「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, the surface of the insulating film 2 between the wiring grooves 3 is scratched in the CMP process, and a portion of the conductive film 5(conductive film materials 6) are embedded in the scratch, and a short status may be generated between wiring.例文帳に追加

ここで、ＣＭＰ時に配線溝３間の絶縁膜２表面に傷が付き、その傷中に導電膜５の一部分（導電膜材料６）が埋め込まれ、配線間でショート状態となる場合がある。 - 特許庁

In the CMP conditioner for fixing abrasive grains by electrodeposition technology, abrasive grains with large protrusion amounts of diamond abrasive grains are removed, and thereby protrusion amounts are arranged evenly without damaging the diamond abrasive grains.例文帳に追加

電着技術により砥粒を固着するＣＭＰコンディショナにおいて、ダイヤモンド砥粒の突出量が高い砥粒を除去することによって、ダイヤモンド砥粒に損傷を与えることなく突出量をそろえる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a damascene gate or a replaced gate, wherein the uneven gate pattern density is small, and in a CMP process of exposing the upper surface of a dummy gate, dishing does not occur.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

The stopper films 26 in lower polishing rate by CMP process than that of the copper film 25 are formed on the surface of the copper film 24 (a) and (d) so as to polish the copper film 25 and the stopper films 26.例文帳に追加

銅膜２５の表面にそのＣＭＰ法による研磨速度が銅膜２５の研磨速度よりも小さいストッパ膜２６を形成し（（ａ）および（ｄ））、ＣＭＰ法により銅膜２５およびストッパ膜２６を研磨する。 - 特許庁

After a silicon nitride film 6 is formed as an oxygen transmission preventing film on the first interlayer insulating film 2 and a barrier metal 5, the silicon nitride film 6 is ground by the CMP method, until the surface of the barrier metal 5 is exposed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２及びバリアメタル５上に酸素透過防止膜として、窒化シリコン膜６を形成した後、ＣＭＰ法によりバリアメタル５上表面が露出するまで、窒化シリコン膜６を研磨する。 - 特許庁

To provide a polishing compound in which reliable embedded pattern of a metal film can be formed efficiently by fully decreasing etching rate while maintaining high CMP speed, and to provide a polishing method therefor.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効率よく形成することができる、ＣＭＰ用研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the copper film and the barrier metal layer 21 in the region other than the wiring grooves 20 are removed by a CMP method, and the wiring lines 22 serving as a second wiring layer whose main conductor layer is formed of the copper film are formed inside the wiring grooves 20.例文帳に追加

その後、配線溝２０以外の領域の銅膜およびバリアメタル層２１をＣＭＰ法により除去して、配線溝２０の内部に銅膜を主導体層とする第２配線層の配線２２を形成する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 29 is formed after a plate electrode 28 is formed, and a CMP operation is carried out, using the plate electrode 28 on an SiO2 film 34 formed in a peripheral circuit region 56 as a stopper to make the surface flat.例文帳に追加

プレート電極２８の形成後に層間絶縁膜２９を形成し、周辺回路領域５６に形成されたＳｉＯ_２膜３４上のプレート電極２８をストッパーにＣＭＰを行い、平坦化している。 - 特許庁

Then, nano-columns 6 uniform in height are formed through a rotation polishing process using a silicon CMP technique (Figure 1 (b)), a p-type GaN substrate 7 is laminated on the p-type GaN nano-columns 5 and pasted together by heating/pressing (Figure 1 (c)).例文帳に追加

次に、シリコンＣＭＰ技術を用いて回転研磨を行い、均一な高さのナノコラム６を形成し（図１（ｂ））、ｐ型ＧａＮナノコラム５上に、ｐ型ＧａＮ基板７を積層し、加熱・加圧して貼合わせる（図１（ｃ））。 - 特許庁

Subsequently, after metal wiring material 45 is formed on the entire surface and the surface is graded or polished by a CMP processing, a metal wiring film 45W is obtained in the state where it is buried in the concave portions or the groove portions (41, 42).例文帳に追加

その後、金属配線材料４５を全面に形成し、ＣＭＰ処理で表面を研削または研磨すると、凹部または溝部４１，４２に埋め込まれた状態の金属配線膜４５Ｗが得られる。 - 特許庁

On the basis of mask data of a semiconductor wafer of a product kind [A] which has been worked and on the basis of a residual film thickness value which is actually measured, a value of a parameter contained in a basic formula is determined so as to regenerate the characteristic of CMP equipment (S202).例文帳に追加

加工済みの製品種「Ａ」の半導体ウエハのマスクデータおよび実測残膜厚値に基づき、基礎式に含まれるパラメータの値を、ＣＭＰ装置の特性を再現するように決定する(Ｓ２０２)。 - 特許庁

To provide a conditioner for CMP manufactured by bonding super- abrasives to the acting face of a base metal through a solder material exhibiting a high holding force in which waviness is suppressed even if a thin base metal is employed and excellent planarity is ensured.例文帳に追加

金属製台金の作用面に、超砥粒を高い保持力が発揮されるロウ材で固着してなり、しかも薄い台金を用いても、うねりが少なく、平坦度に優れるＣＭＰ用コンディショナを提供する。 - 特許庁

This CMP treatment system can reduce the influence of scattering of light due to the slurry that is the obstacle for the optical measurement under polishing and can reduce a consuming volume of the purified water used for the optical measurement by removing the slurry.例文帳に追加

研磨中の光学測定の障害となるスラリによる光の散乱の影響を少なくすることができると共にスラリを除去し光学測定に用いる純水使用量を少なくすることができる。 - 特許庁

Accordingly, the surface of the ground polishing pad 3 has the sufficient parallelism to the adapter 7, thus keeping the sufficient parallelism to the surface of the adapter for a CMP polisher when the pad plate is used actually.例文帳に追加

これにより、研削される研磨パッド３の表面が、アダプタ７と十分な平行度を有するものとなり、よって、実際に使用されるときに、ＣＭＰ研磨装置のアダプタの表面と十分な平行度を保つものとなる。 - 特許庁

When manufacturing the semiconductor, it is plasma processed by a non-nitriding atmosphere after being polish processed by CMP to form a damage layer on an upper layer portion of the second interlayer insulating film 3 and on an upper layer portion of the conductive layer 5.例文帳に追加

またその製造に際しては、ＣＭＰによる研磨処理の後に、非窒化性雰囲気でプラズマ処理を行い、第２の層間絶縁膜３の上層部および導体膜５の上層部にダメージ層を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for a CMP in which polishing slurry is held suitably between a surface to be polished and the polishing pad, and which can obtain a polishing rate in the surface to be polished uniformly without the excess consumption of the polishing slurry.例文帳に追加

被研磨面と研磨パッドとの間に研磨スラリーが適切に保持されて、研磨スラリーの余分な消費がなく、被研磨面内での研磨レートを均一にできるＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

This load cup 4 of a CMP device 1 has a pedestal 12 supporting a wafer W, and three substrate grip members 23 gripping the wafer W by pressing an edge of the wafer W are arranged on a side of the pedestal 12.例文帳に追加

ＣＭＰ装置１のロードカップ４は、ウェハＷを支持するペデスタル１２を有し、このペデスタル１２の側方には、ウェハＷのエッジを押し付けてウェハＷを把持する３つの基板把持部材２３が配置されている。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a diamond film where a recessed part is easily formed without performing masking and etching on the surface of the diamond film and to provide a CMP pad conditioner using the diamond film for a cutting blade.例文帳に追加

ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

The comparator CMP, the flip-flop FF, and the clock generation unit CLK supply a gate signal to the gate of the switch element Q1 according to the voltage divided by the resistors R2, R3 and the voltage converted by the resistor R1.例文帳に追加

比較器ＣＭＰと、フリップフロップＦＦと、クロック生成部ＣＬＫとは、抵抗Ｒ２、Ｒ３で分圧された電圧と、抵抗Ｒ１により変換された電圧と、に応じて、スイッチ素子Ｑ１のゲートにゲート信号を供給する。 - 特許庁

To provide a polishing method in which improvement in polishing speed of a silicon oxide film or the like and reduction in polishing scratches can be easily performed in a CMP technology of planarizing an interlayer insulating film, a BPSG film and an STI film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨速度の向上と、研磨傷の低減を容易に行なうことができる研磨方法を提供する。 - 特許庁

A CMP sensor 50b senses when a common mode pulse event occurs and adds current to an auxiliary current source 50a to compensate for a decrease in LED drive current caused by the occurrence of the event.例文帳に追加

同相モード・パルス・イベントが発生したことをＣＭＰセンサ５０ｂで検知し、補助電流源５０ａに加えて、イベントが発生することによって引き起こされたＬＥＤ駆動電流の減少を補償する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing device and the polishing method of a semiconductor substrate capable of stably and definitely judging the end point of polishing and capable of improving the yield of semiconductor substrates obtained after polishing.例文帳に追加

研磨の終点を安定に且つ確実に判定することができ、かつ研磨後に得られる半導体基板の歩留まりを向上させることが可能なＣＭＰ研磨装置、及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device excelling in surface flatness by improving uniformity of a polishing speed in polishing an isolation oxide film by a CMP method, in a semiconductor device using a trench type isolation oxide film for element isolation.例文帳に追加

素子分離にトレンチ型分離酸化膜を用いた半導体装置において分離酸化膜をＣＭＰ法で研磨する際の研磨速度の均一性を向上して表面平坦性の良好な半導体装置を得る。 - 特許庁

To prevent generating of irregularity in finish of an active region when a large isolation region exists in a semiconductor device with an isolation region which is made flat by a CMP.例文帳に追加

本発明はＣＭＰで平坦化される分離領域を有する半導体装置に関し、大きな分離領域が存在する場合に活性領域の仕上がり状態にばらつきが生ずるのを防止することを目的とする。 - 特許庁

After a silicon oxide film 12 is formed so as to coat the silicon gate electrodes 6a, 6b, the surface of the silicon oxide film 12 is polished by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method, thereby exposing surfaces of the silicon gate electrodes 6a, 6b.例文帳に追加

そして、シリコンゲート電極６ａ、６ｂを覆うように酸化シリコン膜１２を形成した後、酸化シリコン膜１２の表面をＣＭＰ法で研磨することにより、シリコンゲート電極６ａ、６ｂの表面を露出する。 - 特許庁

To provide a high-quality abrasive for insulation film of a semiconductor which can increase a polishing speed while at the same time reducing scratches and dust when polishing an insulation film of a semiconductor by CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる、品質の優れた、半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor surface treating agent in this invention is useful as a developing solution, remover, or cleaning solution used for a semiconductor manufacturing process, and also useful as a polishing solution of CMP and its post-treatment cleaning solution.例文帳に追加

本発明の半導体表面処理剤は、半導体製造工程で用いられる現像液、剥離液あるいは洗浄液として有用であるほか、ＣＭＰの研磨液やその後処理洗浄液としても有用である。 - 特許庁

A sloped surface is formed, after the first insulating layer has been polished by CMP, and a planarization process further levels off this nonuniform surface, so that a uniform insulator thickness having a preferable sensor function is formed.例文帳に追加

第一絶縁層が、ＣＭＰにより研磨された後、傾斜表面が形成され、更に、平坦化工程によりこの不均一表面を除去し、好ましいセンサー機能を有する均一な絶縁体厚さを形成する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method which eliminates the need of posterior processes such as CMP in wiring formation process when manufacturing a wiring board having at least one conductor layer and one resin insulation layer.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、配線形成プロセスにおいてＣＭＰ等の後加工を必要としない新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

The adjustment of the exposure energy according to the film thickness, if elements regarded as peculiarities of such equipment as an etching apparatus and a CPU apparatus are taken into consideration, contributes to improvements in accuracy of subsequent CMP polishing.例文帳に追加

膜厚に応じた露光量の調節は、例えば、エッチング装置、ＣＭＰ装置等の装置のクセとして捉えられる要素を考慮することにより、その後のＣＭＰ研磨の精度向上に資することができる。 - 特許庁

After a normal MISFET using a gate electrode 5 of polycrystal silicon is formed, an inter-layer insulating film 21 is flattened by CMP so that the polycrystal silicon gate electrode 5 is exposed before an aluminum film 22 is deposited.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極５を用いた通常のＭＩＳＦＥＴを形成後、層間絶縁膜２１をＣＭＰにより平坦化し、多結晶シリコンゲート電極５を露出させた後、アルミニウム膜２２を堆積する。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a diamond film where the diamond film is formed to be comparatively thick and precisely and selectively on the surface of a matrix and where contamination in the diamond film is prevented and to provide a CMP pad conditioner.例文帳に追加

ダイヤモンド膜を母体の表面に比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成でき、ダイヤモンド膜のコンタミネーションを防止できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

This game machine notifies the detection of the fraud based on the output of the comparator CMP so as to detect the fraud of short-circuiting the output of the token output sensor to a power supply voltage or a ground potential.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰの出力に基づき不正行為を検知した旨の報知を行うようにしたので、メダル払出センサの出力を電源電圧又は接地電位にショートするという不正行為を検知することができる。 - 特許庁

The CMP slurry is formulated with an oxidizer, capable of oxidizing a metal undergoing planarization and yielding a complexing agent which complexes with the oxidized metal, thereby minimizing overetching.例文帳に追加

ＣＭＰスラリーは、平坦化される金属を酸化することができ、また酸化された金属と錯体を形成する錯化剤を生ずることができる酸化剤を使用して処方され、それによりオーバーエッチィングを最小限度に抑える。 - 特許庁

To control dishing and erosion occurring on the chemical and mechanical polishing(CMP) of a copper-based metal film, when a copper-based metal- embedded wiring is formed on a barrier metal film comprising a tantalum-based metal.例文帳に追加

タンタル系金属のバリア金属膜上に、銅系金属の埋め込み配線を形成する場合において、銅系金属膜の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）時に発生するディッシング及びエロージョンを抑制する。 - 特許庁

The chemical - mechanical polishing(CMP) slurry for polishing the layer of copper or that of the alloy of copper contains an etchant, an oxidation suppression agent, and an additive for adjusting the complexing between the copper and the oxidation suppression agent.例文帳に追加

本発明の、銅の層又は銅の合金の層を研摩する化学的−機械的研摩（ＣＭＰ）スラリーは、エッチャントと、酸化抑制剤と、銅及び酸化抑制剤の間の錯化を調整する添加剤とを含む。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, which can manufacture a semiconductor device without using a surface polishing equipment (CMP) which scrapes off the surface of a plated layer by mechanically polishing the surface.例文帳に追加

機械的にメッキ層の表面を研磨して削り取る表面研磨装置（ＣＭＰ）を用いることなく半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法や処理装置を提供する。 - 特許庁

In this way, the barrier layer 5a and the copper wiring 8 are not formed on the insulating layer 2, so that a CMP stage for the plated part can be obviated, and further, the wiring layer 31 having high adhesive strength can be formed.例文帳に追加

これにより絶縁層２上にはバリア層５ａ及び銅配線８は形成されないため、めっき部のＣＭＰ工程を省くことができると共に、被着強度の高い配線層３１を形成することができる。 - 特許庁

To provide a polishing slurry preferably used for a CMP process, which can prevent the occurrence of dishing or erosion by having high polishing selectivity and high clear performance while maintaining a high polishing speed significant in the industrial field.例文帳に追加

工業的に意味のある研磨速度を維持しつつ、高い研磨選択性と高いクリア性を有することでディッシングやエロージョンの発生を抑制した、ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing slurry preferably used for a CMP process, which can suppress the generation of dishing or erosion by having high polishing selectivity and high clear performance while maintaining a high polishing speed significant in the industrial field.例文帳に追加

工業的に意味のある研磨速度を維持しつつ、高い研磨選択性と高いクリア性を有することでディッシングやエロージョンの発生を抑制した、ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

In the process of forming the STI layer 10, trenches are formed on the Si substrate 1, a SiO_2 film is embedded in the trenches, and a CMP treatment is applied to the SiO_2 film by using the SiN film 9 for a stopper.例文帳に追加

また、上記のＳＴＩ層１０を形成する工程では、Ｓｉ基板１にトレンチを形成し、トレンチ内にＳｉＯ_2膜を埋め込み、その後、ＳｉＮ膜９をストッパーに用いてＳｉＯ_2膜にＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁

As a result, in a cleaning step using a hydrofluoric acid after a CMP (chemical mechanical polishing) step, a cleaning solution can be avoid from passing through the gap between the film 9 and the side wall of the via hole 8 and being impregnated into the film 3.例文帳に追加

その結果、ＣＭＰ工程後のフッ酸を用いた洗浄工程において、洗浄液が、バリアメタル膜９とヴィアホール８の側壁との間の隙間を通って金属膜３内に染み込むことはない。 - 特許庁

After a conductive film 104 is formed on the second insulating film 102 to bury the via hole 103, the conductive film 104 outside the via hole 103 is removed by the CMP to form a via plug 105.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０２の上にビアホール１０３が埋まるように導電膜１０４を形成した後、ビアホール１０３の外側の導電膜１０４をＣＭＰにより除去し、それによってビアプラグ１０５を形成する。 - 特許庁

The HDP-NSG film 16 which is flat and has little dispersion in a remaining film is subjected to wet etching, dry etching or CMP in good plane uniformity, and the HDP-NSG film 16 is thinned.例文帳に追加

次に、この平坦でかつ残膜ばらつきの少ないＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６に、面内均一性のよい条件でウェットエッチング、ドライエッチングまたはＣＭＰを施し、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６を薄膜化する。 - 特許庁

One part of the insulation film 11 is removed together with the unwanted part of a metal 14 for plug by using a CMP technique until a level in which an edge region (of diameter d2) larger than the substantial diameter d1 of a via hole 12 disappears.例文帳に追加

ＣＭＰ技術を利用しビアホール１２の実質的な径ｄ１より大きい縁部領域（径ｄ２）がなくなるレベルまで、層間絶縁膜１１の一部をプラグ用金属１４の不要部分と共に除去する。 - 特許庁