「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed through thermal oxidation from inside to outside of a principal surface of the silicon substrate 1, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed so as to be thinner than the high-breakdown-voltage insulating film IH1.例文帳に追加

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は、熱酸化法によって、シリコン基板１の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は高耐圧絶縁膜ＩＨ１より薄くなるようにして形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a high-breakdown-voltage IC that is capable of a high breakdown voltage, inhibits chip costs, and has high-breakdown-voltage junction terminator structure for securing long-term reliability.例文帳に追加

高耐圧化が可能で、チップコストが抑制され、かつ、長期信頼性の確保が可能である高耐圧接合終端構造を有する高耐圧ＩＣなどの半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device exhibiting a high breakdown voltage under "OFF" state and a low resistance under "ON" state by improving the structure of the high breakdown voltage semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧型半導体装置の構造の改良を図ることにより“ＯＦＦ”状態において高耐圧であり、かつ、“ＯＮ”状態において低抵抗な高耐圧型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method which reduce an area of high breakdown voltage transistor region of a semiconductor apparatus having a high breakdown voltage and a low breakdown voltage transistors in a same substrate.例文帳に追加

高耐圧、低耐圧トランジスタを同一基板に備える半導体装置の、高耐圧トランジスタ領域の面積の削減を図る装置及び方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, where a high breakdown voltage polysilicon capacitor can be enhanced in breakdown voltage, without varying a low breakdown voltage transistor in electrical properties.例文帳に追加

低耐圧トランジスタ部の電気特性を変動させることなく、高耐圧ポリシリコン容量の耐圧を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The saturation voltage between the collector and emitter does not reach twice the breakdown voltage of the IGBT element if it is set twice.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子の耐圧を２倍にしてもコレクタ・エミッタ間の飽和電圧は２倍に達しない。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH TRANSISTOR OF LOW THRESHOLD VOLTAGE AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE例文帳に追加

低いスレッショルド電圧および高い絶縁破壊電圧のトランジスタを具備する半導体装置 - 特許庁

To provide a group III-V nitride semiconductor device having a high breakdown voltage and a low on-voltage.例文帳に追加

耐圧が高く、且つオン電圧の低い、III−Ｖ族窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve an electrostatic breakdown voltage without deterioration in light emission intensity and drive voltage.例文帳に追加

発光強度や駆動電圧を悪化させることなく静電耐圧を向上させる。 - 特許庁

To suppress temporal variation in Zener voltage (breakdown voltage) while reducing element area.例文帳に追加

素子面積の縮小を図りつつ、ツェナー電圧（降伏電圧）の経時変化を抑制する。 - 特許庁

Calculated impression voltage of the light emitting element is compared with a predesignated forward-inverse directional breakdown voltage.例文帳に追加

発光素子の計算された印加電圧を予め指定されている順、逆方向破壊電圧と比較する。 - 特許庁

To detect a cathode-side voltage of a light-emitting element without requiring a high breakdown voltage element.例文帳に追加

高耐圧素子を必要とせずに、発光素子のカソード側電圧を検出することである。 - 特許庁

The clamp voltage is set lower than the breakdown voltage of the transistors M1, M2 and the control IC 30.例文帳に追加

クランプ電圧は、トランジスタＭ１、Ｍ２、制御ＩＣ３０の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor device having high breakdown voltage and low on-voltage.例文帳に追加

耐圧が高く且つオン電圧の低いＧａＮ系半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which breakdown voltage can be elevated while reducing the on-state voltage.例文帳に追加

オン電圧を低下しつつ耐圧を向上することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the voltage dependency of a capacitance element and increase the p-n junction breakdown voltage thereof.例文帳に追加

容量素子の電圧依存性を小さくすると共に、ＰＮ接合耐圧を向上する。 - 特許庁

To provide an IGBT of which the turn-on voltage is low and the breakdown voltage is high.例文帳に追加

オン電圧が低いとともに耐圧が高いＩＧＢＴを提供することを目的とする。 - 特許庁

The reverse breakdown voltage of the diode 15 is set to a value not less than the voltage of the direct-current power supply 17.例文帳に追加

ダイオード１５の逆耐圧電圧は直流電源１７の電圧以上となされている。 - 特許庁

To increase an absolute value of a negative voltage to be outputted without increasing a breakdown voltage of transistors(TRs).例文帳に追加

トランジスタの耐圧を高めることなく出力する負の電圧の絶対値を高める。 - 特許庁

Consequently, while the breakdown voltage is secured, the ON voltage is lowered to reduce the switching loss.例文帳に追加

これによって、耐圧を確保しつつ、オン電圧を低減し、スイッチングロスを低減することができる。 - 特許庁

To configure a voltage detection device of a battery pack without using a high breakdown voltage transistor.例文帳に追加

高耐圧トランジスタを用いることなく組電池の電圧検出装置を構成する。 - 特許庁

By this protecting circuit 33, the voltage of the terminal 20 is controlled to the breakdown voltage of the transistor 7 or lower.例文帳に追加

この保護回路３３は端子２０の電圧をトランジスタ７の耐圧電圧以下に制御する。 - 特許庁

To provide a technology of applying high voltage to a trench insulation isolation section in the breakdown voltage screening test of the trench insulation isolation section.例文帳に追加

トレンチ絶縁分離部の耐圧スクリーニング試験において、高電圧を印加する。 - 特許庁

One of the power supplies always applies a voltage that is equal to or less than the breakdown voltage of the semiconductor device under inspection to it.例文帳に追加

片方の電源は、被検査半導体装置の破壊電圧以下の電圧を常に印加する。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor device having a higher breakdown voltage and a lower ON voltage.例文帳に追加

耐圧が高く且つオン電圧の低いＧａＮ系半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a bipolar IC to easily realize a high voltage circuit to prevent voltage equal to or bigher than breakdown voltage from being applied on a circuit element in the bipolar IC and increase of breakdown voltage at low cost by the high voltage circuit.例文帳に追加

バイポーラＩＣ内の回路素子に耐圧以上の電圧が印加されるのを防止する高耐圧回路、およびその高耐圧回路による低コストな高耐圧化を容易に実現可能にするバイポーラＩＣを提供すること。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device whose breakdown voltage approximates a value estimated from the maximum breakdown field of a semiconductor material.例文帳に追加

半導体装置の耐圧を半導体材料が有する最大絶縁破壊電界から予想される値に近づけ、高耐圧の半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a layout of high breakdown voltage wiring which can flatten the wiring and also which is high in dielectric breakdown strength to upper wiring, even at the end of lower wiring, and can withstand high breakdown voltage dielectric resistance.例文帳に追加

配線の平坦化を図ることができると共に、下層配線の端部においても、上層配線との間の絶縁耐圧が高く、高耐圧絶縁耐量に耐えることができる高耐圧配線レイアウトを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for high breakdown voltages for preventing element separation breakdown voltages from decreasing when applying a high voltage to upper-layer wiring.例文帳に追加

上層配線に高電圧を印加する際に、素子分離耐圧を低下させない高耐圧用の半導体装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, a flexible conductor 20 has a higher breakdown voltage in a vacuum than the flexible conductor comprising only the copper foils 1 to prevent its breakdown.例文帳に追加

従って、可撓性導体２０は銅箔１のみの可撓性導体よりも真空下で高い耐電圧を有し、絶縁破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a technique for restraining a dielectric breakdown from occurring in an insulating film covering a trench corner so as to raise the breakdown voltage of a trench gate semiconductor device.例文帳に追加

トレンチコーナ部を覆う絶縁膜の箇所での絶縁破壊を生じにくくして、耐圧を向上させるための技術を提供する。 - 特許庁

Moreover, a gate trench 21 which penetrates the p^--type body region 41, a breakdown holding trench 27, and a breakdown voltage holding trench 27; and a termination trench 62 are provided, respectively.例文帳に追加

また，Ｐ^- ボディ領域４１を貫通するゲートトレンチ２１，耐圧保持トレンチ２７，終端トレンチ６２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enhances forward surge breakdown strength while maintaining a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

高い逆方向耐圧を維持しつつ順方向サージ破壊耐量を高くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The protective diode has a reverse breakdown strength which is about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5.例文帳に追加

保護ダイオード１１は横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１の逆耐圧をもつ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an avalanche breakdown is stably generated in a pn junction when a breakdown voltage is applied, and to provided a method of manufacturing the same.例文帳に追加

降伏電圧が印加されたときにｐｎ接合になだれ降伏が安定して生じる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI high breakdown semiconductor device satisfactory in voltage breakdown characteristics in an arbitrary reverse bias state.例文帳に追加

任意の逆バイアス状態の態様において耐圧特性の良好なＳＯＩ型高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the voltage inputted to the voltage input terminal is an appropriate voltage, the resistance value drops and the breakdown voltage rises.例文帳に追加

電圧入力端子に入力する電圧が適正電圧である場合には、抵抗値が減少してブレークダウン電圧が上昇する。 - 特許庁

The level converting circuit converts voltage amplitudes of first and second input signals to a second voltage from a first voltage employing high breakdown voltage elements.例文帳に追加

第１、第２の入力信号の電圧振幅を第１の電圧から第２の電圧へと変換させる高耐圧の素子を用いたレベル変換回路である。 - 特許庁

To simplify a method of manufacturing a semiconductor device, having a low withstand voltage MOSTr and a high breakdown voltage MOSTr operating at a higher voltage than a low breakdown voltage MOSTr and including a drift diffused region on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、低耐圧ＭＯＳＴｒと、前記低耐圧ＭＯＳＴｒよりも高い電圧で動作しかつドリフト拡散領域を有する高耐圧ＭＯＳＴｒとを備える半導体装置の製造方法を簡略化する。 - 特許庁

To make resistance of a gate electrode of a high breakdown voltage transistor group low by forming a low voltage operating transistor group and a high breakdown voltage (high voltage operating) transistor group on one and the same semiconductor substrate.例文帳に追加

低電圧動作のトランジスタ群と高耐圧（高電圧動作）のトランジスタ群とを同一半導体基板に形成して、高耐圧のトランジスタ群のゲート電極の低抵抗化を可能にする。 - 特許庁

A circuit element, applying voltage of the secondary battery, is constituted by a low breakdown voltage structure, a circuit element applying voltage of the charger is constituted by a high breakdown voltage structure.例文帳に追加

また、２次電池の電圧が印加される回路素子を低耐圧構造、充電器の電圧が印加される回路素子を高耐圧構造で構成している。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for increasing current capacity due to the decrease in the forward voltage and on-resistance regardless of a high breakdown voltage by drastically relaxing the trade-off relationship between the forward voltage/on-resistance and the breakdown voltage.例文帳に追加

順電圧やオン抵抗と耐圧とのトレードオフ関係を大幅に緩和させて、高耐圧でありながら順電圧やオン抵抗の低減による電流容量の増大が可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

To increase an ESD breakdown voltage by making it possible to detect an output voltage of a secondary battery by a secondary voltage monitor circuit with respect to a drop in breakdown voltage along with miniaturization of a circuit.例文帳に追加

回路の微細化に伴う耐圧低下に対して二次電池監視回路による二次電池の出力電圧の検出を可能とし、静電耐量を向上させる。 - 特許庁

A circuit element applied with the voltage of the secondary battery is formed out of a low breakdown voltage structure and a circuit element applied with the voltage of the charger is formed out of a high breakdown voltage structure.例文帳に追加

また、２次電池の電圧が印加される回路素子を低耐圧構造、充電器の電圧が印加される回路素子を高耐圧構造で構成している。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage in a high-voltage semiconductor device such as a high-voltage MOS transistor, and to inhibit fluctuation of the breakdown voltage due to a time-dependent change of an internal electric field strength of a drain offset layer and the like.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳ型トランジスタなどの高耐圧半導体装置における耐圧を向上させ、またドレインオフセット層などの内部電界強度が経時的に変化し、耐圧が変動することを防止する。 - 特許庁