「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, by a CMP treatment using a polishing pad 24, a solidified layer breaking process is performed which breaks the solidified layer 43.例文帳に追加

その後、研磨パッド２４を用いたＣＭＰ処理によって、硬化層４３を破壊する硬化層破壊工程が行われる。 - 特許庁

Next, the conductive film 5 is polished by a CMP method, until the surface of the interlayer insulation film 3 is exposed (Fig. 2 (c)).例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁膜３の表面が露出するまで導電膜５を研磨する（図２（ｃ））。 - 特許庁

To realizes advantages such as disuse of CMP processing itself, minimum load of the CMP processing in flattening a conductive material provided on a substrate surface, and removal of deposits adhering to the substrate surface.例文帳に追加

例えばＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにする。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for CMP with high versatility, which is less dependent on a substrate surface condition compared to conventional polishing liquids while capable of achieving a sufficiently high polishing speed for silicon oxide films, and to provide a polishing method using the polishing liquid for CMP.例文帳に追加

酸化ケイ素膜に対する充分に高い研磨速度を達成できるとともに、従来の研磨液と比較して基板表面の状態に依存しない汎用性の高いＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

The SOC film 160 can be processed at low temperature, a fall problem can be prevented by minimizing stress applied to the vertical type transistor 150, and a CMP process can be eliminated because a surface roughening phenomenon supposed to occur in a high-temperature annealing process does not occur.例文帳に追加

SOC膜160は低温処理が可能であり、垂直型トランジスタ150に加えるストレスを最小化して倒れ問題を防止することができ、高温アニーリング工程で発生する表面の粗化現象がないので、CMP工程を省略することができる。 - 特許庁

To provide a plane template for a CMP tool polishing head having a means for fixing a wafer in CMP polishing and holding a rear surface of the template for the polishing head by a holding means and to provide its use method.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨においてウエハを固定する手段を有しているＣＭＰツール研磨ヘッドのための平面テンプレートであって、テンプレートの裏面は、保持手段によって研磨ヘッドに対して保持される、平面テンプレート及びその使用方法を提供する。 - 特許庁

Unmanned operation is realized by treating a predetermined dummy wafer before treating a product wafer by only downloading the treatment recipe 24 of the product wafer from a host computer 19 to a CMP device 11 during the course of CMP operation.例文帳に追加

ＣＭＰ処理において製品ウェハの処理レシピ２４のみをホストコンピュータ１９からＣＭＰ装置１１へダウンロードするだけで、製品ウェハを処理する前に、あらかじめ決められたダミーウェハの処理をすることにより、無人化運転を実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can make smooth the supply of slurry to between a wafer and abrasive cloth and the interaction between abrasives and the wafer surface and increase a CMP speed, and to provide a semiconductor manufacturing equipment which performs a CMP process.例文帳に追加

ウェハと研磨布の間へのスラリの供給・砥粒とウェハ表面の相互作用が円滑に行われ、ＣＭＰ速度を増大させることが可能な半導体装置の製造方法及びＣＭＰ処理を行う半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

In the additive liquid for a CMP polishing agent, the content of dispersing agent, which is used in the CMP polishing agent composed of cerium oxide particles, cerium oxide slurry containing the dispersing agent and water, and the additive agent containing the dispersing agent and water, is 1 to 10 wt%.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー並びに分散剤と水を含む添加液からなるＣＭＰ研磨剤に用いられる分散剤の含有量が１〜１０重量％であるＣＭＰ研磨剤用添加液。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high reliability and high production efficiency capable of surely and simply flattening an irregular face by subsequent CMP treatment even when the irregular face is produced on an insulating inter-layer film before the CMP treatment and its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＭＰ処理前に絶縁層間膜上に凹凸面が生じても、その後のＣＭＰ処理にて凹凸面を確実かつ簡易に平坦化できて、信頼性が高く、生産効率の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a CMP process, a photolithographic process and an anisotropic etching process which are performed for preventing the problem wherein the insulating film is left after CMP are performed, and the insulating film on the trench 15 is previously eliminated by a prescribed depth.例文帳に追加

ＣＭＰ工程において、ＣＭＰ後に埋込み用絶縁膜が残留する問題を防止するために行われるフォトリソグラフィ工程及び異方性エッチング工程を用い、トレンチ１５上の埋込み用絶縁膜を予め所定の深さだけ除去する。 - 特許庁

The CMP solution for the tungsten containing abrasive grains, periodic acid, a protection film forming agent and water includes the periodic acid of 0.15 mass% or more to the CMP solution for the tungsten.例文帳に追加

砥粒、過ヨウ素酸、保護膜形成剤及び水を含むタングステン用ＣＭＰ研磨液であって、前記過ヨウ素酸をタングステン用ＣＭＰ研磨液に対して０．１５質量％以上含有してなることを特徴とするタングステン用ＣＭＰ研磨液。 - 特許庁

The manufacturing process of a capacitor of a ferroelectric memory element comprises a step for separating the storing electrode by performing CMP for an insulating film until the Pt layer of the storing electrode is exposed by using acidic CMP slurry comprising organic acid.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子のキャパシタの製造工程において、有機酸を含む酸性のＣＭＰスラリーを利用し、貯蔵電極のＰｔ層が露出するまで絶縁膜をＣＭＰして貯蔵電極を分離する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

When the conditions of second CMP are altered appropriately depending on the upper surface position of the Cu film, upper surface of the Cu film after second CMP becomes flush with the upper surface position of the insulating film or becomes lower than that and occurrence of incomplete interconnect line can be reduced.例文帳に追加

Ｃｕ膜の上面位置に応じて第２のＣＭＰの条件を適宜変えることにより、第２のＣＭＰ後のＣｕ膜の上面位置は絶縁膜の上面位置と同一か、それ以下となり、配線不良の発生を低減できる。 - 特許庁

The device 10A for treating the CMP process wastewater includes a raw water feeding device 1A for feeding the CMP process wastewater containing 10^3-10^5 mg/l of polyethylene glycol or polypropylene glycol to an evaporation concentration device 4; and the evaporation concentration device 4 in which the fed CMP process wastewater is subjected to an evaporation concentration treatment to obtain a concentrated liquid and condensed water of evaporation part.例文帳に追加

ポリエチレングリコール又はポリプロピレングリコール１０^^3〜１０^5ｍｇ／ｌを含有するＣＭＰ工程排水を蒸発濃縮装置４に供給する原水供給装置１Ａと、供給された前記ＣＭＰ工程排水を蒸発濃縮処理して濃縮液と蒸発分の凝縮水を得る蒸発濃縮装置４と、を含むＣＭＰ工程排水処理装置１０Ａ。 - 特許庁

To provide a post CMP processing liquid that is capable of efficiently removing deposited matter on each surface of a wiring layer and an insulating layer.例文帳に追加

配線層や絶縁膜表面の付着物質を効率よく除去することができるポストＣＭＰ処理液を提供する。 - 特許庁

To provide a retainer ring for a CMP apparatus, which retainer ring can achieve proper polishing results without causing the scratch and the sticking of foreign substances.例文帳に追加

スクラッチや異物の付着などがない適正な研磨結果を得ることが可能なＣＭＰ装置用リテーナリングを提供する。 - 特許庁

When the copper layer outside the groove is removed through flattening treatment using a CMP method further, a copper wiring, which is embedded in the groove, can be obtained.例文帳に追加

溝外の銅層をＣＭＰ処理による平坦化処理によって除去すると、溝内に埋め込まれた銅配線が得られる。 - 特許庁

The CMP 14 outputs MLA arithmetic results in an ascending order or a descending order according to the counted result and cycle signals.例文帳に追加

ＣＭＰ１４は、計数結果およびサイクル信号に従って、ＭＬＡ演算結果を昇順または降順に出力する。 - 特許庁

To provide a CMP device preventing swelling of a polishing pad to an upper part, and maintaining polishing characteristics.例文帳に追加

研磨パッドが上部に膨出することを防止することができ、研磨特性を維持することができるＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

Specifically, the controller 90 controls the number of comparators (CMP) to operate by means of the control signal, thereby determining the resolution.例文帳に追加

具体的に制御器９０は、制御信号により動作させる比較器（ＣＭＰ）の個数を制御して、分解能を決定する。 - 特許庁

A first heat treating removes the solvent and organic constituent, and then the CMP method removes the conductor particles on the outside.例文帳に追加

第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。 - 特許庁

The Cu layer 5 at the section excluding the inside of the wiring groove 3 is removed by polishing by a CMP method so as to form a wiring layer 6.例文帳に追加

配線溝３の内部以外の部分のＣｕ層５をＣＭＰ法により研磨して除去し、溝配線６を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the excess parts of the copper alloy film 6 and the barrier metal 5 are removed from the surface through a CMP method to make the surface of the semiconductor substrate 1 flat.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法により表面の余分な銅合金膜６及びバリアメタル５を除去し表面を平坦化する。 - 特許庁

Moreover, the CMP can be conducted continuously in a plurality of steps on the same polishing table and thereby throughput can also be improved.例文帳に追加

また、同一研磨テーブル上で連続して複数ステップのＣＭＰを行うことができ、スループットを向上させることができる。 - 特許庁

In one embodiment a method for chemical mechanical polishing (CMP) of a conductive material disposed on a substrate is provided.例文帳に追加

一実施形態では、基板上に配設された導電性物質を化学機械研磨（ＣＭＰ）するための方法が提供される。 - 特許庁

By means of CMP, the SOG film 115 and the W film other than those in the aperture are removed, to form a W lower electrode 114 (i).例文帳に追加

ＣＭＰにより、開口部以外のＳＯＧ膜１１５、Ｗ膜を除去してＷ下部電極１１４を形成する（ｉ）。 - 特許庁

To provide CMP slurry capable of polishing a Cu film at a practical speed while inhibiting dishing or corrosion without leaving Cu residuals.例文帳に追加

Ｃｕ残渣なしに、ディッシングやコロージョンを抑制しつつ、実用的な速度でＣｕ膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

The CMP system includes: a polishing table; a sample carrier arranged to hold the sample over the polishing table; and an eddy current probe.例文帳に追加

このＣＭＰシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 - 特許庁

To provide a polishing solution for CMP, capable of achieving a sufficiently high polishing speed to a silicon oxide film, and a polishing method.例文帳に追加

酸化ケイ素膜に対する十分に高い研磨速度を達成できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供すること。 - 特許庁

When the peripheral circuit region 12 and the memory cell region get flush with each other, a polishing pressure becomes nearly equal anywhere at CMP.例文帳に追加

周辺回路領域１２とメモリセル領域との段差が無くなれば、ＣＭＰ時の研磨圧力がどこでも概略同じとなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can effectively remove contaminants remaining on a surface after CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ後に表面に残存する異物を効果的に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

CMP NONSELECTIVE SLURRY, ITS MANUFACTURING METHOD AND METHOD OF FORMING PLUG IN INSULATING LAYER ON WAFER USING TE SAME例文帳に追加

ＣＭＰ用非選択性スラリー及びその製造方法、並びにこれを用いてウェーハ上の絶縁層内にプラグを形成する方法 - 特許庁

To provide a post-CMP treating liquid capable of efficiently removing sticking substances on a wiring layer and an insulating film surface.例文帳に追加

配線層や絶縁膜表面の付着物質を効率よく除去することができるポストＣＭＰ処理液を提供する。 - 特許庁

To form an interlayer dielectric planarized by a CMP method on a semiconductor element where high-accuracy electrical characteristics are required.例文帳に追加

高い精度の電気特性が要求される半導体素子上にＣＭＰ法で平坦化した層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The polishing pad for the CMP has in the polishing surface irregular depth grooves in each of which a small depth part and a large depth part are formed.例文帳に追加

同一溝内に小深度部と大深度部とが形成された異深度溝を、研磨面に有するＣＭＰ用研磨パッド。 - 特許庁

After the TEOS film 18 is flattened out by a CMP method, a SiH_4 base silicon oxide film 30 preferable for capturing fluorine is formed on it.例文帳に追加

TEOS膜１８をＣＭＰ法で平坦化した後、その上に、フッ素の捕獲に好適なSiH_４系シリコン酸化膜３０を形成する。 - 特許庁

An organic coating film 30 is formed on the Cu layer 20 by applying an organic coating material prior to CMP processing step.例文帳に追加

Ｃｕ層２０上において、ＣＭＰ処理工程の前に、有機材料を塗布することにより有機塗布膜３０を形成する。 - 特許庁

A CNT 13 counts the respective numbers of values outputted from the respective MLACs and outputs a counted result to a CMP 14.例文帳に追加

ＣＮＴ１３は、各ＭＬＡＣから出力される値のそれぞれの個数を計数し計数結果をＣＭＰ１４に出力する。 - 特許庁

To prevent film reduction due to erosion, when an unwanted electrode film is removed using chemical mechanical polishing(CMP) method.例文帳に追加

化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法を用いて不要な電極膜を除去する際のエロージョンによる膜減りの発生を防止する。 - 特許庁

Then, the barrier metal film 23, the nickel film 24, and the tungsten film 25 on the interlayer dielectric 21 are removed by the CMP method.例文帳に追加

そして、ＣＭＰ法により層間絶縁膜２１上のバリアメタル膜２３、ニッケル膜２４及びタングステン膜２５を除去する。 - 特許庁

The polarity of slurry is controlled to keep the equilibrium of a material removing rate from respective crystal faces during a CMP process.例文帳に追加

スラリーの極性は、ＣＭＰプロセスの間それぞれの結晶面からの材料除去速度を平衡に保つように制御される。 - 特許庁

To suppress the dishing of a wide wiring groove when forming the groove wiring of a semiconductor device by the chemical mechanical polishing (CMP) method.例文帳に追加

半導体装置の溝配線を化学機械研磨（ＣＭＰ）法で形成する際の広幅配線溝のデッシングを抑制する。 - 特許庁

To provide a novel CMP slurry, in which metal particles are removed to avoid damaging and/or contaminating a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの損傷及び／又は汚染を避けるために金属粒子を除いた新規なＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

To prevent device characteristics from deteriorating due to the diffusion of metal impurities to a semiconductor substrate in CMP or the like of a material film.例文帳に追加

金属膜のＣＭＰ等において、金属不純物が半導体基板へ拡散し、デバイス特性を劣化させることを防止する。 - 特許庁