「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can uniformly and completely remove variations in the thickness of a silicon oxide film, after the silicon oxide film is deposited on an entire semiconductor substrate and then the silicon oxide film other than that embedded within grooves for STI (fine trench isolation) is removed by chemical and mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

半導体基体全面にシリコン酸化膜を堆積した後、ＳＴＩ用の溝内に埋め込まれているシリコン酸化膜以外のシリコン酸化膜をＣＭＰ法により除去する際に、そのシリコン酸化膜の膜厚に厚薄のバラツキがあっても、均等に且つ完全に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose pattern layout is optimized so that the yield of flattening by CMP is not influenced owing to increase of the integration degree of the semiconductor device having a well contact diffusion layer and a sub-contact diffusion layer disposed between both P- and N-channel transistor arrays arranged facing each other.例文帳に追加

Ｐｃｈトランジスタ列とＮｃｈトランジスタ列とが向かい合って配置された半導体集積回路において、両トランジスタ列間にウェルコン拡散層及びサブコン拡散層が配置された装置の集積度を高めても、ＣＭＰによる平坦化を行う際に歩留まりに悪影響のないパターンにレイアウトを最適化した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Mold layers 19 as molds for the 1st and 2nd transfer electrodes are previously formed on a substrate, and conductors 13a and 15a for the 1st and 2nd transfer electrodes are formed on the mold layers 19 and flattened by a CMP method to form the conductors 13a and 15a for the 1st and 2nd transfer electrodes.例文帳に追加

第１及び第２転送電極の鋳型となる鋳型層１９を基板上に予め形成し、鋳型層１９上、第１及び第２転送電極用導電体１３ａ、１５ａを形成し、第１及び第２転送電極用導電体１３ａ、１５ａをＣＭＰ法により平坦化して、第１及び第２転送電極を形成する。 - 特許庁

An apparatus for supplying a liquid for polishing containing a material for CMP slurry to a polishing apparatus comprises a means for preventing the contamination of the liquid for polishing by microbes by cooling the liquid, heating the liquid by irradiation of microwaves, irradiation of cytotoxic electromagnetic waves and/or sound waves, removal of essential growth elements, or the like.例文帳に追加

ＣＭＰスラリー用材料を含む研磨用流体を研磨装置に供給するための装置において、研磨用流体の冷却、マイクロ波照射による加熱、細胞障害性の電磁波及び／または音波の照射、必須生育要素の除去、などによる研磨用流体中の微生物の汚染を防止する手段を備える。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing slurry composition which is particularly useful for a chemical mechanical polishing (CMP) process of a STI (shallow-trench isolation) process forming a semiconductor multilayer structure, minimizes the occurrence of fine scratches, and has a high polishing selection rate of an oxide film to a nitride film.例文帳に追加

半導体多層構造を形成するためのＳＴＩ(Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ)工程の化学的機械的研磨(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ)工程に特に有用であり、微細スクラッチの発生を最小化し、酸化膜と窒化膜の研磨選択比が高い化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。 - 特許庁

A control section 100 updates data LVLm denoting the level division of the input audio signals on the basis of a signal CMP denoting the result of comparison between the input audio signals and a reference level Vr and also controls the reference level Vr thereby controlling the gain of electronic volumes 10L, 10R to reach gain correlated with the level division of the input audio signals.例文帳に追加

制御部１００は、入力オーディオ信号と基準レベルＶｒとの比較結果を示す信号ＣＭＰに基づき、入力オーディオ信号のレベル区分を示すデータＬＶＬｍを更新するとともに、基準レベルＶｒを制御し、電子ボリューム１０Ｌ、１０Ｒのゲインが入力オーディオ信号のレベル区分に対応付けられたゲインとなるように制御する。 - 特許庁

After eliminating the erosion (surface step A) formed on the first insulating film 11 by performing a second CMP at a polishing rate of the first insulating film 11 higher than the polishing rate of the plugs 14, a second insulating film is deposited on the first insulating film 11.例文帳に追加

第１の絶縁膜１１に対して、第１の絶縁膜１１に対する研磨レートがプラグ１４に対する研磨レートよりも大きい研磨レートで第２回目のＣＭＰを行なって、第１の絶縁膜１１に形成されているエロジョン（表面段差Ａ）を解消しておいてから、該第１の絶縁膜１１の上に第２の絶縁膜を堆積する。 - 特許庁

The polishing compound for CMP preferably contain a polymer, for which the degree of polymerization is 100 to 4,000 and the K factor is 12 to 150 in grafting NVP to PVA of which the degree of saponification is 70 to 100 mol%, and the polymer is obtained by blending NVP in a PVA solution and polymerizing it, while using hydrogen peroxide, organic peroxide, or azo compound as an initiator.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨剤は、重合度が１００〜４０００であり、けん化度が７０〜１００ｍｏｌ％であるＰＶＡにＮＶＰがグラフトした、Ｋ値が１２〜１５０である重合体を含有することが好ましく、重合体はＰＶＡ溶液にＮＶＰを配合し、開始剤として過酸化水素、有機過酸化物又はアゾ化合物を用いて重合して得られる。 - 特許庁

In a chemical mechanical planarization(CMP) apparatus, a polishing head 130, that has a carrier 134 and a membrane 170 and is positioned on the polishing pad of a turntable, is equipped with a manifold 132, a retaining ring 140, a supporter 150 provided at a center section in the carrier 134, and a chucking ring 160 positioned between the carrier 134 and a supporter 150.例文帳に追加

化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）装置において、キャリア１３４とメンブレン１７０を有しターンテーブルの研摩パッド上に位置するポリシングヘッド１３０は、マニホールド１３２と、リテーニングリング１４０と、キャリア１３４内の中央部に設けられるサポータ１５０と、キャリア１３４とサポータ１５０との間に位置するチャッキングリング１６０とを有する。 - 特許庁

The adjusting method for a polishing cloth is the adjusting method for the polishing cloth in the CMP device provided with a polishing terminal detection mechanism for detecting the polishing terminal of a wafer and is characterized that the adjustment is carried out by moving a conditioner 41 on the polishing cloth so as to avoid the laser window 30 provided on the polishing cloth 13.例文帳に追加

本発明に係る研磨クロスの調整方法は、ウエハの研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置における研磨クロス１３の調整方法であって、研磨クロス１３に設けられたレーザー窓３０を避けるように、該研磨クロス上のコンディショナ４１を移動させて調整を行うことを特徴とする。 - 特許庁

In a process for manufacturing a semiconductor device by chemical-machine-polishing with the use of a tantalum nitride film, a wafer 22 is performed in CMP with a laser beam radiated from a Raman spectroscope 23 irradiated onto the wafer 22 and a slully switched in response to a Raman peak intensity of 180 to 200 cm2 derived from the bonding of tantalum and nitrogen.例文帳に追加

バリアメタルとして窒化タンタル膜を用い、化学機械研磨により半導体装置を製造する工程において、ラマン分光装置２３から出射されたレーザー光をウェハー２２に照射し、タンタルと窒素との結合に由来する１８０〜２００ｃｍ^-1のラマンピークの強度に応じてスラリーを切換えて、ウェハー２２をＣＭＰ研磨する。 - 特許庁

To provide a polishing agent for CMP capable of suppressing occurrence of dishing, thinning, and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound, or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and to provide a method for polishing a substrate by using the agent.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing medium for CMP capable of suppressing the occurrence of dishing, thinning and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and a method for polishing a substrate by using the same.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.例文帳に追加

ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁

This invention relates to the CMP polishing agent containing cerium oxide particles, a dispersing agent, and a water-soluble polymer and water, wherein the water-soluble polymer is a polymer obtained in polymerization of a monomer containing at least one of a carboxylic acid having an unsaturated double bond and the salt thereof by using at least one of a cationic azo compound and the salt thereof as a polymerization initiator.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性高分子及び水を含有し、前記水溶性高分子が、カチオン性アゾ化合物及びその塩の少なくとも一方を重合開始剤として用い、不飽和二重結合を有するカルボン酸及びその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体であるＣＭＰ研磨剤に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing the mounting product in which an electrode 11 of a photo-diode array and an electrode 71 of an ROIC (Read-Out IC) 50 are joined together via the junction bumps 79, 9 includes the step of forming the junction bump 79 on the electrode 71 of the ROIC, and the step of chemical-mechanical-polishing (CMP) the junction bumps 79 on the entire of the ROIC.例文帳に追加

フォトダイオードアレイの電極１１とＲＯＩＣ５０の電極７１とが、接合バンプ７９，９を介在させて接合された実装製品の製造において、ＲＯＩＣの電極７１に接合バンプ７９を形成する工程と、ＲＯＩＣの全体の接合バンプ７９を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁

In this polishing state determining device 100, the state of the polishing pad 6 to which slurry is supplied is determining in a CMP (Chemical Mechanical Polishing) device for polishing the surface of the semiconductor wafer by performing a relative motion of the semiconductor wafer and the polishing pad 6, while pressing the surface of the semiconductor wafer to the polishing pad 6.例文帳に追加

研磨状態識別装置１００は、スラリーが供給された研磨パッド６に対して半導体ウエハの表面を押付けながら半導体ウエハと研磨パッド６とを相対運動させることにより半導体ウエハの表面を研磨するＣＭＰ装置において、スラリーが供給された研磨パッド６の状態を識別するためのものである。 - 特許庁

Then the insulating material layer is removed secondarily by a normal wet etching method or a dry etching method, to a prescribed protruded thickness from the surface of the semiconductor substrate, namely a thickness equal to the insulating material layer which is removed at intermediate treatment process, after removing the CMP cut-off pattern and before forming a gate oxide film is left.例文帳に追加

次に、半導体基板の表面から所定の突出した厚さ、すなわち、ＣＭＰ遮断パターンを除去してからゲート酸化膜を形成する前までの中間処理工程時に除去される絶縁物質層の厚さに該当する厚さが残るまで絶縁物質層を通常のウェットエッチング法またはドライエッチング法により２次的に除去する。 - 特許庁

Polysilicon electric charge transfer electrodes 34, 35, adjacent to each other in an electric charge transfer direction, are polished by the CMP method and formed to have nearly the same thickness, without being overlapped, and electric charge transfer electrodes adjacent in a direction of crossing (or orthogonal to) the electric charge transfer direction are electrically connected by a metallic wiring layer 37, provided to the upper layer.例文帳に追加

電荷転送方向に隣接するポリシリコン電荷転送電極３４，３５がＣＭＰ法により研磨されて重ならずに略同じ厚みに形成され、電荷転送方向と交差（または直交）する方向に隣接する電荷転送電極の間が上層に設けられた金属配線層３７によって電気的に接続されている。 - 特許庁

A silicon oxide film 3 is formed on a polycrystalline silicon gates 2 through a high-density plasma CVD method so as to fill up a deep gap between the polycrystalline silicon gates 2, a silicon oxide film 4 is formed on the silicon oxide film 3 through a plasma CVD method using a TEOS gas, and the surface of the silicon oxide film 4 is flattened through a CMP method.例文帳に追加

高密度プラズマＣＶＤにより、多結晶シリコンゲート２間の隙間の深い部分が埋め込まれるように、シリコン酸化膜３を多結晶シリコンゲート２上に形成し、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤにより、シリコン酸化膜３上にシリコン酸化膜４を形成し、ＣＭＰを用いて、シリコン酸化膜４の表面を平坦化する。 - 特許庁

The substrate holder (polishing head) for holding a wafer 5 while pressing it against a polishing cloth 2 at the time of CMP comprises a polishing head 11 for holding the wafer 5 through a backing film, and a protrusion 7a formed on the polishing head 11 at a position facing the central part of the wafer 5.例文帳に追加

本発明に係る基板保持装置（ポリッシングヘッド）は、ＣＭＰ研磨する際に、研磨クロス２に押し当てながらウエハ５を保持する基板保持装置であって、ウエハ５を、バッキングフィルムを介して保持するポリッシングヘッド１１と、このポリッシングヘッド１１に形成され、ウエハ５の中央部に対向する位置に配置された凸部７ａと、を具備するものである。 - 特許庁

A silicon based conductive material film 6a is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 10, the portion of the conductive material film 6a above the insulating film 3 is removed and planarized by CMP or etch back using the insulating film 3 as a stopper, and then a mask pattern 7 of resist is formed on the conductive material film 6a and the insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１０全面にシリコン系の導電性材料膜６ａを形成し、絶縁膜３をストッパとしたＣＭＰやエッチバックによって、導電性材料膜６ａの絶縁膜３よりも上の部分を除去して平坦化した後、導電性材料膜６ａ及び絶縁膜３上にレジストのマスクパターン７を形成する。 - 特許庁

For instance, when an element isolation insulating film is formed, a silicon nitride film (CMP stopper film) 8 is formed on the recessed face of a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged surface) 7, and then a process where a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged layer) 7 in a disused region is polished is provided.例文帳に追加

例えば、素子分離用絶縁膜を形成する際に、酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７の特定の凹面に窒化ケイ素膜（ＣＭＰ用ストッパ膜）８を形成した後に、ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７を研磨する工程を有するものである。 - 特許庁

Surface of a copper film 3 is changed to cuprous oxide (Cu_2O)5 insoluble to water by polishing the wafer surface by using a cleaning agent having pH adjusted to 7-12 immediately after a barrier metal film polishing process in the Cu-CMP process when copper interconnections are formed, and an antioxidation film 6 is formed by making an oxidation inhibitor adhere to the surface of Cu_2O5.例文帳に追加

銅配線形成時のＣｕ−ＣＭＰ工程におけるバリアメタル膜研磨工程直後に、ｐＨを７〜１２に調整した洗浄剤を用いてウエハ表面を研磨することで、銅膜３表面を水に不溶な酸化第一銅（Ｃｕ_２Ｏ）５に変化させると共に、Ｃｕ_２Ｏ５表面に酸化防止剤を付着させて酸化防止膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for semiconductor devices, which is used for manufacturing a thin-type semiconductor device subjected to back grinding machining and back CMP processing, and in which adequate backgrinding is performed, a grinding speed is increased, and the efficiency of a productivity is improved.例文帳に追加

裏面研削加工および裏面ＣＭＰ処理が施されて製造される薄型半導体デバイスに用いられる半導体デバイス用基板であって、裏面研削を過不足なく行うことが可能であるとともに、研削加工の高速化を図ることができて、生産効率を向上させることができる半導体デバイス用基板を提供することである。 - 特許庁

To provide a polishing solution employing solid abrasive grains to be used in barrier CMP for polishing a barrier layer composed of a barrier metal material in which high polishing speed is maintained when a barrier layer is polished, and also to provide a polishing agent which restrains the polishing speed sufficiently for a Low-k film of low dielectric constant.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層を研磨する際の被研磨膜に対する研磨速度を高研磨速度に維持し、且つ、低誘電率のＬｏｗ−ｋ膜に対しての研磨速度を十分に抑制しうる研磨剤を提供すること。 - 特許庁

The method comprises a process for performing heating treatment for a semiconductor device with a layer insulation film containing impurities, a process for executing a treatment for making impurity concentration distribution of an upper layer part of the layer insulation film 2 uniform after the heating treatment process and a process for polishing a layer insulation film by CMP after the uniformization treatment of impurity concentration distribution.例文帳に追加

不純物を含む層間絶縁膜を有する半導体装置を加熱処理する工程と、その加熱処理工程の後、層間絶縁膜２の上層部の不純物濃度分布を均一にするための処理を行う工程と、不純物濃度分布の均一化処理の後に、層間絶縁膜をＣＭＰにより研磨する工程とを備える。 - 特許庁

In a cleaning solution compounding apparatus for compounding a cleaning solution and supplying the solution to a cleaner 3 in a CMP apparatus 1, chemical lines having two chemical storage tanks 10, 11 and flow control valves 40 to 42 provided therein are connected to the cleaner 3, and three-way switching valves 33 to 35 are provided at locations immediately preceding the cleaner 3 in the chemical lines.例文帳に追加

洗浄液を調合してＣＭＰ装置１内の洗浄機３に供給する洗浄液調合装置において、２つの薬液貯溜タンク１０，１１及び流量制御弁４０〜４２を設置して成る薬液ラインが洗浄機３に接続されていると共に、該薬液ラインにおける洗浄機３の直前には、三方切換弁３３〜３５が設置されている。 - 特許庁

The post CMP processing liquid includes resin particles which are blended with water at a density of ≥0.01 wt.% and ≤1 wt.%, and have a carboxyl group and a sulfonyl group on each surface and whose primary particle size is ≥10 nm and ≤60 nm; a first surfactant having a carboxyl group; a second surfactant having a sulfonyl group; and tetramethyl ammonium hydroxide.例文帳に追加

水と、０．０１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の濃度で配合され、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子と、カルボキシル基を有する第一の界面活性剤と、スルホニル基を有する第二の界面活性剤と、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとを含有するポストＣＭＰ処理液である。 - 特許庁

To provide a polishing composition capable of keeping high flatness of a metal surface polished by chemical mechanical polishing (CMP) and a polishing composition for two-stage polishing achieving high polishing speed ratio between the copper layer in the first stage polishing and the barrier layer in the second stage polishing to enable the selective polishing of the copper layer.例文帳に追加

ＣＭＰによる研磨後の金属表面の平坦性を高度に保持することができる研磨組成物、さらには高度の表面平坦性を与え、しかも２段研磨において、第１段研磨における銅層と第２段研磨におけるバリア層との研磨速度の比が高く、銅層を選択的に研磨することのできる研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

The polishing pad 1 for CMP has, on the top surface of a polishing layer having mutually parallel top and reverse surfaces, a surface shape having both wall-shaped projection streaks 2 and projection parts 3 having a height perpendicular to the polishing layer surface, a width sandwiched between two mutually parallel main surfaces, and a length parallel to the polishing layer surface.例文帳に追加

互いに平行な表面と裏面を有する層状の研磨層表面に、研磨層表面から垂直方向の高さ、互いに平行な２枚の主表面に挟まれた幅、及び研磨層表面と平行方向の長さを有する壁状の凸条部２と、突起部３とを併せ持つ表面形状が形成されたＣＭＰ用研磨パッド１とする。 - 特許庁

To provide a method of repairing a low-dielectric-constant silica-based film which is given a chemical damage by a cleaning liquid used for the purpose of removing residue such as a silica-based denatured substance produced during etching of a low-dielectric-constant silica-based film or a resist decomposed substance produced during ashing, or removing residue such as polishing waste produced during CMP processing.例文帳に追加

低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。 - 特許庁

This inspecting substrate used for inspecting the position detecting device for optical state is provided with a first pattern (SP) having a first structural configuration, a second pattern (MP) having a second structural configuration which is different from the first pattern (SP), and correction patterns (CSP and CMP) respectively having the same patterns as the first and second patterns (SP) and (MP).例文帳に追加

位置検出装置の光学状態を検査するために用いられる本発明の検査用基板は、第１の構造形態を有する第１パターン（ＳＰ）と、第１の構造形態とは異なる第２の構造形態を有する第２パターン（ＭＰ）と、第１パターンおよび第２パターンの全体と同じパターンを有する補正パターン（ＣＳＰ，ＣＭＰ）とを備えている。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

A first NSG film (first insulating film) 31 by a high density plasma CVD method and a second NSG film (second insulating film) 32 by a plasma CVD method are laminated on an uppermost wiring layer 20 functioning as a fuse to form a first protective film 30, and then the surface of the protective film 30 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ヒューズとして機能する最上層配線層２０上に、高密度プラズマＣＶＤ法による第一のＮＳＧ膜（第一の絶縁膜）３１と、プラズマＣＶＤ法による第二のＮＳＧ膜（第二の絶縁膜）３２を積層して第一の保護膜３０を形成した後、この第一の保護膜３０の表面をＣＭＰ法によって平坦にする。 - 特許庁

To enhance the capacitor characteristics by preventing scratch of a lower electrode due to CMP, and ensuring uniformity of the thickness of a capacity insulating film in the memory cell array and in the lower electrode, in the manufacturing method of a semiconductor memory device in which the capacity insulating film of ferroelectric, or the like, is formed as a component of a capacitor by application of a liquid material.例文帳に追加

半導体記憶装置のキャパシタの構成要素として、強誘電体等の容量絶縁膜を液状材料の塗布により形成する製造方法において、ＣＭＰによる下部電極へのスクラッチ防止と、容量絶縁膜膜厚のメモリセルアレイ内、下部電極内での均一性を実現し、キャパシタ特性を向上させる。 - 特許庁

Also, a first core waveguide 43 with a metallic film 50 placed on is covered by a first clad layer film 44, since the metallic film 50 on the first core waveguide 43 is removed by etching after the first clad layer film 44 is removed and flattened by a CMP method to form a first clad layer 51, the first core waveguide 43 is never damaged.例文帳に追加

また、第１コア導波路４３の上に金属膜５０を付けたまま第１クラッド層用膜４４で覆い、ＣＭＰ法により第１クラッド層用膜４４を除去、平坦化して第１クラッド層５１を形成した後で第１コア導波路４３上の金属膜５０をエッチングにより除去するので、第１コア導波路４３にダメージを与えることがない。 - 特許庁

To provide CMP pad design for combining a structure of high rigidity necessary for excellent planarization efficiency, in addition to achievement of larger actual contact area with a workpiece and reduction or elimination of necessity for re-forming the texture, with a shape adaptability structure of low rigidity necessary for low defect ratio.例文帳に追加

加工物とのより大きな実接触面積を達成するだけでなく、テキスチャ再形成の必要性を減らすか、又は解消する加えて、良好なプラナリゼーション効率のために必要な高剛性の構造を、低い欠陥率のために必要な低剛性の形状適合性構造と組み合わせるＣＭＰパッド設計が要望されている。 - 特許庁

A yeast and cytidine 5'-monophosphate (CMP) are reacted with choline in the presence of the enzyme protein prepared by using the specific DNA fragment, and having activities of choline phosphate cytidylyltransferase (CCT), and an enzyme protein prepared by using a specified DNA fragment different therefrom, and having activities of choline kinase (CKI) to produce the objective CDP-choline.例文帳に追加

特定のＤＮＡ断片を使用して調製したコリンホスフェートシチジルトランスフェラーゼ（ＣＣＴ）活性を有する酵素タンパク質、及びそれとは別の特定のＤＮＡ断片を使用して調製したコリンキナーゼ（ＣＫＩ）活性を有する酵素タンパク質の存在下、酵母菌体、シチジン５′−モノリン酸（ＣＭＰ）及びコリンを反応させてＣＤＰ-コリンを製造する。 - 特許庁

To provide compositions for abrasion which is applicable to the process of forming a floating gate in a flash memory, and suitable for a CMP process in which a protrusion on a polysilicon film is flattened and polishing is stopped before exposing a ground.例文帳に追加

フラッシュメモリーにおけるフローティングゲート形成工程などに適用可能な、ポリシリコン膜の凸部を研磨して平坦化し、下地を露出する前に研磨を停止するＣＭＰ工程に適した、研磨用組成物を提供するものであり、これにより、優れた平坦性と残膜厚制御性が得られるため、半導体素子の歩留まり、信頼性の向上が可能となる。 - 特許庁

To provide a defect inspection device and its method capable of executing inspection by discriminating an adhering foreign matter from scratches having various shapes generated on the surface when abrading or grinding such as CMP or the like is applied to a processing object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor manufacture or magnetic head manufacture.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

This method includes the sequential steps of removing the CMP and a barrier layer, buffing polishing with a solution comprising citric acid, ammonium hydroxide and deionized water to remove a copper oxide, rinsing with the deionized water or an inhibitor solution, buffering with an abrasive slurry, and rinsing with the deionized water or inhibitor solution.例文帳に追加

ある態様は、ＣＭＰおよび障壁層を除去し、酸化銅を除去するためにクエン酸、水酸化アンモニウムおよび脱イオン水を含む溶液を使用してバフ研磨を行い、脱イオン水または抑制剤溶液を使用してリンスを行い、研磨スラリーを使用してバフ研磨を行い、脱イオン水または抑制剤溶液を使用してリンスを行うという連続的なステップを有する。 - 特許庁

A substrate is polished by a CMP product using alumina particles each having a silica coated particle surface in which at least 90% of the alumina particles have primary particle widths of not more than 50 nanometers, less than 10% thereof having primary particle sizes greater than 100 nm, a BET surface area thereof is at least 50 m^2/g, and the alumina particles have an α-alumina content of at least 90% by weight.例文帳に追加

粒子表面にシリカコーティングを有し、粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が５０ｎｍ以下で、１０％未満の一次粒子幅が１００ｎｍ超で、かつＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ^2／ｇであり、さらにα−アルミナ含有率が９０重量％のアルミナ粒子を使用したＣＭＰ生成物を用いて基板をＣＭＰする。 - 特許庁

To consistently and constantly feed polishing slurry not including any bubble, and to stably operate a centrifugal pump by separating bubbles from the polishing slurry even if bubbles are mixed in the polishing slurry, in a polishing slurry feeder for feeding the polishing slurry for polishing a substrate by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method to a substrate polishing apparatus by using the centrifugal pump.例文帳に追加

基板をＣＭＰ法で研磨するための研磨用スラリーを、遠心ポンプを使用して基板研磨装置に供給する研磨用スラリー供給装置において、研磨用スラリーに気泡が混入した場合においても、気泡を研磨用スラリーから分離し、気泡を含まない研磨用スラリーを安定的かつ恒常的に遠心ポンプに供給し、遠心ポンプを安定して運転できるようにする。 - 特許庁