「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, nano-columns 6 uniform in height are formed through a rotation polishing process using a silicon CMP technique (Figure 1 (b)), a p-type GaN substrate 7 is laminated on the p-type GaN nano-columns 5 and pasted together by heating/pressing (Figure 1 (c)).例文帳に追加

次に、シリコンＣＭＰ技術を用いて回転研磨を行い、均一な高さのナノコラム６を形成し（図１（ｂ））、ｐ型ＧａＮナノコラム５上に、ｐ型ＧａＮ基板７を積層し、加熱・加圧して貼合わせる（図１（ｃ））。 - 特許庁

This CMP treatment system can reduce the influence of scattering of light due to the slurry that is the obstacle for the optical measurement under polishing and can reduce a consuming volume of the purified water used for the optical measurement by removing the slurry.例文帳に追加

研磨中の光学測定の障害となるスラリによる光の散乱の影響を少なくすることができると共にスラリを除去し光学測定に用いる純水使用量を少なくすることができる。 - 特許庁

Accordingly, the surface of the ground polishing pad 3 has the sufficient parallelism to the adapter 7, thus keeping the sufficient parallelism to the surface of the adapter for a CMP polisher when the pad plate is used actually.例文帳に追加

これにより、研削される研磨パッド３の表面が、アダプタ７と十分な平行度を有するものとなり、よって、実際に使用されるときに、ＣＭＰ研磨装置のアダプタの表面と十分な平行度を保つものとなる。 - 特許庁

When manufacturing the semiconductor, it is plasma processed by a non-nitriding atmosphere after being polish processed by CMP to form a damage layer on an upper layer portion of the second interlayer insulating film 3 and on an upper layer portion of the conductive layer 5.例文帳に追加

またその製造に際しては、ＣＭＰによる研磨処理の後に、非窒化性雰囲気でプラズマ処理を行い、第２の層間絶縁膜３の上層部および導体膜５の上層部にダメージ層を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for a CMP in which polishing slurry is held suitably between a surface to be polished and the polishing pad, and which can obtain a polishing rate in the surface to be polished uniformly without the excess consumption of the polishing slurry.例文帳に追加

被研磨面と研磨パッドとの間に研磨スラリーが適切に保持されて、研磨スラリーの余分な消費がなく、被研磨面内での研磨レートを均一にできるＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

This load cup 4 of a CMP device 1 has a pedestal 12 supporting a wafer W, and three substrate grip members 23 gripping the wafer W by pressing an edge of the wafer W are arranged on a side of the pedestal 12.例文帳に追加

ＣＭＰ装置１のロードカップ４は、ウェハＷを支持するペデスタル１２を有し、このペデスタル１２の側方には、ウェハＷのエッジを押し付けてウェハＷを把持する３つの基板把持部材２３が配置されている。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a diamond film where a recessed part is easily formed without performing masking and etching on the surface of the diamond film and to provide a CMP pad conditioner using the diamond film for a cutting blade.例文帳に追加

ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

The comparator CMP, the flip-flop FF, and the clock generation unit CLK supply a gate signal to the gate of the switch element Q1 according to the voltage divided by the resistors R2, R3 and the voltage converted by the resistor R1.例文帳に追加

比較器ＣＭＰと、フリップフロップＦＦと、クロック生成部ＣＬＫとは、抵抗Ｒ２、Ｒ３で分圧された電圧と、抵抗Ｒ１により変換された電圧と、に応じて、スイッチ素子Ｑ１のゲートにゲート信号を供給する。 - 特許庁

To provide a polishing method in which improvement in polishing speed of a silicon oxide film or the like and reduction in polishing scratches can be easily performed in a CMP technology of planarizing an interlayer insulating film, a BPSG film and an STI film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨速度の向上と、研磨傷の低減を容易に行なうことができる研磨方法を提供する。 - 特許庁

A CMP sensor 50b senses when a common mode pulse event occurs and adds current to an auxiliary current source 50a to compensate for a decrease in LED drive current caused by the occurrence of the event.例文帳に追加

同相モード・パルス・イベントが発生したことをＣＭＰセンサ５０ｂで検知し、補助電流源５０ａに加えて、イベントが発生することによって引き起こされたＬＥＤ駆動電流の減少を補償する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method of a substrate using the abrasive that can easily reduce polishing scratch after polishing of a silicon oxide film etc., with respect to CMP technique for flattening an interlayer insulating film, a BPSG film, and an STI film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨後の研磨傷低減を容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

A conductive film is formed in the contact hole 8c and on the insulating film, and a conductor 9 is buried in the contact hole 8c by removing the conductive film located above an insulating film 8a by CMP.例文帳に追加

接続孔８ｃの中及び絶縁膜上に導電膜を形成し、さらに、絶縁膜８ａ上に位置する導電膜をＣＭＰ法で除去することにより、接続孔８ｃに導電体９を埋め込む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the occurrence of scratch by CMP (Chemical Mechanical Polishing) in an interlayer insulating film, is prevented and deterioration in film thickness uniformity of the interlayer insulating film is also prevented.例文帳に追加

層間絶縁膜にＣＭＰによるスクラッチが発生することを防止することや層間絶縁膜の膜厚均一性の悪化を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMP polishing device and the polishing method of a semiconductor substrate capable of stably and definitely judging the end point of polishing and capable of improving the yield of semiconductor substrates obtained after polishing.例文帳に追加

研磨の終点を安定に且つ確実に判定することができ、かつ研磨後に得られる半導体基板の歩留まりを向上させることが可能なＣＭＰ研磨装置、及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device excelling in surface flatness by improving uniformity of a polishing speed in polishing an isolation oxide film by a CMP method, in a semiconductor device using a trench type isolation oxide film for element isolation.例文帳に追加

素子分離にトレンチ型分離酸化膜を用いた半導体装置において分離酸化膜をＣＭＰ法で研磨する際の研磨速度の均一性を向上して表面平坦性の良好な半導体装置を得る。 - 特許庁

To prevent generating of irregularity in finish of an active region when a large isolation region exists in a semiconductor device with an isolation region which is made flat by a CMP.例文帳に追加

本発明はＣＭＰで平坦化される分離領域を有する半導体装置に関し、大きな分離領域が存在する場合に活性領域の仕上がり状態にばらつきが生ずるのを防止することを目的とする。 - 特許庁

After a silicon oxide film 12 is formed so as to coat the silicon gate electrodes 6a, 6b, the surface of the silicon oxide film 12 is polished by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method, thereby exposing surfaces of the silicon gate electrodes 6a, 6b.例文帳に追加

そして、シリコンゲート電極６ａ、６ｂを覆うように酸化シリコン膜１２を形成した後、酸化シリコン膜１２の表面をＣＭＰ法で研磨することにより、シリコンゲート電極６ａ、６ｂの表面を露出する。 - 特許庁

To provide a high-quality abrasive for insulation film of a semiconductor which can increase a polishing speed while at the same time reducing scratches and dust when polishing an insulation film of a semiconductor by CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる、品質の優れた、半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor surface treating agent in this invention is useful as a developing solution, remover, or cleaning solution used for a semiconductor manufacturing process, and also useful as a polishing solution of CMP and its post-treatment cleaning solution.例文帳に追加

本発明の半導体表面処理剤は、半導体製造工程で用いられる現像液、剥離液あるいは洗浄液として有用であるほか、ＣＭＰの研磨液やその後処理洗浄液としても有用である。 - 特許庁

A sloped surface is formed, after the first insulating layer has been polished by CMP, and a planarization process further levels off this nonuniform surface, so that a uniform insulator thickness having a preferable sensor function is formed.例文帳に追加

第一絶縁層が、ＣＭＰにより研磨された後、傾斜表面が形成され、更に、平坦化工程によりこの不均一表面を除去し、好ましいセンサー機能を有する均一な絶縁体厚さを形成する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method which eliminates the need of posterior processes such as CMP in wiring formation process when manufacturing a wiring board having at least one conductor layer and one resin insulation layer.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、配線形成プロセスにおいてＣＭＰ等の後加工を必要としない新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

The adjustment of the exposure energy according to the film thickness, if elements regarded as peculiarities of such equipment as an etching apparatus and a CPU apparatus are taken into consideration, contributes to improvements in accuracy of subsequent CMP polishing.例文帳に追加

膜厚に応じた露光量の調節は、例えば、エッチング装置、ＣＭＰ装置等の装置のクセとして捉えられる要素を考慮することにより、その後のＣＭＰ研磨の精度向上に資することができる。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing pad capable of making compatible both the improvement of the flatness of a surface to be polished and the reduction of a polishing defect (scratch) in CMP, and a chemical mechanical polishing method using the pad.例文帳に追加

ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

The polishing liquid for CMP contains abrasive grains, a first additive, and water and contains a compound meeting predetermined conditions as the first additive, surface tension being less than 68 dyn/cm at 25°C.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ用研磨液は、砥粒と、第１の添加剤と、水とを含有し、第１の添加剤として所定の条件を満たす化合物を含有し、表面張力が２５℃で６８ｄｙｎ／ｃｍ未満である。 - 特許庁

Following that the alloy film 7, the barrier metal layer 5, and the first seed layer 4 remaining on the upper surface, excluding the wiring groove 2a, of the insulating film 2 are removed by the CMP method, thereby forming a wiring 7A in the wiring groove 2a.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法により、絶縁膜２の配線溝２ａを除く上面に残存する合金膜７、バリア層５及び第１のシード層４を除去することにより、配線溝２ａに配線７Ａを形成する。 - 特許庁

A multi-layer disk overcoat is used to protect the recording layer, and at least one of the overcoat layers functions as a stop layer in order to terminate a chemical-mechanical polishing (CMP) process to practically planarize the disk.例文帳に追加

記録層を保護するために多層ディスクオーバーコートが使用され、オーバーコート層の少なくとも１つは、ディスクをほぼ平坦化する化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を終了するための停止層として機能する。 - 特許庁

To provide a polishing method that achieves high flatness of a polished surface of a polishing body after CMP processing, and further reduces the defect density of scratches or the like on the polishing surface of the polishing body compared with the conventional one.例文帳に追加

ＣＭＰ処理後に、被研磨体の研磨面が高い平坦性を有するとともに、被研磨体の研磨面におけるスクラッチなどの欠陥密度を従来に比して低減させることができる研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

To prepare a porous silica film which has a low relative permittivity and the mechanical strengths to sufficiently withstand a chemical and mechanical polishing (CMP) step in the copper wiring step of a semiconductor device and, simultaneously, reduces the amount of gaseous pollutants on forming a via hole.例文帳に追加

比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid composition for CMP which can exhibit a high polishing speed and a high etching suppression effect at the same time, can provide for a uniform and stable effect, and can be used even in a conventional wide-use polishing apparatus.例文帳に追加

高い研磨速度と高いエッチング抑制効果を両立して発現でき、均一で安定的な効果が得られ、従来汎用の研磨装置を用いることも可能である、ＣＭＰ用の研磨液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution recycling system capable of keeping the quality of the surface of semi-conductor wafer, or the like in a CMP device excellent for a long time by maintaining the nature of the polishing solution stable.例文帳に追加

研磨液の性状を安定に保つことにより、ＣＭＰ装置における半導体ウエハー等の加工表面品質を長期にわたり良好に保つことが出来るＣＭＰ装置の研磨液再利用システムを提供する。 - 特許庁

To provide CMP equipment, wherein the whole surface of a semiconductor wafer is polished with direct pressure by using only gas and can be polished uniformly through the adjustment of the pressure of the gas applied to the wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの全面をガスのみで直接加圧して研磨するＣＭＰ装置であって、ウェーハに加わるガス圧を調整することによって、ウェーハ全面を均一に研磨することができるＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

After forming a first insulation film on the principal plane of a semiconductor substrate, a first conductive film is formed on the first insulation film and then the front face of the first conductive film is flattened by CMP method (processes S10-S40).例文帳に追加

半導体基板の主面上に第１絶縁膜を形成した後、第１絶縁膜上に第１導電膜を形成し、ＣＭＰ法によって第１導電膜の表面を平坦化する（工程Ｓ１０〜Ｓ４０）。 - 特許庁

To reduce unevenness of gate pattern density in a semiconductor device having a damascence-type or replacement-type gate and to prevent dishing from occurring in a CMP process for making an upper face of a dummy gate exposed.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

Subsequently, the surface of the interlayer insulation film 4a is polished using a CMP method until the interlayer insulation film 4 remaining on the metal wiring 3 has a predetermined thickness thus planarizing the surface of the interlayer insulation film 4a.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法を用いて、金属配線３上の層間絶縁膜４ａの残膜が所定の膜厚になるまで層間絶縁膜４の表面を研磨して、層間絶縁膜４ａの表面を平坦化する。 - 特許庁

In this way, the barrier layer 5a and the copper wiring 8 are not formed on the insulating layer 2, so that a CMP stage for the plated part can be obviated, and further, the wiring layer 31 having high adhesive strength can be formed.例文帳に追加

これにより絶縁層２上にはバリア層５ａ及び銅配線８は形成されないため、めっき部のＣＭＰ工程を省くことができると共に、被着強度の高い配線層３１を形成することができる。 - 特許庁

To provide a polishing slurry preferably used for a CMP process, which can prevent the occurrence of dishing or erosion by having high polishing selectivity and high clear performance while maintaining a high polishing speed significant in the industrial field.例文帳に追加

工業的に意味のある研磨速度を維持しつつ、高い研磨選択性と高いクリア性を有することでディッシングやエロージョンの発生を抑制した、ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing slurry preferably used for a CMP process, which can suppress the generation of dishing or erosion by having high polishing selectivity and high clear performance while maintaining a high polishing speed significant in the industrial field.例文帳に追加

工業的に意味のある研磨速度を維持しつつ、高い研磨選択性と高いクリア性を有することでディッシングやエロージョンの発生を抑制した、ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

In the process of forming the STI layer 10, trenches are formed on the Si substrate 1, a SiO_2 film is embedded in the trenches, and a CMP treatment is applied to the SiO_2 film by using the SiN film 9 for a stopper.例文帳に追加

また、上記のＳＴＩ層１０を形成する工程では、Ｓｉ基板１にトレンチを形成し、トレンチ内にＳｉＯ_2膜を埋め込み、その後、ＳｉＮ膜９をストッパーに用いてＳｉＯ_2膜にＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁

Subsequently, after metal wiring material 45 is formed on the entire surface and the surface is graded or polished by a CMP processing, a metal wiring film 45W is obtained in the state where it is buried in the concave portions or the groove portions (41, 42).例文帳に追加

その後、金属配線材料４５を全面に形成し、ＣＭＰ処理で表面を研削または研磨すると、凹部または溝部４１，４２に埋め込まれた状態の金属配線膜４５Ｗが得られる。 - 特許庁

On the basis of mask data of a semiconductor wafer of a product kind [A] which has been worked and on the basis of a residual film thickness value which is actually measured, a value of a parameter contained in a basic formula is determined so as to regenerate the characteristic of CMP equipment (S202).例文帳に追加

加工済みの製品種「Ａ」の半導体ウエハのマスクデータおよび実測残膜厚値に基づき、基礎式に含まれるパラメータの値を、ＣＭＰ装置の特性を再現するように決定する(Ｓ２０２)。 - 特許庁

To provide a conditioner for CMP manufactured by bonding super- abrasives to the acting face of a base metal through a solder material exhibiting a high holding force in which waviness is suppressed even if a thin base metal is employed and excellent planarity is ensured.例文帳に追加

金属製台金の作用面に、超砥粒を高い保持力が発揮されるロウ材で固着してなり、しかも薄い台金を用いても、うねりが少なく、平坦度に優れるＣＭＰ用コンディショナを提供する。 - 特許庁

As a result, in a cleaning step using a hydrofluoric acid after a CMP (chemical mechanical polishing) step, a cleaning solution can be avoid from passing through the gap between the film 9 and the side wall of the via hole 8 and being impregnated into the film 3.例文帳に追加

その結果、ＣＭＰ工程後のフッ酸を用いた洗浄工程において、洗浄液が、バリアメタル膜９とヴィアホール８の側壁との間の隙間を通って金属膜３内に染み込むことはない。 - 特許庁

To provide a polishing pad capable of providing both high flatness and high uniformity in a wafer surface, eliminating the possibility of causing a separation at the time of use, and providing an excellent durability in the polishing pad used in CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法で使用する研磨パッドにおいて、高い平坦度とウエハ面内での高い均一性とが両立可能であって、使用時に剥離等の生じる恐れがなく耐久性に優れるものを提供する - 特許庁

After a conductive film 104 is formed on the second insulating film 102 to bury the via hole 103, the conductive film 104 outside the via hole 103 is removed by the CMP to form a via plug 105.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０２の上にビアホール１０３が埋まるように導電膜１０４を形成した後、ビアホール１０３の外側の導電膜１０４をＣＭＰにより除去し、それによってビアプラグ１０５を形成する。 - 特許庁