「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for planarizing a first material layer by performing chemical mechanical polishing "CMP" to a semiconductor die.例文帳に追加

第１の材料層を半導体ダイへの化学機械研磨「ＣＭＰ」により平坦化する方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a part of the TaN film 7 is polished by the CMP method and a whisker TaN film 7b is left.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法によりＴａＮ膜７の一部を研磨して、ヒゲ状のＴａＮ膜７ｂを残存させる。 - 特許庁

The polishing is performed using a washed polishing pad by adding a polishing pad cleaning process in the CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス時に、研磨パッド洗浄プロセスを追加し、洗浄された研磨パッドを用いて研磨を実施する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the metal seed films 24 and 26 are not exposed and removed in a planarization process by CMP.例文帳に追加

このためＣＭＰによる平坦化工程において、金属シード膜２４、２６は露出せず、除去されない - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory device 100 includes a memory cell transistor layer 30 and a dummy layer 70 for a second CMP.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、メモリセルトランジスタ層３０、第２ＣＭＰ用ダミー層７０を備える。 - 特許庁

To provide units for making a calculation circuit for calculating a CMP method at high speed into a small circuit at a low cost.例文帳に追加

ＣＭＰ法を高速で計算する計算回路を安価で小型の回路とするための手段を提供する。 - 特許庁

To form a highly reliable embedded pattern by sufficiently reducing the etching rate while keeping a high CMP rate.例文帳に追加

エッチング速度を十分に低下させ、高いＣＭＰ速度を維持し信頼性の高い埋め込みパターンを形成する。 - 特許庁

Furthermore, as shown in diagram (h), when a barrier metal film 4 outside the recessed part 3 is exposed, the CMP treatment is ended.例文帳に追加

そして、図１(h) に示すように、凹部３外のバリアメタル膜４が露出すると、ＣＭＰ処理を終了する。 - 特許庁

A Cu film 3 is flattened by CMP and when the surface of the A1 pattern 2 appears, it is finished.例文帳に追加

ＣＭＰによりＣｕ膜３を平坦化していき、Ａｌパターン２の表面が現れた時点で終了する。 - 特許庁

To eliminate erosion or dishing in a chemical-mechanical polishing(CMP) step for forming embedded wiring, plug, etc.例文帳に追加

埋め込み配線やプラグ等を形成する際のＣＭＰ工程において、エロージョンやディッシングの発生を防止すること。 - 特許庁

Thereafter, the isolation insulating film 106 is polished with the CMP method to form the isolation insulating films 106a, 106b.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法により分離絶縁膜１０６を研磨して分離絶縁膜１０６ａ、１０６ｂを形成する。 - 特許庁

A CMP method is preferable for removing the oblique vapor deposition layer precursor 18a' covering the element electrode 122.例文帳に追加

素子電極１２２を覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’の除去にはＣＭＰ法が好適な手段となる。 - 特許庁

The polishing composition for the CMP contains the persulfate compound and a hydrazide compound.例文帳に追加

過硫酸塩化合物、および、ヒドラジド化合物を含有してなることを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物。 - 特許庁

The chemical liquid used for the CMP treatment, i.e., waste liquid, is discharged from the edge of the polishing pad 20.例文帳に追加

研磨パッド２０の縁部からは、ＣＭＰ処理のために使用された後の薬液、すなわち排液が流下する。 - 特許庁

This water bath and the water jet substantially remove a contaminant of a slurry and residues due to a CMP from the surface of the wafer 5.例文帳に追加

この水浴とウォーター・ジェットは実質的にスラリとＣＭＰの残留物をウェハ５の表面から取り除く。 - 特許庁

To form a highly reliable embedding pattern by sufficiently decreasing an etching speed and maintaining a high CMP speed.例文帳に追加

エッチング速度を十分に低下させ、高いＣＭＰ速度を維持し信頼性の高い埋め込みパターンを形成する。 - 特許庁

To improve manufacturing yield by removing excessive HDP at the external circumference of a wafer with the CMP method, using a ceria slurry.例文帳に追加

セリアスラリーを用いたＣＭＰ法で、ウェーハ外周部の余計なＨＤＰを除去し、歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide an electrolytic CMP method excellent in the polish rate and a polishing pad used for the method.例文帳に追加

研磨レートに優れた電解ＣＭＰ法及びそれに用いられる研磨パッドを提供することを目的とする。 - 特許庁

The buried oxide film 6 on the silicon nitride film 3 and the surface of the silicon nitride film 3 are removed by CMP.例文帳に追加

ＣＭＰによりシリコン窒化膜３上の埋め込み酸化膜６およびシリコン窒化膜３の表面部を除去する。 - 特許庁

To form a micromachine in a shorter time than with a conventional method, by using a damascene method for planarization with CMP.例文帳に追加

平坦化をＣＭＰで行うダマシン法を用いて、従来より短時間にマイクロマシンを形成できるようにする。 - 特許庁

The second silicon oxide film 11 is planarized by the CMP method using the gate electrode 4 as the stop film.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をストップ膜とするＣＭＰ法により、第２の酸化シリコン膜１０を平坦化する。 - 特許庁

The silicon oxide film 10 is planarized by the CMP method using the gate electrode 4 as a stop film.例文帳に追加

その後、ゲート電極４をストップ膜とするＣＭＰ法により、第１の酸化シリコン膜１０を平坦化する。 - 特許庁

Continuously, wiring 25 is formed by polishing the tantalum/tantalum nitride film 22 and the copper film 24 by using a CMP method.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法によって、タンタル／窒化タンタル膜２２および銅膜２４を研磨して配線２５を形成する。 - 特許庁

To quickly discharge to a substrate positive and negative charge charged to a dummy pattern for CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ用ダミーパターンにチャージした正の電荷と負の電荷の双方を、速やかに基板に放電できるようにする。 - 特許庁

The wafers 10 are fed into a CMP device and the rear surfaces of the wafer 10 are automatically subjected to polishing, washing and drying.例文帳に追加

このウェーハ１０をＣＭＰ装置に投入し、ウェーハ１０の裏面の研磨、洗浄、乾燥を自動的に行う。 - 特許庁

To provide a polishing pad of simple structure in which an end point can be detected readily during CMP processing.例文帳に追加

ＣＭＰ処理中での終点検出が容易に行え、かつ、単純な構成の研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To measure a film thickness in complicated structure such as film thickness on a gate of a transistor, after CMP (Chemical Mechanical Polishing).例文帳に追加

ＣＭＰ研磨後において、トランジスタのゲート上膜厚などの複雑な構造の膜厚計測を可能にする。 - 特許庁

To prevent a polishing rate from early and drastically decreasing, securely prevent scratch from being generated on a polished surface of a semiconductor wafer or the like polished by a CMP device, and stably perform conditioning of a polishing pad capable of forming a high grade polished surface for a long period of time in the CMP conditioner used for conditioning of the polishing pad of the CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の研磨パッドのコンディショニングに用いられるＣＭＰコンディショナにおいて、研磨レートの早期の大幅な低下を防ぐとともに、ＣＭＰ装置によって研磨される半導体ウェハ等の被研磨面にスクラッチが発生するのを確実に防止して、高品位の被研磨面を形成し得る研磨パッドのコンディショニングを長期に亙って安定して行う。 - 特許庁

To reduce the time and trouble for replacing a CMP pad conditioner, and the down time and loss time of a CMP device by preventing abrasion, wearing and alteration of abrasive grains and fallout and defective of the abrasive grains to achieve long-time conditioning of the polishing pad.例文帳に追加

砥粒の磨耗、磨滅、変質や砥粒の脱落、欠損を防止できるので、長時間研磨パッドのコンディショニングを行うことができ、ＣＭＰパッドコンディショナーの交換の手間やＣＭＰ装置のダウンタイムならびにロス時間を減らすこと。 - 特許庁

To provide an electrical interconnection structure on a substrate including a first low-k dielectric layer, a spin-on low-k CMP protective layer covalently bonded to the first low-k dielectric layer, and a CVD-bonded hard mask/CMP polishing stop layer.例文帳に追加

第１の低ｋ誘電体層と、第１の低ｋ誘電体層へ共有結合したスピンオン低ｋＣＭＰ保護層と、ＣＶＤ付着ハードマスク／ＣＭＰ研磨停止層とを含む基板上の電気的相互接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate support member for a chemical and mechanical polishing (CMP) apparatus capable of improving an yield of a device manufactured on a substrate by reducing an influence of contact between the substrate and the substrate support member to the manufacturing of the device, and to provide the CMP device.例文帳に追加

基板と基板支持部材との接触によるデバイス作製に対する影響を低減し、該基板上に作製されるデバイスの歩留まりを向上できるＣＭＰ装置の基板支持部材、およびＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, the insulating film can withstand CMP pressure, for example, when a wire is formed by digging a wiring groove in the low-dielectric- constant insulating film structure, forming a copper layer by an electrolytic plating method, and removing excessive copper flatly by CMP.例文帳に追加

しかして、例えば、この低誘電率絶縁膜構造に配線溝を掘り電解メッキ法で銅層を形成し余分な銅をＣＭＰで平坦に除去して配線を作る際などのＣＭＰ圧力に耐えることができる。 - 特許庁

To provide a method for scheduling threads without restricting the scheduling to the small number of threads and without exerting a negative influence on performance for a system that supports concurrent execution of a plurality of software threads such as SMT, SMP and/or CMP systems.例文帳に追加

SMT、SMPおよび／またはCMPシステムのような複数ソフトウェア・スレッドの同時並行的な実行をサポートするシステムのために、少数のスレッドに限定することなく、パフォーマンスに負の影響なしにスレッドをスケジューリングする方法を提供する。 - 特許庁

While always operating the liquid sending pumps 9a and 9b at polishing by the CMP device, intermittent operation is performed while alternately operating and stopping the liquid sending pumps 9a and 9b at specific time intervals at the idling of the CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置による研磨中には送液ポンプ９ａ，９ｂを常時運転する一方、ＣＭＰ装置のアイドル中には送液ポンプ９ａ，９ｂを一定の時間間隔で交互に運転・停止させる間欠運転を行なう。 - 特許庁

After the source drain portions 10, 13 are formed in the epitaxial layer 9, an interlayer film consisting of amorphous silicon is formed on these structure, and the interlayer film is removed by CMP processing until reaching the surface of the CMP stopper film 11.例文帳に追加

エピタキシャル層９にソースドレイン部１０，１３を形成した後、これらの構造上にアモルファスシリコンからなる層間膜を形成し、ＣＭＰストッパ膜１１表面に達するまで、ＣＭＰ処理により層間膜を除去する。 - 特許庁

In the substrate treatment device 100 for cleaning a wafer W, the substrate W is successively transported to a plurality of treatment parts 30, 40, 50 for cleaning the wafer W, which wafer W is CMP-processed by a CMP device 200.例文帳に追加

ウェハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理されたウェハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，５０へ基板Ｗを順次搬送する。 - 特許庁

During the grinding by a CMP device, the liquid sending pumps 9a, 9b are always operated, while during the idling of the CMP device, the liquid sending pumps 9a, 9b carry out an intermittent operation for operating/stopping alternately at a fixed time interval.例文帳に追加

ＣＭＰ装置による研磨中には送液ポンプ９ａ，９ｂを常時運転する一方、ＣＭＰ装置のアイドル中には送液ポンプ９ａ，９ｂを一定の時間間隔で交互に運転・停止させる間欠運転を行なう。 - 特許庁

A substrate processing device 100 is a device that performs washing processing on a wafer W, and sequentially transports the wafers W which undergoes CMP treatments by a CMP device 200 to a plurality of processing sections 30, 40, 50 for washing them.例文帳に追加

ウエハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理されたウエハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，５０へ基板Ｗを順次搬送する。 - 特許庁

To provide a substrate holder, a CMP unit comprising it and a CMP method, in which the in-plane uniformity of a substrate being polished is enhanced by making uniform the polishing amount at the outer circumferential part and the central part thereof.例文帳に追加

被研磨基板の外周部と中央部との研磨量を均一化することにより被研磨基板の面内均一性を向上させた基板保持装置、それを備えたＣＭＰ装置及びＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

A water treating device 100 for subjecting wafers W to a washing treatment successively transfers the wafers W subjected to the CMP treatment by a CMP device 200 to plural treatment sections 30, 40 and 50 for washing the wafers W.例文帳に追加

ウェハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理されたウェハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，５０へ基板Ｗを順次搬送する。 - 特許庁

In the substrate treatment device 100 for cleaning a wafer W, the substrate W is successively transported to a plurality of treatment parts 30, 40, 50 for cleaning the wafer W, which wafer W is CMP-treated by a CMP device 200.例文帳に追加

ウエハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理されたウエハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，５０へ基板Ｗを順次搬送する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor wafer of an end surface shape which can reduce a stress produced by a collision between an end surface of the semiconductor wafer and a retainer ring in a CMP (chemical mechanical polishing) and can decrease a fraction defective by chipping in the CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程で、半導体ウェハの端面とリテーナリングとの衝突により発生する応力を小さくでき、ＣＭＰ工程におけるチッピングによる不良率を小さくできる端面形状の半導体ウェハを得ることである。 - 特許庁

The first metal layer is polished with a first CMP system having an abrasive and a liquid carrier, and the second metal layer is polished with a second CMP system having (a) an abrasive, (b) an amphiphilic nonionic surfactant, and (c) a liquid carrier.例文帳に追加

第１金属層は、研磨剤と液体キャリヤーを含む第１ＣＭＰ系で研磨され、第２金属層は、（ａ）研磨剤、（ｂ）両親媒性非イオン性界面活性剤、及び（ｃ）液体キャリヤーを含む第２ＣＭＰ系で研磨される。 - 特許庁

To provide a conditioner for CMP capable of stably conditioning a CMP polishing pad even if the axis of the conditioner is tilted, suppressing abrasion of a working face, and extending the service life.例文帳に追加

ＣＭＰポリッシングパッドのコンディショニングに使用する際、たとえコンディショナの軸が傾いて作用した場合でも安定したコンディショニングが可能であると共に、作用面の摩耗を抑制し、寿命を向上させたＣＭＰ用コンディショナを提供する。 - 特許庁

A comparator CMP compares ones of (n) input data 1 with one another only once for the first time so as to select (i) (n>=i) input data in the descending order of values, and one-bit comparison results, i.e. comparison results of (n-1) bits are found.例文帳に追加

ｎ個の入力データのうち、値の大きいほうからi（n>=i）個選択するために、データ１個毎に、最初の１回だけ各データの大小の比較を比較器CMPで行い、それぞれ１ビットの比較結果、合計（n-1）ビットの比較結果を求める。 - 特許庁