「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, an element with breakdown strength lower than output terminal voltage can be used in the electrostatic breakdown device 7, and since an output terminal 4 is not affected by parasitic capacitance of the electrostatic breakdown device 7, switching is performed at high speed.例文帳に追加

また、静電破壊防止装置７に出力端子電圧よりも低い耐圧の素子を用いることができ、且つ、静電破壊防止装置７の寄生容量の影響を出力端子４が受けないため、高速にスイッチングを行う。 - 特許庁

To provide a high breakdown strength semiconductor device, along with its manufacturing method, capable of shortening a turn-off time slower than that of an MOS transistor of high breakdown strength to improve breakdown strength while maintaining on-voltage, in IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、高耐圧のＭＯＳトランジスタに比べて遅いターンオフ時間を短縮し、オン電圧を維持しながら、耐圧を向上させることができる高耐圧半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of sufficiently performing breakdown voltage processing at a low voltage side electrode of a resistor voltage divider type electron gun.例文帳に追加

抵抗分圧型電子銃の低圧側電極の耐電圧処理を十分に行なうことができる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the voltage inputted to the voltage inputting terminal rises excessively, the resistance value of the resistor increases and the breakdown voltage drops.例文帳に追加

電圧入力端子に入力する電圧が過大に上昇する場合には、抵抗値が増大してブレークダウン電圧が低下する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has excellent breakdown voltage characteristics, a low ON voltage, positive temperature characteristics of ON voltage, and a high speed switching action.例文帳に追加

耐圧特性が良好で、オン電圧が低く、オン電圧の温度特性が正でスイッチング速度が速い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To detect a voltage of a detection object having a high voltage, while avoiding use of a high breakdown voltage electronic component.例文帳に追加

高耐圧の電子部品の使用を回避して高い電圧の検出対象体の電圧を検出可能とする。 - 特許庁

The breakdown voltage of the Zener diode 7 is set to be a first voltage lower than or equal to the withstand voltage between the source S and the gate G of the FET 3.例文帳に追加

ツェナーダイオード７の降伏電圧は、ＦＥＴ３のソースＳ及びゲートＧ間の耐電圧以下である第１の電圧に設定される。 - 特許庁

To increase and output the voltage of the signal of a core even when the breakdown voltage of a transistor decreases according as the power supply voltage of the core decreases.例文帳に追加

コアの電源電圧の低下に伴い、トランジスタの耐圧が低くなっても、コアの信号の電圧を高めて出力することができる。 - 特許庁

To generate a voltage required for driving a display element while lowering the voltage of a data signal than the breakdown voltage of a switching element.例文帳に追加

データ信号の電圧をスイッチング素子の耐圧より低くしつつ、表示素子の駆動に必要な電圧を生成すること。 - 特許庁

To keep a breakdown voltage and reduce an on-voltage at the same time, in a high-voltage semiconductor device, in particular, a horizontal IGBT.例文帳に追加

高耐圧半導体装置、特に横型ＩＧＢＴにおいて、耐圧を維持すると同時にオン電圧を低減させる。 - 特許庁

To provide a low breakdown voltage for a step-up transformer secondary side and avoid a drop in an output voltage when an input voltage drops.例文帳に追加

昇圧トランス二次側の低耐圧化を図り、また、入力電圧が低下した場合には出力電圧の低下を回避する。 - 特許庁

To provide a voltage booster circuit for obtaining boosting voltage by a transistor the breakdown voltage of which is comparatively low, and to provide a semiconductor integrated circuit apparatus.例文帳に追加

耐圧が比較的低いトランジスタにより昇圧電圧を得る昇圧回路および半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

A voltage/current conversion part 103 is a circuit of a low-breakdown voltage system and generates an output current Iout corresponding to the gate voltage VG.例文帳に追加

電圧電流変換部１０３は、低耐圧系の回路であり、ゲート電圧ＶＧに応じた出力電流Ｉｏｕｔを生成する。 - 特許庁

To provide a voltage regulator which can regulate voltage in more stages with less number of transformers and requires no high breakdown voltage component.例文帳に追加

少ない個数の変圧器を用いて、より多段階に電圧値を調整できると共に高耐圧部品を必要としない電圧調整器を提案すること。 - 特許庁

This semiconductor device includes a semiconductor layer 10, insulated gate high breakdown voltage transistor 200 and a low breakdown voltage transistor 300 which are formed on the semiconductor layer 10 and have different breakdown voltage between a source-drain, and a resistance impurity layer 24 formed on the semiconductor layer 10.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層１０と、半導体層１０上に形成され、ソース−ドレイン間耐圧が異なる絶縁ゲート型の高耐圧トランジスタ２００および低耐圧トランジスタ３００と、半導体層１０上に形成された抵抗不純物層２４とを含む。 - 特許庁

To prevent the lowering of breakdown voltage of a high breakdown voltage system MOS transistor accompanying a thin film of a gate electrode for miniaturization in a semiconductor integrated circuit device, where a logic system MOS transistor and the high breakdown voltage system MOS transistor are mixed-loaded on the same substrate.例文帳に追加

本発明は、ロジック系のＭＯＳトランジスタと高耐圧系のＭＯＳトランジスタとを同一基板上に混載する半導体集積回路装置において、微細化のためのゲート電極の薄膜化にともなう高耐圧系のＭＯＳトランジスタの耐圧の低下を防止できるようにする。 - 特許庁

A lower insulating layer 30 is provided including a lower high dielectric breakdown voltage layer 28 consisting of an insulating material with a dielectric breakdown voltage at least 5 times higher than that of an aluminum oxide and an upper insulating layer 33 is provided including an upper high dielectric breakdown voltage layer 54 consisting of a similar insulating material.例文帳に追加

絶縁破壊電圧が酸化アルミニウムの少なくとも５倍の絶縁材料よりなる下部高絶縁破壊電圧層２８を含んで下部絶縁層３０を構成すると共に、同様の絶縁材料よりなる上部高絶縁破壊電圧層５４を含んで上部絶縁層３３を構成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 111 is formed on the gate electrode FG of the high-breakdown-voltage MISFET such that the film 111 functions as a gate electrode of a low-breakdown-voltage MISFET, and then impurity is injected to adjust the threshold of the low-breakdown-voltage MISFET.例文帳に追加

また、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極ＦＧ上に低耐圧ＭＩＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜１１１が形成された状態で、低耐圧ＭＩＳＦＥＴの閾値調整用の不純物注入を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, on which a low-breakdown voltage element region and a high-breakdown voltage element region are mounted together, in which resurf technique is used for the high-breakdown voltage element region, and which can be easily manufactured without destroying each element characteristic, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低耐圧素子領域と高耐圧素子領域とを混載するとともに高耐圧素子領域にリサーフ技術を利用した半導体装置であって，それぞれの素子特性を損なうことなく容易に製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having on a principal surface of an SOI substrate a high breakdown voltage element formed on an island-shaped semiconductor layer surrounded by a dielectric, which prevents decrease in a breakdown voltage of the high breakdown voltage element due to influence on potential from a surrounding region thereby improving an output current density.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の主面に、誘電体によって囲まれた島状の半導体層に形成された高耐圧素子を有する半導体集積回路装置において、周辺領域の電位の影響による高耐圧素子の耐圧の低下を防いで、出力電流密度を向上する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a high breakdown voltage, high Gm transistor Q1 and a low breakdown voltage, low Gm transistor Q2 connected in series between nodes N1, N2; and a low breakdown voltage, high Gm transistor Q3 connected in parallel with the transistor Q2.例文帳に追加

この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has high-breakdown voltage transistor and low-breakdown voltage transistor that are provided on the same substrate and which can achieve miniaturization of the entire semiconductor device by reducing the surface area of a high-breakdown voltage transistor region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高耐圧トランジスタと、低耐圧トランジスタとを同一基板に備える半導体装置であって、特に高耐圧トランジスタ領域の面積の削減を図り、半導体装置の全体の小型化を実現することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a horizontal high breakdown voltage trench MOSFET having a breakdown voltage of some hundreds or more volts, by relaxing concentration of an electric field on ends of a source and a drain to improve the breakdown voltage of the end without significantly increasing the number of man hour.例文帳に追加

横型高耐圧トレンチＭＯＳＦＥＴにおいて、ソース端部またはドレイン端部への電界集中の緩和により端部耐圧を改善し、それによって数百Ｖ以上の耐圧を有し、かつ工数を大幅に増大させることなく製造可能であること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a high breakdown voltage semiconductor device capable of improving on-voltage while maintaining a breakdown voltage, in IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、耐圧を維持しながらオン電圧を向上させることができる高耐圧半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, in step S5, a recess (He) of the reverse breakdown voltage waveform VR is recovered, a normal reverse voltage waveform (VR) is obtained, and accurate reverse breakdown voltage can be measured under accurate measuring conditions.例文帳に追加

これによりＳ５ステップにおいて、逆方向耐電圧波形ＶＲの凹み（Ｈｅ）が回復し、正常な逆方向電圧波形（ＶＲ）となり、正確な測定条件下において、高精度な逆方向耐電圧の測定が可能となる。 - 特許庁

To lower a breakdown voltage in a laser device by overcoming the problem, wherein the laser output is enhanced by raising the pressure of a laser gas, but the raised laser gas pressure causes the breakdown voltage to rise, resulting in bringing necessity of using a power supply capable of higher output voltage.例文帳に追加

レーザガスの圧力を高くすることにより、レーザ出力を高めることができるが、レーザガスの圧力を高くすると、放電開始電圧が上昇するため、出力電圧の高い電源を用いなければならない。 - 特許庁

For example, although a PDP sustain circuit requires a high element breakdown voltage, because the IGBT can reduce the voltage drop at the time of conduction with little dependence of the element breakdown voltage, the defect of the IGBT can be compensated by combining the sustain circuit with the AC-type PDP.例文帳に追加

例えば、素子耐圧が高いことが要求されるPDPのサステイン回路に、素子耐圧にあまり依存せずに導通時の電圧降下を小さくできるIGBTの欠点を、AC型PDPと組み合わせることで補うことができる。 - 特許庁

To provide a reverse overcurrent preventive circuit which can prevent a breakdown by a reverse overcurrent even if a voltage reaching to the reverse breakdown voltage of a P-N junction is applied between an output terminal and an input terminal, in a constant voltage power supply circuit.例文帳に追加

定電源電源回路において、ＰＮ接合の逆方向耐圧までの電圧が出力端子と入力端子間に印加されても、逆過電流による破壊を防止できる。 - 特許庁

To provide a structure effective for practical application to obtain high integration and high breakdown voltage, concurrently in a high breakdown voltage semiconductor device integrated on an SOI substrate, in which its rated voltage is shared between an embedded oxide layer and the drain of an element active layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に集積され定格電圧を埋め込み酸化膜と素子活性層のドレインとで分担する高耐圧半導体素子において、高集積化と高耐圧化を同時に実現する実用化に有効な構造の提案。 - 特許庁

A breakdown voltage at OFF is increased in the p-type layer buffer, a breakdown voltage at ON is increased by discharging the hole, the reduction in a drain current is eliminated since there is no leakage from the p-type layer, and high output can be achieved in the points of both current and voltage.例文帳に追加

ｐ型層バッファでＯＦＦ時の耐圧を上げ、ホールの排出でＯＮ時の耐圧を上げ、ｐ型層からのリークがないのでドレイン電流の低下が無く、電流面、電圧面の両者で高出力化が実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device package having a high breakdown voltage and low parasitic inductance.例文帳に追加

高い降伏電圧及び低い寄生インダクタンスを有する半導体デバイスパッケージを提供する。 - 特許庁

To obtain electrolyte having high conductivity and a high breakdown voltage in an electrolytic capacitor.例文帳に追加

電解コンデンサーにおいて、高い導電率と、高い破壊電圧を有する電解液を提供する。 - 特許庁

This bidirectional photothyristor element has the above high breakdown voltage planar structure.例文帳に追加

本発明の双方向フォトサイリスタ素子は、上記の高耐圧プレーナ構造を有する。 - 特許庁

To obtain a plasma display panel with a low breakdown voltage between any electrodes.例文帳に追加

いずれの電極間の放電開始電圧も低いプラズマディスプレイパネルの実現。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator which can achieve improvement of breakdown voltage for electrostatic destruction.例文帳に追加

静電破壊に対する耐圧の向上を図ることができる圧電振動子を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device having a stable high breakdown voltage and high reliability.例文帳に追加

安定した高耐圧を有し、信頼性が高い窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high conductive power semiconductor device having a high breakdown voltage.例文帳に追加

高い降伏電圧を有する高い導電性の電力半導体装置を提供する。 - 特許庁

To effectively protect a semiconductor element and a circuit against an overvoltage breakdown even at a power source voltage applying time.例文帳に追加

電源電圧印加時にも半導体素子や回路を過電圧破壊から有効に保護する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a breakdown voltage can be obtained with good reproducibility.例文帳に追加

耐圧を再現性良く得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR AUTOMATICALLY SORTING BREAKDOWN VOLTAGE WAVEFORM OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の耐圧波形自動分類システム及び半導体装置の耐圧波形自動分類方法 - 特許庁

The element 6 is the protective element for the electrostatic breakdown voltage for protecting the element 3 from static electricity.例文帳に追加

素子６は素子３を静電気から保護する静電耐圧用保護素子である。 - 特許庁

To provide a GaAsSb/InP hetero-junction bipolar transistor (HBT) that increases breakdown voltage.例文帳に追加

降伏電圧を増大させるGaAsSb/InP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）を提供する。 - 特許庁

Breakdown is generated between the lower diffusion layer and the substrate when a surge voltage is applied.例文帳に追加

サージ電圧が印加された際に下部拡散層と基板との間においてブレイクダウンが発生する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor light emitting element having improved electrostatic discharge breakdown voltage.例文帳に追加

静電気放電耐圧を向上させたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor which has a high breakdown voltage, a low ESR, and large electrostatic capacitance.例文帳に追加

耐電圧が高い上に、ＥＳＲが低く、かつ、静電容量が大きいコンデンサを提供する。 - 特許庁