「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize both improvement in the global planarity of an interlayer insulating film and insurance of uniformity in a wafer surface in a CMP planarizing process.例文帳に追加

ＣＭＰ平坦化工程において、層間絶縁膜のグローバル平坦性の向上とウェハ面内均一性の確保とを両立させる。 - 特許庁

To provide a polishing composition for CMP (Chemical Mechanical Planarization) that reduces scratches caused on a device wafer surface as a result of polishing.例文帳に追加

研磨することによりデバイスウェハ表面に発生するスクラッチ（かき傷）を低減することができるＣＭＰ用研磨組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP process and products thereof which can reduce dishing by removing metal selectively and relatively slowly.例文帳に追加

金属を選択的且つ比較的ゆっくりと除去して、ディッシングを少なくすることができるＣＭＰプロセス及び生成物を提供する。 - 特許庁

A CMP processing is performed and the TaN film 7 and the Cu film 8 are left inside the recessed part for wiring 5 and the recessed part for dummy wiring 6.例文帳に追加

ＣＭＰ処理を行って、配線用凹部５およびダミー配線用凹部６の内側にＴａＮ膜７およびＣｕ膜８を残す。 - 特許庁

The upper layers T of the liquid-repellent banks 14b are planarized by means of chemical mechanical polishing method (CMP).例文帳に追加

そして、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、その上層部Ｔを平坦化した。 - 特許庁

To provide a CMP process that removes metal selectively and relatively slowly such that dishing can be minimized, and products therefrom.例文帳に追加

金属を選択的且つ比較的ゆっくりと除去して、ディッシングを少なくすることができるＣＭＰプロセス及び生成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus detecting a polishing finish point of CMP with accuracy even when the semiconductor apparatus is miniaturized.例文帳に追加

半導体装置が微小化しても、ＣＭＰの研磨終了点を正しく検出できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device by which a semiconductor substrate, a CMP tool, a brush cleaning tool, and a chemical wafer cleaning tool can be incorporated.例文帳に追加

半導体基板と、ＣＭＰツールと、ブラシ洗浄ツールと、化学的ウェハ洗浄ツールとを組み込む方法および装置を提供すること。 - 特許庁

The CMP process is usefully employed to highlight crystal defects on the Ga-side of the Al_xGa_yIn_zN wafer.例文帳に追加

このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 - 特許庁

To provide an abrasive which can be preserved even at low ambient temperature relating to a CMP compound for planarization of an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜を平坦化するＣＭＰ剤において、低温の雰囲気下においても保存することができる研磨剤を提供する。 - 特許庁

To improve the time-varying stability of polishing amount distribution in a wafer surface in a CMP process of a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

半導体製造方法のＣＭＰ工程におけるウェハ面内の研磨量分布の経時的安定性を改善することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress or avoid remaining abrasives in dents on the surface, after a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理後に表面の窪み内に研磨材が残留することを抑制又は回避し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The groove 9 is embedded in an NSG film, and ground by a CMP method so that the surface of the epitaxial layer 5 is made flat.例文帳に追加

溝部９をＮＳＧ膜で埋設し、ＣＭＰ法により研磨することで、エピタキシャル層５表面を平坦面とすることができる。 - 特許庁

To provide conditioner for CMP (Chemical Mechanical Polishing) pad exerting a stable polishing performance in a Cu wiring process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスのＣｕ配線工程において、安定した研磨性能を発揮するＣＭＰパッド用のコンディショナを提供することである。 - 特許庁

Thereafter, polishing is carried out by a CMP method, the tungsten film 13 excepting the inside of the hole 12 is completely removed and a tungsten plug 14 is formed.例文帳に追加

この後、ＣＭＰ法にて研磨を行い、ホール１２内以外のタングステン膜１３を完全に除去し、タングステンプラグ１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method of producing an improved cerium oxide abrasive suitable for forming a slurry composition suitable for a CMP (chemical mechanical polishing) process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程に適したスラリー組成物を形成するのに適した向上した酸化セリウム研磨剤を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the second metal film 22 is polished by CMP method to expose the first metal film 20 again, and the first metal film 20 is removed.例文帳に追加

次に第２金属膜２２をＣＭＰ法で研磨し、再び第１金属膜２０を露出させた後、第１金属膜２０を除去する。 - 特許庁

To flatten an insulating film, on which a plurality of wirings or plugs are formed at high density by restraining erosion in a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法におけるエロージョンを抑制し、複数の配線あるいはプラグが密集して形成されている絶縁膜の平坦化を図る。 - 特許庁

Subsequently, after Cu wiring 14 comprised of the Cu films 14b and 14c is planarized by CMP process, the sacrificial conductor film 12 is removed.例文帳に追加

ついで、Ｃｕ膜１４ｂ，１４ｃからなるＣｕ配線１４をＣＭＰ処理して平坦化した後、犠牲導体膜１２を除去する。 - 特許庁

Before a CMP processing process, a substrate defect present on a surface of an SiC substrate 1 is exposed by executing a heat treatment process.例文帳に追加

ＣＭＰ加工工程に先立ち、熱処理工程を行うことでＳｉＣ基板１の表面に存在する基板欠陥を顕在化させる。 - 特許庁

To restrict the occurrence of dishing or erosion which is problematic when forming an embedding metal wiring by a chemical-mechanical polishing(CMP) method.例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）法によって埋め込み金属配線を形成する際に問題となるディッシングやエロージョンの発生を抑制する。 - 特許庁

This CMP polishing liquid is obtained by dispersing abrasive grains to which an organic compound is adhered in an amount of 5-30 wt.% based on the abrasive grains in water.例文帳に追加

砥粒に対して５〜３０重量％の有機化合物が付着している砥粒を水中に分散してなるＣＭＰ研磨液。 - 特許庁

To provide a fitting ring and a CMP device the fitting ring, capable of sufficiently and uniformly supplying the slurry to a surface of a board to be polished.例文帳に追加

被研磨基板の研磨面にスラリーが十分且つ均一に供給されるヤトイリング及びそれを備えたＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing generation of scratches when its top surface is flattened by CMP and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨により上面を平坦化する際にスクラッチが生じにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which is superior in planarity by eliminating the influence of the polishing pattern dependence on abrasives in CMP.例文帳に追加

ＣＭＰにおける研磨剤による研磨パターン依存性の影響を排し、平坦性の優れた表面を備えた半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide an end point detector of polishing useful for enhancing efficiency and processing capacity of CMP polishing process.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨における研磨工程の能率および処理能力を向上させることのできる研磨終点検出装置を提供する。 - 特許庁

After a graded buffer layer, e.g. an SiGe layer, and a relaxation layer are formed on the wafer, CMP final polishing 108 is executed.例文帳に追加

例えばＳｉＧｅ層である傾斜バッファ層及び緩和層をウェーハ上に形成した後、ＣＭＰ最終研磨１０８を実施する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a CMP liquid which can suppress generation of polishing scratches while suppressing decrease of a polishing rate.例文帳に追加

研磨速度の低下を抑制しつつ研磨傷の発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液の製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately detect the end point of a chemical mechanical polishing(CMP) treatment, even when a polishing pad, having a configuration almost same as the substrate to be treated in used.例文帳に追加

処理対象の基板とほぼ同形状の研磨パッドを用いる場合でも、ＣＭＰ処理の終点を確実に検出する。 - 特許庁

To provide a polishing pad with a stress reduced for end point detection and measurement of CMP and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

ＣＭＰの終点検出または計測のための、応力が軽減した窓を有する研磨パッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the interlayer dielectric 9 and the cap layer 4 on the dummy gate electrode 3 are removed by CMP employing ceria based slurry.例文帳に追加

その後、ダミーゲート電極３上の層間絶縁膜９およびキャップ層４をセリア系スラリーを用いたＣＭＰ法により除去する。 - 特許庁

By eliminating the titanium nitride film and the W film, which are positioned outside the wiring trench by a CMP method, and a wiring 25 is formed.例文帳に追加

続いて、その配線溝の外部の窒化チタン膜およびＷ膜をＣＭＰ法により除去することで配線２５を形成する。 - 特許庁

By working CMP slurry not contain the oxidizer, the metal film, the nitride film and the oxide film can be made to polished at the same rate.例文帳に追加

ＣＭＰスラリーが酸化剤を含まないことで、金属膜と窒化膜、酸化膜の研磨を同じ速度で進行させることができる。 - 特許庁

Then, a gate oxide film, a second gate electrode material, and a second CMP stopper material are sequentially formed in the peripheral circuit region on the silicon substrate.例文帳に追加

次に、シリコン基板上の周辺回路領域に、順にゲート酸化膜と第２ゲート電極材と第２ＣＭＰストッパー材を形成する。 - 特許庁

Then the CMP process is performed to chemically and physically polish the metal wiring film 9 and the polishing rate adjustment film 10.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ処理を行って、金属配線膜９および研磨レート調整膜１０を化学的および物理的に研磨していく。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which improves flatness after polishing of a layer insulation film by CMP, and its manufacturing device.例文帳に追加

ＣＭＰによる層間絶縁膜の研磨後の平坦性を高める半導体装置の製造方法とその製造装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, CMP using the silicon nitride film 11 as a stopper is performed for the thin HDP-NSG film 16 whose surface is flat.例文帳に追加

この後、この表面が平坦でかつ薄膜のＨＤＰ−ＮＳＧ膜１６に、シリコン窒化膜１１をストッパーとするＣＭＰを施す。 - 特許庁

To provide slurry for CMP capable of polishing a copper-based metal film at a high polishing speed while suppressing the occurrence of dishing sufficiently.例文帳に追加

ディッシングの発生を十分に抑制しながら、銅系金属膜を高い研磨速度で研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a CMP slurry capable of forming damascene wiring having high flatness and reduced defect density and a surface impurity concentration.例文帳に追加

平坦性が高く、欠陥密度や表面不純物濃度が低減されたダマシン配線を形成可能なＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

A second insulation film 4 whose polishing speed in a CMP method is lower than that of the first insulation film 2 is formed in the recessed part 3.例文帳に追加

その後、凹部３内に第１の絶縁膜２よりもＣＭＰ法における研磨速度の遅い第２の絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

The upper surface of the first silicon nitride film 3 on the second island-shaped region 1d is expoed by a CMP method using first slurry.例文帳に追加

第１のスラリーを用いたＣＭＰ法により、第２の島状領域１ｄ上の第１のシリコン窒化膜３上表面を露出させる。 - 特許庁

The method also includes a step of removing unnecessary UBM film 36 and the fold film 37 on the polyimide resin film 34 by polishing of a CMP process.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法による研磨により、ポリイミド樹脂膜３４上の不要なＵＢＭ膜３６および金膜３７を除去する。 - 特許庁

To provide a polishing composition with high tantalum to copper selectivity in copper CMP of damascene wiring and with less dishing and erosion.例文帳に追加

ダマシン配線の銅ＣＭＰにおいて、銅に対するタンタルの選択性が高く、かつディシングとエロージョンが少ない研磨組成物を提供する。 - 特許庁

The upper surface of the first silicon nitride film 3 on the first island-shaped regions 1a is exposed by a CMP method using second slurry.例文帳に追加

第２のスラリーを用いたＣＭＰ法により、第１の島状領域１ａ上の第１のシリコン窒化膜３上表面を露出させる。 - 特許庁

To polish a semiconductor wafer having wiring patterns by CMP at a stable polishing rate, regardless of the conduction of the surface of the wiring.例文帳に追加

配線パターン付き半導体ウェーハを、その配線の表面状態に関わらず、安定した研磨レートの下でＣＭＰにて研磨する。 - 特許庁