「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

SURFACE-MODIFIED COLLOIDAL SILICA AND POLISHING COMPOSITION FOR CMP CONTAINING THE SAME例文帳に追加

表面改質コロイダルシリカおよびこれを含有するＣＭＰ用研磨組成物 - 特許庁

Then, a surface is flattened by a CMP method to form a copper wiring layer.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法により表面を平坦化して銅配線層を形成する。 - 特許庁

A comparator (CMP) 11 compares the transfer source memory address with the specific memory address.例文帳に追加

比較器（ＣＭＰ）１１が、転送元メモリアドレスを特定メモリアドレスと比較する。 - 特許庁

A chemical mechanical polishing(CMP) system comprises an abrasive unit containing abrasive.例文帳に追加

化学的機械的研磨（ＣＭＰ）系は、研磨物を含有する研磨装置を含む。 - 特許庁

Then etching is performed by using the CMP cut-off pattern as the mask for forming trenches.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ遮断パターンをマスクとしてエッチングを行い、トレンチを形成する。 - 特許庁

SUBSTRATE COATING FILM, MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE COATING FILM, AND CMP PAD CONDITIONER例文帳に追加

基材被覆膜、基材被覆膜の製造方法およびＣＭＰパッドコンディショナー - 特許庁

SLURRY FOR USE IN Cu FILM CMP, POLISHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｃｕ膜ＣＭＰ用スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a technology for capable of sufficiently planarization prior to CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨に先立って充分な平坦化が可能な技術を提供する。 - 特許庁

To form a desired film thickness in an oxide film by a CMP method, using ceria slurry.例文帳に追加

セリアスラリーを用いたＣＭＰ法で、酸化膜を所望の膜厚に形成する。 - 特許庁

The offset voltage of the comparator CMP is corrected based on the result of the computation.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰのオフセット電圧は，この演算結果に基づいて補正される。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CMP POLISHING, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ研磨方法、ＣＭＰ研磨装置及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

SLURRY FOR METAL FILM CMP, POLISHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR例文帳に追加

金属膜ＣＭＰ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The CMP abrasive contains an oxide film weakening agent, oxide cerium grains and water.例文帳に追加

酸化膜脆弱化剤、酸化セリウム粒子および水を含むＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

To provide a CMP (chemical mechanical polishing system) which is constituted so that a polishing pad of center section of a platen (106) can be easily removed, and the pad so as to prevent it from being uplifted on its edge during polishing, in the CMP of semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの化学的機械研磨(CMP)システムにおいて、プラテン(106)は、その中央部分の研磨パッドが簡単に除去でき、研磨中にそのエッジにおいてパットが持ち上げられるのを防ぐように構成されたＣＭＰシステムを提供すること。 - 特許庁

The silicide film 32 and the excessive wiring material 22 are removed by CMP processing.例文帳に追加

シリサイド膜３２と余分な配線材料２２とをＣＭＰ加工によって除去する。 - 特許庁

Thereby, it becomes possible to continue filtration and to increase concentration of CMP drain.例文帳に追加

そして濾過の継続が可能となり、ＣＭＰ排水の濃度を高めることが出来る。 - 特許庁

The protection circuit 5 invalidates the writing until it receives the timer signal CMP, and validates the writing within a predetermined second time after starting the receipt of the timer signal CMP.例文帳に追加

保護回路５は、タイマ信号ＣＭＰを受信するまで書き込みを無効とし、タイマ信ＣＭＰ号を受信開始後の所定の第２時間内の書き込みを有効とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a low dielectric constant interlayer insulating film, suppressing peeling during an assembly process and a CMP process, and to provide a semiconductor device using the low dielectric constant interlayer insulating film.例文帳に追加

組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To efficiently create a layout capable of suppressing excessive polishing in CMP.例文帳に追加

ＣＭＰにおける過研磨の発生を抑止するレイアウトを効率よく作成すること。 - 特許庁

The composition possesses high selectivity for the removal of copper in relation to tantalum and dielectric materials, while minimizing local dishing and erosion effects in CMP.例文帳に追加

組成物は、CMPにおいて局部的へこみおよび腐食効果を最小にしながら、タンタルおよび誘電体物質に関して高い銅の除去の選択率を有する。 - 特許庁

To suppress the generations of the global steps caused by unbalance in the residue-film thicknesses after a CMP process, when making semiconductor elements by performing an STI-CMP process.例文帳に追加

ＳＴＩ−ＣＭＰ工程を行って半導体素子を製造するに当たり、ＣＭＰ工程後の残膜厚の不均衡によるグローバル段差の発生を抑制する。 - 特許庁

CMP SLURRY, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加

化学的機械的研磨用スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE, WAFER CLEANING METHOD USING THE SAME AND CMP TREATMENT METHOD例文帳に追加

半導体製造装置、それを用いたウエハ洗浄方法及びＣＭＰ処理方法 - 特許庁

Furthermore, the first and second CMP monitor patterns 127B and 127C are used for controlling thicknesses TH1 and TH2 of the PSG film 112, and at the same time, planarization polishing is conducted through CMP polishing.例文帳に追加

さらに、第１，第２ＣＭＰモニタパターン１２７Ｂ，１２７Ｃを用いてＰＳＧ膜１１２の膜厚ＴＨ１，ＴＨ２を管理しつつＣＭＰ研磨により平坦化研磨する。 - 特許庁

A grinding rate to the CMP is defined as a buried oxidized film: the stopper film = S:1.例文帳に追加

このＣＭＰに対する研磨レートを埋め込み酸化膜：ストッパ膜＝Ｓ：１とする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, CMP DEVICE AND METHOD例文帳に追加

半導体装置、該半導体装置の製造方法、ＣＭＰ装置、及びＣＭＰ方法 - 特許庁

In this film forming system 1, after a copper film is formed on a wafer W in a copper forming process chamber 20, a CMP process is applied to the wafer W in a CMP process chamber 30.例文帳に追加

成膜装置１では、銅形成処理室２０にてウェハＷ上に銅膜を形成した後、ＣＭＰ処理室３０にてＣＭＰ処理がウェハＷに施される。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CMP, METHOD AND SYSTEM FOR CIRCUIT FORMATION AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ方法および装置、回路形成方法およびシステム、集積回路装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING WATER FROM CMP WASTE WATER CONTAINING HIGH TOC例文帳に追加

高ＴＯＣ含有ＣＭＰ排水からの水回収方法及び水回収装置 - 特許庁

In certain preferred embodiments, the process solution of the present invention may reduce defects when employed as a rinse solution either during or after the development of the CMP processing.例文帳に追加

いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。 - 特許庁

SLURRY FOR CMP, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ用スラリーおよびその形成方法、ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a wafer for CMP peeling analysis which can evaluate quantitatively peeling of a low dielectric constant film in a CMP (chemical mechanical polishing) process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機械研磨法）工程における低誘電率膜の剥離を定量的に評価できるＣＭＰ剥離解析用ウェハ及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The method of concentrating the waste CMP liquid by impressing centrifugal force of ≥4,500,000 G.sec in the cumulative value of the maximum centrifugal acceleration to the waste CMP liquid used for polishing.例文帳に追加

研磨に用いられたＣＭＰ廃液に最大遠心加速度の積算値が４５０００００Ｇ・ｓｅｃ以上の遠心力を印加して該ＣＭＰ廃液を濃縮する方法。 - 特許庁

To provide an N-vinyl amide based polymer for a CMP abrasive which is superior in can-stability and hardly occurs abrasion scratches.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨剤用に好適なＮ−ビニルアミド系系ポリマーを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad which can be appropriately used for a CMP, in particular, for a CMP of a semiconductor device, which can satisfactorily retain thereon with abrasive slurry, and which is excellent in washing ability and in chemical resistance.例文帳に追加

ＣＭＰ、特に半導体デバイスのＣＭＰに好適に使用でき、砥粒スラリーの保持が良好で、しかも洗浄性、耐薬品性にも優れる研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide a CMP system, which is capable of increasing the wafer- polishing efficiency by efficiently using a polishing pad and a conditioner (dresser), and also to provide a method of adjusting a polishing pad for CMP.例文帳に追加

研磨パッド及びコンディショナ（ドレッサ）を効率的に使いウェハ研磨加工能率が向上するＣＭＰ装置及びＣＭＰ用研磨パッドの調整方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method of metal-based CMP (chemical mechanical polishing) waste water which enables the effective treatment by the use of a ceramic film even in the case of metal-based CMP waste water including metal ions.例文帳に追加

金属イオンを含むメタル系ＣＭＰ排水であってもセラミック膜で効果的に処理することができるメタル系ＣＭＰ排水の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of improving polishing characteristics in a CMP.例文帳に追加

ＣＭＰにおける研磨特性を向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

In that case, this composition is particularly useful in conjunction with the relative method for metal CMP applications (e.g., copper CMP).例文帳に追加

この組成物は更に酸化剤を含むことができ、その場合、この組成物は金属ＣＭＰ適用（例えば銅ＣＭＰ）のための関連方法と組み合わせることが特に有用である。 - 特許庁

POLISHING SLURRY FOR COPPER CMP AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

銅のＣＭＰ用研磨スラリーおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

CMP POLISHING PAD HAVING GROOVE PROVIDED TO IMPROVE POLISHING MEDIUM UTILIZATION例文帳に追加

研磨媒体利用度を改善するために設けられた溝を有するＣＭＰ研磨パッド - 特許庁

And, planarization is carried out by the CMP method, etc., until the silicon nitride film 3 is exposed.例文帳に追加

そして、シリコン窒化膜３が露出するまでＣＭＰ法等により平坦化する。 - 特許庁

To appropriately perform CMP without generating dishing, or the like even if performing CMP in the manufacturing process of a semiconductor device in an STI structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の半導体装置の製造過程においてＣＭＰを行う場合であっても、そのＣＭＰをディッシング等が生じることなく良好に行えるようにする。 - 特許庁

To uniformly polish an entire wafer in a CMP process before forming transistors.例文帳に追加

トランジスタを形成する前のＣＭＰプロセスによりウエハ全体を一様に研磨する。 - 特許庁

To provide a CMP device, a CMP polishing method, and a manufacturing method for a semiconductor device by which a guide ring can be used almost to its use limit without wastefully disposing it.例文帳に追加

ガイドリングを無駄に捨てることなくほぼ使用限界まで使用できる、ＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、及び、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁