「BackSide」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure of semiconductor device 100 in which adhesion between a semiconductor substrate 101, having a via hole 116 extending from the backside of the substrate 101 to the metal wiring 108b on the surface, and the metal wiring 108b placed in an opening of the via hole 116 on the surface of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１の裏面から半導体基板１０１の表面にある金属配線１０８ｂまで至るよう形成されたビアホール１１６を有する半導体基板１０１と半導体基板１０１の表面にありビアホール１１６によって半導体基板１０１の表面に開口部を有する位置にある金属配線１０８ｂとの密着性を向上させた半導体装置１００の構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor chip in which an electrode pad is formed on a main surface, an inner connected terminal formed on the electrode pad, an insulating layer formed on the main surface so as to expose part of the inner connected terminal and cover the other, and further cover a side and a backside of the semiconductor chip, and a wiring pattern formed on the insulating layer and electrically connected to an exposed part of the inner connected terminal.例文帳に追加

本半導体装置は、主面に電極パッドが形成された半導体チップと、前記電極パッド上に形成された内部接続端子と、前記主面に、前記内部接続端子の一部を露出し他部を覆うように形成されるとともに、前記半導体チップの側面及び裏面を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記内部接続端子の露出部と電気的に接続された配線パターンと、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate wherein an active layer having a photodetecting portion is formed on its surface, an adhesive layer so provided on the surface of the semiconductor substrate as to surround the photodetecting portion, a light transmitting protective member arranged at predetermined intervals on the photodetecting portion of the semiconductor substrate and bonded across the adhesive layer, and a plurality of external connection terminals arranged on the backside of the semiconductor substrate with the predetermined array.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、表面に受光部を有する活性層が形成された半導体基板と、半導体基板の表面上に、受光部を囲むように設けられた接着層と、半導体基板の受光部上に所定の間隙をおいて配置され接着層を介して接着された光透過性保護部材と、半導体基板の裏面に所定の配列で配置された複数の外部接続端子とを備えている。 - 特許庁

Thus, heat from the heating element 13 is effectively utilized by the effect of the heat storage material which is provided on the front-side material 11, and a body temperature is absorbed by the heat storage material which is provided on the backside material 12, so that this bedding can be used as cooling bedding.例文帳に追加

表面材１１と裏面材１２の間に発熱体１３を設け、前期表面材１１に融点が３６℃以上の蓄熱材を内包するマイクロカプセル１５を配設し、前記裏面材１２に融点が３４℃以下の蓄熱材を内包するマイクロカプセル１６を配設することにより、表面材１１に設けた蓄熱材の効果により、発熱体１３からの熱を有効利用し、裏面材１２に設けた蓄熱材により体温を吸熱し、涼寝具としての使用を可能とした。 - 特許庁

The image display device is equipped with the panel having a substrate composed of glass or a resin, a surface side laminate disposed on the viewer's side of the substrate, and a backside laminate disposed on the opposite of the substrate.例文帳に追加

ガラスまたは樹脂からなる基板、前記基板の視認側に設けられた表側積層体、および前記基板の反対側に設けられた裏側積層体を有するパネルを備えている画像表示装置であって、前記表側積層体と前記基板は粘着剤層を介して積層されており、前記粘着剤層の厚みをｄ（μｍ）、弾性率をＥ（ＭＰａ）とするとき、ｄが３０μｍ〜１００μｍであり、かつ以下の式で表わされるＹ値が０．１１１以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A surface packaged semiconductor device provided with a semiconductor chip, a resin substrate 1 loaded with the semiconductor chip, a metal layer 2 electrically connected to the semiconductor chip, a resin package 3 sealing the semiconductor chip while assuming the side or backside to be a package surface is featured by arranging a recess 9 for positional alignment on the corner part of the package surface.例文帳に追加

半導体チップと、該半導体チップを搭載する樹脂基板１と、該樹脂基板１側面および裏面に形成され前記半導体チップに電気的に接続されたメタル層２と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージ３とを備え、前記樹脂基板１のメタル層が形成された側面または裏面を実装面とする面実装型半導体装置において、前記実装面の角部に位置決め用凹部９を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In a stacked chip semiconductor device, the backside of a first semiconductor chip 3f is exposed in flush with the surface of a sealing resin 6 under resin molded state, the first and second semiconductor chips 3f, 3s are rectangular and stacked while forming a constant amount of overhang such that the long side of the second semiconductor chip 3s is orthogonal to the short side of the first semiconductor chip 3f.例文帳に追加

チップ積層した半導体装置において、第１の半導体チップ３ｆの裏面が樹脂モールド状態で封止樹脂６表面と同一平面上に露出し、第１の半導体チップ３ｆおよび第２の半導体チップ３ｓは長方形状であって、一定量のオーバーハング量を形成して積層され、第１の半導体チップ３ｆの短辺側に対して、第２の半導体チップ３ｓの長辺側が直交するように積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element 2 mounted on a rectangular PBGA substrate 1 composed of an epoxy circuit board 11 having Cu wirings 12 in an inner layer, the semiconductor element 2 sealed with an epoxy resin 4, and mounting solder balls 5 disposed on the backside of the PBGA substrate 1.例文帳に追加

内層にＣｕ配線１２を有するエポキシ回路基板（１１）で構成される矩形のＰＢＧＡ基板１上に半導体素子２が搭載され、かつ半導体素子２がエポキシ樹脂４により封止されるとともに、ＰＢＧＣ基板１の裏面に実装用の半田ボール５が配設されている半導体装置において、ＰＢＧＡ基板１のコーナ部には、外方向に向けて放射状に突出された突起形状部１４がエポキシ回路基板（１１）を形成しているエポキシ樹脂により一体形成される。 - 特許庁

An integrated circuit surface of a third semiconductor substrate 40, where a third integrated circuit is formed on a surface layer is bonded to the backside of the second semiconductor substrate 30, so that the third integrated circuit is connected electrically to the exposed part of the embedded wiring 48.例文帳に追加

第１の半導体基板２０と第２の半導体基板３０とを接着した後、第２の半導体基板３０の裏面側を研磨し、第２の半導体基板３０に一端が第１の集積回路及び前記第２の集積回路の少なくとも一方に電気的に接続され第２の半導体基板３０の裏面側に他端が露出した埋め込み配線４８を形成し、表層に第３の集積回路が形成された第３の半導体基板４０の集積回路面を該第３の集積回路が前記埋め込み配線４８の露出部に電気的に接続されるように第２の半導体基板３０の裏面側に接着する。 - 特許庁