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CMPを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2023



例文

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) HEAD, APPARATUS AND METHOD例文帳に追加

化学的機械研磨(CMP)ヘッド、装置及び方法 - 特許庁

USE OF CsOH IN DIELECTRIC CMP SLURRY例文帳に追加

誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 - 特許庁

To provide a CMP polisher giving a greater throughput than an existing CMP(chemical mechanical polishing) polisher.例文帳に追加

現存するCMP研摩機より大きなスループットを与えるCMP研摩機を提供することである。 - 特許庁

By means of the CMP process, the seams formed on the top of the contact material by bowing are removed.例文帳に追加

その際、CMP工程によってコンタクト物質の上部にボーイングにより発生したシームが除去される。 - 特許庁

例文

To inexpensively manufacture a high-strength retainer ring used for a CMP device polishing a surface of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの表面を研磨するCMP装置に用いる強度の高いリテーナーリングを低コストで製造する。 - 特許庁


例文

A DA conversion circuit 70a converts the signal CMP-S into an analog signal at every 8-bit word.例文帳に追加

DA変換回路70aは、コンポジット信号CMP-Sを、8ビットのワードごとに、アナログ信号へ変換する。 - 特許庁

CMP SLURRY, CMP METHOD, AND SHALLOW-TRENCH ISOLATION METHOD USING SAME例文帳に追加

化学機械的研磨スラリー、化学機械的研磨方法及びこれを採用する浅いトレンチ素子分離方法 - 特許庁

ADJUSTING PROCESS FOR POLISHING CLOTH, CMP DEVICE, CMP POLISHING PROCESS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR DEVICE例文帳に追加

研磨クロスの調整方法、CMP装置、CMP研磨方法、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a polishing composition for CMP at excellent polishing speed by metal CMP using glycine.例文帳に追加

グリシンを用いた金属CMPによる研磨速度の良好なCMP用研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

例文

To improve the throughput of CMP post-cleaning processing.例文帳に追加

CMP後洗浄処理のスループットを向上させる。 - 特許庁

例文

POSITION MEASUREMENT DEVICE FOR PAD CONDITIONER HEAD OF CMP DEVICE例文帳に追加

CMP装備のパッドコンディショナヘッドの位置測定装置 - 特許庁

Consequently, the semiconductor wafer 2 is subjected to CMP processing.例文帳に追加

これにより、半導体ウエハ2がCMP処理される。 - 特許庁

WAFER FOR CMP PEELING ANALYSIS, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

CMP剥離解析用ウェハ及びその製造方法 - 特許庁

STRIATING MACHINE FOR PAD FOR SEMICONDUCTOR CMP PROCESSING例文帳に追加

半導体CMP加工用パッドの細溝加工機械 - 特許庁

After that, polishing is performed up to the stopper film 8 by CMP.例文帳に追加

その後、ストッパー膜8までCMPにて研磨する。 - 特許庁

CMP DEVICE PROVIDED WITH GRINDING PAD IN CIRCULAR MOTION例文帳に追加

円運動をする研磨パッドを備えたCMP装置 - 特許庁

CMP UNIT AND POLISHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

CMP装置及びCMP装置による研磨方法 - 特許庁

To provide a CMP conditioner capable of prolonging the service life of a CMP pad that is an object to be polished while keeping the surface state of the CMP pad constant, and the method for manufacturing the CMP conditioner.例文帳に追加

研削加工対象であるCMPパッドの表面状態を一定に保持しつつ、CMPパッドの長寿命化を図ることができるCMPコンディショナー及びCMPコンディショナーの製造方法を提供する。 - 特許庁

POLISHING METHOD, CMP EQUIPMENT, AND FILM THICKNESS MEASURING INSTRUMENT例文帳に追加

研磨方法、CMP装置及び膜厚測定装置 - 特許庁

POLISHING PAD, CMP APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING POLISHING PAD例文帳に追加

研磨パッド、CMP装置、研磨パッドの製造方法 - 特許庁

SURFACTANT FOR POST CMP STORAGE AND WASHING例文帳に追加

ポストCMP保管及び洗浄用の界面活性剤 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND CMP APPARATUS例文帳に追加

半導体装置の製造方法およびCMP装置 - 特許庁

POLISHING PAD FOR CMP AND POLISHING METHOD USING IT例文帳に追加

CMP用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法 - 特許庁

POLISHING PAD FOR CMP AND POLISHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

CMP用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法 - 特許庁

METHOD FOR TREATING CMP WASTE WATER CONTAINING SUSPENDED SILICA例文帳に追加

シリカの懸濁物を含むCMP廃水の処理方法 - 特許庁

METHOD OF ADJUSTING CONSTITUENTS OF LIQUID AND CMP POLISHING APPARATUS例文帳に追加

液体の成分調整方法、及びCMP研磨装置 - 特許庁

CMP PAD AND WAFER-POLISHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

CMP用パッド及びそれを用いた基板の研磨方法 - 特許庁

CMP PAD AND POLISHING OF SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加

CMPパッド及びそれを用いた基板の研磨方法 - 特許庁

POLISHING PAD FOR CMP AND METHOD OF POLISHING USING THE SAME例文帳に追加

CMP用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法 - 特許庁

To provide a lapping plate, reducing the load of CMP and shortening the machining time of CMP, in a lapping plate in the pre-process of CMP.例文帳に追加

CMPの前工程におけるラッピング定盤において、CMPの負担を軽減し、CMPの加工時間を短縮することができるラッピング定盤を提供する。 - 特許庁

CMP POLISHING LIQUID, POLISHING METHOD OF SUBSTRATE, AND ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

CMP研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 - 特許庁

ADDING LIQUID FOR CERIUM OXIDE SLURRY, AND METHOD OF CMP POLISHING例文帳に追加

酸化セリウムスラリ用添加液およびCMP研磨方法 - 特許庁

POLISHING PAD FOR CMP AND POLISHING METHOD USING SAME例文帳に追加

CMP用研磨パッドおよびそれを用いた研磨方法 - 特許庁

METHOD OF DETECTING POLISHING END POINT IN CMP APPARATUS例文帳に追加

CMP装置における研磨終了点検出方法 - 特許庁

To improve overall throughput of a CMP(chemical mechanical polishing) apparatus.例文帳に追加

CMP装置の全体的なスループットを向上させる。 - 特許庁

CMP DEVICE, AND METHOD FOR UNDERSTANDING CONDITION THEREOF例文帳に追加

CMP装置の状態把握方法、及びCMP装置 - 特許庁

CMP SOLUTION FOR TUNGSTEN AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE例文帳に追加

タングステン用CMP研磨液および基板の研磨方法 - 特許庁

CMP SYSTEMS AND METHODS UTILIZING AMINE-CONTAINING POLYMERS例文帳に追加

アミン含有ポリマーを用いるCMPシステムおよび方法 - 特許庁

CMP CONDITIONER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

CMPコンディショナー及びCMPコンディショナーの製造方法 - 特許庁

DRESSER FOR CMP AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

CMP用ドレッサおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

CONDITIONING-FREE CMP PAD AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE例文帳に追加

コンディショニングフリーCMPパッド及び基板の研磨方法 - 特許庁

SLURRY, CMP METHOD AND PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

スラリー、CMP法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

CMP SLURRY AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

CMP用スラリーおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide an optimal polishing pad for CMP polishing.例文帳に追加

CMP研磨に最適な研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of obtaining a CMP (chemical mechanical polishing) slurry nearly equivalent to a new CMP slurry from already-used CMP slurry more easily, inexpensively and reliably than in the prior art.例文帳に追加

従来技術よりもより簡易かつ安価に、そして、より確実に、使用済みCMPスラリからCMPスラリ新液とほぼ同等のCMPスラリを得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP conditioner having good sharpness.例文帳に追加

切れ味の良好なCMPコンディショナを提供すること。 - 特許庁

THIN GROOVE PROCESSING MACHINE OF PAD FOR SEMI-CONDUCTOR CMP PROCESS AND MANUFACTURING METHOD OF PAD FOR SEMI-CONDUCTOR CMP PROCESS例文帳に追加

半導体CMP加工用パッドの細溝加工機械及び半導体CMP加工用パッドの製造方法 - 特許庁

FIXING AGENT OF PAD FOR CMP, FIXING METHOD AND ISOLATION METHOD OF PAD FOR CMP, AND WORKING METHOD OF WAFER例文帳に追加

CMP用パッド固定化剤、CMP用パッドの固定化方法および分離方法、ならびにウェハの加工方法 - 特許庁

compares the timer values in a and b using the comparison operator CMP , and returns true (non-zero) or false (0) depending on the result of the comparison. 例文帳に追加

はaとbの時刻値を比較演算子CMPを使って比較し、比較結果に基づき、真 (0 以外) か偽 (0) を返す。 - JM

例文

When wet etching is performed prior to the CMP, required polishing quantity in the CMP can be reduced.例文帳に追加

CMPに先立ってウェットエッチングを行うことにより、CMPでの必要研磨量を減少させることができる。 - 特許庁




  
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Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill.
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