「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The ROM 33 stores the control program in a game area 33a and stores a judgement program in a CMP area 33b.例文帳に追加

ＲＯＭ３３は、ゲーム領域３３ａに制御用プログラムを格納し、ＣＭＰ領域３３ｂに判定プログラムを格納している。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device comprises the steps of sequentially treating it for reducing and acid cleaning by alkali cleaning, hydrogen annealing or the like in the case of cleaning after CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ後洗浄に際して、アルカリ洗浄、水素アニール等による還元処理および酸洗浄を順に施す。 - 特許庁

To provide a slurry for chemically and mechanically polishing(CMP) a metal, so as to make it improved in planarity.例文帳に追加

改良された平坦性を有する化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって金属を平坦化するためのスラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a method of acquiring planarity of a wafer which is more useful and higher in accuracy to manage a state of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の状態を管理する上で、より有用で、より精度の高いウェーハの平坦度を取得する方法の提供。 - 特許庁

This CMP method is applied usefully in order to emphasize the crystal defect on the Ga side of the Al_xGa_yIn_zN wafer.例文帳に追加

このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid and a polishing method which can reduce generation of a seam and generation of organic residue.例文帳に追加

シームの発生を低減しつつ有機残渣の発生を低減することが可能なＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To form a semiconductor device or a micromachine in a shorter time than heretofore, by using a damascene method using CMP for planarization.例文帳に追加

平坦化をＣＭＰで行うダマシン法を用いて、従来より短時間に半導体装置やマイクロマシンを形成できるようにする。 - 特許庁

The polymer of hydrocarbon compound containing carbonyl, nitrile or amide affecting group is added to a CMP slurry composition for an oxide film.例文帳に追加

酸化膜用ＣＭＰスラリー組成物に、カルボニル、ニトリール又はアミド作用基を含む炭化水素化合物の重合体を添加する。 - 特許庁

Subsequently, the backside of the Si substrate 50 is ground by CMP to expose the bottom of the SiO_2 film 52 and the Poly-Si 54.例文帳に追加

その後、Ｓｉ基板５０の裏面をＣＭＰにより研削し、ＳｉＯ_２膜５２とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４の底部を露出させる。 - 特許庁

The LGLSI 1 has a DLL circuit composed of a clock phase comparator (CMP), a delay controller (Delay_CTL), and a delay chain (Delay_Chain).例文帳に追加

ＬＧＬＳＩ１は、クロック位相比較器（ＣＭＰ）、ディレイコントローラ（Ｄｅｌａｙ＿ＣＴＬ）、ディレイチェイン（Ｄｅｌａｙ＿Ｃｈａｉｎ）からなるＤＬＬ回路を具備する。 - 特許庁

The CMP apparatus comprises a polishing table, a wafer chuck, the polishing pad, a polishing liquid supply apparatus, the conditioner, and a cleaning unit.例文帳に追加

ＣＭＰ装置であって、研磨テーブルとウェハーチャックと研磨パッドと研磨液供給装置とコンディショナーと掃除ユニットとからなる。 - 特許庁

Cu wirings 46a to 46e to be buried in wiring grooves 40 of silicon oxide film 39, are formed by means of polishing using CMP.例文帳に追加

シリコン酸化膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成する。 - 特許庁

Then, the dielectric film on the wafer surface is polished with the known CMP technique to realize complete flatness easily.例文帳に追加

その後、公知のＣＭＰ技術を用いてウェハ表面の絶縁膜を研磨することにより、容易に完全平坦化が実現できる。 - 特許庁

The CMP polishing liquid has a pH of 2.8-4.0, and contains an oxidized metal solubilizer, a metal anticorrosive agent, and an oxidizer.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ研磨液は、ｐＨが２．８〜４．０であり、酸化金属溶解剤、金属防食剤、酸化剤を含有する。 - 特許庁

A tunnel oxide film, a first gate electrode material, and a first CMP stopper material are sequentially formed in the cell region on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上のセル領域に、順にトンネル酸化膜と第１ゲート電極材と第１ＣＭＰストッパー材を形成する。 - 特許庁

POLISHING MATERIAL, CMP SLURRY COMPOSITION, FORMING METHOD OF RTN PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

研磨用材料、ＣＭＰ用スラリー組成物、ＲＴＮパターンの形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

Thereafter, the silicon germanium crystalline layer 3 is polished by a CMP method, to make the thickness suitable for device formation.例文帳に追加

その後、デバイス形成に適した膜厚となるようシリコンゲルマニウム単結晶層３を化学機械的研磨法を用いて研磨する。 - 特許庁

A polishing pad 3 for the throwaway polishing pad plate 1 is ground in an accuracy required for a CMP polishing by a grinder 11.例文帳に追加

そして、グラインダ１１により、使い捨て研磨パッドプレート１の研磨パッド３を、ＣＭＰ研磨に必要な精度に研削する。 - 特許庁

The CMP (chemical mechanical polishing) slurry contains composite particles including a composite resin component and an inorganic component and resin particles.例文帳に追加

複合化された樹脂成分と無機成分とを含む複合型粒子、および樹脂粒子を含有するＣＭＰ用スラリーである。 - 特許庁

Thereafter, the contact plug is formed in the via hole 17, by performing the CMP treatment after the conductive film has been deposited over the whole surface.例文帳に追加

その後、全面に導電膜を堆積後、上記ＣＭＰ処理を施すことによりビアホール１７内にコンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION例文帳に追加

ポリシリコン・マスクと化学機械研摩（ＣＭＰ）平坦化を使用して２通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス - 特許庁

When a voltage Vsence across a resistor R46 exceeds a reference negative voltage, a comparator CMP 32 outputs a high level signal.例文帳に追加

抵抗Ｒ４６の電圧Ｖｓｅｎｃｅが基準負電圧を超えたときコンパレータＣＭＰ３２は、ハイレベル信号を出力する。 - 特許庁

The magnetic layer 19 is then planarized by CMP(Chemical and Mechanical Polishing) to expose a surface of the insulating layer 20a.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ（Chemical and Mechanical Polishing : 化学・機械研磨）によって、磁性層１９を平坦化して絶縁層２０ａの表面を露出させる。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing(CMP) control system for controlling pressure distribution on the back face of a semiconductor wafer to be polished.例文帳に追加

研磨される半導体ウエハの裏面にわたる圧力分布を制御する化学機械研磨（ＣＭＰ）制御システムを提供する。 - 特許庁

The ROM 33 stores the program for control in a game region 33a and a determination program in a CMP region 33b.例文帳に追加

ＲＯＭ３３は、ゲーム領域３３ａに制御用プログラムを格納し、ＣＭＰ領域３３ｂに判定プログラムを格納している。 - 特許庁

Therefore, it is also possible to prevent scratches from occurring on a polished surface of a semiconductor wafer or the like polished by the CMP device.例文帳に追加

従って、ＣＭＰ装置によって研磨される半導体ウェハ等の被研磨面にスクラッチが発生するのを防止できる。 - 特許庁

To provide a low cost IC tester by substituting a hardware other than a pattern memory among three kinds of patterns (DRV pattern, CMP pattern and MASK pattern) contained in a pattern memory for CMP pattern section and reducing the capacity of the pattern memory.例文帳に追加

パターンメモリに格納される３種類のパターン（ＤＲＶパターン、ＣＭＰパターン及びＭＡＳＫパターン）のうち、ＣＭＰパターンの部分をパターンメモリ以外のハードウエアに代替させることによって、パターンメモリの容量を小さくして、原価の低いＩＣテスタを提供する。 - 特許庁

In a CMP of buried wiring formation, since the low dielectric film of the part B and the part D is divided into isolated regions, shearing stress of the CMP to the low dielectric film of a part A and a part C including the wiring pattern is relaxed.例文帳に追加

埋め込み配線形成のＣＭＰにおいて、部分Ｂおよび部分Ｄの低誘電率膜が孤立領域に仕切られていることにより、配線パターンを含む部分Ａおよび部分Ｃの低誘電率膜に対するＣＭＰのせん断応力が緩和される。 - 特許庁

A CMP polishing liquid of this invention contains: (A) a metal anticorrosive containing a chemical compound having a 1,2,3-triazolo[4,5-b]pyridine skeleton; (B) an abrasive grain having a positive zeta potential in the CMP polishing liquid; (C)an oxidation metal melting agent; and (D) an oxidizer.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ研磨液は、（Ａ）１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン骨格を有する化合物を含む金属防食剤と、（Ｂ）ＣＭＰ研磨液中で正のゼータ電位を有する砥粒と、（Ｃ）酸化金属溶解剤と、（Ｄ）酸化剤と、を含有する。 - 特許庁

To provide solid persulfate for a CMP polishing solution, wherein an insoluble component to hotwater is not contained which component gives a bad influence on a product at the time of manufacturing a semiconductor device, and complicated procedure such as a pulverization process is also unnecessary at the time of preparing the CMP polishing solution.例文帳に追加

半導体装置の製造に際して製品に悪影響を与えるような水に不溶性の成分を含有せず、且つＣＭＰ研磨液の調製時に粉砕工程等の煩雑な手順も必要としないＣＭＰ研磨液用固体過硫酸塩を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing agent capable of efficient and high-speed polishing with reduced influence of pattern density dependency and easy polishing process management without polishing scratches, with respect to CMP technology for smoothening an interlayer dielectric film, a BPSG film, and a shallow-trench-isolation insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、パターン密度依存の影響を少なく、効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、研磨できるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing cloth, a CMP apparatus provided with the same and a CMP method in which in-plane uniformity of a wafer polishing quantity is improved by eliminating lack of polishing in a middle portion of the wafer by increasing a quantity of slurries to be held near the middle of the wafer during polishing.例文帳に追加

研磨時の基板中央付近へのスラリー保持量を増加させることにより、基板中央部の研磨不足を解消し、基板研磨量の面内均一性を向上させた研磨クロス、それを備えたＣＭＰ装置及びＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

To machine a conducive material provided on the surface of a board to be flat and further remove (wash away) deposits from the surface of the board while, e.g. eliminating the need for CMP treatment itself, and reducing the load of the CMP treatment to a minimum.例文帳に追加

例えばＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにする。 - 特許庁

By adopting a lift-off technique using a flattening technique by CMP to form a track width and height of an element, and a structure and a process for locating a CMP dummy film 16, the defects of shape and short-circuiting are reduced and a high yield is secured even in the narrow track width.例文帳に追加

トラック幅や素子高さ形成にＣＭＰによる平坦化技術を用いたリフトオフ技術と、ＣＭＰダミー膜１６を配置する構造及びプロセスを採用することで形状不良や短絡不良を低減し、狭トラック幅でも高歩留まりを確保する。 - 特許庁

To provide a method of polishing a semiconductor substrate capable of obtaining a steady, high polishing rate while maintaining polishing characteristics, by making a surface state of a CMP polishing pad appropriate using an existing CMP polishing pad and an existing polishing agent in a low-pressure polishing process.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

An abrasive material recovering device for recovering abrasive material from waste water discharged out in a CMP process is equipped with a film-separating means, to which waste water discharged out in a CMP process is introduced and a cleaning means which rinses a concentrated water obtained by the film separating means with water.例文帳に追加

ＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、ＣＭＰ工程排水が導入される膜分離手段と、膜分離手段で得られた濃縮水を水洗する洗浄手段とを備えてなることを特徴とする研磨剤の回収装置。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing occurrence of dishing and erosion, when an embedded interconnection is formed through CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法によって埋め込み配線を形成する際のディッシングやエロージョンの発生を抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁

Subsequently, an oxide film is filled on a bit line, and further to the oxide film, CMP or etch back is proceeded to the polishing terminating layer.例文帳に追加

続いてビット線の上に酸化膜を充填し、さらに酸化膜に対して研磨終止層までＣＭＰ或いはエッチバックを進行する。 - 特許庁

To provide CMP (chemical mechanical polish) abrasive wherein a problem is solved by lowering a content by percentage of a particle having a large particle size in the abrasive.例文帳に追加

研磨剤中の大粒径粒子の含有率を低くすることにより問題点を解決する、ＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which dishing or erosion during CMP can be suppressed and yield be improved.例文帳に追加

ＣＭＰにおけるディッシングやエロージョンの発生を抑制し、歩留まり向上の図れる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then at least CMP processing is applied to remove the overlap portion of the first film 3 and second film 4 on the isolation oxide film 2.例文帳に追加

そして、少なくともＣＭＰ処理を用いて、分離酸化膜２上の第１の膜３と第２の膜４との重なり部分を除去する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device which can prevent fault in CMP processing without increasing the fabrication cost.例文帳に追加

製造コストを高めることなくＣＭＰ処理における不具合を防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost method for both reducing dishing after a CMP of a Cu wiring film and removing residual Cu.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜のＣＭＰ後のディッシングの低減とＣｕ残除去との両立を低コストで実現する技術を提供することである。 - 特許庁

After the CMP process, the wafer W is cleaned in a cleaning chamber 120, and is dried under reduced pressure in a reduced-pressure drying chamber 40a.例文帳に追加

ＣＭＰ処理後、ウェハＷは、洗浄処理室１２０にて洗浄処理され、減圧乾燥室４０ａにて減圧乾燥される。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an insulating film on a semiconductor substrate formed with a semiconductor element, and planarizing its upper surface by a CMP or the like.例文帳に追加

半導体素子を形成した半導体基板上に絶縁膜を形成し、その上面をＣＭＰ等で平坦化する。 - 特許庁