quenching treatment in the state of the composite wire rod, to change an Al alloy core into a supersaturated solid solution.例文帳に追加

ＡｌにＳｉ、Ｇｅ等を平衡状態の固溶限を越えて添加した合金とＮｂとの複合線材において、複合線材のままの状態で急熱急冷処理することにより、Ａｌ合金芯を過飽和の固溶体に変える。 - 特許庁

The light scattering film is an Al alloy film formed on a substrate wherein, when the total amount of Al and additional elements is 100%, the Al alloy film contains 0.1-1.0 atm% of Ge as an additional element, and the remaining portion is composed of inevitable impurities, and the diffuse reflection factor is 40% or higher.例文帳に追加

基板上に形成されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜はＡｌと添加元素の総量を１００％とした時、添加元素としてＧｅを０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物からなり、かつ拡散反射率が４０％以上である光散乱膜である。 - 特許庁

The high-temperature brazing filler metal is composed of 2-9 wt.% of Ge, 2-9 wt.% of Al, 0.001-0.5 wt.% of P, and the balance Zn and inevitable impurities.例文帳に追加

本発明による高温ろう材は、Ｇｅを２〜９重量％、Ａｌを２〜９重量％、Ｐを０．００１〜０．５重量％、残部がＺｎおよび不可避不純物からなる。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste contains, at the inside of each particle, Al, Si, Ge and Ga by 0.1 to 10 atm% and also comprises 0.1 to 10 atm% Sn.例文帳に追加

粒子内部にＡｌ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＳｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste contains, at the inside of each particle, Al, Mg, Ge and Ga by 0.1 to 10 atm%, and also comprises 0.1 to 10 atm% In.例文帳に追加

粒子内部にＡｌ、Ｍｇ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＩｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

(2) The sputtering target according to (1) further includes (M) and O, (wherein (M) represents at least one element selected from among Mg, Al, Si, Cr, Co, Ti, Ge, Y, Zr, Ta, W and rare earth elements).例文帳に追加

（２）更にＭとＯを含む（１）記載のスパッタリングターゲット（但し、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素）。 - 特許庁

One of the at least two metals is Si and the other metal is preferably selected from the group consisting of Ti, Zr, Ge, Sn, Al and Zn.例文帳に追加

前記少なくとも２種の金属のうちの１種はＳｉであり、Ｓｉ以外の他の金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ及びＺｎからなる群から選ばれることが好ましい。 - 特許庁

Preferably, the lithium ion conductive inorganic material contains crystals represented by Li_1+x+y(Al, Ga)_x(Ti, Ge)_2-xSi_yP_3-yO_12, 0≤x≤1, 0≤y≤1.例文帳に追加

好ましくは、リチウムイオン伝導性の無機物はＬｉ_１＋ｘ＋ｙ（Ａｌ，Ｇａ）_ｘ（Ｔｉ，Ｇｅ）_２−ｘＳｉ_ｙＰ_３−ｙＯ_１２ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である結晶を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A conductor layer 60 of Ge is formed on a second wiring layer 25 of Al, and heated while sandwiched between the second wiring layer 25 and a wiring layer 14 of the sensor portion 10.例文帳に追加

Ａｌの第２配線層２５の上にＧｅの導体層６０を形成し、該導体層６０を第２配線層２５とセンサ部１０の配線層１４とで挟んだ状態で加熱する。 - 特許庁

The first and the second protective layers consists of a mixture of ZnS and SiO_2, the recording layer has Ge, Sb and Te as main constituent elements and the reflective heat dissipation layer 5 consists of Al alloy.例文帳に追加

第１、第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物よりなり、記録層はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主たる構成元素とし、反射放熱層５はＡｌ合金よりなる。 - 特許庁

It is preferable that the alkoxide of the metal is at least alkoxide of one kind of metal selected from a group of Al, Si, Ti, Ga, Ge, Zr, Nb, la, and Ta.例文帳に追加

前記金属のアルコキシドが、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ及びＴａからなる群より選択される少なくとも１種の金属のアルコキシドであるのが好ましい。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.例文帳に追加

第二記録層（３）はＧｅから成り、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素を０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁