「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To propose a CMP technique capable of ensuring high flatness and reducing polishing flaws compatibly.例文帳に追加

高平坦性の確保と研磨傷の低減を両立可能なＣＭＰ技術を提案する。 - 特許庁

The CMP process controls the spatial variation of the local concentration of a polishing slurry grains 118.例文帳に追加

ＣＭＰ処理は研磨用スラリー粒子の局部濃度の空間的変動を制御する。 - 特許庁

CMP grinding is applied on the nitride silicon film and, thereafter, film quality treatment or heat treatment is applied.例文帳に追加

窒化シリコン膜までＣＭＰ研磨した後、膜質処理としての熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a CMP abrasive slurry-containing waste water treating device capable of flocculating fine abrasive grain or the like contained in the CMP abrasive slurry-containing waste water discharged from a CMP process and solid/liquid separating to easily recover water containing no solid matter.例文帳に追加

ＣＭＰ工程より排出されるＣＭＰ用研磨スラリー含有排水に含まれる微細な砥粒などを凝集させて固液分離し、固形分を含まない水を容易に回収することができるＣＭＰ用研磨スラリー含有排水処理装置を提供する。 - 特許庁

In this CMP conditioner 1, super-abrasives 3 are fixed to the surface 2a of a metallic support 2.例文帳に追加

ＣＭＰコンディショナ１は、台金２の表面２ａに超砥粒３を固着している。 - 特許庁

To provide slurry compositions suitable for use in processes involving CMP of a polysilicon layer.例文帳に追加

ポリシリコン層のＣＭＰを含む工程に使用できる新たなスラリー組成物を提供する。 - 特許庁

The sacrifice layer functions as a stop layer in the following CMP metal removal process.例文帳に追加

この犠牲層は後続のＣＭＰ金属除去プロセスにおいて停止層として機能する。 - 特許庁

This CMP abrasive contains an insulation film dissolving agent, an agent protecting insulation film from dissolution, and water.例文帳に追加

絶縁膜溶解剤、絶縁膜の溶解保護剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

This system is provided with a CMP device having a carrier 14 for supporting a semiconductor wafer.例文帳に追加

このシステムは、半導体ウエハを支持するキャリア１４を有するＣＭＰ装置を備える。 - 特許庁

These stop layers may be blanket deposited or patterned prior to CMP.例文帳に追加

これらの停止層１００２は、ＣＭＰの前に、ブランケット蒸着またはパターニングされてもよい。 - 特許庁

The surface is planarized, until the silicon nitride film 3 is exposed by a CMP(chemical mechanical polishing) technique.例文帳に追加

ＣＭＰ技術を使ってシリコン窒化膜３が露出するまで表面を平坦化する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD OF DETECTING TERMINAL POINT FOR ELIMINATING LEVEL DIFFERENCE OF CMP DEVICE例文帳に追加

ＣＭＰ装置の段差解消終点検知装置及び段差解消終点検知方法 - 特許庁

To provide a polishing component for CMP that gives favorable copper polishing characteristics (copper corrosion resistance, prevention of dishing) without much reduction in polishing speed of copper, in a first polishing of CMP when forming copper wiring by CMP, especially damascene method.例文帳に追加

ＣＭＰ、特にダマシン法による銅系配線形成におけるＣＭＰ研磨における第１研磨において、銅の研磨速度を大きく損ねることなく、良好な銅研磨特性（耐銅腐食、ディッシング抑制）を与えるＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

CMP SLURRY COMPOSITION FOR OXIDE FILM AND FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT UTILIZING IT例文帳に追加

酸化膜用ＣＭＰスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法 - 特許庁

TRENCH PROCESSING METHOD OF PAD FOR SEMICONDUCTOR CMP PROCESSING, AND ION BLOW EQUIPMENT FOR PERFORMING THE METHOD例文帳に追加

半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法及びこれを実施するイオンブロー装置 - 特許庁

SOLUTION FOR CMP, SOLUTION FOR RuCMP, AND RUTHENIUM PATTERN-FORMING METHOD UTILIZING THEM例文帳に追加

ＣＭＰ用溶液、ＲｕＣＭＰ用溶液及びこれらを利用するルテニウムパターン形成方法 - 特許庁

The slurry A is supplied to a plurality of CMP devices 30 in the concentrated supply system.例文帳に追加

複数台のＣＭＰ装置３０に、集中供給方式でスラリーＡを供給する。 - 特許庁

Finally, the metal conductive part 26 is polished by the CMP method for planarization treatment (S8).例文帳に追加

最後に、ＣＭＰ法により金属導体部２６を研磨して平坦化処理する（Ｓ８）。 - 特許庁

The slurry for CMP contains an organic acid, abrasive grains, quaternary ammonium salt and water.例文帳に追加

有機酸、研磨砥粒、第四級アンモニウム塩および水を含むことを特徴とする。 - 特許庁

CMP SLURRY FOR POLYCRYSTALLINE SILICON AND FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT UTILIZING IT例文帳に追加

多結晶シリコン用ＣＭＰスラリー及びこれを利用した半導体素子の形成方法 - 特許庁

Therefore, the affection of the offset voltage Voff of the comparator CMP 1 can be reduced.例文帳に追加

その結果、比較器ＣＭＰ１のオフセット電圧Ｖoffの影響を低減することができる。 - 特許庁

CMP ABRASIVE FOR SEMICONDUCTOR INSULATION FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE例文帳に追加

半導体絶縁膜用ＣＭＰ研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法 - 特許庁

Here, the mask layer protects the organic low-permittivity insulating film 3 from the polishing of CMP.例文帳に追加

ここで、マスク層は、有機系の低誘電率絶縁膜３をＣＭＰの研磨から保護する。 - 特許庁

To present a pattern that monitors erosion amount after CMP for tungsten and the like.例文帳に追加

タングステン等のＣＭＰ（化学機械研磨）後、エロージョン量をモニタリングできるパターンを提示する。 - 特許庁

The polishing compound for CMP contains a polymer obtained by graft-polymerizing NVP to PVA.例文帳に追加

ＰＶＡにＮＶＰがグラフト重合した重合体を含有するＣＭＰ用研磨剤である。 - 特許庁

The barrier metal film is used as a stopper to flatten the conductive material by first CMP.例文帳に追加

バリアメタル膜をストッパとして導電性材料を第１のＣＭＰにより平坦化する。 - 特許庁

To provide a method of removing post-CMP contaminants from a semiconductor surface or the like.例文帳に追加

半導体表面等におけるＣＭＰ後の汚染物質を取り除く方法を提供する。 - 特許庁

To improve accuracy for detecting an end point of polishing without deteriorating a throughput of a CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置のスループットを低下させることなく、研磨の終点検知の精度を高める。 - 特許庁

The first, second, and correction patterns (SP), (MP), and (CSP and CMP) are formed by using the same mask.例文帳に追加

第１パターンと第２パターンと補正パターンとは同じマスクを用いて形成されている。 - 特許庁

By adjusting the thickness of the low-k CMP protective layer 5, it is possible to respond to a large change in the CMP process without seriously affecting the effective permittivity of a structure 9.例文帳に追加

低ｋＣＭＰ保護層５の厚さを調節して当該構造９の有効誘電率に著しい影響を与えることなしにＣＭＰプロセス内の大きな変化に対応できる。 - 特許庁

This retainer ring includes a base ring 1 of an integrated structure mounted to a CMP device body and high in rigidity, and a resin ring 2 fixed to a lower surface of the base ring 1 and contacting a polishing pad.例文帳に追加

リテーナーリングは、CMP装置本体に取り付けられる剛性の高い一体構成の台リング１と、台リング１の下側面に固定されて研磨パッドと接触する樹脂リング２とを備える。 - 特許庁

When an alumina film 30 on the main magnetic pole is ground by CMP, the CMP tool does not contact the main magnetic pole directly, so that the dropping-out of the edge of the main magnetic pole end nor elimination of the main magnetic pole never occurs.例文帳に追加

主磁極上のアルミナ膜３０をＣＭＰで研磨するとき直接主磁極に接しないため、主磁極上部エッジの欠落及び主磁極消失が生じない。 - 特許庁

To provide a polishing method of an SiC single crystal substrate by which the presence of an affected layer can be grasped in a CMP (chemical mechanical polishing) process and the continuation and finish of the CMP process can be easily determined.例文帳に追加

ＣＭＰ工程中に加工変質層の有無を把握でき、ＣＭＰ工程の継続か終了を容易に判断できるＳｉＣ単結晶基板の研磨方法を提供する - 特許庁

To obtain a method for flattening Cu and a Cu alloy with high efficiency using CMP(chemical mechanical polishing) by removing corrosion or suppressing corrosion and removing dishing and a defect or suppressing them.例文帳に追加

浸食なしで又は浸食をかなり抑え、ディッシング及び欠陥なしで又は、それらをかなり抑えて高い生産効率でCMPによってCu及びCu合金を平面化する方法を得る。 - 特許庁

To provide an adjusting method for a polishing cloth for certainly detecting a polishing terminal by inhibiting devitrification of a transparent film of a laser window, and also to provide a CMP polishing method and a CMP device.例文帳に追加

レーザー窓の透明膜の失透を抑制して研磨終点を正確に検出できる研磨クロスの調整方法、ＣＭＰ研磨方法及びＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous CMP composition ensuring a sufficient metal removing rate while preventing excessive dishing of metal interconnect line in CMP of a nonferrous interconnect line on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエーハ上の非鉄金属配線のＣＭＰにおいて、金属配線の過度なディッシングがなく、かつ十分な金属除去速度が得られる水性ＣＭＰ組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a conditioner for a CMP device having a function of improving flatness of a pad by pressing down a polishing pad surface for CMP and of effectively conditioning the pad.例文帳に追加

ＣＭＰ用ポリッシングパッド面を押さえ付け、該パッドの平坦性を向上させるとともに、該パッドのコンディショニングを効果的に行う機能を有するＣＭＰ装置用コンディショナーを提供する。 - 特許庁

To detect a final point highly accurately and to improve flatness of CMP process by carrying out highly accurate film thickness measurement by specifying a measurement position in-situ measurement during CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ加工する際、in-situで計測位置を特定して高精度に膜厚計測を行ない、高精度な終点検出を行うとともに、ＣＭＰ加工の平坦性の向上を図ること。 - 特許庁

To provide a slurry supply pipe and a retention preventing method which can reduce costs for CMP by reducing the amount of slurry to be discarded and by reducing a process time for CMP.例文帳に追加

廃棄するスラリーの量を減少し、しかもＣＭＰの工程時間を短縮することによってＣＭＰのコストを軽減できるスラリー供給管及び滞留防止方法を提供する。 - 特許庁

To prevent damage of a surface plate used in a CMP apparatus due to troubles generated in repair or replacement of the surface plate or operation of the CMP apparatus, and the like.例文帳に追加

ＣＭＰ装置に用いられる定盤を、該定盤の補修時或いは交換時又は該ＣＭＰ装置の操作時等において発生するトラブルに基づく該定盤の傷損を未然に防止する。 - 特許庁

To provide a method for electrochemical mechanical planerization(EMP) by which the undesirable swelling characteristic of the conventional CMP flattening treatment using a chemical oxidizing agent can be reduced favorably or can be eliminated substantially and a device for performing the EMP.例文帳に追加

化学酸化剤を用いる従来のCMP平坦化処理の望ましくない膨出特性を有利に低下又は実質的に排除する方法及びEMPを行う装置を開示する。 - 特許庁

A method for strengthening reliability of copper interconnection and/or contact is given on a via bottom where the surface of an embedded copper wiring is exposed or an upper surface of the copper wiring, immediately after CMP.例文帳に追加

埋め込み銅配線の表面が露出したビア底またはCMP直後の銅配線の上面での銅相互接続及び／またはコンタクトの信頼性を強化するための方法が与えられる。 - 特許庁

Unlike EJB components that used container-managed persistence (CMP), entityobjects using the new APIs are no longer components, and they no longer need to be in an EJB module. 例文帳に追加

「コンテナ管理による持続性」(CMP) を使用していた EJB コンポーネントとは異なり、この新しい API を使用するエンティティーオブジェクトはコンポーネントではないため、EJB モジュール内に存在する必要はありません。 - NetBeans

An A/D converter 1 includes a plurality of comparators Cmp, and a first switch SWsd which is provided on a common path to supply a reference voltage VCM to the comparators Cmp.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器１は、複数の比較器Ｃｍｐと、各比較器Ｃｍｐに基準電圧ＶＣＭを供給する共通の経路上に設けられた第１のスイッチＳＷｓｄとを含む。 - 特許庁

Such a wafer is subjected to CMP (chemical mechanical polishing) on the Ga side, by using CMP slurry which contains polishing particles, e.g. silica or alumina, and an acid or a base.例文帳に追加

このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。 - 特許庁