「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A polishing pad having the ion exchange material is included in the embodiment, and further the polishing of the semiconductor substrate or the layer on the semiconductor substrate with the polishing pad or a CMP composition including the ion exchange material therein, the polishing of the substrate or the layer on the substrate with the CMP composition, or the polishing with both thereof are included in the embodiment.例文帳に追加

実施形態には、イオン交換物質を持つ研磨パッドが含まれ、さらに研磨パッドまたはその中にイオン交換物質を含むＣＭＰ組成物での半導体基板または半導体基板上の層の研磨と、基板または基板上の層のＣＭＰ組成物での研磨、またはその両方での研磨が含まれる。 - 特許庁

In the polishing solution for CMP which contains abrasive grains, an oxidized metal resolvent, an oxidant, water, and quaternary ammonium salt and having pH ≤4, the abrasive grain includes positive zeta potential in the polishing solution for CMP; and the fourth-class ammonium salt is represented by the following general formula (1).例文帳に追加

砥粒、酸化金属溶解剤、酸化剤、水及び第４級アンモニウム塩を含有する、ｐＨが４以下のＣＭＰ用研磨液において、前記砥粒は、前記ＣＭＰ用研磨液中において正のゼータ電位を有し、且つ前記第４級アンモニウム塩は、下記一般式（１）で表されるＣＭＰ用研磨液とする。 - 特許庁

The polishing method is a polishing method for a substrate in which the substrate is polished with polishing cloth while the CMP polishing liquid is supplied to between the substrate and polishing cloth, wherein the substrate is a substrate having a palladium layer, and the CMP polishing liquid contains the α-amino acid represented by formula (1), phosphoric acids, oxidizing agent, and abrasive grains.例文帳に追加

本発明の研磨方法は、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板が、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液が、下記一般式（１）で表されるα−アミノ酸、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有する。 - 特許庁

In accordance with unevenness status on the surface of the insulating film before polish in the CMP planarizing process, style of CMP equipment is selected from the polishing plate rotation type and the belt rotation type, so that both insurance of uniformity in the surface of the insulating film and improvement in global planarity are realized, and effect excellent in polish processing accuracy is obtained.例文帳に追加

ＣＭＰ平坦化工程における研磨前の絶縁膜表面の凹凸状態に対応し、ＣＭＰ装置の方式を定盤回転式とベルト回転式から選択することで、絶縁膜の面内均一性の確保とグローバル平坦性の向上を両立し、研磨加工精度に優れた効果を有する。 - 特許庁

To certainly prevent dropping off of abrasive grains and to align a projected height of the abrasive grains by more strongly gripping the abrasive grains such as diamond by more uniform force, thereby to inhibit dispersion of CMP process performance in the case where they are used, for example, as a dresser additionally provided on the CMP device.例文帳に追加

ダイヤモンド等の砥粒をより均一な力でより強固にグリップして砥粒の脱落を確実に防止するとともに、砥粒の突出高さを揃え、これによって、例えばＣＭＰ装置に付設したドレッサとして使用した場合に、ＣＭＰプロセス性能のばらつきを抑えることができるようにする。 - 特許庁

To provide: a cleaning solution for CMP to easily remove the pad coloring matter caused by an additive of the CMP cleaning solution forming a complex with polishing particles and polishing wastes of a polished film to accumulate in the polishing pad; a washing method using the cleaning solution; and a product produced including a process using the cleaning solution.例文帳に追加

ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。 - 特許庁

In this polishing method, after polish preventing layers 102, 104 composed of a double layer are laminated on a semiconductor substrate 100 to form a trench, an element isolating film insulating film 106 is laminated, and a first polish preventing layer 104 is used as a polish preventing layer, and the element isolating film insulating film 106 is subject to a chemical and mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

二重層よりなる研磨阻止層１０２，１０４を半導体基板１００上に積層し、トレンチを形成した後、素子分離膜用絶縁膜１０６を積層し、第１研磨阻止層１０４を研磨阻止層として用いて前記素子分離膜用絶縁膜１０６を化学機械的研磨(CMP)する。 - 特許庁

To provide a CMP technology, wherein a conventional abrasive material is used, and a polishing pressure is made low, namely even if CMP is given to a substrate with a Low-k film which is brittle in resistance to the pressure, such a brittle film is not damaged, and rubbing speed is high.例文帳に追加

従来からの研磨剤を用いることも出来、かつ、研磨圧力を低く出来、即ち、圧力に対する耐性が脆弱なＬｏｗ−ｋ膜を有する基板に対してＣＭＰが行われても、そのような脆弱な膜を損傷せしめることが無く、しかも研磨速度が速いＣＭＰ技術を提供することである。 - 特許庁

To provide slurry for CMP with which an excellent polished surface can be obtained through a CMP process of a manufacturing process of a semiconductor device and the throughput and yield of the manufacture of the semiconductor device can be improved as a result, and to provided a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるＣＭＰ工程において、良好な被研磨面を得ることができ、ひいては、半導体装置の製造におけるスループットの改善と歩留り向上を実現することのできるＣＭＰ用スラリーと、該スラリーを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide microparticles capable of performing CMP in a short time without causing grinding defects on a silicon oxide membrane, a metal embedded membrane and the like in CMP technologies such as interlayer insulating film planarization, shallow trench separation forming and metal embedding wiring forming, to provide an abrasive, and to provide a method for grinding substrates and a method for producing the semiconductor devices by using the abrasive.例文帳に追加

層間絶縁膜平坦化、シャロートレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属埋め込み膜等へ研磨傷を発生させずに短時間でＣＭＰが実施できる微粒子、研磨材、それを用いた基板の研磨方法、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic processing apparatus where an electrically conductive material provided on the surface of a substrate can be flatly processed, and further, depositions deposited on the surface of the object to be processed such as a substrate can be subjected to removing (washing) while, e.g., obviating CMP (Chemical Mechanical Polishing) or reducing the load in the CMP treatment as possible.例文帳に追加

例えばＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板等の被加工物の表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにした電解加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic processing method and device capable of processing a conductive material provided on the surface of a substrate to be flat and further removing (washing) a material stuck on the surface of a substance to be processed such as the substrate while dispensing with CMP treatment itself and reducing the load of the CMP treatment to the upmost for example.例文帳に追加

例えばＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板等の被加工物の表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにした電解加工方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing for CMP machining that has superior selectivity where the polishing rate of a tantalum compound is small, even though that of copper is large in the CMP machining process of a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound, and also has smoothness in the surface of the copper film.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

An HDP film 9 is formed thick enough to fill the groove 18 for element separation, and polishing by a CMP method is carried out to expose a void 9a formed on the side of the first groove 8 for element separation; and a polysilazane film 10 is formed therein to fill it and a polysilazone film 10 which is left outside is removed through CMP processing.例文帳に追加

ＨＤＰ膜９を第２の素子分離用溝１８内が埋められる膜厚で形成し、ＣＭＰ法で研磨して第１の素子分離用溝８側にできたボイド９ａを露出させ、この内部にポリシラザン膜１０を埋め込み形成し、外部に残ったポリシラザン膜１０はＣＭＰ処理で除去する。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.例文帳に追加

ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。 - 特許庁

In pressing a film 5 on a wafer 4 onto a polishing pad 1 to get in contact with it for CMP polishing, the wafer 4 is supported by a backing plate 2 through a contact pressure adjusting part 6.例文帳に追加

ウエハ４上の被研磨膜５を研磨パッド１に押圧接触させてＣＭＰ研磨する際、ウエハ４を接触圧力調整部６を介してバッキングプレート２に支持させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a carbon film, by which the film deposition speed is enhanced and the quality is sufficiently secured, and to provide a carbon film-coated member and a CMP pad conditioner.例文帳に追加

成膜速度が高められるとともに、品質が充分に確保される炭素膜の形成方法、炭素膜被覆部材及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

To prevent the electrical short-circuiting between embedded wiring parts without performing an excessive over polishing at the time of chemical mechanical polishing(CMP) of a conductive film for forming embedded wiring.例文帳に追加

埋め込み配線となる導電膜に対するＣＭＰにおいて過度のオーバー研磨を行なわなくても、埋め込み配線同士が電気的に短絡しないようにする。 - 特許庁

To provide a polishing pad for CMP and its manufacturing method which has a sufficient hardness, a high polishing speed, a uniform polishing property and can realize scratch-free property.例文帳に追加

十分な硬度を有し、しかも高い研磨速度と均一研磨性、およびスクラッチフリーを可能とするＣＭＰ用研磨パッドおよびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

Accordingly, the epipolysilicon film 24 can be densely arranged so as to approximate to the SOI forming regions 1a-1d in CMP processing for an SiO_2 film 43.例文帳に追加

従って、ＳｉＯ_２膜４３をＣＭＰ処理する際にエピポリシリコン膜２４をＳＯＩ形成領域１ａ〜１ｄに近づけて密に配置しておくことが可能である。 - 特許庁

The CMP treatment is performed on the ribbon member forming layer on the sacrifice layer, and the ribbon member forming layer on the projecting parts of the sacrifice layer, and the projecting parts of the sacrifice layer are abraded to be eliminated.例文帳に追加

ＣＭＰ加工を犠牲層上のリボン部材形成層に施して犠牲層の凸部上のリボン部材形成層及び犠牲層の凸部を研磨し、除去する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method which enable high speed polishing and a high planarizing in a CMP technology, which planarizes an interlayer insulation film, and a shallow trench isolating an insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、高速研磨と高平坦化を可能にする研磨剤および研磨法を提供する。 - 特許庁

Succeedingly, the upper surfaces of the partition walls 29 are polished and shaved by a polishing method such as CMP to make the height of the partition walls 29 same as that of the metal supports 34.例文帳に追加

続いてＣＭＰ等の研磨方法で隔壁２９の上面を研磨し削り取って隔壁２９を金属支柱３４の高さと同じ高さに形成する。 - 特許庁

To provide a method for flattening a semiconductor element over a large area by a selective CMP method, while eliminating increase in cost, reduction in productivity and generation of particles.例文帳に追加

本発明は、コストアップ、生産性低下及びパティクル発生なしに選択的ＣＭＰによる大域平坦化が得られる半導体素子の平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which no cracks occur even if an external force is applied to a pad portion, and erosion due to tungsten CMP does not occur, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

パッド部に外力が加わってもクラックが生じることがなく、タングステンＣＭＰによるエロージョンの発生のない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The slurry for the CMP removes the film to be polished at high speed and has an enhanced passivation function for a polishing stopper to show a high selection ratio property.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ用スラリーは、被ポリシング膜に対する除去速度が速くてポリシングストッパに対するパッシベーション機能が強化されて高選択比特性を示す。 - 特許庁

An erosion level generated during plug CMP is evaluated using a monitoring pattern that specifies a hole array size split (a), and a length split of space between arrays split (b) at a certain level.例文帳に追加

ホールアレイサイズスプリットａと配列間スペースの長さスプリットｂを一定に規定したモニタリングパターンを利用して、プラグＣＭＰ時に発生するエロージョンレベルを評価する。 - 特許庁

To provide an insulating film which can be used as a hard mask, an etching stopper, a CMP stopper, a metal diffusion stopper, etc. in the manufacturing of a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体装置などの製造において例えばハードマスク、エッチングストッパー、ＣＭＰストッパー、金属拡散ストッパーなどとして利用できる絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring structure, capable of an increase of a degree of planarity on a surface after CMP, even in an area where a conductive pattern cannot be disposed.例文帳に追加

導電性のパターンを配置することができない領域があっても、ＣＭＰ後の表面の平坦度を高めることが可能な多層配線構造を提供する。 - 特許庁

To prevent the drying of particles such as polishing dust adherent to the surface of a substrate after processing treatment such as CMP treatment and to improve a cleaning effect in a cleaning part.例文帳に追加

ＣＭＰ処理等の加工処理した後の基板の表裏面に付着した研磨屑等のパーティクルの乾燥を防止し、かつ洗浄部での洗浄効果を高める。 - 特許庁

Until the PL-TEOS oxide film 14 is removed, the second HDP oxide film 15 and the PL-TEOS oxide film 14 are simultaneously leveled by the CMP.例文帳に追加

そして、ＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４が除去されるまで、第２ＨＤＰ酸化膜１５とＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４とを同時にＣＭＰにより平坦化する。 - 特許庁

To provide a silica-based coating film excellent in adhesive properties (particularly, adhesive properties in the CMP process) and a semiconductor device which causes less delay of signals and is of a high quality and a high reliability.例文帳に追加

接着性（特にＣＭＰ工程における接着性）に優れたシリカ系被膜及び信号遅延が少ない高品位で、高信頼性の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device capable of reducing unevenness in characteristics by reducing unevenness in thickness of an insulating film after a CMP process.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＰ処理後の絶縁膜の膜厚のバラツキを低減して特性のバラツキを低減させることが可能な電力半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for designing a dummy pattern for preventing dishing and errosion phenomena due to the CMP process in an optimum density and arrangement.例文帳に追加

ＣＭＰプロセスによって生じるディッシングおよびエロージョン現象を抑制するためのダミーパターンを最適密度かつ最適配置で形成するダミーパターン設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and CMP resistance and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、ＣＭＰ耐性に優れた低密度化膜が得られる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing composition which uses a compound containing iodine for use in a CMP method, does not generate iodic vapor, and does not color anything.例文帳に追加

ＣＭＰ法に用いるヨウ素を含む化合物を使用した研磨用組成物において、ヨウ素蒸気を発生させず、また、着色しない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

A barrier 34 and a metal film 36 are stacked in the recess 46 and the recess 30, and the excess section is removed through CMP(chemical and mechanical polishing), whereby a multilayer wiring structure is formed.例文帳に追加

凹部４６および凹部３０の中にバリアメタル３４およびメタル膜３６を堆積させ、ＣＭＰにより余分な部分を除去することで多層配線構造を形成する。 - 特許庁

When the counts CNT1, CNT2 are dissident, stepping of the count CNT1 is stopped on the basis of a signal CMP outputted from the comparator 30.例文帳に追加

ここで、カウント値ＣＮＴ１とカウント値ＣＮＴ２とが不一致の場合、比較器３０から出力される信号ＣＭＰに基づきカウント値ＣＮＴ１の歩進が停止する。 - 特許庁

Transmission targets of the driving video signal are switched between video signal lines SL1 to Sln and the differential voltage output buffer CMP.例文帳に追加

また、切替スイッチＳＡ１〜ＳＡｎによって、駆動用映像信号の伝達先を映像信号線ＳＬ１〜ＳＬｎと差異電圧出力バッファＣＭＰとの間で切り替える。 - 特許庁

The above problems can be solved by a polishing solution recycling system of a CMP device provided with a filtration device, a temperature controlling means, and a washing means.例文帳に追加

ろ過装置、温度管理手段及び洗浄手段を設けた研磨液循環装置を備えたＣＭＰ装置の研磨液再利用システムにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To inhibit the generation of dishing or erosion and to realize a high- speed polishing of tantalum in CMP(chemical mechanical polishing) of a base plate having a tantalic metal film.例文帳に追加

タンタル系金属膜を有する基板のＣＭＰにおいて、ディッシングやエロージョンの発生を抑制し、タンタルに傷を発生することなく、高いタンタルの研磨速度を実現すること。 - 特許庁

Then, a CMP method is executed on the silicon oxide film on the silicon layer 3, the sidewall 6, and the single crystal silicon film 8 so that the silicon oxide film is removed and flattened.例文帳に追加

次に、シリコン層３上のシリコン酸化膜、サイドウォール６および単結晶シリコン膜８にＣＭＰ法を施し、シリコン酸化膜の除去および平坦化を行う。 - 特許庁

Then, by performing CMP processing, the unwanted metal wiring film 6 on the seed film 5 and the seed film 5 on the outside of the recessed part 3 are polished chemically and physically.例文帳に追加

そして、ＣＭＰ処理を行うことにより、シード膜５上の不要な金属配線膜６および凹部３外のシード膜５を化学的および物理的に研磨していく。 - 特許庁

To provide a rotary joint that can appreciably conduct a flow of fluid between relatively rotatable members of a CMP (chemical mechanical polishing) device and can sufficiently counteract contamination.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の相対回転部材間で流体を良好に流動させることができ且つ十分なコンタミネーション対策を講じ得るロータリジョイントを提供する。 - 特許庁