「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide CMP polishing liquid and polishing method capable of suppressing the occurrence of a seam.例文帳に追加

シームの発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

In the CMP treatment system, the polishing cloth 221 is conditioned by using the dresser 233, comprising diamond grains having uniform diameters and arranged at equal intervals, with a low load, while a wafer 223 is subjected to CMP treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ処理システムにおいて、粒子径を揃えたダイヤモンド粒子を等間隔に配置したドレッサ２３３を用いて、ウエハ２２３をＣＭＰ処理中に研磨布２２１を低荷重でコンディショニングを行う。 - 特許庁

To provide a CMP device having a polish monitoring window on a platen, wherein it is prevented that slurry is solidified by infiltrating into a gap in a window mounting part, and a solidified substance scratches a polished surface by flowing out onto a pad.例文帳に追加

プラテンに研磨モニタ窓を設けたCMP装置において、窓の取付け部の隙間へスラリーが浸入して固化し、固化物がパッド上へ流出して研磨面にスクラッチを及ぼすことを防止する。 - 特許庁

A dressing process or brushing process is executed by use of a dresser 12 so that the polishing cloth used for the CMP process can again be CMP-processed, and the hydrophile processing can also be executed in the above process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理に使用した研磨布を再びＣＭＰ処理できるようにドレッサー１２を用いてドレッシング処理又はブラッシング処理を行い、この処理中に親水性処理を行うこともできる。 - 特許庁

To provide a P3 pole tip structure for perpendicular recording which is protected from CMP erosion and a method for protecting P3 pole tips for perpendicular magnetic recording from erosion by CMP processes.例文帳に追加

ＣＭＰの侵食から保護された垂直磁気記録用のＰ３磁極端構造、およびＣＭＰプロセスによる侵食から垂直磁気記録用のＰ３磁極端を保護する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid that can improve a polishing rate of at least a palladium layer as compared with that when a conventional polishing liquid is used, and to provide a polishing method using the CMP polishing liquid.例文帳に追加

少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来の研磨液を用いた場合よりも向上させることができるＣＭＰ研磨液、及びこのＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved alkaline chemical for post-CMP cleaning of a wafer including metal, copper in particular and interconnection in relation to cleaning of semiconductor wafers after chemical mechanical polishing (CMP) during production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造の間にウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウェハの洗浄に関し、金属、特に銅、相互接続を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ薬品を提供する。 - 特許庁

To satisfactorily perform CMP without generating a remaining film, dishing, or the like even if performing CMP by a fixed abrasive grain method in a process for manufacturing a semiconductor device having an STI structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の半導体装置の製造過程において固定砥粒方式によるＣＭＰを行う場合であっても、残膜やディッシング等が生じることなく良好にＣＭＰを行えるようにする。 - 特許庁

To provide a polishing compound for chemical mechanical polishing (CMP), with which a high-reliability metal film embedding pattern can be formed efficiently, by obtaining a high CMP speed, while maintaining a low etching speed.例文帳に追加

低いエッチング速度を維持しつつ、高いＣＭＰ速度を得ることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効率よく形成することができるＣＭＰ用研磨剤を提供する。 - 特許庁

A DRAM region 122 is included in the chip region 121, the first CMP monitor pattern 127B is formed near the DRAM region, and the second CMP monitor pattern 127C is formed apart form the DRAM region.例文帳に追加

チップ領域１２１にはＤＲＡＭ領域１２２を含み、第１ＣＭＰモニタパターン１２７ＢはＤＲＡＭ領域の近傍に、第２ＣＭＰモニタパターン１２７ＣはＤＲＡＭ領域から離れた位置に形成されている。 - 特許庁

A spin-on low-k CMP protective layer 5 prevents a damage which may occur on the low-k dielectric 3 due to an uneven CMP process from the center to an edge or in an area varied in metal density.例文帳に追加

スピンオン低ｋＣＭＰ保護層５は、中央部からエッジへのまたは金属密度が変化する領域におけるＣＭＰプロセスの非均一性のために生じ得る低ｋ誘電体３へのダメージを阻止する。 - 特許庁

By using the CMP slurry in the CMP and the formation of the metal wiring, defects formed on the surface of the metal film can be decreased, or protected, and reliable metal wiring can be formed.例文帳に追加

このＣＭＰスラリーをＣＭＰ、または金属配線形成に使用することにより、金属薄膜の表面に生ずる欠陥を減らす、または防ぐことができ、信頼性の高い金属配線が形成できる。 - 特許庁

The polishing cloth 113 used for conducting CMP is made to contain a component 112 (catalase) having a catalytic function for accelerating oxidation power of an oxidizer 111 contained in the slurry 106 for CMP.例文帳に追加

ＣＭＰを行う際に用いられる研磨布１１３にＣＭＰ用スラリ１０６に含まれる酸化剤１１１の酸化力を促進させる触媒機能を有する成分（カタラーゼ）１１２を持たせる。 - 特許庁

The circuit 70a accurately recognizes the value of every word from continuous signals CMP-S without a pause on the basis of 13.5 MHz data clock D-CLK supplied by a data clock output circuit 53.例文帳に追加

ＤＡ変換回路７０ａは、休止のない連続したコンポジット信号CMP-Sから、データクロック出力回路５３が供給する13.5MHzのデータクロックD-CLKにもとづいて、１ワードごとの値を正しく認識する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, wherein after a copper wiring layer is formed by CMP(chemical-mechanical polishing), the copper wiring layer does not exfoliate from an interface after the CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的・機械的研磨）により銅配線層を形成する場合に、ＣＭＰ後に銅配線層が界面から剥がれてしまうことがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the hard mask layer is removed, a ferromagnetic body is deposited in the first and second grooves by a plating method to form the main magnetic pole and main magnetic pole auxiliary layer together at a time, and then the main magnetic pole layer is flattened by CMP.例文帳に追加

ハードマスク層を除去した後、めっき法にて第1と第2の溝に強磁性体を堆積させて主磁極と主磁極補助層を一括して形成した後、CMPにて、主磁極層を平坦化する。 - 特許庁

To make uniform the deterioration of characteristics of a plurality of elements while sustaining the essential effect of metal CMP.例文帳に追加

メタルＣＭＰの本来の効果を維持しつつ、複数の素子の各々の特性劣化を均一にする。 - 特許庁

The polishing part 210 chemically and mechanically polishes (CMP) a substrate 300 mounted on a stage 200.例文帳に追加

研磨部２１０は、ステージ２００上に載置された基板３００を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）する。 - 特許庁

The interlayer insulting film is polished by means of a CMP method until the diffusion protective film 26 is exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜１０ａを拡散防止膜２６の部分が露出するまでＣＭＰ法により研磨する。 - 特許庁

A CMP apparatus 20 has a plurality of carrier head assemblies 80 coupled to a rotatable carousel 60.例文帳に追加

ＣＭＰ装置２０は、回転カルーセル６０とカルーセルに連結された複数のキャリヤヘッドアセンブリ８０を有する。 - 特許庁

After a recess is formed by removing the upper portion of the interconnect line by over-CMP, a metal barrier film is formed.例文帳に追加

オーバーＣＭＰによってこの配線の上部を除去し窪みを形成した後、メタルバリア膜を設ける。 - 特許庁

That is, the CMP is executed to the Al_2O_3 film 41 with the conductive barrier film 18 as a stopper film.例文帳に追加

つまり、Ａｌ_2Ｏ_3膜４１に対して、導電性バリア膜１８をストッパ膜としてＣＭＰを行う。 - 特許庁

To provide a CMP system that can reliably detect the existence of a substrate in a carrier head.例文帳に追加

キャリヤヘッド内の基板の存在を信頼性をもって探知することができるＣＭＰシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head improved in CMP accuracy by preparing a stopper film.例文帳に追加

ストッパ膜を設けて、ＣＭＰ精度を向上させた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A CMP (comparator) part 38 determines an error by comparing a level of the amplified signal with a slice level.例文帳に追加

ＣＭＰ部３８は、増幅された信号のレベルとスライスレベルとを比較してエラーの有無を判定する。 - 特許庁

The present invention includes also a post-CMP cleaning formulation having the components set forth in the method above.例文帳に追加

また、本発明は、上記方法中で説明した成分を有するＣＭＰ後洗浄配合物である。 - 特許庁

Additionally, a chemical mechanical polishing (CMP) system for polishing a sample with a polishing agent and monitoring the sample is disclosed.例文帳に追加

加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨（ＣＭＰ）システムを開示する。 - 特許庁

To provide CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing liquid capable of rapidly polishing a metal containing copper with excellent flatness.例文帳に追加

銅を含む金属を高速且つ平坦性欲研磨することができるＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR INCREASING METAL-REMOVAL RATE DURING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR, AND CMP METHOD例文帳に追加

半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ—トを増大させる方法及びＣＭＰ方法 - 特許庁

The output of the comparator CMP 32 is applied to a stop input of a driver 13 as a decision output.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰ３２の出力は、判定出力として、ドライバ１３の停止入力に供給する。 - 特許庁

On the surface of the application film, a planarizing processing by CMP in the next processing can dispensed with.例文帳に追加

例えば、塗布膜表面は次工程のＣＭＰなどによる平坦化処理を不必要にすることができる。 - 特許庁

A polishing process is polishing the single cell generated in the scribing/breaking process by a CMP method or the like.例文帳に追加

研磨工程では、スクライブ・ブレイク工程において生成された単セルをＣＭＰ法等により研磨する。 - 特許庁

A chemically and mechanically polishing(CMP) system and method polish the substrate by using the filtered slurry.例文帳に追加

ろ過されたスラリーを用いて基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）システム及び方法である。 - 特許庁

To detect corrosion of metal wiring and a metal plug formed by the CMP(chemical machine polishing) method during a wafer process.例文帳に追加

ＣＭＰ法を使って形成されるメタル配線やメタルプラグの腐蝕を、ウエハプロセスの途中で検知する。 - 特許庁

The wafers 10 are then taken out of the CMP device and the resist film 12 and the protective tapes 14 are removed.例文帳に追加

そして、ウェーハ１０をＣＭＰ装置から取り出してレジスト膜１２、保護テープ１４を除去する。 - 特許庁

A substrate washer for washing a substrate after CMP treatment is equipped with a submerged loader 10.例文帳に追加

ＣＭＰ処理後の基板を洗浄するための基板洗浄装置には、水中ローダ１０が備えられる。 - 特許庁

Them silicon dioxide 28 is planarized with respect to the top face of silicon nitride 22 by using the "CMP".例文帳に追加

次に「ＣＭＰ」の使用により二酸化シリコン２８を窒化シリコン２２の上面に対して平坦化する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a cylindrical storage node electrode through an already existing process using no CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置を用いない、既存プロセスによる円筒型ストレージノード電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

This polishing end point detector detects a polishing end point when polishing CMP.例文帳に追加

本発明に係る研磨終点検出装置は、ＣＭＰ研磨する際に研磨終点を検出するものである。 - 特許庁

CMP (CHEMICAL MECHANICAL POLISHING) SLURRY FOR METAL AND METHOD FOR FORMING METAL WIRING CONTACT PLUG OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

金属用ＣＭＰスラリー及びこれを利用した半導体素子の金属配線コンタクトプラグ形成方法 - 特許庁

To provide a touch-up CMP slurry capable of grinding a metal film without corrosion, scratching and dishing.例文帳に追加

コロージョン、スクラッチ、ディッシングを生じさせずに金属膜を研磨できるタッチアップＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

A tungsten layer is formed on an interlayer insulating film containing openings for alignment marks and polished by the CMP method.例文帳に追加

アラインメントマーク用開口を含む層間絶縁膜の上にタングステン層を形成し、ＣＭＰ法で研磨する。 - 特許庁

When a sudden decrease of copper ion concentration is observed, the operation of CMP treatment is stopped by a control part 40.例文帳に追加

銅イオン濃度の急減が観測されると、制御部４０は、ＣＭＰ処理のための動作を停止する。 - 特許庁

Next, the CMP polishing of the SOG film 23 is performed by using the cover film 23 as a stopper, and the surface is planarized.例文帳に追加

次いで、カバー膜２２をストッパとしてＳＯＧ膜２３をＣＭＰ研磨し、表面を平坦化する。 - 特許庁

CMP POLISHING FLUID, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE PARTICLE, AND METHOD FOR POLISHING BASE MATERIAL例文帳に追加

ＣＭＰ研磨液及びその製造方法、複合粒子の製造方法、並びに基体の研磨方法 - 特許庁