「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The CMP 14 outputs the MLA computation results in accordance with the counted result and cycle signals in the order of increasing or in the order of decreasing in accordance with the instructions of a PINV 17.例文帳に追加

ＣＭＰ１４は、計数結果およびサイクル信号に従って、ＭＬＡ演算結果を、ＰＩＮＶ１７の指示に応じて昇順または降順に出力する。 - 特許庁

To prevent the peeling phenomenon which occurs on the interface between a hydrogen barrier film and an oxygen barrier film constituting an electrode, when planarizing the upper surface of the electrode by CMP.例文帳に追加

ＣＭＰによって電極の上面を平坦化する際に、電極を構成する水素バリア膜と酸素バリア膜との界面で生じる剥離現象を防止する。 - 特許庁

This CMP polishing agent for organic material contains cerium oxide particles, acrylic ester derivative and water, and preferably the mean particle diameter of the cerium oxide ranges from 0.01 to 20μm.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、アクリル酸エステル誘導体、水を含む有機材料用ＣＭＰ研磨剤であり、好ましくは、前記酸化セリウムの平均粒径が０.０１〜２０μｍである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of securely preventing misrecognition as an alignment mark by a simple structure by forming a dummy pattern used for a CMP method on a wiring layer.例文帳に追加

ＣＭＰ法に用いるダミーパターンを配線層に形成し、簡単な構造でアライメントマークとの誤認識を確実に防止し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent dishing in a CMP process, and to prevent chipping failure by reducing clogging of a dicing blade in separating a semiconductor substrate (wafer).例文帳に追加

ＣＭＰ工程におけるディッシングを防止できると共に、半導体基板（ウェハ）を個片化する際のダイシングブレードの目詰まりを低減してチッピング不良を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide silica-coated metal oxide particles which avoid defects in the prior art, have a low structure and can be used in a sunscreen and CMP.例文帳に追加

先行技術の欠点を回避し、低ストラクチャーを有し、日焼け止め剤及びＣＭＰ用途において使用されることができる二酸化ケイ素で被覆された金属酸化物粒子。 - 特許庁

A comparator circuit CMP compares output voltage of the RC circuit 11 with input determination voltage VREF and outputs an output signal corresponding to the result of the comparison.例文帳に追加

比較回路ＣＭＰは、ＲＣ回路１１の出力電圧と入力判定電圧ＶＲＥＦとを比較して比較結果に対応した出力信号を出力する。 - 特許庁

Ta/Rh CMP stop layers 1002 are deposited prior to planarization and notch formation to ensure a planar surface for trailing shield structures 902.例文帳に追加

後縁シールド構造９０２の平坦な表面を確保するため、平坦化し切欠きを形成する前に、Ｔａ／ＲｈのＣＭＰ停止層１００２が蒸着される。 - 特許庁

To make the surface of a substrate, whose recesses such as wiring grooves, etc., are filled with wiring metal, flat and suppress dishing defects produced in a CMP process afterwards.例文帳に追加

配線溝等の凹部に配線金属を埋め込んだ後の基板表面を平坦化すると共に、その後のＣＭＰ処理で生じるディッシング欠陥を抑制すること。 - 特許庁

To enhance a membrane permeating flux while suppressing the concentration of impurities in membrane permeating water low, in subjecting CMP waste water containing silicon dioxide to membrane treatment.例文帳に追加

二酸化けい素を含有するＣＭＰ排水を膜処理するにあたって、膜透過流束を向上させるとともに、膜透過水中の不純物を低濃度に抑える。 - 特許庁

To reduce slurry remaining even after cleaning by a wafer cleaning machine in a CMP apparatus including a wafer polishing machine and the wafer cleaning machine.例文帳に追加

ウェハー研磨機とウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置において、ウェハー洗浄機による洗浄後にも残存する残存スラリーを低減することを課題とする。 - 特許庁

To provide slurry for metal film CMP by which a metal film is uniformly and stably polished at low friction without causing defects in a metal film and an insulating film.例文帳に追加

金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、低摩擦で均一に金属膜を安定して研磨し得る金属膜ＣＭＰ用スラリーを提供すること。 - 特許庁

To provide a control method of an electrolytic polishing pad for certainly and favorably polishing an article even in a case of doing it in combination of CMP and electrolytic polishing.例文帳に追加

ＣＭＰと電解研磨を組み合わせて行う場合であっても、確実に良好な研磨を行うことを可能にする電解研磨パッドの管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silica coating film excellent in adhesiveness (especially in adhesiveness in CMP process) and a high quality semiconductor unit little in signal delay and high in reliability.例文帳に追加

接着性（特にＣＭＰ工程における接着性）に優れたシリカ系被膜及び信号遅延が少ない高品位で、高信頼性の半導体装置を提供する。 - 特許庁

This CMP abrasive comprises a cerium oxide particle, a dispersant, an additive having >20 to 40% biodegradation degree after 28 days measured by JIS K 6,950 and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ＪＩＳ Ｋ ６９５０によって測定される２８日後の生分解度が２０超え〜４０％の添加剤、及び水からなるＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

This CMP abrasive comprises a cerium oxide particle, a dispersant, an additive having >80 to 100% biodegradation degree after 28 days measured by JIS K 6,950 and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ＪＩＳ Ｋ ６９５０によって測定される２８日後の生分解度が８０超え〜１００％の添加剤、及び水からなるＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

Then, after being subjected to a cleaning step after CMP, the surfaces of the silicon oxide film 39 and Cu wirings 46a to 46e are treated with reducing plasma (ammonia plasma).例文帳に追加

それから、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。 - 特許庁

Polishing liquid for CMP containing (A) a compound having an alkylbenzene sulfonic acid structure, (B) abrasive grain having positive charge, (C) oxidized metal dissolving agent and (D) oxidant is used.例文帳に追加

（Ａ）アルキルベンゼンスルホン酸構造を有する化合物と、（Ｂ）正電荷を有する砥粒と、（Ｃ）酸化金属溶解剤と、（Ｄ）酸化剤と、を含有するＣＭＰ用研磨液を用いる。 - 特許庁

When the cap layer 4 is projecting convexly from the surface position of the interlayer dielectric 9, the cap layer 4 is removed by CMP employing ceria based slurry.例文帳に追加

層間絶縁膜９の表面位置からキャップ層４が凸状に突き出ている場合には、セリア系スラリーを用いたＣＭＰ法によってキャップ層４は除去される。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate having a single crystal semiconductor layer with favorable characteristics, without requiring CMP treatment and/or heat treatment at high temperature and to improve productivity of semiconductor substrates.例文帳に追加

良好な特性の単結晶半導体層を有する半導体基板をＣＭＰ処理や高温の熱処理を必須とせずに作製することを目的の一とする。 - 特許庁

And in addition, it is preferable that the cleaning solution for CMP further includes hydroxy carboxylic acid as a washing auxiliary agent A, and further includes methanesulfonic acid as a washing auxiliary agent B.例文帳に追加

また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 - 特許庁

The method further comprises the steps of hydrogen plasma treating and ammonia plasma treating a semiconductor substrate 1, prior to the formation of an insulating film 19b for a cap film, after cleaning after the CMP.例文帳に追加

また、そのＣＭＰ後洗浄後、キャップ膜用の絶縁膜１９ｂの形成前に、半導体基板１に対して、水素プラズマ処理およびアンモニアプラズマ処理を施す。 - 特許庁

Using this method, conductive electrodes are bonded to the rotor wafer media side before the wafer thinning process by polishing or by CMP, and the electrodes are protected from polishing or the like.例文帳に追加

本発明では、研磨やＣＭＰによるウェーハの薄層化処理の前にロータウェーハの媒体側に導電性電極を被着させ、電極を研磨等から保護する。 - 特許庁

Subsequently, a titanium nitride film 118 and a tungsten film 119 are deposited and left only in the contact hole 117 by CMP.例文帳に追加

その後、窒化チタン膜１１８及びタングステン膜１１９を堆積した後、ＣＭＰ法によりコンタクトホール１１７内にのみ窒化チタン膜１１８及びタングステン膜１１９を残す。 - 特許庁

CMP polishing agent containing cerium oxide particles where colloidal silica adheres to a particle surface, water and dispersant if necessary, and the polishing method of the substrate which uses the agent, are given.例文帳に追加

粒子表面にコロイダルシリカが付着した酸化セリウム粒子及び水ならびに必要ならば分散剤を含むＣＭＰ研磨剤ならびにそれを用いた基板の研磨方法。 - 特許庁

The resultant is polished by CMP method using the polishing slurry comprising periodic acid, benzotriazole and abrasive grain to form lower electrodes consisting of the platinum-base metal film inside the openings.例文帳に追加

過ヨウ素酸、ベンゾトリアゾール、シリカ砥粒を含有した研磨用スラリーを用いてＣＭＰを行い、開口部内に白金族系金属膜からなる下部電極を形成する。 - 特許庁

Etchings to the magnetoresistive effect film and the 1st stopper layer are performed simultaneously and a pattern is formed by using at least metal of slow CMP polish rate for the first stopper layer.例文帳に追加

少なくとも第一のストッパー層をＣＭＰ研磨レートの遅い金属とすることによって、磁気抵抗効果膜と第一のストッパー層を同時にエッチングしパターンを形成する。 - 特許庁

The slurry for CMP contains dispersion liquid, containing first particles having a primary particle diameter of 5 to 50 nm, and second ones having that of 50 to 100 nm.例文帳に追加

一次粒子径５ｎｍ〜５０ｎｍの第１の粒子と、一次粒子径５０ｎｍ〜１００ｎｍの第２の粒子とを含有する分散液を含むＣＭＰ用スラリーである。 - 特許庁

To provide a treatment method having excellent treating performance to organic wastewater containing copper wherein a chemically stable organic component and copper coexist, such as CMP (Chemical Mechanical Polish) wastewater.例文帳に追加

ＣＭＰ廃水など、化学的に安定な有機成分と銅とが共存する銅含有有機性廃水に対して、処理性能の優れた処理方法を提供する。 - 特許庁

The CMP abrasive comprises a cerium oxide particle wherein the content by percentage of a particle having a secondary particle size of not less than 3 μm is not more than 1%, a dispersant, and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子において二次粒子径が３μｍ以上の粒子含有率が１％以下である、酸化セリウム粒子、分散剤および水を含むＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

An abrasive pad fitted on a CMP apparatus is composed of polyurethane rubber made by introducing fluorinated hydrocarbon groups into polymer side chains to decrease the surface energy of the abrasive pad.例文帳に追加

フッ素系の炭化水素基をポリマー側鎖に導入したポリウレタンゴムによってＣＭＰ装置に備わる研磨パッドを構成して、研磨パッドの表面エネルギーを低下させる。 - 特許庁

To provide a substrate for evaluation used for evaluating CMP conditions that is performed to form a plurality of wires in upper and lower directions in a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子における上下方向に複数の配線を形成する為に行われるＣＭＰの条件を評価する為に用いられる評価用基板を提供する。 - 特許庁

Even if the tungsten plug 15 touches pure water during cleaning after CMP, a supply source of a large quantity of electrons is secured by the dummy tungsten plug 15D.例文帳に追加

ＣＭＰ後などの洗浄時にタングステンプラグ１５表面が純水に接触しても、ダミーのタングステンプラグ１５Ｄによる多量の電子の供給源が確保される。 - 特許庁

To provide a technology that minimizes delamination in the CMP process while increasing the polishing speed which has decreased as the polishing pressure decreased.例文帳に追加

ＣＭＰ工程における膜剥がれを抑制すると共に、研磨圧力の低下に伴う減少した研磨速度を高めることが出来る技術を提供することである。 - 特許庁

To provide an alignment mark structure in which an alignment mark on a wafer is not damaged or deteriorated through CMP process but definite quality of the alignment mark can be sustained visually.例文帳に追加

ウェハ上のアライメントマークがＣＭＰプロセスによって損なわれたり劣化することなく視覚的に明瞭な品質を保つことの出来るアライメントマーク構造を提供する。 - 特許庁

The numbers of pieces of heating pulse Hmp and cooling pulse Cmp are arranged so as to increase respectively by two pieces every time the mark data length increases by 1T when a recording channel clock period is expressed as T.例文帳に追加

記録チャンネルクロック周期をＴとしたときのマークデータ長が１Ｔ増加する度に加熱パルスＨmpと冷却パルスＣmpとの個数を各々２個増加させるようにした。 - 特許庁

To provide a wafer polishing device and a wafer polishing method which can restrain the occurrence of fine scratches caused by polishing a conducting film in a CMP treatment process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理工程において導電膜を研磨した場合に生じる微小スクラッチの発生を抑制可能なウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法を提供する。 - 特許庁

In addition, in the case of a positive polarity writing, the compensation data Cmp-R is added to the picture data DR', however, in the case of a negative polarity writing, the compensation is not performed.例文帳に追加

なお、正極性書込の場合であれば、画像データＤＲ’に補正データＣｍｐ−Ｒが加算されるが、負極性書込の場合であれば、補正は行わない。 - 特許庁

Thereafter, the interlayer insulating film 6 is polished through a CMP method until it is flush with the platinum film 5, which serves as a lower electrode.例文帳に追加

この後、層間絶縁膜６をＣＭＰ法により層間絶縁膜６の表面と下部電極となる白金膜５の表面が同じ高さで平坦になるまで研磨を行なう。 - 特許庁

To provide a method for precisely modelling an influence by which a wiring film thickness is affected from a CMP process, and reducing errors to the wiring film thickness in a conventional procedure.例文帳に追加

配線膜厚がＣＭＰ工程から受ける影響を精度良くモデル化し、従来手法における配線膜厚に対する誤差を削減する方法を提供すること。 - 特許庁

At least a portion of the modified layer 31 is polished through polishing by a CMP method to form a conductive pattern 11 of Cu for the wiring, a conductive plug, etc.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨で改質層３１の少なくとも一部を研磨し、Cuからなる配線や導電性プラグといった導電性パターン１１を形成する。 - 特許庁

When the removal of the barrier metal film 7 on the outside of a recessed part 5 is finished and a surface 4a of an insulation film 4 on the outside of the recessed part 5 is exposed, the CMP process is finished.例文帳に追加

そして、凹部５外のバリアメタル膜７の除去が完了して、絶縁膜４の凹部５外の表面４ａが露出すると、ＣＭＰ処理を終了する。 - 特許庁

To easily manufacture a semiconductor device which can restrain increase of via resistance which is to be caused by a CMP(chemical mechanical polishing) process and corrosion of a copper wiring and is excellent in element characteristic and reliability.例文帳に追加

ＣＭＰ工程に起因するビア抵抗の増大や銅配線の腐食を抑制でき、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を容易に作製する。 - 特許庁

To provide a method for forming a wiring structure by which the occurrence of dishing and erosion can be prevented when CMP method is used to form the wiring structure.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いて配線構造を形成するにあたりディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる配線構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁