「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To polish a film formed on a substrate having concaves and convexes to a desired film thickness in one CMP.例文帳に追加

凹凸を有する基板の上に設けられた膜を、１回のＣＭＰで所望の膜厚に研磨する。 - 特許庁

Further, a chemical to dissolve abrasive grains or slurry for CMP can also be mixed in the steam.例文帳に追加

さらに、水蒸気に砥粒を溶解する薬液又はＣＭＰ用のスラリーを混合することもできる。 - 特許庁

The CMP abrasive contains cerium oxide grains, dispersants, vinyl-pyrrolidone copolymer additives and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ビニルピロリドン共重合体からなる添加剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

Further, the nitrogen component in the CMP waste water is removed by means of an electrochemical treatment using an electrode 12.例文帳に追加

また、電極１２を用いた電気化学的処理により、ＣＭＰ排水中の窒素分を除去する。 - 特許庁

The conductive film 5 and the barrier film 4 as portions projected from the wiring groove 3 are removed by a CMP process.例文帳に追加

配線溝３からはみ出した部分の導電膜５、バリア膜４をＣＭＰ工程により除去する。 - 特許庁

To provide appropriate polishing characteristics without lowering productivity, in a planarization process by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による平坦化工程において，生産性を低下させることなく好適な研磨特性を得る。 - 特許庁

METAL CMP SLURRY COMPOSITIONS WITH REDUCED SUSCEPTIBILITY IN MICRO-SCRATCHING AND SUITABLE FOR MECHANICAL POLISHING OF METAL OXIDE例文帳に追加

マイクロスクラッチングが少なくて金属酸化物の機械的研磨に適した金属ＣＭＰスラリー組成物 - 特許庁

A slurry diluted solution is supplied to the plurality of the CMP devices 30 through individual pipes 21a.例文帳に追加

複数台のＣＭＰ装置３０には、個別の配管２１ａにより、スラリー希釈液を供給する。 - 特許庁

Then the interconnections and MIM capacitor are completed with only one planarization process (e.g. CMP).例文帳に追加

次いで、ただ１回の平坦化工程（たとえばＣＭＰ）で、相互接続とＭＩＭキャパシタを完成させる。 - 特許庁

An upper portion of the embedding insulating film is planarized by a CMP method using the remaining hard mask film as a stopper.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜の上部を、残存するハードマスク膜をストッパとして、ＣＭＰ法により平坦化する。 - 特許庁

Then, the oxide film 106 is polished by CMP to form the trench isolation 108.例文帳に追加

酸化膜１０６を化学的機械的研磨により研磨し、それによってトレンチ分離１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method with which it becomes possible to suppress variations in polishing performed with a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨のばらつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a CMP apparatus and a method, whereby the temperature distribution of the surface of a wafer present in the process of polishing can be measured.例文帳に追加

研磨中のウエハの表面の温度分布を測定できるＣＭＰ装置及び方法の実現。 - 特許庁

Unnecessary conductive film outside of the wiring groove is removed by a CMP method or the like to form a buried wiring.例文帳に追加

ＣＭＰ法等により配線溝外部の不要な導電膜を除去し埋め込み配線を形成する。 - 特許庁

The device comprises constituent elements of (a) a moving means for collecting a sample of acid CMP slurry, (b) a transforming means for transforming the acid CMP slurry to basic slurry, (c) a measuring means for measuring ammonia gas in the acid slurry, and (d) a detecting means for making the notification of the end of the proceeding CMP cycle by using a signal.例文帳に追加

ａ．酸性のＣＭＰスラリのサンプルを採集する移送手段と、ｂ．酸性ＣＭＰスラリを塩基性スラリに変換する変換手段と、ｃ．塩基性スラリ中に存在するアンモニア・ガスを測定する測定手段と、ｄ．進行中のＣＭＰサイクルの終了を信号で伝える検出手段と、の構成要素を備える装置。 - 特許庁

In the CMP method for processing a substrate by CMP, the pressure being applied to the central part of the substrate during CMP is set at 0.05-1.5 psi, and the pressure being applied to a retainer ring arranged on the outer circumference of the substrate is set equal to 3-15 times of the pressure applied to the central part of the substrate.例文帳に追加

基板に対してＣＭＰを施して加工するＣＭＰ方法であって、前記ＣＭＰに際して、前記基板の中央部において加える圧力を０．０５〜１．５ｐｓｉとなし、前記基板の外周に配置したリテーナリングに加える圧力を、前記基板の中央部において加えた圧力の３〜１５倍とする。 - 特許庁

To provide a dresser and its quality control method whereby the variation of individuals is reduced and the increase of their life-time is realized with respect to the dressers used in a CMP process, to provide a CMP apparatus having the improved stability and repeatability of its polishing characteristic, and further, to provide a highly accurate and excellent semiconductor device and its manufacturing technique using the CMP apparatus.例文帳に追加

ＣＭＰ工程で使用されるドレッサにおいて、個体ばらつきを低減させ、長寿命化を実現するドレッサとその品質管理方法、また、研磨特性の安定性、再現性を向上させるＣＭＰ装置、さらに、ＣＭＰ装置を用いた高精度、高品位な半導体装置及びその製造技術を提供する。 - 特許庁

The polishing compound for CMP contains a copper (II) or nickel (II) compound of 0.05-5 mass%, abrasive grains for polishing of 0.01-10 mass%, and an oxidant 0.01-10 mass%, and the CMP polishing method for copper films uses the polishing component for CMP.例文帳に追加

銅（II）またはニッケル（II）の化合物０．０５〜５質量％、研磨砥粒０．０１〜１０質量％、および酸化剤０．０１〜１０質量％を含有してなることを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物、および当該ＣＭＰ用研磨組成物を使用することを特徴とする銅膜のＣＭＰ研磨方法。 - 特許庁

To provide a slurry composition for nitride CMP having a high selection rate, CMP method using it, and a semiconductor device manufactured by employing the CMP method, for the nitride which can be used in manufacturing the semiconductor device achieving a high density and high integration by polishing the nitride effectively.例文帳に追加

ナイトライドを効果的に研磨することによって、高密度、高集積化を成す半導体素子の製造に利用することができるナイトライドに対し、高選択比を有するナイトライドＣＭＰ用スラリー組成物、これを利用したＣＭＰ方法、及びこのようなＣＭＰ方法を利用して製造された半導体素子を提供すること。 - 特許庁

Then the first CMP process is performed, and with the polysilicon film 6 after the first CMP process as a mask, etching process is performed for the silicon oxide film 5, and the silicon oxide film 5 which lies in the region over the projecting part region removed, and then a second CMP process is further performed to cause the top of a semiconductor substrate 1 to be flattened.例文帳に追加

その後、第１のＣＭＰ処理を行い、第１のＣＭＰ処理後のポリシリコン膜６をマスクとしてシリコン酸化膜５に対するエッチング処理を実行して、凸部領域の上部領域のシリコン酸化膜５を除去した後、さらに第２のＣＭＰ処理を行って半導体基板１上を平坦化させる。 - 特許庁

Since polishing speed by the CMP method differs depending on the difference in the orientation of the metallic film, excess or insufficiency in polishing by the CMP method can be prevented from occurring if the orientation of the metallic film 7 is uniform entirely on the wafer surface.例文帳に追加

金属膜の配向性の違いによりＣＭＰ法による研磨速度が異なるから、金属膜７の配向性がウエハ面の全体で一様であるとＣＭＰ法による研磨に過不足が生じることが防がれる。 - 特許庁

To provide a CMP system in which unnecessary matters on a polishing pad can be removed efficiently immediately after using a conditioner, and to provide a method for initializing a CMP polishing pad and a semiconductor device utilizing it.例文帳に追加

研磨パッド上の不要物をコンディショナ使用直後から効率的に除去することのできるＣＭＰ装置及びＣＭＰ用研磨パッドのイニシャライズ方法及びその利用を経る半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique of semiconductor devices capable of setting a residual level difference in CMP polishing to not more than a prescribed value, improving the manufacturing throughput of a film deposition process and a CMP process, and suppressing costs.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨における残留段差を規定値以下としつつ、膜堆積プロセスとＣＭＰプロセスの製造スループット向上とコスト抑制を実現することができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

After a gate oxide film 102 is formed first on a substrate and a CMP (Chemical Mechanical Polishing) stopper film 104 is formed thereupon, the gate oxide film and the CMP stopper film are etched and the semiconductor substrate is also etched to form a trench 108.例文帳に追加

基板上にまず先にゲート酸化膜１０２を形成しておき、その上にＣＭＰストッパ膜１０４を形成後、ゲート酸化膜とＣＭＰストッパ膜をエッチングし、半導体基板をエッチングしてトレンチ１０８を形成する。 - 特許庁

The insulating film 16 is polished from a projecting section 16a by the CMP(chemical mechanical polishing) method, and when the upper surface of the WSiX film is exposed, a CMP device terminates the polishing upon detecting an overload on a motor.例文帳に追加

ＣＭＰ法により層間絶縁膜１６を凸部１６ａから研磨し、セルプレート１５のＷＳｉ_x 膜の上面が露出した段階で、ＣＭＰ装置がモーターの過負荷を検知して研磨を終了する。 - 特許庁

Resistors R1, R2, and R3 are set to resistor values R, R, and 0.7R respectively, and comparators CMP 1 and CMP 2 discriminate high/low, by comparing input voltage with threshold of 5% of source voltage.例文帳に追加

抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の抵抗値はそれぞれＲ、Ｒ、０．７Ｒに設定され、比較器ＣＭＰ１、ＣＭＰ２は入力電圧を電源電圧の５０％の閾値と比較することによりハイ／ローを判別する。 - 特許庁

After a surface of the optical element or substrate which is perpendicular or oblique to a domain wall of the polarization inversion structure is subjected to chemical machine polishing (CMP), steps formed on the processed surface are microscopically observed.例文帳に追加

光学素子又は基板において、分極反転構造の分域壁に対して直交し又は傾斜した面に、化学的機械研磨（CMP）を施した後、その被加工面に生じる段差を微視的に観察する。 - 特許庁

To provide a device for treating a CMP process wastewater, capable of treating a CMP process wastewater containing PEG and PPG at a high concentration with a simple device at a relatively low cost, in which a continuous operation for a long period of time is possible.例文帳に追加

ＰＥＧやＰＰＧを高濃度で含有するＣＭＰ工程排水を、簡易な装置で、比較的低コストでしかも長期間の連続運転が可能なＣＭＰ工程排水処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide polishing solution for CMP and a polishing method for carrying out high planarization and for suppressing dishing or sinning without lowering a polishing speed at the time of forming the embedded wiring(pattern) of a metallic film by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法で金属膜の埋め込み配線（パターン）を形成させる際に、研磨速度を落とさずに、高平坦化はもとより、ディッシング及びシニングを抑制できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of estimating a relative profile of a residual film thickness (pattern ratio profile for CMP) between active condensation and rarefaction regions after CMP, based on the layout of a mask pattern within a one-chip mask region.例文帳に追加

ワンチップマスク領域内でのマスクパターンのレイアウトに基づいて、ＣＭＰ後のアクティブ疎密領域間における残膜の相対的な残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ分布）を推定するための方法を提供する。 - 特許庁

The second inorganic insulating film 132 is polished by CMP using a polish containing an oxidizing agent, and then polished by CMP using a polish free of oxidizing agent until the end face of the part to be polished P1 is attained.例文帳に追加

第２の無機絶縁膜１３２を、酸化剤を含む研磨剤を用いたＣＭＰによって研磨し、その後、被研磨体Ｐ１の端面に達するまで、酸化剤を含まない研磨剤を用いたＣＭＰによって研磨する。 - 特許庁

To provide a CMP process simulating method or the like in which even if the resolution of position is increased in a CMP film thickness computing method, no increase in computation time and in the size of the memory used is brought about.例文帳に追加

ＣＭＰ膜厚計算方法において位置分解能を上げた場合であっても計算時間の増加および使用メモリの増大を招くことのないＣＭＰ工程のシミュレーション方法等を提供する。 - 特許庁

Then an insulating material layer is applied for completely filling the trenches and covering the CMP cut-off pattern.例文帳に追加

次に、トレンチを完全に充填すると共に、ＣＭＰ遮断パターンを覆うように絶縁物質層を塗布する。 - 特許庁

The CMP polishing of the substrate is made, the presence or absence of polishing remainder is evaluated electrically, and optimum polishing time is obtained.例文帳に追加

この基板のＣＭＰ研磨を行い、研磨残りの有無を電気的に評価し、最適な研磨時間を求める。 - 特許庁

The unnecessary film 106 existing on the main surface side is removed by a CMP to form the element isolation.例文帳に追加

主表面側に存在する不要な厚膜酸化膜１０６をＣＭＰで除去して素子分離を形成する。 - 特許庁

Excessive copper (124) and the barrier layer (114) are removed by using CMP, and the rest is fixed to the SiC (106).例文帳に追加

ＣＭＰを用いて、余分な銅（１２４）と障壁層（１１４）を除去し、ＳｉＣ（１０６）に定着させる。 - 特許庁

To form a buried pattern which maintains high CMP rate and is excellent in reliability by reducing etching rate sufficiently.例文帳に追加

エッチング速度を十分に低下させ、高いＣＭＰ速度を維持し信頼性の高い埋め込みパターンを形成する。 - 特許庁

To form a buried pattern which maintains high CMP rate and is excellent in reliability by reducing an etching rate sufficiently.例文帳に追加

エッチング速度を十分に低下させ、高いＣＭＰ速度を維持し信頼性の高い埋め込みパターンを形成する。 - 特許庁

In combination with mechanical polishing using loose abrasives, chemical mechanical polishing (CMP) of the GaN substrate can be performed.例文帳に追加

遊離砥粒による機械的研磨と合わせることによりＧａＮの化学的機械的研磨（ＣＭＰ）が可能となる。 - 特許庁

To provide a CMP abrasive pad having a hydrophilic property and improved in the retainability of abrasive slurry.例文帳に追加

親水性を有し、研磨スラリーの保持性が改善されたＣＭＰ研磨パッドを提供することを目的とする。 - 特許庁

SLURRY AND POLISHING SOLUTION SET, SUBSTRATE, SUBSTRATE POLISHING METHOD USING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SOLUTION (CMP) OBTAINED FROM THE POLISHING SOLUTION SET例文帳に追加

スラリ及び研磨液セット並びにこれらから得られるＣＭＰ研磨液を用いた基板の研磨方法及び基板 - 特許庁

To reduce degradation of image quality caused by interface state occurrence of oxide film interface, by means of CMP (Chemical Mechanical Polishing).例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機会研磨）による、酸化膜界面の界面準位発生による画質低下を低減する。 - 特許庁

The surface of the AlCu film 20 is polished with CMP so as to form a TiN anti-reflective film 21 thereonto.例文帳に追加

ＡｌＣｕ膜２０の表面をＣＭＰで研磨して、その上にＴｉＮ反射防止膜２１を形成する。 - 特許庁

The wiring groove 41A is covered with a protective film 51, and then an excess portion of the conductive film 43 is eliminated by a CMP method.例文帳に追加

配線溝４１Ａを保護フィルム５１で覆ってから、ＣＭＰ法にて余分な導電膜４３を除去する。 - 特許庁

The coagulant can be produced using CMP (chemical-mechanical polishing) discharge water containing a large amount of silica as a material.例文帳に追加

また、この凝集剤は、シリカ分を多量に含むＣＭＰ排水を材料として生成することができる。 - 特許庁