「Bi layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

This composition consists essentially of a bismuth layer compound represented by the general formula SrBi4Ti4O15, and also contains ≤0.1 mol% (excluding 0 mol%) Nd per mol of Bi in the bismuth layer compound represented by the above general formula and further has a ≤35 ppm/°C frequency constant temperature coefficient.例文帳に追加

圧電磁器組成物は、一般式ＳｒＢｉ_4 Ｔｉ_4 Ｏ_15で表されるビスマス層状化合物を主成分とする圧電磁器組成物において、Ｎｄをその一般式で表される主成分中のＢｉ、１ｍｏｌに対して０．１ｍｏｌ以下（０を含まない）含有し、かつ周波数定数の温度変化率が３５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A magnetoresistance tunnel junction element, wherein represented by a chemical equation (RxA1-x)m+1MnmO3m+1, a barrier layer 13 of the oxide of at least one kind of element selected from among Bi, Tl, and Pb is jointed to a perovskite type composite oxide 12 and 14 which has magnetoresistance effect provides a magnetoresistance tunnel effect via the barrier layer 13.例文帳に追加

化学式（Ｒ_xＡ_1-x)_m+1Ｍｎ_mＯ_3m+1により表示され、磁気抵抗効果を有するペロブスカイト型複合酸化物１２、１４に、Ｂｉ、ＴｌおよびＰｂから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物からなるバリア層１３を接合した磁気抵抗トンネル接合素子として、このバリア層１３を介して磁気抵抗トンネル効果を得る。 - 特許庁

The joined body whose two components are joined with each other by a soldering material having Bi as a main composition each other has a Cu layer on each joined surface of the two components, and a film containing at least one of Pd and Ni is formed on the surface of the Cu layer, and the film vanishes after joining.例文帳に追加

２つの部品の間を、Ｂｉを主成分とするハンダ材料により接合してなる接合体であって、前記２つの部品のそれぞれの被接合面にＣｕ層を備え、前記Ｃｕ層の表面にＰｄ及びＮｉの少なくとも一方を含む薄膜が形成され、接合後には前記薄膜が消失していることを特徴とする接合体である。 - 特許庁

The Cu interconnection line is made of a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si and Ti dispersed from a seed layer 11 within the range from 0.1 wt.% to less than the maximum solid solution limit for Cu and particle diameters are large and grain boundaries are small.例文帳に追加

Ｃｕ配線は、シード層１１から拡散されたＡｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されており、粒径が大きく粒界が少ない。 - 特許庁

The state change promoting material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains at least one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

状態変化促進材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうち少なくとも１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

This piezoelectric ceramic composition comprises 100 pts.wt. of a Bi-layer structure compound represented by the general formula: (Na0.5 Bi0.5)1-xMxBi4Ti4O15 (where x is 0.5<x<1) and 0.05-1 pt.wt. of Mn calculated as the oxide.例文帳に追加

Ｍを２価の金属元素の中から選ばれる少なくとも１種としたとき、一般式、（Ｎａ_0.5Ｂｉ_0.5）_1-xＭ_xＢｉ_4Ｔｉ_4Ｏ_15 （但し、ｘは０．５＜ｘ＜１）で示されるＢｉ層状構造化合物ｌ００重量部に対して、Ｍｎを酸化物換算で０．０５〜１重量部含有することを特徴とするものである。 - 特許庁

The film or sheet having a layer prepared by mixing a composite metal oxide pigment containing Bi and/or an oxide of Y and an oxide of Mn and/or a hollow particle into a resin restrains the thermal deterioration by restraining temperature rise of the film or sheet by sunlight so as to provide the excellent weather resistance.例文帳に追加

樹脂に、Ｂｉおよび／またはＹの酸化物とＭｎの酸化物とを含む複合金属酸化物顔料および／または中空粒子を練り込んだ層を有するフィルムやシートは、日射によるフィルムやシートの温度上昇を抑制して熱劣化を抑制するとともに耐候性に優れている。 - 特許庁

The insulating metal deposited layer 6m can be formed by a single metal of Sn, Zn, Pb, Bi, or an alloy comprised of two types of metals selected from the group, or an alloy comprised of tin-aluminum (Sn-Al), or tin-silicon (Sn-Si).例文帳に追加

本発明の非接触ＩＣタグ１は、非接触ＩＣタグの回路が形成されたベースフィルム１１の非接触ＩＣタグ回路面側、または透明ベースフィルム１１の背面等に、絶縁性金属蒸着層６ｍを有するフィルムまたは紙基材が積層されていることを特徴とする。 - 特許庁

A memory element 100 has a metal oxide layer 102 composed of bismuth (Bi), titanium (Ti) and oxygen and having a film thickness of 30-200 nm, and an upper electrode 103 formed on a semiconductor substrate 101; and has an ohmic contact 104 at a part of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

メモリ素子１００は、半導体基板１０１の上に、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された例えば膜厚３０〜２００ｎｍの金属酸化物層１０２と、上部電極１０３とを備え、また、半導体基板１０１の一部にオーミックコンタクト１０４を備える。 - 特許庁

Ions of a sintering aid component such as bismuth (Bi), etc., are applied on each particle 4 of a ceramic raw material powder comprising strontium titanate (SrTiO_3), etc., and a layer 5 comprising the sintering aid component is formed on the surface of each particle 4 to improve the dispersibility of the sintering aid in sintering the ceramic.例文帳に追加

チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_3）などからなるセラミックス原料粉末の各粒子４に、ビスマス（Ｂｉ）などの焼結助剤成分のイオンを照射して、各粒子４の外表面に焼結助剤成分からなる層５を形成し、セラミック焼結時の焼結助剤の分散性を高める。 - 特許庁

In the optical recording medium 1 including an information recording layer 20 which is formed on a substrate 10 and in which information is recorded, the information recording layer 20 includes: a recording film 25 whose optical characteristics are changed by irradiation with light and which consists essentially of Bi and O; and a dielectric film 23 formed in contact with the recording film 25 and consisting essentially of SiO_2.例文帳に追加

基板１０上に形成されて情報が記録される情報記録層２０を備える光記録媒体１において、この情報記録層２０は、光照射によって光学特性が変化しＢｉ及びＯを主成分とする記録膜２５と、この記録膜２５に接触して形成され、ＳｉＯ２を主成分とする誘電体膜２３を備えるようにした。 - 特許庁

The ammonia gas sensor 200A includes a first solid electrolyte layer 6A, containing one or more oxides selected from among a group of V, Bi and Sb as the major component; a reference electrode 4A, formed on the surface of the first solid electrolyte layer and where a combustible gas is burned on the surface; and a detection electrode 2A where the combustible gas does not burn on the surface.例文帳に追加

Ｖ、Ｂｉ及びＳｂの群から選ばれる１種以上の酸化物を主成分とする第１固体電解質層６Ａと、該第１固体電解質層の表面にそれぞれ形成された可燃性ガスが表面にて燃焼する基準電極４Ａ及び可燃性ガスが表面にて燃焼しない検知電極２Ａとを備えたアンモニアガスセンサ２００Ａである。 - 特許庁

(1) The write-once optical recording medium has a recording layer having at least an oxide of Bi and an oxide of M (M is at least one element selected from Mg, Al, Zn, Li, Si, Hf, Sn, Y, B) as main components on a substrate, and the content of oxygen of the oxides is lower than that of stoichiometric composition.例文帳に追加

（１）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物とＭ（Ｍは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｙ、Ｂの中から選ばれた少なくとも一種の元素）の酸化物を主成分とする記録層を備え、該酸化物の酸素含有量が化学量論組成よりも少ないことを特徴とする追記型光記録媒体。 - 特許庁

To provide a semiconductor component superior in quality, by suppressing the occurrence of burrs in a layer containing Cu or Ag of a semiconductor element, in a bonded structure bonding the semiconductor element with an electrode by a bonding material which is composed mainly of Bi for solving conventional problems.例文帳に追加

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、Ｂｉを主成分とする接合材料により、半導体素子と電極とを接合した接合構造体において、半導体素子のＣｕあるいはＡｇを含む層のバリ発生を抑制することによって、品質の優れた半導体部品を提供すること。 - 特許庁

For a piezoelectric ceramic comprising a bismuth layer- structured compound containing MII (MII=Sr, Ba, or Ca), Bi, Ti, and O and MIIBi_4Ti_4O_15-type crystals, heat treatment at a temperature of ≥620°C and < its melting point in an atmosphere containing oxygen is given.例文帳に追加

Ｍ^II（Ｍ^IIはＳｒ、ＢａおよびＣａから選択される元素）、Ｂｉ、ＴｉならびにＯを含有するビスマス層状化合物であって、Ｍ^IIＢｉ_4Ｔｉ_4Ｏ_15型結晶を含む圧電セラミックスに対し、酸素を含有する雰囲気中において６２０℃以上かつ溶融温度未満で熱処理を施す熱処理工程を有する圧電セラミックスの製造方法。 - 特許庁

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 20 formed by distributingly laminating a plurality of independent laminate portions 21 comprising Ti metal or Ti alloy, and a thermoelectric material layer 30 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板１０と、Ｔｉ金属若しくはＴｉ合金からなる独立積層部２１を複数、相互に分散して積層形成してなる緩衝層２０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層３０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

The coated Pb-free solder alloy has a sheet shape, a wire shape or a ball shape and is comprised of the Pb-free solder alloy containing ≥50 mass% and ≤99.5 mass% of Bi and a coating layer coated on a surface, having a thickness of ≥0.05 μm and ≤1.20 μm and comprising at least one element of Ag, Au, Cu and Ni.例文帳に追加

コーティングされたＰｂフリーはんだ合金は、シート状、ワイヤー状またはボール状であって、Ｂｉを５０質量％以上９９.５質量％以下含有するＰｂフリーはんだ合金と、その表面にコーティングされたＡｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＮｉのうちの少なくとも１元素からなる厚さ０.０５μｍ以上１.２０μｍ以下のコーティング膜とからなる。 - 特許庁

In a manufacturing process of the gas sensor 1, an operation of forming the gas sensing layer 8 includes not only preparing the SnO_2 by using a high-purity raw material, but also preventing impurities especially Fe, Pb and Bi from mixing in the SnO_2 by carefully choosing instruments and devices to be used and paying attention adequately to their using methods and procedures.例文帳に追加

ガスセンサ１の製造過程において、ガス検知層８を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてＳｎＯ_２を調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉのＳｎＯ_２への混入を抑制する。 - 特許庁

The adhesive composition for forming the adhesive layer having excellent ultraviolet absorption provides an adhesive tape having ≥4 N/25 mm 180° adhesive force and ≤10% transmittance of light having 380 nm wavelength when the adhesive tape is obtained by laminating the adhesive layer obtained from the adhesive composition on one surface of a transparent bi-axially oriented polyethylene terephthalate film.例文帳に追加

紫外線吸収性に優れた粘着剤層を形成するための粘着剤組成物であって、この粘着剤組成物から得られた粘着剤層が透明な二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に積層された粘着テープを作成したとき、この粘着テープのガラスに対する１８０゜粘着力が４Ｎ／２５ｍｍ以上であり、かつ、波長３８０ｎｍにおける透過率が１０％以下であることを特徴とする紫外線吸収性粘着剤組成物である。 - 特許庁

The recording layer for an optical information recording medium, on which a recording mark can be formed by irradiation with laser beam comprises an In alloy containing 20 to 65 at.% of at least one element selected from Ni and Co and an In alloy containing 19 at.% or less of at least one element selected from Sn, Bi, Ge and Si.例文帳に追加

レーザー光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 - 特許庁

A covering layer 3 composed of an alloy of at least one metal chosen from cobalt Co, nickel Ni, and one metal chosen from yttrium Y, ytterbium Yb, lanthanum La, erbium Er, bismuth Bi, is formed on the surface of the nickel electrode for the alkali storage battery filled with active material composed mainly of nickel hydroxide, and the electrode for the alkali storage battery is used as the cathode of the alkali storage battery.例文帳に追加

水酸化ニッケルを主体とする活物質２が充填されたアルカリ蓄電池用ニッケル極の表面にコバルトＣｏ，ニッケルＮｉから選択される少なくとも１種の金属と、イットリウムＹ，イッテルビウムＹｂ，ランタンＬａ，エルビウムＥｒ，ビスマスＢｉから選択される少なくとも１種の金属との合金からなる被覆層３を形成し、またこのアルカリ蓄電池用ニッケル極をアルカリ蓄電池の正極に使用した。 - 特許庁