「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the sources (23 and 33) and drains (24 and 34) of the MOSFET are formed, and the entire surface of the wafer is covered with a silicon oxide film 42 and planarized by CMP.例文帳に追加

そして、MOSFETのソース(23,33) およびドレイン(24,34) を形成し、ウエハ全面を酸化シリコン膜42で覆い、CMP により平坦化する。 - 特許庁

During the CMP, the organic resin film 103 works as a stopper.例文帳に追加

このとき、有機系樹脂膜１０３はストッパとして働く。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING CMP POLISHING LIQUID AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE例文帳に追加

ＣＭＰ研磨液の製造方法及び基板の研磨方法 - 特許庁

Then a CMP operation is performed until the CMP cut-off pattern is exposed for primary removing the insulating material layer.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ遮断パターンが露出されるまでＣＭＰ工程を行い、絶縁物質層を１次的に除去する。 - 特許庁

EQUIPMENT AND METHOD FOR REMOVING CMP PAD FROM PLATEN例文帳に追加

プラテンからＣＭＰ研磨パッドを取り除く装置および方法 - 特許庁

POLISHING SOLUTION FOR CMP, METHOD OF POLISHING SUBSTRATE AND ELECTRONIC COMPONENTS例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 - 特許庁

HIGH THROUGHPUT COPPER CMP WITH REDUCED EROSION AND DISHING例文帳に追加

侵食およびディッシングが低減された高スループット銅ＣＭＰ - 特許庁

ONE SET OF POLISHING SOLUTION FOR CMP AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE例文帳に追加

一揃いのＣＭＰ用研磨液及び基体の研磨方法 - 特許庁

CMP COMPOSITION FOR IMPROVED OXIDE REMOVAL RATE例文帳に追加

改善された酸化物除去速度のためのＣＭＰ組成物 - 特許庁

The invention provides a polishing composition for CMP (chemical mechanical polishing) containing a hydroxyalkane sulfonic acid fatty acid ester and a polishing composition for CMP containing 0.0001-10 mass% hydroxyalkane sulfonic acid fatty acid ester in the total polishing composition.例文帳に追加

ヒドロキシアルカンスルホン酸脂肪酸エステルを含有することを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物。 - 特許庁

To efficiently recover an abrasive slurry particle after CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ後の研磨剤スラリ粒子を効率よく回収する。 - 特許庁

First, accumulated Cu 13, for example, is removed with a fixed abrasion pad that stops on a barrier layer 12, such as Ta or TaN, using CMP.例文帳に追加

初めに、堆積したCu13を、例えば、Ta又はTaNのような障壁層12上で止まる固定研磨パッドでCMPによって取り除く。 - 特許庁

EOF has been reached on the shorter file. 例文帳に追加

cmp は短い方のファイルの終端 EOF に達したことを表示する。 - JM

To improve processing rates in wrapping and CMP of hard-to-process materials such as aluminum oxide (sapphire) and silicon carbide, namely SiC.例文帳に追加

アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。 - 特許庁

CMP PAD HAVING OVERLAID CONSTANT AREA SPIRAL GROOVE例文帳に追加

重複する面積一定のらせん溝を有するＣＭＰパッド - 特許庁

CMP POLISHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ研磨方法及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

SLURRY COMPOSITION FOR CMP, PATTERNING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ用スラリー組成物、パターニング方法及び半導体素子 - 特許庁

The CMP conditioner grinds the CMP pad using a cutting edges 5 protruded from the surface of a mound 4 of a base plate.例文帳に追加

基板のマウンド４の表面から突出する切刃５を用いて、ＣＭＰパッドに研削加工を施すものである。 - 特許庁

Subsequently, the semiconductor wafer 10 is carried to a CMP processing unit 4 and the surface of the semiconductor wafer 10 is subjected to CMP processing.例文帳に追加

その後、半導体ウエハ１０をＣＭＰ処理ユニット４に搬送し、半導体ウエハ１０の表面をＣＭＰ処理する。 - 特許庁

COPPER CMP METHOD FOR REDUCING DISHING AND EROSION例文帳に追加

ディッシング及びエロージョンを低減させるための銅ＣＭＰ方法 - 特許庁

CMP PROCESS SIMULATING METHOD, PROGRAM THEREOF AND STORAGE MEDIA例文帳に追加

ＣＭＰ工程のシミュレーション方法、プログラムおよび記録媒体 - 特許庁

For implementation of the film thinning, a reverse surface of the substrate 101 is subjected to the CMP processing, and the second pixel separation part PS2 is used as a CMP stopper for the CMP processing.例文帳に追加

そして、薄膜化の実施においては、基板１０１の裏面についてＣＭＰ処理を実施し、そのＣＭＰ処理のＣＭＰストッパーとして、上記の第２画素分離部ＰＳ２を用いる。 - 特許庁

To provide a polishing head for a CMP apparatus for manufacturing semiconductor elements enabling the measurement of a step height difference between a wafer and a retainer ring in a CMP process, and the CMP apparatus including the same.例文帳に追加

ＣＭＰ過程にリテーナリングとウェーハ間の段差を測定できるようにする半導体素子製造用ＣＭＰ装置の研磨ヘッド及びこれを備えたＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition for metal CMP excellent in non-selectivity and flatness in the second stage polishing of CMP, especially the CMP in copper-based wiring formation by a damascene process.例文帳に追加

ＣＭＰ、特にダマシン法による銅系配線形成におけるＣＭＰの第２段研磨において、非選択性、平坦性に優れた金属ＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide methods and components for the chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor substrate (100), the post CMP storage of the semiconductor substrate (100), and the post CMP washing of the semiconductor substrate (100).例文帳に追加

半導体基板（１００）の化学的機械研磨（ＣＭＰ）、半導体基板（１００）のポストＣＭＰ保管及び半導体基板（１００）のポストＣＭＰ洗浄の方法と組成物が開示される。 - 特許庁

After coating a semiconductor substrate with a CMP cut-off layer, the CMP cut-off layer is patterned to form a CMP cut-off pattern in a shape having an opening for exposing a device separating region.例文帳に追加

半導体基板上にＣＭＰ遮断層を塗布した後にこれをパターニングして素子分離領域を露出させる窓を有する形状のＣＭＰ遮断パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a device for an endpoint detecting method based on ammonia gas in a proceeding CMP cycle using acid CMP slurry and for a CMP process producing no ammnonia gas, in order to detect the endpoint of chemical mechanical polishing (CMP).例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）の終点検知を行うために、酸性のＣＭＰスラリを使用する進行中のＣＭＰサイクルにおいてアンモニアガスに基づいた終点検出方法、およびアンモニアガスを生成しないＣＭＰプロセスの為の装置を提供する。 - 特許庁

One of six parallel-serial conversion circuits 51 synchronizes a parallel composite signal CMP-P with 8-bit width inputted in 13.5 MHz frequency with a bit clock B-CLK outputted by a data clock output circuit 52 and converts it into a serial composite CMP-S.例文帳に追加

６個の並列直列変換回路５１の一つは、13.5MHzの周波数で入力される８ビット幅の並列のコンポジット信号CMP-Pを、データクロック出力回路５２が出力するビットクロックB-CLKに同期して、直列のコンポジット信号CMP-Sへと変換する。 - 特許庁

Lastly, the insulating film 37 is flattened by inter-layer CMP.例文帳に追加

最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 - 特許庁

POLISHING LIQUID FOR CMP, AND METHOD OF POLISHING BASE USING THE SAME例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた基体の研磨方法 - 特許庁

POLISHING LIQUID FOR CMP AND POLISHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨液及びこの研磨液を用いた研磨方法 - 特許庁

The fixing agent of the pad for CMP contains liquid crystal compound.例文帳に追加

ＣＭＰ用パッド固定化剤は液晶化合物を含有する。 - 特許庁

CMP ABRASIVE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE例文帳に追加

ＣＭＰ研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法 - 特許庁

COMBINED CMP AND WAFER CLEANING APPARATUS AND RELATED METHOD例文帳に追加

組み合わせＣＭＰおよびウエハ洗浄器具および関連方法 - 特許庁

METHOD FOR SELECTIVELY FORMING DIAMOND FILM AND CMP PAD CONDITIONER例文帳に追加

ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナー - 特許庁

CMP SYSTEM FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD RELATED THERETO例文帳に追加

半導体ウエファの研磨のためのＣＭＰ系および関連方法 - 特許庁

The surface is flattened by a CMP method, and the wiring is formed.例文帳に追加

ＣＭＰ法により表面を平坦化し、配線を形成する。 - 特許庁

To enhance strength of a conditioning disk used in a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法において用いるコンディショニングディスクの強度を上げる。 - 特許庁

CMP PAD FOR CERIUM OXIDE POLISHING AGENT AND POLISHING METHOD OF SUBSTRATE例文帳に追加

酸化セリウム研磨剤用ＣＭＰパッド及び基板の研磨方法 - 特許庁

TOUCH-UP CMP SLURRY AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION例文帳に追加

タッチアップＣＭＰ用スラリーおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

CARBON FILM, PRODUCTION METHOD OF CARBON FILM, AND CMP PAD CONDITIONER例文帳に追加

炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナー - 特許庁

PRODUCTION OF METAL OXIDE SLURRY FOR SEMICONDUCTOR DEVICE CMP例文帳に追加

半導体素子ＣＭＰ用金属酸化物スラリーの製造方法 - 特許庁

To obtain a low erosion, low scratch CMP process.例文帳に追加

低エロージョンおよび低スクラッチのＣＭＰプロセスを実現すること。 - 特許庁

POLISHING SOLUTION FOR CMP AND POLISHING METHOD OF SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法 - 特許庁

CMP METHOD UTILIZING AMPHIPHILIC NONIONIC SURFACTANT例文帳に追加

両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したＣＭＰ法 - 特許庁