「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

CMP operations associated with a plurality of wired 1394 networks are mirrored with the specifications of CMP as they are, thus realizing a CMP procedure spanning the different wired 1394 networks.例文帳に追加

ＣＭＰの仕様をそのままに、複数ある有線１３９４ネットワークの各々のネットワークで関係するＣＭＰの処理をミラーリングすることによって、異なる有線１３９４ネットワークをまたがるＣＭＰの手続きを実現する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR SUPPLYING POLISHING AGENT IN CMP POLISHING DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ研磨装置における研磨剤の供給装置及び供給方法 - 特許庁

To provide an apparatus which improves wafer carrying to a chemical- mechanical polishing(CMP) head.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨ヘッドへのウェーハ搬送を改良する装置を提供する。 - 特許庁

TRENCH ELEMENT SEPARATION METHOD FOR IC DEVICE USING HIGHLY SELECTIVE CMP例文帳に追加

高選択性ＣＭＰを用いた集積回路装置のトレンチ素子分離方法 - 特許庁

To realize W-CMP with low erosion and high overpolishing margin.例文帳に追加

低エロージョンかつ高オーバーポリッシングマージンのＷ−ＣＭＰを実現すること。 - 特許庁

POST CMP PROCESSING LIQUID AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ポストＣＭＰ処理液、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

A load cup 4 is provided on a base part 2 of a CMP device 1.例文帳に追加

ＣＭＰ装置１のベース部２上には、ロードカップ４が設けられている。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING GRINDING HEAD IN CMP APPARATUS例文帳に追加

ＣＭＰ装置における研磨ヘッド洗浄装置及び研磨ヘッド洗浄方法 - 特許庁

POLISH REQUIREMENT MANAGEMENT DEVICE FOR CMP DEVICE AND METHOD OF MANAGING POLISH REQUIREMENT例文帳に追加

ＣＭＰ装置の研磨条件管理装置及び研磨条件管理方法 - 特許庁

To optimize a polishing rate in CMP (Chemical Mechanical Polishing).例文帳に追加

ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）における研磨レートの最適化を図ること。 - 特許庁

To reduce a scratch defect in CMP machining of a semiconductor for a device.例文帳に追加

デバイス化半導体のＣＭＰ加工におけるスクラッチ不良を低減する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CARBON FILM, CARBON FILM-COATED MEMBER, AND CMP PAD CONDITIONER例文帳に追加

炭素膜の形成方法、炭素膜被覆部材及びＣＭＰパッドコンディショナー - 特許庁

SLURRY FOR POLISHING USED FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) OF COPPER例文帳に追加

銅化学的機械的研磨（ＣＭＰ）処理のために使用される研磨用スラリー - 特許庁

OVERHANG SYSTEM CMP IN-SITU MONITORING DEVICE HAVING DEWATERING MECHANISM例文帳に追加

水切り機構を有するオーバーハング方式ＣＭＰｉｎ−ｓｉｔｕモニター装置 - 特許庁

CARBON FILM COATED MEMBER, METHOD FOR FORMING CARBON FILM, AND CMP PAD CONDITIONER例文帳に追加

炭素膜被覆部材、炭素膜の形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナー - 特許庁

The dielectric layer and additional layer are planarized preferably by the CMP method.例文帳に追加

誘電層および追加の層を、好ましくはＣＭＰによって平坦化する。 - 特許庁

To provide a CMP device and a method capable of making optical access to the surface of a wafer, not so complicated, not expensive, and capable of monitoring its processing continuously and simultaneously.例文帳に追加

ウエハ表面に対して光学的にアクセスでき、余り複雑でも高価でもない連続的同時プロセスモニタリングができるCMP装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The humidity inside the housing comprising a CMP (CMP apparatus) 2 and a cleaner (cleaning apparatus) 3 is controlled to a wet condition, such as 70%-100%.例文帳に追加

ＣＭＰ部（ＣＭＰ装置）２及び洗浄部（洗浄装置）３を有する筐体内の湿度を７０％〜１００％にコントロールして湿潤雰囲気にする。 - 特許庁

A pedestal (substrate support member) 12 for the CMP device is incorporated in a mechanism which passes and receives the substrate to and from a carrier bed in the CMP device to support the substrate.例文帳に追加

ＣＭＰ装置のペデスタル（基板支持部材）１２は、ＣＭＰ装置においてキャリアヘッドに対し基板の授受を行う機構に組み込まれて基板を支持する。 - 特許庁

To perform CMP treatment to a thin film formed on a substrate more accurately than a conventional one, by measuring accurately its film thickness when subjecting it to the CMP treatment.例文帳に追加

基板に形成された薄膜をＣＭＰ処理する場合に、該薄膜の膜厚を正確に測定し、当該ＣＭＰ処理をより正確に行えるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that the durability of an insulating film against a load of CMP is improved and film peeling by CMP is remarkably reduced.例文帳に追加

ＣＭＰの負荷に対する絶縁膜の耐久性の向上が図られ、ＣＭＰによる膜剥がれが大幅に低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

CMP PROCESS PRESSURE DISTRIBUTION MEASURING APPARATUS, PRESSURE-MEASURING SHEET AND ITS METHOD OF MANUFACTURE, CMP PROCESS PRESSURE DISTRIBUTION MEASURING METHOD, ND TEMPERATURE DISTRIBUTION MEASURING METHOD例文帳に追加

ＣＭＰ加工圧力分布測定装置、圧力測定シート及びその製造方法、ＣＭＰ加工圧力分布測定方法、並びに温度分布測定方法 - 特許庁

To facilitate stable repetitive use of a CMP ring body by solving various problems associated with injection molding of the resin portion of a CMP retainer ring.例文帳に追加

ＣＭＰリテーナーリングの樹脂部の射出成形化に伴う諸問題を解決しＣＭＰリング本体の安定した繰り返し使用を容易にする。 - 特許庁

A CMP stopper film 11 covering the gate electrode is formed, and the sidewall 12 is formed on the CMP stopper film 11 at the side face of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極を覆うＣＭＰストッパ膜１１を形成し、ゲート電極の側面においてＣＭＰストッパ膜１１上にサイドウォール１２を形成する。 - 特許庁

To provide a CMP processing method capable of lessening a CMP processing device in size and accurately and uniformly flattening over the entire surface of a work through polishing.例文帳に追加

装置全体を小型化して、被研磨物の全面にわたり正確に均一な研磨量で平坦化することのできるＣＭＰ加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polisher and a CMP polishing method, improving working efficiency by shortening an exchange time of a deteriorated polishing pad.例文帳に追加

劣化した研磨パッドの交換時間を短縮することで、作業効率の向上を図ることができるＣＭＰ研磨装置およびＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing platen of a CMP apparatus and a planarizing method using the platen, which can increase a wafer uniformity in a wafer CMP step.例文帳に追加

ウエハのＣＭＰ工程時にウエハ均一度を向上させるようにしたＣＭＰ装置の研磨プラテン及びそれを用いた平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for avoiding a heading process to expose a dummy gate electrode by CMP and a forming process of a metal gate electrode by CMP.例文帳に追加

ＣＭＰによるダミーゲート電極の頭出し工程およびＣＭＰによるメタルゲート電極の形成工程を回避できる製造方法を提供する。 - 特許庁

After laminating the ozone TEOS film 6, the ozone TEOS film is polished by the CMP method using the silicon nitride film 5 as a CMP stopper film before laminating the plasma TEOS film.例文帳に追加

ここで、オゾンＴＥＯＳ膜６を積層後、プラズマＴＥＯＳ膜を積層する前に、窒化シリコン膜５をＣＭＰストッパ膜として、ＣＭＰ法により研磨する。 - 特許庁

To produce a CMP slurry having the satisfactorily small number of coarse particles with which a semiconductor wafer can be polished without generating scratches from a CMP slurry waste liquid.例文帳に追加

粗大粒子数が十分に少なく半導体ウェハをスクラッチの発生無く研磨できるＣＭＰスラリーを、ＣＭＰスラリーの廃液から製造する。 - 特許庁

To provide a pipe for chemical mechanical polishing (CMP) apparatus which minimizes elution of metal into a liquid used, and which is easy in processing.例文帳に追加

使用する液体中に金属が溶出することを極力抑えることができ、且つ加工が容易な化学的機械的研磨(CMP)装置用管を提供する。 - 特許庁

To provide a process solution for removing processing residuals from a semiconductor substrate following CMP processing, and a method of using the process solution.例文帳に追加

CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition object which can obtain a CMP abrasive pad excellent in alkali proof and acid proof and the CMP abrasive pad obtained from the composition object.例文帳に追加

耐アルカリ性および耐酸性に優れたＣＭＰ研磨パッドを得ることができる組成物、および該組成物から得られたＣＭＰ研磨パッドを提供する。 - 特許庁

SLURRY FOR CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING (CMP), METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF HANDLING CMP SLURRY例文帳に追加

化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法 - 特許庁

The CMP process is carried out by using the nitride CMP slurry whose solid content of slurry is adjusted and pH of slurry is varied.例文帳に追加

スラリーの固形分含量を調節すると共にスラリーのｐＨを変化させたナイトライド用ＣＭＰスラリーを用いることによって、ＣＭＰ工程を行う。 - 特許庁

To reduce any scratch or the like caused in a ground insulating film by CMP for a conductive film that becomes a plug or the like without sacrificing flatness after the CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ後の平坦性を犠牲にすることなく、プラグ等となる導電膜に対するＣＭＰにより下地絶縁膜に生じるスクラッチ等を低減する。 - 特許庁

To provide a polishing solution for metal which has a rapid CMP rate, and is capable of fabricating LSIs with little occurrence of corrosion, scratch, thinning, dishing, erosion and the like.例文帳に追加

迅速なCMP速度を有し、かつコロージョンやスクラッチ、シニング、ディッシング、エロージョンなどの発生が少ない、LSIの作製を可能とする金属用研磨液を提供すること。 - 特許庁

The nozzle 30 jet pure water to an object to be polished when measuring the thickness of the object with a spectrophotometric apparatus in a CMP apparatus.例文帳に追加

このノズル３０はCMP装置において被研磨物の厚さを分光測定装置により測定する際に被研磨物に純水を噴射するためのものである。 - 特許庁

To provide a CMP conditioner which can suppress the occurrence of scratches by certainly preventing the dropout of abrasive grains of even a very corrosive slurry used for CMP equipment, and to provide a manufacturing method of a CMP conditioner which can manufacture such a CMP conditioner without requiring complicated manufacturing processes.例文帳に追加

ＣＭＰ装置に用いられる腐食性の高いスラリーに対しても砥粒の脱落を確実に防いでスクラッチの発生を抑制することが可能なＣＭＰコンディショナを提供し、またこのようなＣＭＰコンディショナを、複雑な製造工程を要することなく製造することが可能なＣＭＰコンディショナの製造方法を提供する。 - 特許庁

POST CMP (CHEMICAL MECHANICAL POLISHING) PROCESSING LIQUID, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ポストＣＭＰ処理液、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR ISOLATING TRENCH ELEMENT OF INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING HIGH SELECTIVE CMP例文帳に追加

高選択性ＣＭＰを用いた集積回路装置のトレンチ素子分離方法 - 特許庁

CLEANING SOLUTION COMPOUNDING DEVICE AND CLEANING SOLUTION SUPPLY METHOD IN CMP APPARATUS例文帳に追加

ＣＭＰ装置における洗浄液調合装置及び洗浄液供給方法 - 特許庁

To provide a polishing composition for a CMP process which is superior in step-difference reducing performance.例文帳に追加

段差緩和性能に優れたＣＭＰプロセス用研磨組成物を提供する。 - 特許庁

BARRIER FILM DEPOSITION OVER METAL FOR REDUCTION IN METAL DISHING AFTER CMP例文帳に追加

ＣＭＰ後の金属ディッシングを減少させるための金属上のバリア膜付着 - 特許庁

CMP PAD HAVING GROOVE SEGMENT ARRANGEMENT PATTERN ALTERNATELY LOCATED IN RADIAL DIRECTION例文帳に追加

半径方向に交互に位置する溝セグメント配置形態を有するＣＭＰパッド - 特許庁