Alを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7572件
The Al-based alloy sputtering target includes an Al-based alloy containing Nd and/or La of 0.1-3 atom%, and the amount of Fe included in the Al-based alloy is controlled to be 1/76 or less of the total amount of Nd and/or La.例文帳に追加
本発明のスパッタリングターゲットは、Ndおよび/またはLaを0.1〜3原子%含有するAl基合金からなり、Al基合金中に含まれるFe量が、Ndおよび/またはLaの合計量の1/76以下に制御されている。 - 特許庁
The alloy is composed of, by mass, 16-18% Si, 5.5-9% Fe, 0.5-2% Mg, 3-5% Al_2O_3, 0.5-3% graphite and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加
Siを16〜18質量%、Feを5.5〜9質量%、Mgを0.5〜2質量%、Al_2O_3を3〜5質量%、グラファイトを0.5〜3質量%含有し、残部がAl及び不可避的不純物からなる合金である。 - 特許庁
The steel can comprise ≤0.5% V, or ≤0.1% Al, or one or two kinds selected from ≤4% Mo and ≤4% Cu.例文帳に追加
さらに、上記成分に加え、本発明では、Vを0.5%以下、もしくはAlを0.1%以下、もしくはMo:4%以下、Cu:4%以下のいずれか1種または2種を含有することができる。 - 特許庁
In the ceramic substrate 10, an insulating layer, that is, a highly Al-concentrated layer 12 is formed on a surface of the ceramic substrate 10, wherein the insulating layer is high in Al concentration than the inside thereof.例文帳に追加
本発明のセラミックス基板10は、セラミックス基板10の表面に、Al濃度が内部よりも高い絶縁体層(=Al高濃度層12)を構成する。 - 特許庁
Zn-Al BASED PLATED STEEL SHEET HAVING EXCELLENT CORROSION RESISTANCE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
耐食性に優れたZn−Al系めっき鋼板およびその製造方法 - 特許庁
In the electric resistance welded steel pipe, the total amount of Si, Mn, Al, Ca and Cr included in inclusions present in the electric resistance welded part and having a circle-equivalent diameter of 2 μm or more is 99 ppm or less by mass%.例文帳に追加
電縫溶接部に存在する介在物のうち、円相当径で2μm以上の介在物に含まれる、Si、Mn、Al、Ca、Crの合計量が、質量%で、99ppm以下とする。 - 特許庁
To provide an oxide phosphor which has a lifetime longer than that of an SrTiO_3:Pr, Al phosphor and can fluoresce at a high luminance even when excited with low-energy electron beams and to provide a vacuum fluorescent display.例文帳に追加
SrTiO_3:Pr,Al蛍光体よりも長寿命を有し且つ低速電子線でも高輝度で発光する酸化物系蛍光体、および蛍光表示装置を提供する。 - 特許庁
Each of the through-holes 11 is filled with Al conductor paste, so that a conductor layer 12 for electrically communicating the Al wiring layer 7 with the positive electrode conductor 13 is formed.例文帳に追加
スルーホール11内にはAl導体ペーストが充填され、Al配線層7と陽極導体13との間を導通させる導体層12が形成される。 - 特許庁
The flat soft magnetic material powder is set to at least one of Fe-Si, Fe-Si-Al, Fe-Ni, Fe-Co, and Fe-Cr-Al bases.例文帳に追加
前記偏平状軟磁性体粉末はFe−Si系、Fe−Si−Al系、Fe−Ni系、Fe−Co系、Fe−Cr−Al系の少なくともいずれかである。 - 特許庁
In this organic EL display device, when an address driver 2 selects an address line AL and the address line AL impresses a positive voltage to top gates of corresponding double-gate transistors 10, n-channels are formed in their semiconductor layers.例文帳に追加
アドレスドライバ2がアドレスラインALを選択し、対応するダブルゲートトランジスタ10のトップゲートに正電圧を印加すると、その半導体層内にnチャネルが形成される。 - 特許庁
Intermetallics 55 of Al and these elements deposit on interface 151 of the multi-layer cabling and prevents the hillock from being formed by swelling of crystal grains of Al.例文帳に追加
Alとこれらの元素の金属間化合物55が多層配線の界面151に析出し、Alの結晶粒が肥大化してヒロックが形成されることを防止する。 - 特許庁
To provide an Mg-Al-Ca alloy excellent in molten metal flowability and heat resistance.例文帳に追加
湯流れ性および耐熱性に優れたMg−Al−Ca合金を提供する。 - 特許庁
In addition, since the lattice defect present therein can be reduced by, for example, allowing Al present in the phosphor to form a solid-solution with SrIn2O4, the emission intensity is further enhanced.例文帳に追加
しかも、蛍光体には含まれるAlがSrIn_2O_4 に固溶すること等によって、それに存在する格子欠陥が減じられることから、発光強度が一層高められる。 - 特許庁
This eliminates a need of separately arranging an AL counter that counts the burst chop command in reading and an AL counter that counts the burst chop command in writing.例文帳に追加
これにより、リード時においてバーストチョップコマンドをカウントするALカウンタと、ライト時においてバーストチョップコマンドをカウントするALカウンタとを別個に設ける必要がなくなる。 - 特許庁
The measuring cell 8 is fixed on the sample stage of an atomic force microscope 20, and a probe is allowed to fall on the surface of the Al layer 4 of the sample 7 to measure the surface shape of the Al layer.例文帳に追加
この測定セル8を、原子間顕微鏡20の試料ステージに固定し、試料7のAl層4の表面に探針を降ろし表面形状測定を行う。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device, wherein charge storage density becomes max by analyzing the charge storage density as a function of composition of Al, in a charge storage layer of Al-rich Al_2O_3.例文帳に追加
Al-rich Al2O3の電荷蓄積層において、Alの組成の関数として電荷蓄積密度を解析し、電荷蓄積密度が最大となるような半導体メモリを提供する。 - 特許庁
The engagement of the chain conveyor 1 with the hanger 2 is released in the starting end part of the component assembling line AL, and the chain conveyor is engaged again with the hanger 2 in the terminal end part of the component assembling line AL.例文帳に追加
チェーンコンベア1は、部品組立ラインALの始端部ではハンガ2との係合が解除され、部品組立ラインALの終端部ではハンガ2が再び係合する。 - 特許庁
The substrate 32 is made of an Fe-Cr-Al alloy and the supporting layer comprises needlelike Al_2O_3 deposits deposited and grown from Al in the alloy as a source.例文帳に追加
前記基体32はFe−Cr−Al系合金からなり、前記支持層は、この中のAlを源として析出・成長した針状Al_2O_3析出物からなる。 - 特許庁
The functional layer 3 having higher Al mixed crystal ratio can obtain more excellent dislocation reduction effect.例文帳に追加
Al混晶比が高い機能層3ほど、優れた転位低減効果が得られる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device where higher EM yield strength is obtained by using equipment of low cost, and an Al wire, an Al electrode, etc., of high reliability can be formed.例文帳に追加
安価な装置を用いてより高いEM耐量が得られ、信頼性の高いAl配線やAl電極等が形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Total oxygen content in the molten steel can be reduced by directly adding Al into the molten steel in order to perform the Al reduction of FeO and MnO contained in the molten steel.例文帳に追加
溶鋼に直接Alを添加して溶鋼に含有されるFeOやMnOをAl還元することによって溶鋼中のトータル酸素量を低減させることができる。 - 特許庁
Al-Mg-Si ALLOY SHEET EXCELLENT IN BULGE FORMABILITY AND BENDABILITY例文帳に追加
張出し成形性及び曲げ成形性に優れたAl−Mg−Si系合金板 - 特許庁
The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加
深紫外光源は、AlN層4上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層5、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層5上に形成されたアルミニウム(Al)メタルバック層6よりなる。 - 特許庁
The heat controlling layer 14 is composed of a material having high light reflectance and high thermal conductivity, e.g. Al or Al alloy, and is formed adjacently to the recording layer 13.例文帳に追加
熱制御層14を、光反射率及び熱伝導率の高い材料、例えばAlまたはAl合金から構成し、記録層13に接して形成する。 - 特許庁
As for the metal with Cu as a major component, metal containing Ni, P, Sn, Al, Si or the like to such a degree that the plating bath is not contaminated can be used for increasing their hardness compared with a Cu simple substance.例文帳に追加
本発明のCuを主成分とする金属としては、硬度をCu単体よりも高めるために、めっき浴を汚染しない程度のNi、P、Sn、Al、Si等を含有したものでもよい。 - 特許庁
The fluorescent material is at least one kind of fluorescent material selected from ZnS:Cu, Al fluorescent materials or ZnS:Au, Al materials and a mixed fluorescent material of the fluorescent material and the ZnS:Mn fluorescent material.例文帳に追加
ZnS:Cu,Al蛍光体、又は、ZnS:Au,Al蛍光体の中から選ばれた少なくとも一つの蛍光体、並びに、ZnS:Mn蛍光体の混合蛍光体。 - 特許庁
A steel wire with a pearlitic structure contg. 0.80 to 1.10% C, 0.5 to 3.0% Si, 0.3 to 2.0% Mn, 0.01 to 0.08% Al, 0.2 to 0.6% Cr, and the balance Fe with inevitable impurities is formed into a stranded wire.例文帳に追加
C:0.80〜1.10%、Si:0.5〜3.0%、Mn:0.3〜2.0%、Al:0.01〜0.08%、Cr:0.2〜0.6%を含有し、残部がFeおよび不可避的な不純物からなるパーライト組織の鋼線をより線にする。 - 特許庁
This melts the Al on the surface of the plate member to eliminate porous casting on the surface of the plate member, forming the Al/Si alloy layer on the surface of the plate member.例文帳に追加
これにより板部材の表面のAlが溶け、この板部材表面の鋳造巣が除去されると共に、板部材の表面にAl/Si合金層が形成される。 - 特許庁
In the development system of the lithographic printing plate, Al concentration in the developer after ≥5 m^2 printing plate is subjected to development treatment per 1 L developer containing the development inhibitor is specified to be 20 to 100 ppm.例文帳に追加
本発明に係る平版印刷版の現像システムは、現像抑制剤を含有する現像液で5m^2/L以上処理した後の現像液中のAl濃度を20〜100ppmとする。 - 特許庁
To provide a forming method of Al wiring which realizes low cost and high performance by preventing deterioration of EM resistance, when forming an Al wiring.例文帳に追加
従来のAl配線膜の成膜プロセスにおいては、半導体基板上にTi膜を成膜した後、続いてAl膜を高温スパッタリング若しくはリフローにより形成している。 - 特許庁
By performing mask sputtering, a metal film of Al or the like is formed on the side wall of each three-dimensional structure and on a surface of the glass substrate 1 between three-dimensional structures.例文帳に追加
マスクスパッタが行われることにより、それぞれの立体構造物の側壁と、立体構造物の間のガラス基板1表面にAl等の金属膜が生成される。 - 特許庁
The carbon nanomaterial and Si are compatible, and Si and Mg are compatible, and further, Mg and Al are compatible.例文帳に追加
カーボンナノ材料とSiは相性がよく、SiとMgとは相性がよい。 - 特許庁
A resist mask 7 is formed and sequentially a taper-shaped opening 9 is formed in a high resistance interconnection area consisting of the Al alloy film 5 by a dry etch or a wet etch (B).例文帳に追加
レジストマスク7を形成し、続いてドライエッチング又はウェットエッチングによりAl合金膜5の高抵抗配線領域部分にテーパー形状の開口部9を形成する(B)。 - 特許庁
To provide a method for producing an Al-based alloy sputtering target material comprising a rare earth element and a high melting point element having a melting point higher than that of Al at a high yield.例文帳に追加
希土類元素、およびAlよりも高融点の高融点元素を含有するAl基合金スパッタリングターゲット材を歩留良く製造できる方法を提供する。 - 特許庁
First through fourth pieces of Al wiring 26, 29, 32 and 35 are formed on the memory cell area.例文帳に追加
メモリセル領域上に、第1〜第4Al配線26,29,32,35を形成する。 - 特許庁
The base metal is alloy of Ni, Fe, Ti, Co, Al, Nb, or Mo base.例文帳に追加
ベース金属は、Ni、Fe、Ti、Co、Al、Nb、またはMoベースの合金である。 - 特許庁
They joined the ASDF advance team at Ali Al Salem Air Base. 例文帳に追加
彼らは,アリ・アルサレム空軍基地で航空自衛隊の先(せん)遣(けん)隊と合流した。 - 浜島書店 Catch a Wave
The austenitic stainless steel has a composition comprising 0.04 to 0.15% C, 1.5 to 3.0% Si, ≤2.0%例文帳に追加
C:0.04〜0.15%、Si:1.5〜3.0%、Mn:2.0%以下、P:0.04%以下、S:0.03%以下、Cr:15〜30%、Ni:8〜15%、Al:0.05〜0.20%、B:0.001〜0.010%、N:0.15〜0.30%、Ca及び/又はREM:0.01〜0.10%、残部Fe及び不純物からなり、(1)式により規定されるNi(bal)が-1.0〜+2.0であり、Al及びNが(2)式を満足するオーステナイト系ステンレス鋼である。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a multilayered film with an Al/TiN structure wherein an Al film and a TiN film which make an etching shape trapezoidal are laminated.例文帳に追加
エッチング形状が台形となるAl膜とTiN膜が積層したAl/TiN構造の多層膜を有する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
CONTINUOUS CASTING POWDER AND CONTINUOUS CASTING METHOD FOR Ti AND Al STEEL例文帳に追加
TiおよびAl含有鋼用連続鋳造パウダーおよび連続鋳造方法 - 特許庁
Further, the hard protective film for a working tool is a composite film in which a nitride phase made of Cr-Al-N and having a BN content of 8 to 28(vol.%) and a BN phase are three-dimensionally mixed.例文帳に追加
さらに、BN含有率が8〜28(vol%)であるCr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 - 特許庁
In the illustrated embodiment, the intermetallic compound phase consists of M(Al, Si)_3, M_5(Al, Si)_3, and/or M_3Si_5Al_2, where M denotes niobium, titanium, hafnium, and/or chromium.例文帳に追加
例示的実施形態では、この金属間化合物相は、Mをニオブ、チタン、ハフニウム及び/又はクロムとする場合、M(Al,Si)_3、M_5(Al,Si)_3、及び/又はM_3Si_5Al_2からなる。 - 特許庁
Al is preferably 0.2 to 2.0 mass% in aluminum and dissolved.例文帳に追加
ここで、Alは、Al換算で0.2〜2.0重量%の固溶しているのが好ましい。 - 特許庁
To obtain excellent workability and corrosion resistance in a precoated steel sheet having 20-95 mass% Al contents in a hot-dip Al-Zn coated layer.例文帳に追加
めっき皮膜中のAl含有量が20〜95mass%の溶融Al−Zn系めっき鋼板を下地鋼板とする塗装鋼板において、優れた加工性と加工部耐食性を得る。 - 特許庁
To provide an oxide phosphor having longer life than that of an SrTiO_3:Pr, Al phosphor and emitting light at high luminance even with low-energy electron beams and to provide a fluorescent display device.例文帳に追加
SrTiO_3:Pr,Al蛍光体よりも長寿命を有し且つ低速電子線でも高輝度で発光する酸化物系蛍光体、および蛍光表示装置を提供する。 - 特許庁
The Al film, SiNxOy film and Nb_2O_5 film are successively layered on the glass substrate, or the SiNxOy film, Al film, SiNxOy film and Nb_2O_5 film are successively layered.例文帳に追加
ガラス基板上には、Al膜、SiNxOy膜、Nb_2O_5膜を順次積層するか、SiNxOy膜、Al膜、SiNxOy膜、Nb_2O_5膜を順次積層する表面鏡である。 - 特許庁
An Al oxide film formed on the surfaces of the lower light lockup layer 16, the multiple quantum well active layer 18 and a lower lockup layer 20 including Al is removed by etching.例文帳に追加
Alを含む下光閉込層16、多重量子井戸活性層18及び上光閉込層20の表面に形成されたAl酸化膜をエッチング除去する。 - 特許庁
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