「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A CMP stopper film is formed on the recessed face of a layer whose surface is rugged, and the layer in a disused region is polished through a CMP method in a polishing process.例文帳に追加

凹凸面を備えている層の特定の凹面にＣＭＰ用ストッパ膜を形成した後に、ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の層を研磨する工程を有するものである。 - 特許庁

Moreover, when starting CMP or etch back in a state where a conductive film is vapor deposited on the whole surface after the contacts 25 are formed, the contacts 25 are etched to the heights of mask layers.例文帳に追加

また、ビットライン用コンタクトを形成し、全面に導電膜を蒸着した状態でCMPまたはエッチバックを進行する時にマスク層の高さまでビットライン用コンタクトを蝕刻する。 - 特許庁

Provided is a cleaning solution for CMP including the strong acid to wash a polishing member when a polished surface having silicon oxide is polished using a polishing solution for CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。 - 特許庁

CMP polishing liquid contains amino acid, whose content is 0.3 mass% or more in total amount of CMP polishing liquid reference, picolinic acid, whose content is more than 0 mass% and less than 2.0 mass% in total amount of CMP polishing liquid reference, abrasive, and oxidant.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ研磨液は、アミノ酸と、ピコリン酸と、砥粒と、酸化剤とを含有し、アミノ酸の含有量がＣＭＰ研磨液全量基準で０．３質量％以上であり、ピコリン酸の含有量がＣＭＰ研磨液全量基準で０質量％を超え２．０質量％未満である。 - 特許庁

To provide a CMP device, polishing method for CMP, a semiconductor device, and its manufacturing method which are capable of suppressing the generation of dust or polishing scratch generated on a wafer due to the drying of a polishing pad or slurry under storage, in the CMP device having automatic exchanging function of the polishing pad.例文帳に追加

研磨パッドの自動交換機能を有するＣＭＰ装置において、保管中の研磨パッドやスラリーが乾燥することによる発塵やウエハに発生する研磨傷を抑制することのできるＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the metal-based CMP waste water comprising the metal ions, an oxidizer and CMP slurry is treated with the ceramic film, a hydroxide is added to the CMP waste water to be treated, pH adjustment is performed, colloidal metal hydroxides are formed and, thereafter, the separation by the use of the ceramic film is performed.例文帳に追加

金属イオン、酸化剤、ＣＭＰスラリーからなるメタル系ＣＭＰ排水をセラミック膜で処理するにあたり、処理すべきＣＭＰ排水に水酸化物を添加してｐＨ調整し、コロイダルな金属水酸化物を生成させた後、セラミック膜による分離処理を行う。 - 特許庁

The CMP process and the film deposition process when manufacturing a semiconductor predicts the amount of polishing, where the residual level difference generated after CMP polishing becomes not more than a prescribed value, by an information processing unit, and deposits the same thickness film as or a thicker film than the amount of polishing in advance before polishing by a CMP apparatus.例文帳に追加

半導体製造におけるＣＭＰプロセスおよび膜堆積プロセスにおいて、ＣＭＰ研磨後に生じる残留段差が規定値以内となる研磨量を情報処理装置で予測し、その研磨量と同一もしくはより厚い膜をＣＭＰ装置で研磨する以前に予め堆積させる。 - 特許庁

To provide a CMP processing system capable of improving a polishing speed, prolonging the service life of a slurry for CMP and improving safety by employing a new structure to the polishing cloth used for conducting CMP, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using this system.例文帳に追加

ＣＭＰを行う際に用いられる研磨布に新規な構造のものを採用することによって研磨速度の向上及びＣＭＰ用スラリの長寿命化、安全性の改善を図ることができるＣＭＰ処理システム及びこのシステムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for detecting an end point in chemical mechanical polishing(CMP) of a cloisonne structure.例文帳に追加

七宝構造の化学機械研磨において、終点を検出する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMP pad conditioner capable of grinding a polishing pad safely and flatly.例文帳に追加

研磨パッドを安定にかつ平坦に研削することが可能なＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

UNIFORMITY CONTROL METHOD OF CMP-REMOVING RATE USING SELECTIVE HEATING OF PAD REGION, AND ITS EQUIPMENT例文帳に追加

パッド領域の選択的に加熱によるＣＭＰ除去速度の均一性制御方法及び装置 - 特許庁

A layer insulation film 4d whose surface is flattened is then formed by CMP treatment.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ処理によって表面の平坦化された層間絶縁膜４ｄを形成する。 - 特許庁

The peak of FSG layer, corresponding to the width of a conductive metal line, is reduced by a step of CMP.例文帳に追加

導電性金属ラインの幅に対応するＦＳＧ層のピークがＣＭＰのステップで減らされる。 - 特許庁

A bevel part and an edge part of the substrate are polished with a polishing film 22 after a CMP step.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の後、研磨フィルム２２により基板のベベル部及びエッジ部の研磨を行う。 - 特許庁

Thereafter, copper 26 is grown on the barrier film and is flattened by CMP to obtain a copper wiring 27.例文帳に追加

この後バリア膜の上に銅２６を成長しＣＭＰにより平坦化し銅配線２７とする。 - 特許庁

The flattened surface is polished thereafter by a CMP method and the trench is thereby filled with the insulating film.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法により平坦化した表面を研磨し、トレンチ内に絶縁膜を充填する。 - 特許庁

To provide an anticorrosion technique for metal wiring formed by a chemical-mechanical polishing (CMP) method.例文帳に追加

化学的機械研磨（ＣＭＰ）法によって形成されるメタル配線の防蝕技術を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP pad conditioner having long life for efficiently conditioning a grinding pad.例文帳に追加

寿命が長くて、効率よく研磨パッドをコンディショニングさせるＣＭＰパッドコンディショナを提供する。 - 特許庁

An unnecessary layer of the polysilicon 6 that is laminated on the SiO_2 film 8 is removed by the CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法によって、SiO_2膜８の上に堆積した不要なポリシリコン６の層を除去する。 - 特許庁

Finally, the silicon oxide film 106 on the active region 105 is removed through CMP polishing.例文帳に追加

その後、活性領域１０５上の酸化シリコン膜１０６をＣＭＰ研磨によって除去する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR SMOOTHING WAFER FOR BONDING BY CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP)例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いてボンディングのためにウェハを平滑化する装置およびその方法 - 特許庁

The unnecessary Cu film 7 and the barrier metal film 6 on the cap film 4 are removed by CMP.例文帳に追加

キャップ膜４上の不要なＣｕ膜７及びバリアメタル膜６をＣＭＰにより除去する。 - 特許庁

The aqueous dispersion for CMP is characterized by comprising abrasive grains, water, and a heteropolyacid.例文帳に追加

本発明のＣＭＰ用水系分散体は、砥粒、水、ヘテロポリ酸を含有することを特徴とする。 - 特許庁

A polishing pad 3 and a load cup 4 are provided on a base pat 2 of a CMP device 1.例文帳に追加

ＣＭＰ装置１のベース部２上には、研磨パッド３とロードカップ４とが設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent excessive polishing in CMP processing.例文帳に追加

ＣＭＰ加工による過剰研磨を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A chemical mechanical polishing (CMP) stop layer 210 is deposited on the lands 220 and in the grooves 230.例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）停止層２１０が、ランド２２０上および溝２３０内に堆積される。 - 特許庁

Further, since the margin of the CMP process is large in a manufacturing step, manufacturing can be easy.例文帳に追加

さらに、製造工程において、ＣＭＰプロセスのマージンが大きくなるので、製造が容易となる。 - 特許庁

To suppress the errosion or dishing in the case of forming a wiring or a plug by CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ法により配線またはプラグを形成する際のエロージョンまたはディッシングを抑制する。 - 特許庁

To provide a damascene CMP technology which removes dishing and larger scale topography from a polished surface.例文帳に追加

被研磨面からディッシングおよび大規模トポグラフィを除去するダマシンＣＭＰ技術を提供する。 - 特許庁

Therefore, the second interlayer film becomes constant in thickness after a CMP process, and a residual film gets uniform in thickness.例文帳に追加

従ってＣＭＰ後の膜厚のばらつき（場所依存）が無くなり、残膜厚が均一になる。 - 特許庁

To restrain the enlargement of a grinding grain by the coagulation of a slurry being supplied to CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置に供給するスラリーの凝集による研磨粒子の粗大化を抑制する。 - 特許庁

To achieve high-throughput chemical/mechanical polishing(CMP) having a corrosion-resistant metal layer by multistep polishing technology.例文帳に追加

マルチステップ研磨技術によって耐食金属層を有する高スループットＣＭＰを達成する。 - 特許庁

Next, after a P-type polysilicon film is stacked, an external base electrode is embedded and formed by CMP.例文帳に追加

次にＰ型ポリＳｉ膜を堆積後、ＣＭＰにより外部ベース電極を埋め込み形成する。 - 特許庁

This CMP abrasive contains cerium oxide grains, grains for filling recesses of a polished film, dispersives, and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、被研磨膜の凹部充填粒子、分散剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

FORMING METHOD OF EMBEDDED WIRING, CMP DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

埋め込み配線の形成方法およびＣＭＰ装置、並びに半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

To carry out conditioning securely preventing a polishing cloth from wearing by a dresser in relation to CMP polishing.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨に関し、ドレッサーによる研磨布の磨耗を防ぎ、かつ確実にコンディショニングを行なう。 - 特許庁

Further, the CMP slurry compound for oxide film contains hydrochloric acid as a pH modifier.例文帳に追加

さらに、酸化膜用ＣＭＰスラリー組成物はｐＨ調節剤として塩酸を含むこととする。 - 特許庁

POLISHING SLURRY FOR CMP OF SiC-BASED COMPOUND, METHOD OF POLISHING, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳｉＣ系化合物のＣＭＰ用研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To perform noncontact and nondestructive pattern inspection of a semiconductor substrate subjected to CMP stably.例文帳に追加

ＣＭＰが行われた半導体基板のパターン検査を非接触、非破壊にて安定して行う。 - 特許庁

SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SLURRY例文帳に追加

化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程用スラリー及びこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

An electrode film and a dielectric film on the SiO_2 film 12 are removed by CMP.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_２膜１２上の電極膜及び誘電体膜をＣＭＰによって除去する。 - 特許庁

Subsequently, the surface of the film TaN 7b and the film 4 is polished by the CMP method.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法によりＴａＮ膜７ｂ及び層間絶縁膜４の表面部を研磨する。 - 特許庁

To provide a dummy process suitable for chemo-mechanical polishing (CMP) and a polishing pad conditioning method.例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）に適したダミープロセス及び研磨パッドコンディショニング方法を提供する。 - 特許庁

LOCAL REGION ALLOYING FOR PREVENTING COPPER DISHING DURING CHEMICAL/MECHANICAL POLISHING (CMP)例文帳に追加

化学・機械的研磨（ＣＭＰ）中における銅のディッシングを防止するための局部領域合金化 - 特許庁

METHOD FOR SECOND PROCESS POLISHING IN COPPER CMP USING POLISHING FLUID NOT CONTAINING OXIDANT例文帳に追加

酸化剤を含有しない研磨流体を用いる銅ＣＭＰにおける第二工程研磨の方法 - 特許庁