「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing liquid that is used for CMP to a body to be polished with a layer containing polysilicon or the like, has rapid polishing speed for a layer containing a silicon-based material other than polysilicon, and can selectively suppress the polishing of a layer containing polysilicon or the like; and to provide a polishing method using the polishing liquid.例文帳に追加

ポリシリコン等を含む層を有する被研磨体に対するＣＭＰに用いられ、ポリシリコン等以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つポリシリコン等を含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法の提供。 - 特許庁

After that, a long linear concave part 218 in a narrow direction of a gap between the capacitors 216 two dimensionally arranged in the memory cell array region is formed on the insulating film 217 so as to run through on the plurality of capacitors 216, and then the surface of the insulating film 217 is made flat by the CMP method.例文帳に追加

次に、メモリセルアレイ領域において2次元状に配置されているキャパシタ216同士の間隔が狭い方向に長いライン状の凹部218を、複数のキャパシタ216上を通るように、絶縁膜217に形成した後、絶縁膜217の表面をＣＭＰ法により平坦化する。 - 特許庁

The CMP device is configured by covering at least one object to be covered, which is selected from the group comprising: surfaces of a head and an arm for holding a workpiece on a polishing pad; a surface of a slurry feeding pipe; and an inner wall of a device body, with a fluororesin.例文帳に追加

被研磨部材を研磨パッド上に保持するヘッド部表面及びアーム部表面、スラリー供給管表面、並びに、装置本体内壁よりなる群から選択される少なくとも１つの被覆対象をフッ素樹脂により被覆したことを特徴とするＣＭＰ装置。 - 特許庁

To provide a polishing slurry for copper wiring which polishes a copper film effectively in a short period of time even at a low applied pressure and does not generate dishing, erosion or the line when the copper wiring is formed by polishing the copper film wherein a low dielectric insulating film is formed in a lower layer by CMP.例文帳に追加

下層に低誘電性絶縁膜が形成された銅膜をＣＭＰによって研磨して銅配線を形成するにあたり、低い印加圧力でも、銅膜を効率良く短時間で研磨することができ、ディッシング、エロージョンなどが生じることもない銅配線用研磨スラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a collecting apparatus for collecting reusable polishing materials from discharged water produced in polishing process including polishing material discharged from CMP(Chemical Mechanical Polishing) used in a semiconductor manufacturing plant and the like by effectively collecting polishing particle through highly concentrated operation.例文帳に追加

半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ（化学的機械研磨：ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、高濃縮運転を行って研磨材粒子を効率的に回収し、再利用することができる研磨材の回収装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution using solid abrasive grains for barrier CMP for polishing a barrier layer composed of a barrier metal material, for freely controlling a polishing speed on a low-k film, and preventing scratch due to aggregation of the solid abrasive grains.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、ｌｏｗ−ｋ膜に対する研磨速度を自在に抑制し、且つ、固体砥粒の凝集に起因するスクラッチの抑制を達成しうる研磨剤を提供すること。 - 特許庁

An optic/electric pulse converting circuit 100 is provided with a photodiode PD, an I/V converting circuit IV, a first differential amplifier circuit AMP1 having a DC offset cancel circuit 110, a second differential amplifier circuit AMP2, a reference voltage generating circuit REFG and a comparator circuit CMP.例文帳に追加

光−電気パルス変換回路１００は、フォトダイオードＰＤ、Ｉ−Ｖ変換回路ＩＶ、ＤＣオフセットキャンセル回路１１０を有する第１差動増幅回路ＡＭＰ１、第２差動増幅回路ＡＭＰ２、参照電圧生成回路ＲＥＦＧ、及び比較回路ＣＭＰを備える。 - 特許庁

To provide a composition for polishing that has practical polishing speed, also has high polishing selectivity to copper that is a metal wiring material, tantalum used as a barrier layer, and an insulation film that is an underlayer, suppresses the occurrence of erosion, and is used suitably for a semiconductor CMP process.例文帳に追加

実用的な研磨速度を有しつつ、金属配線材料である銅と、バリヤ層として用いられるタンタルと、下地層である絶縁膜に対して高い研磨選択性を有し、エロージョンの発生を抑制する、半導体ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The CMP polishing method comprises preparing a liquid A containing cerium oxide particles, a surface active agent and a water, and a liquid B containing a surface active agent and a water in a container and rotating a stirring vale for stirring in the container to form a mixed liquid which is supplied to a polishing pad for polishing a substrate.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａと、界面活性剤及び水を含有する液Ｂとを容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で攪拌して得た混合液を研磨パッド上に供給して基板を研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。 - 特許庁

To provide a method for adjusting the surface of a polishing pad (1) of chemical and mechanical polishing(CMP) of a semiconductor wafer, by measuring the current or voltage of a turntable (2) inputted to a motor (7) for rotating the polishing pad (1) to a rotated adjustment head (4).例文帳に追加

回転している調整ヘッド（４）に対して研磨パッド（１）を回転させるためのモータ（７）に入力される、回転テーブル（２）の電流または電圧を計測することによって、半導体ウエハを化学的機械的に研磨する(chemical mechanical polishing:CMP)研磨パッド（１）表面を調整する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition suitable for chemical machine polishing (CMP) for a semiconductor part such as a semiconductor substrate and an interlayer insulation film, a recording medium part and an optical part, flattening a surface of an object to be polished and capable of increasing a polishing speed, and a polishing method.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a copper-plating device wherein a Cu layer remaining at the edge and near it of a plated substrate formed in a copper-plating process is entirely removed, and possibility of causing Cu contamination (cross- contamination) is eliminated while the next CMP process is performed in a short time after copper plating.例文帳に追加

銅めっき処理により形成された被めっき基板のエッジ部及びエッジ部の近傍に残るＣｕ層を完全に除去し、Ｃｕ汚染（クロスコンタミ）が生じる恐れがなく、銅めっき処理後、短時間で次工程であるＣＭＰ処理が実施できる銅めっき装置を提供すること。 - 特許庁

The method for CMP polishing comprises the steps of charging a liquid A containing cerium oxide particles, a surfactant and water and a liquid B containing a surfactant and water in a container, rotary agitation blades, supplying a mixture liquid obtained by agitating the mixture in the container onto a polishing pad, and polishing a substrate.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａと、界面活性剤及び水を含有する液Ｂとを容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で攪拌して得た混合液を研磨パッド上に供給して基板を研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film which is curable at ≤450°C, provides a film having proper uniform thickness, dielectric constant characteristics, water absorption characteristics, excellent CMP resistance and a small void size, useful as interlayer dielectrics in a semiconductor element.例文帳に追加

４５０℃以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、ＣＭＰ耐性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition and a polishing method suitable for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor substrate, a semiconductor component such as an inter-layer insulating film, and a recording medium component and an optical component, capable of flattening a surface of a polishing object and speeding-up a polishing speed.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a copper which makes possible high productivity and high authenticity in the manufacture of a high performance wiring plate, etc. an abrasive powder for copper alloy, and a polishing method using it by assuring a front surface which is as smooth as high polishing speed by a CMP and does not have etching.例文帳に追加

ＣＭＰによる高い研磨速度と平滑で腐食のない表面とを確保することにより、高性能配線板等の製造における高い生産性と信頼性を可能とする銅及び銅合金用研磨剤並びにそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

A potential outputted from the dummy memory cells DMC selected by the dummy wordline DWL to a dummy bit line DBL, is monitored by a comparison circuit 24, and a comparison signal CMP of a comparison result is given to a timing signal generating circuit 22 when the potential becomes a reference voltage REF or lower.例文帳に追加

ダミーワード線ＤＷＬで選択されたダミーメモリセルＤＭＣからダミービット線ＤＢＬに出力される電位を比較回路２４で監視し、参照電圧ＲＥＦ以下になったときに比較結果の出力信号ＣＭＰをタイミング信号生成回路２２に与える。 - 特許庁

The polishing pad for the CMP includes an inner radial groove 10 elongated from the center of a circular polishing pad 1 to a region of 1/3 to 2/3 of a radius, and an outer radial groove 20 elongated from the outer periphery of the circular polishing pad to a region of 1/3 to 2/3 of the radius on the polishing surface.例文帳に追加

円形研磨パッド１の中心部から半径の１／３〜２／３の領域まで伸長された内径溝１０と、円形研磨パッドの外周部から半径の１／３〜２／３の領域まで伸長された外径溝２０とを、研磨面に有するＣＭＰ用研磨パッド。 - 特許庁

In the semiconductor device having copper wiring 26b buried into an insulating film 16 and a dummy pattern 26c for CMP buried into the insulating film 16 near the copper wiring 26b, a unit pattern for composing the dummy pattern 26c is formed with a density of 10-25% per unit area.例文帳に追加

絶縁膜１６に埋め込まれた銅配線２６ｂと、銅配線２６ｂの近傍の絶縁膜１６に埋め込まれたＣＭＰ用のダミーパターン２６ｃとを有する半導体装置において、ダミーパターン２６ｃを構成する単位パターンを、単位面積あたり１０〜２５％の密度で形成する。 - 特許庁

A sample mixture of an optically transparent thin film and a thin metal film is irradiated with light, reflected light from the sample is detected and a decision is made whether the metal film remains after CMP or not based on the intensity of the reflected light thus detected or the reflectivity.例文帳に追加

光学的に透明な薄膜と金属薄膜が混在する試料に光を照射し、該光の照射により試料から発生する反射光を検出し、該検出した反射光の反射強度もしくは反射率に基づいて、ＣＭＰ後の金属膜加工残りの有無を判定する。 - 特許庁

Although irregularities of surfaces are generated by a CMP method in first copper wiring 103a of a broader width and second copper wiring 103b of a narrower width, the surface of a third insulating film 105 deposited on a second insulating film 104 is planarized by planarizing the second insulating film 104.例文帳に追加

ＣＭＰ法により幅の広い第１の銅配線１０３ａと幅の狭い第２の銅配線１０３ｂにおいて表面に凹凸が発生するが、第２の絶縁膜１０４を平坦化することにより第２の絶縁膜１０４上に堆積する第３の絶縁膜１０５の表面が平坦になる。 - 特許庁

To provide a polishing composition which has high selectivity, in which the polishing rate for copper is large but the polishing rate for a tantalum compound is small and is superior in giving smoothness of surface to a copper- film in a CMP work process for a semiconductor device, having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid capable of improving the polishing speed of a silicon oxide film and a silicon nitride film to the polishing speed of a polysilicon film and capable of being applied to a polishing process for polishing a silicon oxide film and a silicon nitride film with a polysilicon film as a stopper film.例文帳に追加

ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

As a means to solve the fence or the lift-off residue of the resist mask in a track formation process and an element height formation process, lift-off is performed by CMP by forming a 1st stopper layer 41 on the magnetoresistive effect film 3, and a 2nd stopper layer 42 on a refill film 6.例文帳に追加

トラック形成工程及び素子高さ形成工程における、フェンスやレジストマスクのリフトオフ残りを解決する手段として、磁気抵抗効果膜３の上に第一のストッパー層４１を、リフィル膜６の上に第二のストッパー層４２を配し、ＣＭＰによってリフトオフを行う。 - 特許庁

This polishing solution for CMP is characterized in containing 0.005-0.5 mass% of alkyl titanate represented by chemical formula: Ti(OR)_4 (R is a 1-8C alkyl group), and also containing silicon dioxide particles, an acid, an oxidizing agent, an anticorrosive of metal, and water.例文帳に追加

化学式：Ｔｉ（ＯＲ）_４（ＲはＣ_１〜Ｃ_８のアルキル基）で示されるアルキルチタネートを０．００５質量％以上０．５質量％以下含有し、さらに二酸化ケイ素粒子、酸、酸化剤、金属の防食剤及び水を含有してなることを特徴とするＣＭＰ用研磨液。 - 特許庁

To provide a polishing pad capable of suppressing a polishing characteristic change caused by the water absorption of the polishing pad and capable of exhibiting an excellent polishing characteristic at an initial stage when performing polishing called as CMP (Chemical Mechanical Polishing) for a polishing object such as glass, a semiconductor, a dielectric/metallic compound material, and an integrated circuit.例文帳に追加

ガラス、半導体、誘電／金属複合体および集積回路等の被研磨物を、ＣＭＰと呼ばれる研磨をする際に、研磨パッドの吸水による研磨特性変化を抑え、かつ、初期段階においても良好な研磨特性を発現する研磨パッドを提供する。 - 特許庁

Slurry contains potassium persulfate as an oxidizing agent, potassium dodecyl benzenesulfonate as an surface-active agent, and silica as abrasive particles and pH controlled to 8 by adding potassium hydroxide, and an unwanted Cu film 5 located outside a wiring groove 3 is removed through a CMP method by the use of the slurry.例文帳に追加

酸化剤として過硫酸カリウム、界面活性剤としてドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、研磨粒子としてシリカをそれぞれ含み、スラリーｐＨを水酸化カリウムにより８に制御したスラリーを用いたＣＭＰ法により、配線溝３の外部の不要なＣｕ膜５を除去する。 - 特許庁

This invention is provided with divided voltage means D1, R1, R2, a comparator CMP which inputs divided voltage VCX and zero voltage GND compares both voltages, and output transistor means Q1, Q2, Q3 which output monitoring signals at an output terminal through the comparator's output.例文帳に追加

分圧手段Ｄ１，Ｒ１，Ｒ２と、分圧電圧ＶＣＸとゼロ電圧ＧＮＤを入力し、かつ両電圧を比較するコンパレータＣＭＰと、コンパレータの出力より出力端ＯＵＴに監視信号を出力する出力トランジスタ手段Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３とを備える。 - 特許庁

To provide a polishing liquid to be used for barrier metal chemical-mechanical polishing (CMP) for polishing a barrier layer and an interlayer insulating film, in particular, a polishing liquid capable of obtaining an excellent polishing speed with respect to the interlayer insulating film and simultaneously achieving reduction in corrosion on a surface after polishing and in organic residual.例文帳に追加

本発明は、バリア層と層間絶縁膜を研磨するバリアメタルＣＭＰに用いられる研磨液であって、特に、層間絶縁膜に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、研磨後表面のコロージョン、有機物残渣の低減を同時に実現し得る研磨液を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a CMOS solid-state imaging element whose deteriorations in sensitivity and picture quality can be suppressed by suppressing diffusion of potassium elements included in slurry left to a silicon substrate side when CMP polishing is carried out, and to provide a manufacturing method of the CMOS solid-state imaging element.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨を行うことによって残留するスラリー中に含まれるカリウム元素のシリコン基板側への拡散を抑制し、感度や画質の劣化を抑制することができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びこうしたＣＭＯＳ型固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The difference in level caused by a capacitor C is mitigated by an insulation film 24 formed in the same layer as the capacitor C, a wiring groove 31 is formed in the vicinity of the surface of an insulation film 30 the surface of which has been flattened by the CMP method, and a connection hole 33 is formed at the bottom of the wiring groove 31.例文帳に追加

キャパシタＣと同層に形成される絶縁膜２４によりキャパシタＣに起因する段差を緩和し、ＣＭＰ法により表面が平坦化された絶縁膜３０の表面近傍に配線溝３１および配線溝３１の底面下部に接続孔３３を形成する。 - 特許庁

After the formation of the n+ contact regions 8 and 9 and the n- region 10 in the selective growth method, protruded portions 8a, 9a, and 10a produced by the selective growth, respectively, in the n+ contact regions 8 and 9 and the n- region 10, are flattened by chemimechanical polishing (CMP) method.例文帳に追加

選択成長法によるｎ^+コンタクト領域８，９およびｎ^-領域１０の形成後に、選択成長によってｎ^+コンタクト領域８，９およびｎ^-領域１０にそれぞれ生じた凸部８ａ，９ａおよび１０ａを化学機械研磨（ＣＭＰ）法により平坦する。 - 特許庁

After appropriately forming a lower layer 2 of a multilayer wiring structure on a semiconductor substrate 1, an edge insulation film 14 is formed so as to cover a beveled portion 1a of the semiconductor substrate 1 and to have a thickness substantially equal to that of the lower layer 2, and then the surface of the upper insulation film 11a is planarized through a CMP process.例文帳に追加

半導体基板１上に、多層配線構造の下層部分２を適宜形成した後、半導体基板１のベベル部１ａを覆うように、下層部分２と略同等の膜厚に縁部絶縁膜１４を形成し、上部絶縁膜１１ａをＣＭＰで表面研磨して平坦化する。 - 特許庁

To improve a yield and work efficiency, by accurately judging that the time requiring the washing of an EPD window of the polishing cloth of a CMP device has come and abnormality is generated at the EPD window and automatically cleaning the EPD window.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の研磨布のＥＰＤ窓部の洗浄が必要な時期に到達したこと及びＥＰＤ窓部に異常が生じたことを正確に判断でき、かつＥＰＤ窓部の清掃を自動で行うことができるようにして歩留りの向上及び作業効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a polishing agent for a barrier layer which, being a polishing solution that uses a solid abrasive grain used in barrier CMP for polishing barrier metal material, attains a polishing speed suitable for a barrier film and suppression of scratching caused by aggregation of the abrasive grain.例文帳に追加

バリア金属材料を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア膜の優れた研磨速度と、砥粒の凝集に起因するスクラッチの抑制とを達成しうるバリア層用研磨剤を提供する提供することである。 - 特許庁

To provide polishing equipment and a polishing method in which variation in chemical reaction rate due to temperature rise on the surface of a metal film through metal based exothermic reaction is suppressed on a polishing surface when planarization polishing of wafer surface having a metallization film is performed by CMP.例文帳に追加

金属配線膜を有するウェーハ表面のＣＭＰ法による平坦化研磨を行うにあたり、メタル系の発熱反応で金属膜表面の温度が上昇し、加工面の化学的反応速度にばらつきが生じることを抑制した研磨装置、及び研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for CMP that improves a polishing rate of a silicon oxide film and also reduces within-wafer nonuniformity of a substrate having the silicon oxide film on a surface as compared with a conventional polishing liquid, and to provide a polishing method using the same.例文帳に追加

従来の研磨液と比較して酸化ケイ素膜に対する研磨速度を向上させることができると共に、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の面内均一性を向上させることが可能なＣＭＰ用研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulator film having a low dielectric constant, suitably removing a film on the insulating film by CMP method during production process of a semiconductor device, having no cap layer, and suitably utilized for production of a semiconductor device having excellent reliability.例文帳に追加

誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid which improves polishing speed of a silicon oxide film and a silicon nitride film in relation to polishing speed of a polysilicon film, and is applicable to a polishing process of polishing the silicon oxide film and the silicon nitride film, with the polysilicon film as a stopper film.例文帳に追加

ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for CMP process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, having high selectivity to have high abrasion rate of copper and small abrasion rate of the tantalum compound and giving a smooth surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

This abrasive recovery device for recovering the abrasives from the CMP process drain containing an organic dispersant is provided with a ceramic film separating means of monolayer honeycomb structure mainly composed of columnar β-type silicon nitride crystal into which the process drain is led.例文帳に追加

有機物系の分散剤を含有するＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、該工程排水が導入される主として柱状のβ型窒化珪素結晶からなる単層ハニカム構造のセラミック膜分離手段を備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

In a calculation period of calculating digital control signals DACS, DAC2, ..., DAC0 for DC offset voltage reduction, the voltage comparator CMP detects a calibration voltage depending on a voltage drop of one calibration resistance R22 caused by analog currents of a digital-analog converter DAC0.例文帳に追加

ＤＣオフセット電圧低減のデジタル制御信号ＤＡＣＳ、ＤＡＣ２…ＤＡＣ０を算出する算出期間で、デジタルアナログ変換器ＤＡＣ０のアナログ電流による一方の校正抵抗Ｒ２２の電圧降下に依存する校正電圧を電圧比較器ＣＭＰが検出する。 - 特許庁

The track hold circuit 12 blocks that analog voltage Vin is input in the first comparator CMP1 to the seventh comparator CMP 7 by turning a track hold switch SW-TH off in a correction mode for correcting offset of the first comparator CMP1 to the seventh comparator CMP7.例文帳に追加

トラックホールド回路１２は、第１コンパレータＣＭＰ１〜第７コンパレータＣＭＰ７のオフセットを補正する補正モードでは、トラックホールドスイッチＳＷ−ＴＨをオフすることにより、アナログ電圧Ｖｉｎが第１コンパレータＣＭＰ１〜第７コンパレータＣＭＰ７に入力されることを遮断する。 - 特許庁

This method for producing the CMP abrasive is characterized in that the average particle diameter of the cerium oxide particles is regulated so as to be 0.15-1 μm by adding the cerium oxide particles to a solvent containing a dispersant and water, and colliding the cerium oxide to each other under a pressure of ≥90 MPa to pulverize the cerium oxide particles.例文帳に追加

酸化セリウム粒子を分散剤及び水を含む溶媒中添加し、９０ＭＰａ以上の圧力で酸化セリウムどうしを衝突させることにより粉砕し、酸化セリウム粒子の平均粒子径を０．１５〜１μmにすることを特徴とするＣＭＰ研磨剤の製造法。 - 特許庁

To provide a composition, which can form a coating film excellent in film thickness uniformity and is improved in application properties on a substrate, for forming a film useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element and the like and excellent in dielectric characteristics and resistance to water absorption as well as in resistance to CMP.例文帳に追加

膜厚均一性に優れた塗膜が形成可能で、誘電率特性、耐吸水性に優れ、またＣＭＰ耐性に優れ、かつ組成物の基板への塗布性が改良された、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁