「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing method, using a CMP polishing liquid for palladium polishing, which can improve a polishing rate of at least a palladium layer as compared with use of a conventional CMP polishing liquid.例文帳に追加

少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来のＣＭＰ研磨液を用いた場合よりも向上させることができるパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for a metal CMP having a satisfcatory polishing speed while suppressing an etching in a metal CMP (Chemical Mechanical Polishing), especially in a copper CMP, and is excellent in an abrasive selectivity to a barrier layer.例文帳に追加

金属ＣＭＰ、特に銅ＣＭＰにおいて、エッチングを抑制しながら充分な研磨速度を有し、バリア層との研磨選択性に優れた金属ＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

Thus, precise polishing can be performed by one CMP.例文帳に追加

したがって、１度のＣＭＰで正確に研磨を行うことができる。 - 特許庁

To provide a CMP abrasive which can polish a silicon oxide film at a high speed without leaving polishing scratches, and a polishing method of a substrate.例文帳に追加

酸化珪素膜の研磨を高速に行うことができ、かつ研磨傷が付かないCMP研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

Also disclosed is a method for reducing the number of defects on a plurality of post-CMP processed substrates employing the process solution of the present invention.例文帳に追加

さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 - 特許庁

ACCESSORY PLATE FOR CMP DEVICE HAVING INSULATION AND ROTARY PLATEN例文帳に追加

断熱性を有するＣＭＰ装置用補助板及び回転定盤 - 特許庁

The CMP slurry is provided with an abrasive, an oxidant, and at least one pH regulant which regulates pH of the CMP slurry.例文帳に追加

ＣＭＰスラリーは研磨剤、酸化剤及び前記ＣＭＰスラリーのｐＨを調節する少なくとも一つのｐＨ調節剤を具備する。 - 特許庁

CMP ABRASIVE, POLISHING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

DRESSING DEVICE, AND POLISHING DEVICE AND CMP DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ドレッシング装置並びにこれを用いた研磨装置及びＣＭＰ装置 - 特許庁

USAGE OF ACOUSTIC SPECTRAL ANALYSIS TO CMP PROCESSING MONITOR/CONTROL例文帳に追加

ＣＭＰ処理のモニタ／制御に対する音響分光分析の使用 - 特許庁

To allow a complicated surface shape of an abrasive pad for CMP to be quantitatively evaluated as it is in real time by using an optical Fourier transformation.例文帳に追加

光学的フーリエ変換を採用し、CMP用研磨パッドの複雑な表面形状を実時間でそのまま定量的に評価可能にする。 - 特許庁

METHOD AND MECHANISM OF WAFER TEMPERATURE CONTROL IN CMP APPARATUS例文帳に追加

ＣＭＰ装置のウェハ温度制御方法及びウェハ温度制御機構 - 特許庁

METHOD OF FORMING MICROLENS OVER SUBSTRATE EMPLOYING CMP STOP LAYER例文帳に追加

ＣＭＰ停止層を使用する基板上へのマイクロレンズの形成方法 - 特許庁

Further, a method of reducing the number of defects on a substrate after a plurality of CMP treatments using the process solution is disclosed.例文帳に追加

さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 - 特許庁

To prevent unevenness of polished amount of CMP in device-element isolation process.例文帳に追加

素子分離工程におけるＣＭＰ研磨量むらを抑制する。 - 特許庁

LIQUID USED FOR CMP METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ法に用いる液体および半導体装置の製造方法 - 特許庁

When you used the CMP Entity Beans from DB in the NetBeans IDE 5.0 Quick Start Guide for J2EE Applications, the IDE created four classes for each table.例文帳に追加

NetBeans IDE 5.0 クイックスタートガイド (J2EE アプリケーション) では、「データベースからの CMP エンティティー Bean」を使用すると、それぞれの表につき 4 つのクラスが作成されました。 - NetBeans

SLURRY SUPPLY TANK FOR CMP, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ用スラリ供給タンク及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

CMP SLURRY, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD USING CMP SLURRY, AND METHOD OF FORMING SURFACE OF CAPACITOR USING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD例文帳に追加

ＣＭＰスラリー、ＣＭＰスラリーを用いる化学機械的研磨方法、及び化学機械的研磨方法を用いるキャパシタ表面の形成方法 - 特許庁

SLURRY FOR CMP, POLISHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法 - 特許庁

CMP POLISHING AGENT FOR SEMICONDUCTOR INSULATING FILM AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE例文帳に追加

半導体絶縁膜用ＣＭＰ研磨剤及び基板の研磨方法 - 特許庁

This is because cmp is called multiple times for each list element whilekey and reverse touch each element only once.例文帳に追加

これは key および reverse がそれぞれの要素に一度だけ触れる間に、cmp はリストのそれぞれの要素に対して複数回呼ばれることによるものです。 - Python

DRESSING DEVICE, POLISHING DEVICE USING IT, AND CMP DEVICE例文帳に追加

ドレッシング装置並びにこれを用いた研磨装置及びＣＭＰ装置 - 特許庁

To find a terminal point during chemical mechanical polishing (CMP) treatment.例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）処理中に終点を検出すること。 - 特許庁

Further, a method of reducing the number of certain defects on a substrate after a plurality of CMP treatments using the process solution of the invention is disclosed.例文帳に追加

さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 - 特許庁

Thereby, since CMP processing can be executed while viewing the substrate defect 3 in executing the CMP processing, it can be avoided that the board defect can not be removed even if the CMP processing is executed because the board defect is located at a deep position, and the CMP processing is executed up to a part without needing to be removed by taking a lot of time.例文帳に追加

これにより、ＣＭＰ加工の際に、基板欠陥３を目視しながら行えるため、基板欠陥が深い位置にあるためにＣＭＰ加工してもそれが取り除けていなかったり、除去する必要がない部分まで時間をかけてＣＭＰ加工を行ったりすることを防止できる。 - 特許庁

The slurry for CMP contains polishing grains and surface active agents.例文帳に追加

研磨粒子と界面活性剤とを含有するＣＭＰ用スラリーである。 - 特許庁

The thicknesses of films subjected to CMP processing can be made uniform by setting the CMP processing condition of the next sample based on the found film thickness distribution.例文帳に追加

得られた膜厚分布を基に次の試料のＣＭＰ加工条件を設定することにより、ＣＭＰ加工の膜厚の均一性を図れる。 - 特許庁

To improve flatness in a main surface of a wafer by CMP treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ処理によるウエハの主面内の平坦性を向上させる。 - 特許庁

To inhibit the staining of polishing pads at CMP(chemical mechanical polishing) of copper metal films.例文帳に追加

銅系金属膜をＣＭＰする際の、研磨パッド汚れを抑制する。 - 特許庁

To provide an apparatus which improves the wafer transfer to a CMP head.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨ヘッドへのウェーハ搬送を改良する装置を提供する。 - 特許庁

The CMP processing of the plural kinds having different slurry concentration is simultaneously performed.例文帳に追加

異なるスラリー濃度の複数種のＣＭＰ処理を並行して行う。 - 特許庁

MANUFACTURE OF CAPACITOR FOR INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT USING CMP-BLOCKING FILM例文帳に追加

ＣＭＰ阻止膜を使用する集積回路素子のキャパシタ製造方法 - 特許庁

The leading edge shield may be formed by utilizing a CMP stop layer.例文帳に追加

前縁シールドは、ＣＭＰ停止層を利用することにより形成し得る。 - 特許庁

This CMP device includes a wafer holder 20 on which the wafer 21 is mounted and rotated.例文帳に追加

ウェーハ２１が装着されて回転されるウェーハホルダー２０を含む。 - 特許庁

CMP POLISHING SOLUTION FOR SEMICONDUCTOR METAL FILM, AND POLISHING METHOD OF SUBSTRATE例文帳に追加

半導体金属膜用ＣＭＰ研磨液および基体の研磨方法 - 特許庁

CMP POLISHING AGENT FOR ORGANIC MATERIAL AND POLISHING METHOD FOR ORGANIC MATERIAL例文帳に追加

有機材料用ＣＭＰ研磨剤及び有機材料の研磨方法 - 特許庁

QUALITY CONTROL METHOD OF DRESSER, DRESSER FOR CMP, MANUFACTURING METHOD THEREOF, CMP APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ドレッサの品質管理方法、ＣＭＰ用ドレッサの製造方法、ＣＭＰ用ドレッサ、ＣＭＰ装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置 - 特許庁

PHOTO-CORROSION SUPPRESSING DEVICE FOR CMP APPARATUS AND PHOTOCORROSION SUPPRESSING METHOD例文帳に追加

ＣＭＰ装置のフォトコロージョン抑制装置及びフォトコロージョン抑制方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING CMP ENDPOINT IN ACID SLURRY例文帳に追加

酸性スラリにおいてＣＭＰ終点を検出する装置および方法 - 特許庁

The platform substrate 11 is thinned by CMP (chemical mechanical planarization) or the like to form a membrane 11 covering a sealed cavity 33 defined by the well 31 and the mounting surface 24.例文帳に追加

CMPなどによりプラットフォーム基板11を薄厚化し、ウェル31と取付面24により画定される密閉空洞部33を覆う膜11を形成する。 - 特許庁

ABRASIVE MIXING DEVICE AND FEEDER IN CMP DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ研磨装置における研磨剤の調合装置及び供給装置 - 特許庁

To suppress the slurry of CMP to remain in an alignment mark portion.例文帳に追加

アライメントマーク部分にＣＭＰのスラリーが残存することを抑制する。 - 特許庁

Then, a plug is formed by applying a CMP to the tungsten films 26, 25.例文帳に追加

その後、タングステン膜２６，２５にＣＭＰを適用してプラグを形成する。 - 特許庁

SLURRY FOR CMP, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SLURRY例文帳に追加

ＣＭＰ用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁