「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To diagnose breakdown of a battery voltage regulator in a power supply device for a vehicle.例文帳に追加

車両用電源装置に関し、バッテリ電圧調整器の故障診断をすることができるようにする。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor having a high coverage factor and high breakdown voltage characteristics in a short manufacturing period.例文帳に追加

高被覆率、高耐圧特性の固体電解コンデンサを、短い製造時間で提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element structure suitable for a higher breakdown voltage, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

より高いブレークダウン電圧に適した半導体素子構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit board for electronic component mounting that has a sufficient breakdown voltage, and to provide an electronic device.例文帳に追加

十分な耐電圧を持つ電子部品搭載用の回路基板および電子装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which improve a drain breakdown voltage.例文帳に追加

ドレイン耐圧を向上させる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of increasing breakdown voltage of an MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの耐圧を高めることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce mixing of electric charge from an element isolation section into an electric charge retaining section, while having breakdown voltage.例文帳に追加

耐圧を有しつつ、素子分離部から電荷保持部への電荷の混入を低減する。 - 特許庁

As a result, a silicon carbide vertical MOSFET having low on-resistance and a high breakdown voltage is provided.例文帳に追加

その結果、低いオン抵抗、且つ高耐圧の炭化ケイ素縦型ＭＯＳＦＥＴを実現する - 特許庁

To provide a semiconductor device that relaxes electric field concentration to ensure a high breakdown voltage.例文帳に追加

電界集中を緩和し、高い耐圧を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-performance solid-state electrolytic capacitor of a high breakdown voltage.例文帳に追加

耐電圧の大きい、高性能な固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

A breakdown voltage of the biaxially oriented film at 23°C (BDV23) is ≥350 kV/mm.例文帳に追加

２３℃における絶縁破壊電圧（ＢＤＶ２３）が３５０ｋＶ／ｍｍ以上二軸延伸フィルム。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device which reduces on-resistance while maintaining a high breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧を維持しながらオン抵抗を低減した電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices, the method ensuring a high breakdown voltage-yield rate, reducing a unit area on-resistance, and reducing a chip size even without a high breakdown voltage design drastically higher than an aimed rated breakdown-voltage value by anticipating a decrease in a breakdown voltage in the semiconductor device having a super junction structure.例文帳に追加

超接合構造を有する半導体装置で、耐圧低下を見込んで、目的の定格耐圧値よりも大幅に高い耐圧設計としなくても、高い耐圧良品率を確保することができ、単位面積オン抵抗を低くすることができ、チップサイズを縮小することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be improved in breakdown voltage, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining a stable breakdown voltage value and reducing an ON resistance.例文帳に追加

耐圧が安定するとともにオン抵抗を低減することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose manufacturing process can be simplified while improving the breakdown voltage.例文帳に追加

耐圧を向上させつつ、製造工程を簡略化できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress breakdown of a switch element due to surge voltage in a soft switching converter.例文帳に追加

ソフトスイッチングコンバータにおいて、サージ電圧によるスイッチ素子の耐圧破壊を抑制する。 - 特許庁

To provide a high-output power amplifier using a low breakdown voltage transistor.例文帳に追加

低耐圧のトランジスタを用いた高出力の電力増幅器を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reverse bias breakdown voltage characteristics of a MOSFET stabilize.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの逆バイアス耐圧特性が安定する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving amplification factor, while assuring the breakdown voltage for the gate.例文帳に追加

ゲート耐圧を確保しつつ、増幅率を増加する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an FET capable of switching operation of a high breakdown voltage and a high current and facilitating manufacture.例文帳に追加

高耐圧および高電流のスイッチング動作が可能で、かつ製造が容易なＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To provide a super-thin (5 nm or less) silicon oxide film having a high insulation breakdown voltage reduced in leakage current.例文帳に追加

絶縁破壊耐圧の高い、リーク電流の少ない超薄(５nm以下)のシリコン酸化膜を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that achieves a high breakdown voltage and quick action.例文帳に追加

高耐圧と速い動作とを共に実現することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor with low on-resistance and high breakdown voltage as well as high reliability.例文帳に追加

オン抵抗が低く耐圧および信頼性が高い電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To suppress inconvenience such as deterioration of gate breakdown voltage and reliability due to film thinning in an insulator.例文帳に追加

絶縁体の薄膜化によるゲート耐圧や信頼性の低下という不都合を抑制すること。 - 特許庁

To provide a secondary electric powder source of a high capacity, a high breakdown voltage and superior charging and discharging cycle reliability.例文帳に追加

容量が大きく、耐電圧が高く、かつ充放電サイクル信頼性に優れた二次電源の提供。 - 特許庁

Hereby, the creep distance between the high voltage side and the ground side is sufficiently enlarged to prevent dielectric breakdown.例文帳に追加

これにより、高圧側と接地側との間の沿面距離を十分に大きくし、絶縁破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor power element for greatly reducing the on-resistance while ensuring a high breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧を確保しつつオン抵抗の大幅な低減を図れる半導体電力素子を提供する。 - 特許庁

To provide a load disconnection detection circuit having a breakdown strength which is equal to or more than a flyback voltage generated to a load.例文帳に追加

負荷に生じるフライバック電圧以上の耐圧を持つ負荷断線検出回路を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum conductor having very high specific resistance and breakdown voltage.例文帳に追加

比抵抗および耐破壊電圧が非常に大きいアルミニウム導体を提供する。 - 特許庁

To provide a power MOS transistor having a trench gate of which gate breakdown voltage is satisfactory.例文帳に追加

ゲート耐圧が良好なトレンチゲートを有するパワーＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition having a little variation in breakdown voltage and excellent electric characteristics.例文帳に追加

破壊電圧のばらつきが少なく、かつ電気的特性が優れた誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

According to this method, a breakdown voltage upon raising the sheet carrier concentration of a fifth semiconductor region 151 is raised.例文帳に追加

これにより、第５半導体領域１５１のシートキャリア濃度を高めたときの耐圧を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve breakdown voltage.例文帳に追加

耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a capacitor which can improve its breakdown voltage characteristics and reliability and can be made small in size.例文帳に追加

コンデンサの耐電圧特性、信頼性の向上を図るとともに、コンデンサの小型化を図ること。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device whose deterioration in the breakdown voltage can be suppressed and the channel resistance can be reduced.例文帳に追加

耐圧低下を抑制でき、チャネル抵抗低減を図れる炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a breakdown voltage is high, a current amplification factor is high and a switching speed is faster.例文帳に追加

高耐圧で電流増幅率が高く、かつスイッチング速度が速い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can attain a higher breakdown voltage as compared with that of a conventional structure.例文帳に追加

従来構造よりも高い耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance solid-state image pickup device with a high breakdown voltage, and also to provide the manufacturing method of the solid-state image pickup device.例文帳に追加

高性能且つ高耐電圧な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE BETWEEN PINS OF HIGH DENSITY COMPLIANT PIN CONNECTOR例文帳に追加

高密度コンプライアントピンコネクタのピン間耐高電圧性能を提供するシステムおよび方法 - 特許庁

To provide a field effect transistor and its manufacturing method where its breakdown voltage is high and its power loss is low.例文帳に追加

耐圧が高く損失が低い電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce ON resistance of a semiconductor device with a high breakdown voltage and to reduce the size thereof.例文帳に追加

高耐圧の半導体装置のオン抵抗を低減し、かつ寸法を縮小することを課題とする。 - 特許庁

To improve the breakdown voltage between the source and drain of a semiconductor device while suppressing the increase of the on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の増大を抑制しつつ、ソース／ドレイン間の耐圧を向上させる。 - 特許庁

The breakdown voltages of the FET 1 and 2 are set as VL, and the power supply voltage VDD≤VL+VSUB is established.例文帳に追加

ＦＥＴ１、２の耐圧をＶＬとし、電源電圧ＶＤＤ≦ＶＬ＋ＶＳＵＢとする。 - 特許庁

To achieve a high-output FET by improving a drain breakdown voltage in ON and OFF states.例文帳に追加

ＯＮ状態及びＯＦＦ状態、両者でのドレイン耐圧を向上させ、高出力ＦＥＴを実現する。 - 特許庁