「Angstroms」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The coat has a thickness ranging from 200 to 800 angstroms and a Δb* value ranging from 2 to 7.例文帳に追加

該被膜は、厚さが２００〜８００オングストローム、Δｂ^*値が２〜７の範囲にある。 - 特許庁

Each of the phases is free of crystallites that are greater than 1000 angstroms prior to cycling.例文帳に追加

相のそれぞれは、サイクリングの前、１０００オングストロームより大きい微結晶を含まない。 - 特許庁

The layer 9 is formed of an SiO2 film of a thickness of 2000 angstroms or thicker.例文帳に追加

酸化膜層９を２０００オングストローム以上のＳｉＯ2 の膜によって形成する。 - 特許庁

The etching solution etches in a range of 100-900 angstroms of the insulating layer 68 and 81.例文帳に追加

このエッチング溶液は、絶縁層６８，８１の１００〜９００オングストロームの範囲でエッチングする。 - 特許庁

The coating is less than about 200 angstroms thick and preferably is formed from iron or palladium.例文帳に追加

コーティングは約２００オングストローム未満の厚さであり、好ましくは、鉄またはパラジウムから形成される。 - 特許庁

For this production, an oxide film 4 in the range of about several thousands of angstroms to two microns is formed on a monocrystalline silicon substrate 1.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上に、数千オングストローム〜２ミクロン程度の酸化膜４を成膜する。 - 特許庁

The light-emitting layer may be a wurtzite group III nitride layer having a thickness of at least 50 angstroms.例文帳に追加

発光層は、少なくとも５０オングストロームの厚みを有するウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物層とすることができる。 - 特許庁

To provide new techniques utilizing a carbon material having a pore size of 10 angstroms or less, and the function.例文帳に追加

細孔径が10オングストローム以下である炭素材料、およびこの炭素材料の機能を利用した、新たな技術を提供する。 - 特許庁

A macroreticular carbonaceous material has a total surface area of 500m^2/g to 2,500m^2/g, and 20 to 80% of the total surface area comprises pores having diameters of 17 angstroms to 100,000 angstroms.例文帳に追加

マクロレティキュラー炭質材料は５００ｍ^２／ｇ以上から２５００ｍ^２／ｇの合計表面積を有し、合計表面積の２０％から８０％は１７オングストロームから１０００００オングストロームの直径を有する細孔によるものである。 - 特許庁

A coupler layer is disposed between the substrate 1 and the optical waveguide structure layer 10, and the film thickness distribution range of the coupler layer in the region below the optical waveguide 4 is such that the minimum film thickness is ≥30 angstroms and the maximum film thickness is ≤200 angstroms.例文帳に追加

基板１と光導波路構造層１０との間には、カプラー層が配置され、光導波路４の下部の領域におけるカプラー層の膜厚分布範囲は、最小膜厚３０オングストローム以上、最大膜厚２００オングストローム以下の範囲である。 - 特許庁

When the growth speed of the oxide layer 418 is controlled for delaying, a layer having a thickness of approximately 10 angstroms or less can be easily formed.例文帳に追加

当該酸化物層（４１８）の成長速度を制御して遅くすると約１０オングストローム以下の厚みの層が容易にできるようになる。 - 特許庁

The protection layer on a recording layer is formed by using a diamond-like carbon film, the average surface roughness Ra of which is made to be 30 or smaller Angstroms.例文帳に追加

記録層上の保護層をダイヤモンド状炭素膜で形成し、このダイヤモンド状炭素膜の平均表面粗さＲａを３０Å以下にする。 - 特許庁

The cavity has a shape of a hole with an aperture diameter and an inner diameter of several angstroms, and a Cu atom, an O atom, and an N atom are exposed on the inner surface thereof.例文帳に追加

この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはＣｕ原子、Ｏ原子、Ｎ原子が露呈する。 - 特許庁

This superconductive thin film contains M (which is at least one element of Ba, Sr and Ca), copper and oxygen formed on a substrate as main components and has ≥300 Angstroms and ≤950 Angstroms thickness and 6×106 A/cm2 or more critical current density Jc at 77°K.例文帳に追加

基板上に形成されたＭ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａのうち少なくとも一つ以上の元素），銅及び酸素を主成分とし、膜の厚みが３００Å以上９５０Å以下であり、７７Ｋにおける臨界電流密度Ｊｃが６×１０^6Ａ／ｃｍ^2以上である水銀系銅酸化物超電導薄膜である。 - 特許庁

The volume of pores with pore sizes of 3-100 angstroms is 0.01-0.3 ml/g, and that the volume of pores with pore sizes of 1000-30000 angstroms is 1-20 times the volume of pores with pore size of 3-100 angstroms.例文帳に追加

樹脂製絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４内部に半導体素子３を気密に収容してなり、樹脂製絶縁基体１中にフィラーを70〜97重量％埋入させるとともに10〜80重量％のフィラーに対し容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇの細孔を形成した半導体装置であって、３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の容積が0.01〜0.3ｍｌ／ｇであり、かつ1000〜30000オングストロームの孔径を有する細孔の容積が３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の容積の１〜20倍であることを特徴とするものである。 - 特許庁

A part of oxygen ions, of which the average distance from metal ions (M^n+) in a structure (MOx) existing on the surface is 2.2 angstroms or smaller, are removed.例文帳に追加

金属酸化物触媒の、表面にある構造（ＭＯｘ）における金属イオン（Ｍ^ｎ＋）と酸素イオンの平均距離が２．２オームストロング以下である酸素イオンの一部を除去する。 - 特許庁

The method includes steps of a thermal oxidation film of 25-45 angstroms thick on the surface of the silicon substrate 1, by loading the substrate 1 into the furnace while introducing an N2 gas having 1% of O2 gas added therein, and thereafter forming a thermal oxidation film of 100 angstroms or less on the substrate 1.例文帳に追加

この方法は、加熱した炉内に１％のＯ_２ガスを添加したＮ_２ガスを導入しながら、前記炉内にシリコン基板１をローディングすることにより、シリコン基板１の表面上に２５〜４５オングストロームの熱酸化膜を形成する工程と、その後、シリコン基板１の表面上に１００オングストローム以下の熱酸化膜を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

Afterwards, an antireflection film 21 is formed over the entire surface about from 500 to 1,000 angstroms, and a groove 15 for second wiring layer is formed by etching the second wiring corresponding inter-layer insulating film 11.例文帳に追加

その後、全面に反射防止膜２１を５００〜１０００オングストローム程度形成し、第２配線対応層間絶縁膜１１をエッチングして、第２配線層用の溝１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate oxide film of a semiconductor device, capable of obtaining a gate oxide film with small leak current and high reliability, while holding an effective gate oxide film thickness to 40 Angstroms or less.例文帳に追加

本発明は、４０Å以下の有効ゲート酸化膜厚を確保しながら、低リーク電流及び高信頼性のゲート酸化膜が得られる半導体素子のゲート酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

An interface adjustment layer 42 made up of a plurality of continuously deposited atomic layers is formed on the inner wall of the contact hole and on the film 20 with a thickness of several to several tens of angstroms.例文帳に追加

コンタクトホールの内壁及び層間絶縁膜の上部に連続的に蒸着された複数の原子層よりなる界面調節層を数Åないし数十Åの厚さに形成する。 - 特許庁

In addition, an energy storage device includes the macroreticular carbonaceous material having at least one first distinguishable peak representing a pore size of 20 angstroms or smaller in the case of measuring by using an H-Kdv/dlog(W) pore size distribution and at least one second distinguishable peak representing a pore size greater than 20 angstroms in measuring by using a BJHdv/dlog(D) pore size distribution.例文帳に追加

加えて、本発明はＨ−Ｋｄｖ／ｄｌｏｇ（Ｗ）細孔サイズ分布を用いて測定した場合に２０オングストローム以下の細孔サイズに相当する少なくとも一つの第一の区別できるピーク、およびＢＪＨｄｖ／ｄｌｏｇ（Ｄ）細孔サイズ分布を利用して測定すると２０オングストロームより大きな細孔サイズに相当する少なくとも一つの第二の区別できるピークを有するマクロレティキュラー炭質材料を含むエネルギー貯蔵装置。 - 特許庁

This SF6 gas recovering device has as purification means a first removal unit 10 which is packed with zeolite, and also a second removal unit 11 which is packed with zeolite having 5-6 angstroms pore size and to the packed part of which a pressurizing means is connected.例文帳に追加

純化手段として、ゼオライトを充填した第一除去装置１０と、孔径５〜６オングストロームのゼオライトを充填するとともに当該充填部に加圧手段を連結した第二除去装置１１と、を備える。 - 特許庁

To provide a reflective display that leaves a layer having a thickness smaller than 1,000 Angstroms on an optical element, and is manufactured using the method of flattening the surface of a substrate where an optical element is deposited on the surface.例文帳に追加

光学エレメント上に１０００オングストローム未満の厚さを有する層を残すことのできる、表面上に光学エレメントを堆積させた基板の面を平坦化する方法を用いて製造された反射型ディスプレイを提供すること。 - 特許庁

The sintered compact 9, having the PZT film formed thereon, is immersed into a fluid dispersion in which ultrafine independently dispersed particles of gold, silver, silver/ palladium alloy or the like having a particle diameters of 100 angstroms or less are present in a colloidal state in a surfactant solution.例文帳に追加

ＰＺＴ膜１３を形成した焼結体９を粒径が１００オングストローム以下の独立分散型の金、銀、銀・パラジウム合金等の超微粒子が界面活性剤からなる溶液中にコロイド状で存在する分散液に浸漬する。 - 特許庁

The adsorbent comprises zeolite containing at least Al and P as elements constituting a skeleton thereof, wherein the zeolite has pores of 2.0-3.0 angstroms diameter and a three-dimensional structure consisting of an oxygen-containing six-member ring and, particularly, the zeolite has an SOD structure or an AST structure.例文帳に追加

骨格を構成する元素として少なくともＡｌとＰを含み、且つ、細孔が径２．０から３．０オングストロームの酸素６員環からなる３次元構造であるゼオライト、特にゼオライトがＳＯＤ構造またはＡＳＴ構造からなる吸着剤を用いる。 - 特許庁

An AC electrolytic treatment is carried out to the aluminum plate in an alkalline aqueous solution at a bath temperature of 35 to 85°C, an oxide film having a thickness of 500 to 5,000 angstroms is formed, and a dry type organic-matter removing treatment is conducted so that the quantity of an organic matter on a surface reaches 4 mg/m^2 or less.例文帳に追加

アルミニウム板に浴温３５〜８５℃のアルカリ性水溶液中で交流電解処理を施して、厚み５００〜５０００オングストロームの酸化皮膜を形成した後、表面の有機物量が４ｍｇ／ｍ^２以下となるように乾式有機物除去処理を行なう。 - 特許庁

The adsorbent comprises zeolite containing at least Al and P as elements constituting a skeleton thereof, wherein the zeolite has pores of 3.8-7.1 angstroms diameter and one-dimensional structure, has a skeleton density of ≤18.0 T/angstrom^3 and has any of an ATS structure, an ATN structure, an AWW structure, an LTL structure and an SAS structure.例文帳に追加

骨格を構成する元素として少なくともＡｌとＰを含み、且つ、細孔が３．８から７．１オングストロームの径を有する１次元構造であり、且つ骨格密度が１８．０Ｔ／オングストローム^３以下のゼオライト、ＡＴＳ構造、ＡＴＮ構造、ＡＷＷ構造、ＬＴＬ構造、ＳＡＳ構造の何れかからなる吸着剤を用いる。 - 特許庁

The additive for the polyester resin contains an inorganic compound that has a crystal system selected from hexagonal system, isometric system, tetragonal system, trigonal system, and rhombic system; and at least one of the lattice constants of 7 to 15 angstroms in the axes a, b, and c; the polyester resin, the polyester resin composition containing the additive, and the method for producing the composition are contained in this invention.例文帳に追加

結晶系が六方晶系、立方晶系、正方晶系、三方晶系または斜方晶系のいずれかであり、ａ軸、ｂ軸、ｃ軸の少なくとも１つの格子定数が７〜１５オングストロームである無機化合物を含有するポリエステル樹脂用添加剤、並びにポリエステル樹脂、及び該添加剤を含有するポリエステル樹脂組成物及びその製造法。 - 特許庁

A substrate having a display electrode and an address electrode formed on a glass substrate is provided with a surface treatment with a siloxane oxide thin film 131 or a titanium oxide thin film 181 of a few hundreds angstroms or less to retain a breakdown voltage even if a dielectric glass layer is formed thinner, furthermore, the discharge voltage is prevented from increasing, and a plasma display panel with high brightness can be obtained.例文帳に追加

ガラス基板上に形成されてきた表示電極やアドレス電極を含む基板上を数百オングストローム以下のシロキサン系酸化物薄膜（１３１）、もしくはチタン系酸化物薄膜（１８１）で表面処理を行うことにより、誘電体ガラス層を薄く形成しても絶縁耐圧を確保し、加えて放電電圧の上昇を抑え、かつ、高輝度のプラズマディスプレイパネルを得ることができる。 - 特許庁