「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

This CMP polishing agent has a composition consisting of cerium oxide grains, a dispersant, an additive selected from polyacrylamide and its derivatives, and water, or alternatively, a composition consisting of a cerium oxide slurry that contains cerium oxide grains, dispersant and water, and an additive liquid that contains an additive and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ポリアクリルアミド及びその誘導体から選ばれる添加剤並びに水を含むＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

The load cup 4 of a CMP device is equipped with a pedestal 12 which supports a wafer W, and a passage and openings are provided to the pedestal 12.例文帳に追加

ＣＭＰ装置のロードカップ４は、ウェハＷを支持するペデスタル１２を有し、このペデスタル１２には通路および複数の開口が形成されている。 - 特許庁

Then an insulating dielectric layer is adhered to the whole structure, and conductive polymer wires are produced by planarizing an insulator by the chemical mechanical polishing (CMP).例文帳に追加

次いで、絶縁誘電体層を構造全体の上に付着し、絶縁体の化学的機械研磨（ＣＭＰ）平坦化を行い、導電ポリマー線を作り出す。 - 特許庁

To eliminate the bad condition of a height in an interelement isolation region due to flattening by CMP, and to prevent leakage current by improving the gate breakdown voltage of a gate oxide film.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化での素子間分離領域の高さの不具合を解消し、且つ、ゲート酸化膜のゲート耐圧の向上、リーク電流の防止をする。 - 特許庁

To prevent deteriorated productivity or the like due to error detection in a CMP apparatus comprising a mechanical detection mechanism for detecting the presence or absence of a wafer in a carrier head.例文帳に追加

キャリアヘッド内にウェーハの有無を検知する機械式の検知機構を備えるＣＭＰ装置において、誤検出による生産性の低下等を防止する。 - 特許庁

To constitute the subject method in such a manner that the treatment to settle inorganic particles in a waste CMP liquid can be carried out by a simple method of less occupying a place without using a flocculating agent.例文帳に追加

ＣＭＰ廃液中の無機粒子を沈澱させる処理を、凝集剤を用いることなく、場所をとらない簡単な設備で行い得るようにする。 - 特許庁

To provide a polishing solution which is capable of keeping polishing friction at a low level in a CMP process and forming a highly reliable buried pattern formed of a metal film.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨時の研磨摩擦を低く保ち、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする研磨液を提供する。 - 特許庁

A BPSG oxide film 11 which is to become an interlayer insulating film is formed on the capacitive polysilicon film 10 and is flattened through chemical- polishing method(CMP).例文帳に追加

容量ポリシリ膜１０の上に層間絶縁膜となるＢＰＳＧ酸化膜１１を形成しＣＭＰ（化学的研磨方法）により平坦化を行う。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition yielding a coated film which has a uniform thickness and has an excellent mechanical strength, crack resistance and CMP resistance and a low dielectric constant.例文帳に追加

均一な厚さで、塗膜の機械的強度やクラック耐性やＣＭＰ耐性に優れ、かつ低比誘電率の塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

To provide a method for recirculating slurry continuously during CMP processing without causing any damage on the layer of a semiconductor wafer and/or contamination thereof.例文帳に追加

半導体ウエファの層を損傷および／または汚染することなく、スラリーをＣＭＰ処理中に連続的に再循環する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for performing chemical mechanical polishing (CMP) over a Cu thin film at a high polishing rate while suppressing corrosion of Cu wiring.例文帳に追加

本発明は、高い研磨速度でＣｕ薄膜のＣＭＰ を行い、かつＣｕ配線の腐食を抑制する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, CMP is performed so that a difference in height between an element formation region FR of the plasma TEOS film 8 and an element non-formation region NFR is reduced.例文帳に追加

その後、プラズマＴＥＯＳ膜８の素子形成領域ＦＲと素子非形成領域ＮＦＲとの間での高低差を低減するようにＣＭＰを施す。 - 特許庁

An oxide film 116 is deposited to bury the trench 115, and then flattened by a CMP process to remove the oxide film 116 on an element region.例文帳に追加

酸化膜１１６を堆積して溝１１５を埋め込み、次にＣＭＰにより平坦化を行い素子領域上の酸化膜１１６を除去する。 - 特許庁

The polishing composition for the CMP process comprises fine abrasive grains (A), polyvalent metallic ions (B), ammonia, silicate ions, a polishing agent and water.例文帳に追加

微少サイズ砥粒（Ａ）、多価金属イオン（Ｂ）、アンモニア、珪酸イオン、研磨材、及び水からなることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨組成物である。 - 特許庁

Diethylene triamine penta acetate(DTPA) as a chelating agent is contained in a chemical and mechanical polishing(CMP) slurry for polishing the surface of a metal semiconductor wafer.例文帳に追加

金属半導体表面を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリーにキレート剤としてのジエチレントリアミンペンタアセテート（ＤＴＰＡ）が含まれる。 - 特許庁

A comparator CMP compares pulse width modulation outputs on both sides, to generate a duty pulse whose signal level is lowered by a pulse train of the same shape as the output.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰは、両側のパルス幅変調出力を比較し、出力と同じ形状のパルス列で信号レベルを低下させたデューティパルスを生成する。 - 特許庁

In order to form a wiring 16 in the wiring grooves 13, the wiring metal layer 15 and barrier metal layer 14 are polished sequentially by a chemical mechanical polishing(CMP) apparatus.例文帳に追加

配線溝１３内に配線１６を形成するために、配線金属層１５とバリアメタル層１４とをＣＭＰ装置により順次研磨する。 - 特許庁

After forming an Al_2O_3 film 41 thicker than wiring as a protective film, the Al_2O_3 film 41 is polished until a conductive barrier film 18 is exposed by CMP.例文帳に追加

配線より厚いＡｌ_2Ｏ_3膜４１を保護膜として形成した後、ＣＭＰにより、導電性バリア膜１８が露出するまでＡｌ_2Ｏ_3膜４１を研磨する。 - 特許庁

The reflection spectrum data sample is normalized by using normalization reference comprising a first reflection spectrum data sample obtained before the CMP treatment stage.例文帳に追加

反射スペクトルデータサンプルは、ＣＭＰ処理段階より前に取得される第１の反射スペクトルデータサンプルを含む正規化参照を用いて正規化される。 - 特許庁

After the copper film 9 and the barrier metal film 8 have been removed by using a CMP method, it is cleaned by using rare ammonia water solution and dried.例文帳に追加

次いで、ＣＭＰ法を用いて余分な銅膜９およびバリアメタル膜８を除去した後、希アンモニア水溶液を用いて洗浄し、乾燥する。 - 特許庁

The insulating film 3 on the semiconductor substrate 1 is subjected to planarize treatment by using CMP or etch back, and the semiconductor substrate 1 is exposed (Figure (c)).例文帳に追加

そして、半導体基板１上の絶縁膜３をＣＭＰ又はエッチバックにより平坦化処理を施して、半導体基板１を露出させる（図１（ｃ））。 - 特許庁

Since polishing rates of the barrier metal layer and the copper alloy approach 1:1, dishing of the copper in the trenches of a wafer from the CMP process can be avoided.例文帳に追加

このようにして、空乏層と銅合金との研磨速度が１：１に近づくため、ウェハのトレンチにおけるＣＭＰ処理による銅のディッシングが回避される。 - 特許庁

The timing signal generating circuit 22 generates and outputs a timing signal SE to a sense amplifier 16 and the like according to the timing of the output signal CMP.例文帳に追加

タイミング信号生成回路２２は、出力信号ＣＭＰのタイミングに応じて、センスアンプ１６等に対するタイミング信号ＳＥを生成して出力する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device includes a process for carrying out chemical mechanical polishing treatment by the slurry 1 for CMP.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、本発明に係るこのＣＭＰ用スラリー１を用いて化学的機械的研磨処理を行う工程を含んでいる。 - 特許庁

The tungsten film 6 has pillar-shaped grains 6a of fine diameters, such that the abrasives 50 used in the CMP process are difficult to adhere between the grains.例文帳に追加

タングステン膜６は、ＣＭＰ処理に用いる研磨材５０がグレイン間に付着し難い程度に粒径が細かい柱状のグレイン６ａを有している。 - 特許庁

To provide a CMP (Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner capable of improving abrasive grain fixing strength, preventing aggregation of slurry and preventing elution of metals.例文帳に追加

砥粒固着力を向上するとともに、スラリーの凝集を防止し、金属の溶出を防止することが可能なＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

Aluminum 18 is embedded in the wiring groove 15 covered with the titanium nitride film 17, and the aluminum 18 on the wiring groove 15 is removed with a CMP method.例文帳に追加

その後、チタン窒化膜１７で覆われた配線溝１５にアルミニウム１８が埋め込まれ、ＣＭＰ法によって配線溝１５上のアルミニウム１８が除去される。 - 特許庁

To provide a formation method for wiring wherein a wiring formation time is shortened by shortening a CMP process using an electroless plating method.例文帳に追加

無電解めっき法を用いてＣＭＰ工程を短時間化することにより配線形成時間を短縮できる配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

Polishing liquid for CMP containing (A) a compound having a betaine structure, (B) abrasive grain having positive charge, (C) oxidized metal dissolving agent and (D) oxidant is used.例文帳に追加

（Ａ）ベタイン構造を有する化合物と、（Ｂ）正電荷を有する砥粒と、（Ｃ）酸化金属溶解剤と、（Ｄ）酸化剤と、を含有するＣＭＰ用研磨液を用いる。 - 特許庁

A Cu thin film is polished with use of a polishing solution added by epihalohydrin-modified polyamide, and after the CMP, is rinsed with an aqueous solution of epihalohydrin-modified polyamide.例文帳に追加

エピハロヒドリン変性ポリアミドを添加した研磨液でＣｕ薄膜を研磨し、さらにエピハロヒドリン変性ポリアミドの水溶液でＣＭＰ後にリンスする。 - 特許庁

A pad region 1 is a wiring end formed simultaneously with a wiring structure flattened by chemical mechanical polishing(CMP) in the semiconductor device.例文帳に追加

パッド領域１は、半導体装置において化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により平坦化される配線構造と同時に形成される配線端部である。 - 特許庁

The buried oxidized film is formed in the trench for the depth H Å of the trench + the stopper film thickness x Å and the planarization is performed by using a CMP technique.例文帳に追加

このトレンチに埋め込み酸化膜をトレンチの深さＨÅ＋ストッパ膜厚ｘÅを成膜し、ＣＭＰ技術を用いて平坦化を行う。 - 特許庁

To provide cerium oxide polishing particles and its production process, a slurry composition for CMP and its production process, and a substrate polishing method utilizing it.例文帳に追加

酸化セリウム研磨粒子及びその製造方法と、ＣＭＰ用スラリー組成物及びその製造方法と、それらを利用した基板研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing method for polishing a surface to be polished at a stable polishing speed selectively, without flaws, and for achieving high planarization.例文帳に追加

安定した研磨速度で被研磨面を選択的に傷なく研磨することができ、高平坦化することが可能であるＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a metal film is formed to fill the wiring groove (S22) and a wire is formed by removing the metal film at the outside of the wiring groove with the CMP (S24).例文帳に追加

その後、配線溝を埋め込むように金属膜を形成し（Ｓ２２）、ＣＭＰにより配線溝外部の金属膜を除去して配線を形成する（Ｓ２４）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a function such as power enhancement by effectively utilizing a dummy pattern for CMP formed in a predetermined wiring layer.例文帳に追加

所定の配線層に形成されたＣＭＰ用のダミーパターンを有効に活用して、電源強化等の機能を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

This CMP abrasive comprises a cerium oxide particle, a dispersant, an additive having 1-20% biodegradation degree after 28 days measured by JIS K 6,950 and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ＪＩＳ Ｋ ６９５０によって測定される２８日後の生分解度が１〜２０％の添加剤、及び水からなるＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

When the input offset voltage of a comparator CMP is detected, a counter circuit 12 conducts both up-counting and down-counting operations of a clock signal CLK.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰの入力オフセット電圧を検出する際，カウンタ回路１２は，クロック信号ＣＬＫのアップカウント動作とダウンカウント動作を両方行う。 - 特許庁

Thereafter, the silicon oxide film 11 and the silicon oxide film 7 are CMP-processed until at least part of the silicon nitride film 5 is exposed under the silicon oxide film 7.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜５下からシリコン窒化膜５の少なくとも一部が露出するまで、シリコン酸化膜１１とシリコン酸化膜５とにＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁

When a copper film 6 is formed in interconnection trenches, copper is polished by CMP method, and then the copper is removed by etching from the vicinity of the circumferential fringe of a wafer.例文帳に追加

銅膜６を配線溝内に形成する際、ＣＭＰにより銅を研磨した後、ウェーハ周縁近傍の銅をウエットエッチングにより除去する。 - 特許庁

The annealing is conducted, after formation of a first wiring 25 as the underlayer wiring, to intentionally generate a copper hillock 26 and it is then removed by the polishing of the CMP method.例文帳に追加

下地配線である第１配線２５の形成後にアニールを行い、銅ヒロック２６を意図的に発生させ、ＣＭＰ法により研磨除去する。 - 特許庁

To provide a technique capable of preventing the polishing residues of a conductive film from being left in a CMP process so as to improve the manufacturing yield of the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＭＰ工程における導電性膜の研磨残りを防いで、半導体装置の製造歩留まりを向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To enhance cleaning effects in a cleaning part for removing particles such as polishing refuse attached to the top and bottom sides of a substrate, after it is subjected to a treatment such as CMP treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ処理等の加工処理した後の基板の表裏面に付着した研磨屑等のパーティクルを除去する洗浄部での洗浄効果を高める。 - 特許庁

The Cu layer 20 is subjected to CMP processing at a subsequent step and planarized ideally up to the dot line part, thus forming a Cu interconnect.例文帳に追加

このＣｕ層２０は、後の工程でＣＭＰ処理を施されることにより、理想的には点線部分まで平坦化され、Ｃｕ配線となるものである。 - 特許庁

To provide a polishing pad which is hardly be clogged and has a small variation in polishing performance in polishing processes, particularly in a CMP process.例文帳に追加

研磨分野、その中でも特にＣＭＰプロセスにおいて、目詰まりしにくく、かつ研磨性能ばらつきの小さい研磨パッドを提供することである。 - 特許庁