「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A wiring groove 52 is formed in a first insulating film 51 constituted of a carbon content silicon oxide film, and then tantalum nitride 53a and copper 53b are accumulated, and first metallic wiring 53 is formed by a CMP method.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜５１に配線溝５２を形成後、タンタルナイトライド５３ａ、銅５３ｂを堆積した後、ＣＭＰ法により第１の金属配線５３を形成する。 - 特許庁

Then, a conductor layer, the barrier film, and the cap insulating film are polished by second CMP using slurry having higher wettability for the conductive material than for the low-dielectric-constant film.例文帳に追加

次に、導電性材料に対する濡れ性が低誘電率膜に対する濡れ性よりも高いスラリーを用いた第２のＣＭＰにより、導電体層、バリアメタル膜およびキャップ絶縁膜を研磨する。 - 特許庁

A copper film is deposited on the copper film 17 by sputtering to fill a recessed part (wiring channel 15), and an excessive copper film and titanium nitride film other than the wiring channel 15 are removed by a CMP method to form a wiring.例文帳に追加

さらに銅膜１７上にスパッタ法により銅膜を堆積して凹部（配線溝１５）を埋め込み、配線溝１５以外の余分な銅膜、窒化チタン膜をＣＭＰ法により除去して配線を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing pad used in a CMP method and capable of allowing high flatness and high uniformity in a surface of a wafer to be compatible and having no possibility of generating a release or the like at its using time.例文帳に追加

ＣＭＰ法で使用する研磨パッドにおいて、高い平坦度とウエハ面内での高い均一性とが両立可能であって、使用時に剥離等の生じる恐れがないものを提供する - 特許庁

An adhesive film 235 like silicon is deposited on the CMP stop layer 210, and a filling material 240 containing an oxide silicon (SiO_x) is deposited on the adhesive film 235 in contact with the adhesive film 235.例文帳に追加

シリコンのような接着膜２３５がＣＭＰ停止層２１０上に堆積され、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を含む充填材料２４０が、接着膜２３５上に接着膜２３５に接して堆積される。 - 特許庁

The polishing composition for CMP of pH 5-10 which comprises polishing abrasive grains, an oxidizing agent, an organic acid, an anticorrosive, a surfactant and a pH adjuster, and a polishing method are provided.例文帳に追加

研磨砥粒、酸化剤、有機酸、防食剤、界面活性剤、およびｐＨ調整剤を含有してなり、ｐＨが５〜１０であることを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物および研磨方法。 - 特許庁

To provide a method for forming buried metallization by a buried metallization method (damascene method) in which erosion is suppressed at the time of CMP and metal diffusion into an interlayer insulation film is prevented.例文帳に追加

ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線法（ダマシン法：Damascene）による埋め込み金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) method capable of preventing a wafer from being cracked or getting chipped, even for a face to be polished where a step difference of unevenness of the face to be polished is 0.3 to 2.0 times a board thickness.例文帳に追加

被研磨面の凹凸段差が基板厚さの０．３〜２．０倍以上あるような被研磨面においてもウエハが割れたり欠けたりしない化学機械研磨（ＣＭＰ）方法を提供する。 - 特許庁

Also this CMP treatment system can mitigate the influence that the purified water used for the optical measurement gets into the polishing cloth and reduces the density of the slurry, and can reduce changes of polishing characteristics such as degradation of polishing speed.例文帳に追加

また光学測定のために使用する純水が研磨布上に入り込んでスラリの濃度が低下するという影響を少なくし研磨速度の低下などの研磨特性の変化を少なくできる。 - 特許庁

In the dress method in the CMP, the flatness of dress is made at most 20 μm, a dress time is made at least 15 sec, dress density is made at least 120 m/m^2, a dress locus is set random, and the polishing speed is maximized.例文帳に追加

ドレスの平坦性を２０μｍ以下にしたもので、ドレス時間を１５秒以上にして、ドレス密度を１２０ｍ／ｍ^2以上でドレス軌跡をランダムにした上で、研磨速度が最大になるようにする。 - 特許庁

To provide a polishing material and a polishing method for composite films comprising a magnetic metal membrane and an insulating material film and able to carry out a CMP treatment without generating defects such as scratches and the like on the magnetic metal membrane.例文帳に追加

磁性金属膜上にスクラッチ等の欠陥を生じることなくＣＭＰ処理が可能な磁性金属膜および絶縁材料膜の複合材料膜用研磨材及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and water absorbency characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., having small-sized voids and excellent in CMP resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

Before forming a main magnetic pole, a raised layer 23 is formed outside a position where the main magnetic pole is formed, so that the height of a CMP stopper film 27 is set to be a position higher than the main magnetic pole 13.例文帳に追加

主磁極を形成する前に、主磁極形成位置の外側にかさ上げ層２３を形成しておくことにより、ＣＭＰストッパ膜２７の高さを主磁極１３より高い位置に設定する。 - 特許庁

A reflector 21 is formed, after forming a MOS transistor, insulation films 14, 15, 18 and 19, and connecting plugs 16a and 20a on a silicon substrate 11 and performing CMP polishing of the surface of the insulation film 19.例文帳に追加

シリコン基板１１にＭＯＳトランジスタ、絶縁膜１４，１５，１８，１９及び接続プラグ１６ａ，２０ａを形成し、絶縁膜１９の表面をＣＭＰ研磨した後、反射電極２１を形成する。 - 特許庁

Afterwards, the BPSG films 27 and 40 are ground by the method of CMP using a silicon nitride film 26 as a stopper, and all the BPSG films 27 and 40 on a control gate are removed.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜２６をストッパーに用いたＣＭＰ法によりＢＰＳＧ膜２７、４０の研磨を行い、制御ゲート上のＢＰＳＧ膜２７、４０を全て除去することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of stably forming a fine pattern which is 50 nm or less by minimizing nonuniformity generated at the time of CMP in the step of forming the fine pattern.例文帳に追加

微細パターンの形成工程におけるＣＭＰ時に生じる不均一性を最小化し、５０ｎｍ以下の微細パターンを安定的に形成可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In an annealing process preceding CMP, temperature in the range from room temperature (RT) to about 50°C is thrown into heat treatment equipment and organic materials in the metal are not carbonized but discharged to the outside.例文帳に追加

ＣＭＰ前のアニール工程において、熱処理装置内への投入する温度を室温（ＲＴ）から５０℃程度の範囲の低温で投入して、金属内の有機物を炭化させないで、外部放出させる。 - 特許庁

Subsequently, a second copper thin film having sufficient thickness is formed through sputtering on the film 5 in a short time, and then flattened on its surface by a CMP process to form a copper wiring.例文帳に追加

続いてスパッタ法により第１銅薄膜５上に短時間で十分な膜厚の第２銅薄膜６を形成した後、ＣＭＰ法により表面を平坦化して銅配線７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof such that the factor of a decrease in yield such as variance in film thickness after CMP which is caused in a manufacturing process can be removed in a stage of designing.例文帳に追加

製造工程で生じるＣＭＰ後の膜厚ばらつき等の歩留まり低下要因を設計段階で取り除くことができる半導体集積回路及びそのレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a conductive member is prevented from remaining on an interlayer insulating film when a planarization process is performed by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による平坦化工程を行う際に、層間絶縁膜上に導電部材が残存することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The metal contaminated sample of the silicon wafer is fabricated performing CMP (chemical mechanical polishing) on the silicon wafer used as a sample to cause heavy metal contamination by using a polishing slurry added with a heavy metal.例文帳に追加

重金属を添加した研磨スラリーを用い、試料用のシリコンウェーハにＣＭＰ（化学機械研磨）を施して重金属を汚染させることにより、シリコンウェーハの金属汚染試料を作製する。 - 特許庁

A silicon oxide film is polished using a polishing solution for CMP, the polishing solution containing an abrasive grain, an additive containing a 3-carbonyl-2H-pyran-2,4(3H)-dione compound expressed by the following general formula (1), and water.例文帳に追加

砥粒と、下記一般式（１）で表される３−カルボニル−２Ｈ−ピラン−２，４（３Ｈ）−ジオン系化合物を含む添加剤と、水と、を含有するＣＭＰ用研磨液を用い、酸化ケイ素膜を研磨する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer capable of suppressing film peeling by an oxide film thickness decline at a wafer outer periphery by CMP in a device process while keeping the high flatness of a wafer surface.例文帳に追加

ウェーハ表面の高平坦度を保ちつつ、デバイス工程におけるＣＭＰによるウェーハ外周部での酸化膜厚み低下による膜剥がれを抑制することができる半導体ウェーハを提供する。 - 特許庁

Then, after formation of a stopper film 53 on the entire surface, polishing is performed by CMP method until the position of the upper surface of the magnetic film 36 matches that of the upper surface of the stopper film 53 on the photoresist film 52.例文帳に追加

次いで、全面にストッパ膜５３を形成した後、磁性膜３６の上面の位置がフォトレジスト膜５２上のストッパ膜５３の上面の位置と一致するまでＣＭＰ法により研磨する。 - 特許庁

To provide a slurry supply device of a CMP device improved in polishing performance for a wafer by efficiently supplying a necessary amount of slurry to a wafer portion on a polishing pad.例文帳に追加

研磨パッド上のウェーハ部分に所要量のスラリーを効率よく供給して該ウェーハに対する研磨性能を向上させうるＣＭＰ装置におけるスラリー供給装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To get a lower electrode in specified form surely when forming the lower electrode especially by CMP method at the time of formation of the capacitive element having a capacity insulating film consisting of a ferroelectric.例文帳に追加

強誘電体からなる容量絶縁膜を持つ容量素子の形成時であって、特にＣＭＰ法により下部電極を形成する際に所定形状の下部電極を確実に得られるようにする。 - 特許庁

To provide an insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant and high heat resistance and has mechanical strength and adhesiveness high enough to be tolerable to a CMP process.例文帳に追加

低い誘電率と高い耐熱性を有し、なおかつＣＭＰ工程に充分に耐えることができる良好な機械強度と密着性能を有した半導体装置の絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that prevents scratches from being generated in CMP processing and short circuit with an adjacent plug from being generated when forming a contact plug in a semiconductor element using a low temperature silicide film.例文帳に追加

低温シリサイド膜を使用する半導体素子において、コンタクトプラグ形成時に、ＣＭＰ処理でスクラッチが発生し、隣接のプラグとの短絡が生じるのを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for semiconductor substrates having excellent cleaning properties to particular foreign materials and ionic foreign materials on the semiconductor substrates after CMP process, and excellent in temperature dependent stability.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス後の半導体基板上の粒子状異物やイオン状異物に対する優れた洗浄性を有し、かつ温度に対する安定性にも優れた半導体基板用洗浄液を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating thin film being porous silica which has low specific dielectric constant and mechanical strength sufficiently resistant to a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor device.例文帳に追加

多孔性シリカである絶縁性薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する絶縁性薄膜を提供する。 - 特許庁

To prevent the lowering of a polishing rate when a polishing agent includes an ionic surface activating agent in a polishing method and a manufacturing method of semiconductor device using a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method.例文帳に追加

ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いた研磨方法及び半導体基板の製造方法において、研磨剤中にイオン性界面活性剤を含有させた場合の研磨速度の低減を防止すること。 - 特許庁

This polishing pad is formed by impregnating a urethane foam resin into nonwoven fabric, and polishes a polishing object by non-CMP polishing, and has a plurality of holes 2 and a plurality of grooves 3 on a polishing surface 1.例文帳に追加

不織布に発泡ウレタン樹脂が含浸されて形成され、被研磨物を非ＣＭＰ研磨で研磨する研磨パッドであって、その研磨面１に複数の孔部２と複数の溝部３とを具備する。 - 特許庁

In addition, the CMP polishing liquid of the present invention contains cerium-based abrasive grains, a dispersant, a polyacrylic acid compound, a surfactant, a phosphate compound and water, and the content of the phosphate compound is in a prescribed range.例文帳に追加

また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 - 特許庁

Thereafter, a groove 12 is formed by etching the silicon nitride film 3 and silicon oxide film 4 using a resist pattern 11 as a mask, and an SiOC film 13 is embedded only in the groove 12 with the CMP method.例文帳に追加

その後、レジストパターン１１をマスクとしてシリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４をエッチングして溝１２を形成し、溝１２内のみにＳｉＯＣ膜１３をＣＭＰ法を用いて埋込む。 - 特許庁

After Cu is deposited over the entire surface, Cu on the insulating layer 12 is removed by CMP operation, Cu is selectively filled into the via hole 13, and the wiring groove 14 forms a Cu damascene wiring.例文帳に追加

そして、Ｃｕを全面に堆積した後、ＣＭＰを行って絶縁層１２上のＣｕを除去して、ヴィアホール１３及び配線溝１４に選択的にＣｕを埋め込んで、Ｃｕダマシン配線を形成する。 - 特許庁

After the residual volume averaging treatment, CMP polishing is carried out in Step S40.例文帳に追加

かかる残存体積平均化処理後にステップＳ４０でＣＭＰ研磨を施すことにより、かかる残存体積平均化処理を行わない場合に比べて格段にＣＭＰ研磨の平坦精度を上げることができる。 - 特許庁

To provide a polishing solution material for metals for manufacturing an LSI which has rapid CMP velocity, ensures uniformity on a wafer surface and generates less corrosion, scratch, thinning, dishing, erosion or the like.例文帳に追加

迅速なＣＭＰ速度を有し、ウエハー面内均一性を確保し、かつコロージョンやスクラッチ、シニング、ディッシング、エロージョンなどの発生が少ないＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液材料を提供する。 - 特許庁

A flaw on the surface formed in a grinding step like CMP is removed in a simple step with a compact apparatus, and a high quality ground product can be provided at low cost.例文帳に追加

ＣＭＰ等の研磨工程で形成された表面の微細な傷を、コンパクトな装置と簡単な工程で除去することが可能となり、低コストで高品位の被研磨製品を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective liquid crystal display panel by which a level difference in film thickness caused by difference in pattern density in CMP of an interlayer insulating film can be decreased.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰでパターン密度差起因により発生する膜厚段差を低減することができる反射型液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then the laminated film on the interlayer insulating film 1, which comprises the Cu film 6, second WN film 5, W film 4, and first WN film 3, is removed by CMP method, etc., to form a channel wiring 7.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法等で、層間絶縁膜１上のＣｕ膜６、第２のＷＮ膜５、Ｗ膜４及び第１のＷＮ膜３からなる積層膜を除去し、溝配線７を形成する。 - 特許庁

This composition object for a CMP abrasive pad is constituted by including (A) an epoxy resin, (B) hardening agent, (C) hardening accelerator, and (D) bulking agent consisting of (d1) organic filler material and/or (d2) inorganic filler material.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ研磨パッド用組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、および（Ｄ）(d1)有機充填材および／または(d2)無機充填材からなる充填材、が含有されてなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which prevents a protruding part of a polished film from breaking and turn into a foreign material during polishing by a CMP method, while suppressing increase in the manufacturing cost.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨中に被研磨膜の凸部が折れて異物となることを抑制でき、かつ製造コストが増加することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a clean room capable of effectively preventing a metal contamination due to metal particulates inside the clean room, in regard to a clean room provided with a metal handling device such as a CMP (chemical mechanical polishing) in an interior.例文帳に追加

室内にＣＭＰなどの金属取扱装置が設けられたクリーンルームにおいて、室内における金属微粒子による金属汚染を効果的に防止できるクリーンルームを提供する。 - 特許庁

A polishing strain is reduced but not completely eleminated not to eliminate the gettering effect, and no chemical polishing solution such as CMP is used to require no cost for detoxification.例文帳に追加

研削歪みは減少するが、完全に除去されることはないため、ゲッタリング効果がなくなることはなく、また、ＣＭＰのように化学研磨液を使用することもないため、無毒化のためのコストもかからない。 - 特許庁

To provide a metal polishing method for discovering a high CMP rate, and for realizing high flattening, dishing amount reduction, and erosion amount reduction, and for realizing highly reliable metallic film embedding pattern formation.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属研磨方法を提供する。 - 特許庁