「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The breakdown voltage of the protective NMOS transistor 5n is lower than that of the inner NMOS transistor 3n, while the breakdown voltage of the protective PMOS transistor 5p is lower than that of the inner PMOS transistor 3p.例文帳に追加

保護ＮＭＯＳトランジスタ５ｎの耐圧は内部ＮＭＯＳトランジスタ３ｎよりも低く、保護ＰＭＯＳトランジスタ５ｐの耐圧は内部ＰＭＯＳトランジスタ３ｐよりも低い。 - 特許庁

On the outer peripheral side of the P-type active guard region 16, breakdown voltage is made lower than other parts of an element and breakdown is generated in this part when a high voltage is applied across a source and a drain.例文帳に追加

ｐ型アクティブガード領域１６の外周側は、素子の他の部分より降伏電圧が低くされ、ソース−ドレイン間に高い電圧がかかった際にここで降伏が起こる。 - 特許庁

An oxynitirde film 5 is formed in a low breakdown voltage transistor LMOS region and an oxide film 7 which becomes the gate insulating film of high breakdown voltage transistor HMOS is formed through a thermal oxidation processing.例文帳に追加

低耐圧トランジスタＬＭＯＳ領域に酸窒化膜５を形成した後、熱酸化処理によって高耐圧トランジスタＨＭＯＳのゲート絶縁膜となる酸化膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high breakdown voltage system MIS element capable of coping with microfabrication of next generation, and to provide its fabrication process, and to provide an MIS high breakdown voltage transistor.例文帳に追加

次世代型の微細化に対応可能な高耐圧系のＭＩＳ型素子を有する半導体装置及びその製造方法、ＭＩＳ型高耐圧トランジスタを提供する。 - 特許庁

First, a high-breakdown voltage gate oxide film 2 is etched with an anisotropic wet etchant using a high-breakdown voltage gate electrode 3 as a mask, and then is etched with an isotropic etchant.例文帳に追加

高耐圧部ゲート電極３をマスクとして高耐圧部ゲート酸化膜２を最初は異方性、次いで等方性ウエットエッチでエッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of isolating an L-IGBT from a low breakdown-voltage integrated circuit by pn junction separation easily and reliably when integrating the L-IGBT and the low breakdown-voltage integrated circuit into one chip.例文帳に追加

Ｌ−ＩＧＢＴと低耐圧集積回路とを１チップに集積化する際に、ｐｎ接合分離により容易に且つ確実にＬ−ＩＧＢＴと低耐圧集積回路とを分離できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This is due to the fact that the breakdown voltage of a diode is determined by the dopant concentration around it, and that the higher the dopant concentration is, the lower the breakdown voltage becomes.例文帳に追加

すなわち、ダイオードの耐圧は当該ダイオードの周囲の不純物濃度の高低によって定まり、不純物濃度が高いほど耐圧が低くなるからである。 - 特許庁

To provide a switching circuit having a high breakdown voltage at a high switching speed, less deviation in timings and with a small power loss and to provide an amplifier circuit or the like with a light breakdown voltage, a high amplification factor and less distortions and power loss.例文帳に追加

耐圧が大きく、スイッチングが高速でタイミングのずれが少なく、電力の損失が少ないスイッチング回路や、耐圧及び増幅率が大きく、歪みや電力の損失が少ない増幅回路等を提供することである。 - 特許庁

A low breakdown voltage article can be selected concerning breakdown voltage of respective devices such as a switching device provided on a power circuit and primary parallel resonant capacitor.例文帳に追加

これによって、電源回路に備えられるスイッチング素子、及び一次側並列共振コンデンサ等の各素子の耐圧について低耐圧品を選定することができる。 - 特許庁

To provide a minute power semiconductor device, such as a low breakdown voltage power MOSFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor) or the like which enables low on-resistance while maintaining a breakdown voltage between drain and source as it is, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン−ソース間耐圧を維持したまま低オン抵抗化が可能となる低耐圧パワーＭＯＳＦＥＴのような微細なパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent parasitic transistor operation, and simplify and refining a process, in a semiconductor device in which a high breakdown voltage MOS transistor and a low breakdown voltage one are present mixedly.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタと低耐圧ＭＯ Ｓトランジスタとが混在する半導体装置において、寄生トランジスタ動作を起こさなく、工程を簡単にして、且つ微細化する。 - 特許庁

A control signal S105 is inputted to the gate of a P type breakdown voltage protecting MOS transistor 112, and the VDDL is inputted to the gate of an N type breakdown voltage protecting MOS transistor 122.例文帳に追加

Ｐ型耐圧保護用ＭＯＳトランジスタ１１２のゲートに制御信号Ｓ１０５、Ｎ型耐圧保護用ＭＯＳトランジスタ１２２のゲートにＶＤＤＬを入力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enhances a function of preventing breakdown voltage failure of MOSFETs without complicating processes and to provide a system which can be easily developed and designed and which hardly causes the failure of the breakdown voltage.例文帳に追加

プロセスを複雑にせずに、ＭＯＳＦＥＴの耐圧不良を防止の向上を図った半導体装置、開発設計が容易でしかも半導体装置の耐圧不良を防止したシステムを提供する。 - 特許庁

To make thinner a gate insulator without reducing the breakdown voltage of the gate or to increase the breakdown voltage of the gate without thickening the gate insulator in a FET having a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造のＦＥＴにて、ゲート耐圧を低下させることなくゲート絶縁膜を薄くする、或はゲート絶縁膜を厚くせずにゲート耐圧を向上させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a short circuit protection circuit for preventing device destruction of a high breakdown voltage output terminal about a high breakdown voltage driver of a multichannel semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

多チャンネル半導体集積回路の高耐圧ドライバに関し、高耐圧出力端子のデバイス破壊を防止する短絡保護回路を提供する。 - 特許庁

The p-type impurity region 4a is formed by the same manufacturing process for a low breakdown voltage well 4, which is formed in a low breakdown voltage transistor LT forming region.例文帳に追加

このｐ型不純物領域４ａは低耐圧系トランジスタＬＴの形成領域に形成される低耐圧ウェル４と同一の製造工程で形成されたものである。 - 特許庁

To provide an input interface circuit for a semiconductor integrated circuit device that can have a high breakdown voltage with a circuit configuration produced by a conventional forming process without the need for any special forming process to obtain the breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧とするために特別な形成工程を要すること無く、通常の形成工程よりなる回路構成によって高耐圧とすることができる半導体集積回路装置の入力インターフェイス回路を提供する。 - 特許庁

According to this breakdown voltage measuring method, a breakdown voltage is measured with the measured liquid S made to circulate through the container 1 and the pipeline 4.例文帳に追加

破壊電圧測定方法においては、測定容器１内と循環管路４内で被測定液体Ｓを循環させた状態で破壊電圧を測定する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device of a structure wherein a reduction in resistance, such as a source resistance, and an enhancement in a gate breakdown voltage in breakdown voltage can be contrived in an easy process, and the manufacturing process of the device.例文帳に追加

この発明は、容易なプロセスでソース抵抗などの低抵抗化及びゲート耐圧の高耐圧化が図れる化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

At that time, a low breakdown voltage transistor LMOS region is oxidized simultaneously and a laminated film, which becomes the gate insulating film 8 of the low breakdown voltage transistor and is constituted of the oxide film and the oxynitride film is formed.例文帳に追加

このとき、低耐圧トランジスタＬＭＯＳ領域も同時に酸化され、低耐圧トランジスタのゲート絶縁膜８となる酸化膜と酸窒化膜からなる積層膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which an REP(resistive field plate) effect can be validly used in a junction terminal structure, and a sufficient margin can be obtained for both static breakdown voltage characteristics and dynamic breakdown voltage characteristics.例文帳に追加

接合終端構造において有効にＲＦＰ効果を利用でき、静耐圧特性、動耐圧特性両者に充分なマージンを得る高耐圧型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor for simplifying a mask process and reducing a layout area, and to provide a manufacturing method of the high breakdown voltage MOS transistor.例文帳に追加

マスク工程を簡略化しながらも、レイアウト面積を縮小した高耐圧ＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent a transistor from being destroyed without extending the W length of a high breakdown voltage MOSFET by a high breakdown voltage insulated gate version field effect off-transistor.例文帳に追加

高耐圧絶縁ゲート型電界効果オフトランジスタにより高耐圧電界効果トランジスタのＷ長を長く確保することなく、トランジスタの破壊を防止することができる。 - 特許庁

Then, a P-MOS region of a low-breakdown voltage transistor formation region and an N-MOS region of a high-breakdown voltage transistor formation region are covered with a resist mask 8 and boron ions are implanted rotatingly.例文帳に追加

次に、低耐圧トランジスタ形成領域のＰＭＯＳと高耐圧トランジスタ形成領域のＮＭＯＳ領域をレジストマスク８で覆い、ボロンを回転注入する。 - 特許庁

The temperature detection circuit includes a constant current circuit generating constant current, a Zener diode generating breakdown voltage varying depending on the temperature when the constant current is supplied, and a signal output circuit for output of the output signal indicating whether the Zener diode temperature is higher than the Zener diode temperature when the breakdown voltage is turned into a predetermined voltage, based on a magnitude relationship between the breakdown voltage and the predetermined voltage.例文帳に追加

温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。 - 特許庁

A sum of a breakdown voltage VB of the Zener diode D1 and the Zener diode D2 is larger than a voltage VH volt of the positive side output terminal A.例文帳に追加

ツェナーダイオードＤ_１、ツェナーダイオードＤ_２の降伏電圧Ｖ_Ｂの和は、正側出力端Ａの電圧Ｖ_Ｈボルトよりも大きい。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which forward voltage drop can be lowered while ensuring breakdown voltage surely.例文帳に追加

耐圧を確実に確保しながら、順方向降下電圧が低くすることが出来るショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To increase the breakdown voltage of a metal oxide transistor at low temperature without selecting a metal oxide transistor having a high blocking voltage.例文帳に追加

高い阻止電圧を有する金属酸化物トランジスタの選択なしに、低い温度において金属酸化物トランジスタの耐圧を高める。 - 特許庁

A current is supplied to the write bit lines from a high voltage (VCC) higher than breakdown voltage of a cell transistor (CT).例文帳に追加

書込ビット線へは、セルトランジスタ（ＣＴ）の耐圧よりも高い高電圧（ＶＣＣ）から電流を供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that avoids malfunction and latchup breakdown resulting from negative variation of high-voltage-side floating offset voltage VS.例文帳に追加

高圧側浮遊オフセット電圧ＶＳの負変動に起因する誤動作及びラッチアップ破壊を回避し得る半導体装置を得る。 - 特許庁

COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR HAVING HIGH EARLY VOLTAGE, EXCELLENT HIGH-FREQUENCY PERFORMANCE, AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

高いアーリー電圧，高周波性能及び高降伏電圧特性を具備した相補型バイポーラトランジスター及びその製造方法 - 特許庁

The zener diode shorts to ground if the supply voltage of the circuit exceeds the breakdown voltage of the zener diode.例文帳に追加

回路の電圧源がツェナダイオードの降伏電圧を超えると、ツェナダイオードはグラウンドに短絡する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having high tolerance to latchup breakdown caused by negative variations in floating offset voltage on the high-voltage side.例文帳に追加

高圧側浮遊オフセット電圧の負変動に起因するラッチアップ破壊耐量の高い半導体装置を得る。 - 特許庁

Hereby, it can suppress the load dump of an armature winding 1 which outputs high voltage by the Zener diodes 6 having low breakdown voltage.例文帳に追加

これにより、低い降伏電圧をもつツェナダイオード６により高電圧を出力する電機子巻線１のロードダンプを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low forward voltage drop, a high reverse breakdown voltage and a low reverse leakage current.例文帳に追加

低い順電圧降下を有し且つ高い逆耐圧及び低い逆リーク電流を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-breakdown voltage semiconductor device, which can prevent generation of latchup while a low ionic voltage is maintained.例文帳に追加

低いオン電圧を維持しながら、ラッチアップ防止が可能な高耐圧半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a material and a component for dealing with static electricity having a stable static electricity breakdown voltage and a low limited voltage.例文帳に追加

安定した静電気耐圧と、低い制限電圧を有する静電気対策材料及び静電気対策部品を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has excellent electrostatic breakdown voltage or the like and high reliability when a circuit operable at a low voltage is contained.例文帳に追加

低電圧で動作可能な回路を内蔵する場合等において静電耐圧等に優れた信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The insulation film 41 is used for securing an insulation breakdown voltage to a high voltage applied to the gate wiring 34.例文帳に追加

絶縁膜４１は、ゲート配線３４に印加される高電圧に対して絶縁耐圧を確保するために用いられる。 - 特許庁

To provide an EL element having an insulating layer of high dielectric breakdown withstand voltage and luminescent with high brightness even at a low driving voltage.例文帳に追加

絶縁破壊耐圧が高い絶縁層を有し、かつ、低い駆動電圧でも高輝度に発光するＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of operating at a voltage lower than the inverse breakdown voltage of a protective diode and having a protection circuit.例文帳に追加

保護ダイオードの逆方向耐圧よりも低電圧で動作する保護回路を有する半導体集積回路を実現する。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage and decrease a saturation voltage by forming step difference on the epitaxial layer surface of a vertical type PNP transistor.例文帳に追加

縦型ＰＮＰトランジスタのエピタキシャル層表面に段差を設けることにより耐圧を向上し飽和電圧を低減する。 - 特許庁

To realize a planar gate structure IGBT capable of raising the breakdown voltage and of lowering the on voltage.例文帳に追加

耐圧を高めることができ、オン電圧を低くすることができるプレーナゲート構造のＩＧＢＴを実現する。 - 特許庁

During a period when a potential higher than the power supply voltage is supplied externally to an output terminal PAD, that transistor is turned on below a breakdown voltage.例文帳に追加

出力端子ＰＡＤに外部から電源電圧よりも高い電位が入力されている間、このトランジスタは耐圧以下でオンしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high voltage device capable of obtaining a high breakdown voltage and a low leak current characteristic.例文帳に追加

高いブレークダウン電圧と低い漏洩電流特性を得ることができる高電圧素子の製造方法を提供する。 - 特許庁