「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

In the polishing pad for semiconductor CMP having a large number of holes penetrating a polish layer from the surface to the rear surface, depth (δy) at the edge of the through hole on the surface of the polish layer is set not deeper than 0.1 mm (100 μm).例文帳に追加

本発明は、研磨層に表面から裏面に貫通する多数の孔を有する半導体ＣＭＰ用研磨パッドにおいて、該貫通孔の研磨層表面におけるエッジの凹みの深さ（δｙ）が０．１ｍｍ（１００μｍ）以下であることを特徴とする研磨パッドと、この研磨パッドを用いて半導体ウエハ表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a surface inspection device and its method where a scratch, having various shapes occurring on the surface of a processed object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) and an adhering foreign substance are discriminated and inspected, when the processed object is polished or ground through CMP or the like, in the manufacturing of semiconductors or of magnetic heads.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a system and method for defect inspection which can discriminate various shaped scratches from adhered foreign substances, generated on the surface of any processed subject to be inspected, when implementing of grinding or polishing, such as Chemical Mechanical Polishing (CMP) on the processed subject (for example, insulating film on semiconductor substrate) is conducted, in the manufacturing of semiconductor or magnetic head.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

By heat treatment, Sn, Mg, or Zr contained in the copper alloy film 106 is diffused into a copper film 107 for forming the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in Cu, the copper alloy film is subjected to the CMP method, and contact consisting of the copper alloy film where the Sn, Mg, or Zr is contained in the Cu and buried wiring are simultaneously formed.例文帳に追加

熱処理により銅合金膜１０６に含まれるＳｎ、Ｍｇ又はＺｒを銅膜１０７に拡散させてＣｕにＳｎ、Ｍｇ又はＺｒが含有されてなる銅合金膜を形成した後、該銅合金膜に対してＣＭＰ法を行なって、ＣｕにＳｎ、Ｍｇ又はＺｒが含有されてなる銅合金膜よりなるコンタクト及び埋め込み配線を同時に形成する。 - 特許庁

Since the working speed of the Ta-based metallic film can be lowered without changing significantly the working speed of the Cu-based metallic film at the time of polishing a copper wiring layer containing the Ta-based metallic film as a barrier layer by CMP by using a polishing solution containing TETA, TEPA, and PEHA, the Ta barrier layer can be polished nondefectively without degrading the productivity.例文帳に追加

ＴＥＴＡ、ＴＥＰＡ、ＰＥＨＡを含有してなる研磨液では、Ｔａ系金属膜をバリア層とする銅配線層をＣＭＰ研摩する際に、Ｃｕ系金属膜の加工速度は大きく変化することなく、Ｔａ系金属膜の加工速度を低下させることが出来るため、生産性を落とすことなく、Ｔａバリア層の欠陥のない研磨加工をすることができる。 - 特許庁

Prior to a cell forming process, heat treatment equivalent to that employed in cell forming process is performed, the pixel electrode is imparted with anti-fragile properties by generating hillocks or whiskers, a light shielding interlayer insulation film is formed on the pixel electrode, hillocks or whiskers are removed by CMP represented by mechanical polishing and the surface of the pixel electrode is made flush with the surface of the light shielding interlayer insulation film.例文帳に追加

セル組み工程以前に、セル組み工程で用いる加熱処理と同等の熱処理を施し、画素電極にヒロックやウィスカーを発生させ耐脆性をもたせ、画素電極上に遮光性層間絶縁膜を形成し、機械研磨に代表されるＣＭＰによってヒロックやウィスカーを除去するとともに画素電極表面と遮光性層間絶縁膜の表面を同一表面にする。 - 特許庁

When a semiconductor wafer fixed on a chuck table is surface ground using a cup shaped grinding wheel, the semiconductor wafer is ground toward the outer peripheral edge thereof such that the grinding wheel cuts into the semiconductor wafer at the center thereof and moves away from the semiconductor wafer at the outer peripheral edge thereof and the ground semiconductor wafer is polished by a method of CMP.例文帳に追加

チャックテーブルに固定された半導体ウェーハをカップ型研削砥石を用いて平面研削するにあたり、該研削砥石を半導体ウェーハの中心より切り込み、半導体ウェーハの外周縁にて該研削砥石が半導体ウェーハを離脱するように該半導体ウェーハの外周縁へ向けて研削し、該研削された半導体ウェーハをＣＭＰで研磨するようにした。 - 特許庁

A test burn-in device 100 is constituted by newly comprising a skew correction data storage circuit 21 and a skew correction data transferring circuit 31 to read skew correction data from the skew correction data storage circuit 21 and to write it in a skew correction data register 13 in the DRV/CMP board 1 of each slot to which the skew correction data register 13 is mounted.例文帳に追加

テストバーンイン装置１００は、スキュー補正データレジスタ１３が実装されている各スロットのＤＲＶ／ＣＭＰボード１において、スキュー補正データ記憶回路２１及び、スキュー補正データ記憶回路２１からスキュー補正データを読み出し、スキュー補正データレジスタ１３に書き込みを行うスキュー補正データ転送回路３１を新規に有することにより構成されている。 - 特許庁

To provide a surface inspection device and its method capable of discriminating a scratch having a various shape generated on the surface from adhering foreign matter and inspecting it, when polishing or grinding such as CMP or the like is performed onto a machining object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor production or magnetic head production.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a polishing solution using solid abrasive grains used for barrier CMP for polishing a barrier layer composed of a barrier metal material, which can provide an excellent polishing speed on various films to be polished such as the barrier layer and can control the polishing speed on the various films to be polished independently, and further can prevent the aggregation of the abrasive grains and has excellent preservation stability.例文帳に追加

本発明は、バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰに用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層などの各種被研磨膜に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、各種被研磨対象膜に対して研磨速度を各々独立的に制御でき、さらに研磨砥粒の凝集が抑制され、保存安定性に優れる研磨剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sintered body for polishing with polishing units aligned on a polishing surface of a super-abrasive sintered body processes the surface of the super-abrasive sintered body by laser cutting, thereby the polishing units can be formed precisely while maintaining sharp edges, and with its high density polishing unit lines, the polishing tool for conditioning the CMP polishing pad which polishes the surface of the semiconductor material for LSI etc. can be provided.例文帳に追加

超砥粒焼結体の研磨面に並んだ研磨単位を有する研磨用焼結体は、超砥粒焼結体表面の加工をレーザーカットにより行うため、研磨単位を緻密に、鋭いエッジを保ったままで形成することが可能であり、その高密度研磨単位列によって、ＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を提供することができる。 - 特許庁

This method includes steps of providing a semiconductor substrate 11 having a metallic pattern 12 having different pattern densities thereon, depositing a porous oxide film 14 on the entire surface of the substrate so as to cover the metallic pattern 12, subjecting the surface of the porous oxide film to a plasma process, and polishing the film 14 subjected to the plasma process in a CMP process.例文帳に追加

本発明は、異なるパターン密度に金属パターン１２が形成された半導体基板１１を提供する段階、前記金属パターン１２を覆うように、前記半導体基板の全面上に多孔性の酸化膜１４を蒸着する段階、前記多孔性の酸化膜の表面をプラズマ処理する段階、及び前記プラズマ処理した多孔性の酸化膜１４をＣＭＰ工程にて研磨する段階を含む。 - 特許庁

To provide a substrate plating device capable of forming a plating layer on a substrate face, storing the substrate till the next stage without exposing the substrate to the air and easily realizing a device for forming a plating layer on a substrate face and thereafter continuously executing all treating stages including wet treatment such as CMP treatment for removing the plating layer other than the wiring part of the plating layer from the substrate face.例文帳に追加

基板面上にメッキ層を形成し、その次の工程迄、該基板を大気に曝すことなく保管できる基板メッキ装置及び基板面上にメッキ層を形成し、その後メッキ層の配線部を残して、基板面上からメッキ層を除去するＣＭＰ処理等のウエット処理を含む全ての処理工程を連続して実施できる装置を容易に実現できる基板メッキ装置を提供すること。 - 特許庁

This production method for semiconductor device is provided with a process for forming trenches 1a and 1b on a silicon substrate 1, a process for depositing silicon oxide films 5 inside these trenches and on the silicon substrate by CVD utilizing silanol reaction, and a process for filling the trenches with the silicon oxide films by polishing and removing the silicon oxide film 5 existent on the silicon substrate by CMP.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１にトレンチ１ａ，１ｂを形成する工程と、このトレンチ内及びシリコン基板上にシラノール化反応を利用したＣＶＤによりシリコン酸化膜５を堆積する工程と、シリコン基板上に存在するシリコン酸化膜５をＣＭＰによって研磨除去することにより、上記トレンチ内にシリコン酸化膜を充填する工程と、を具備する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a first region where a pattern is formed at a prescribed density; forming a second region where a pattern is formed at a higher density than that of the first region; forming an insulating film on the first and second regions; forming an opening in the insulating film on the second region; and flattening the insulating film on the first and second regions by CMP.例文帳に追加

所定の密度でパターンが形成された第一の領域を形成する工程と、前記第一の領域よりも高密度でパターンが形成された第二の領域を形成する工程と、前記第一及び第二の領域上に絶縁膜を形成する工程と、前記第二の領域上の絶縁膜に開口を形成する工程と、前記第一及び第二の領域上に絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method includes a first step of forming the insulating film 35 on the pixel region 10 and the peripheral region 50, a second step of lowering the height of a part of the insulating film 35 formed in the peripheral region 50 selectively, and a third step of planarizing the insulating film 35 by performing CMP polishing of the insulating film 35 entirely over the pixel region 10 and peripheral region 50.例文帳に追加

その製造方法は、絶縁膜３５を画素領域１０及び周辺領域５０に形成する第１の工程と、絶縁膜３５における周辺領域５０に形成された部分について、選択的にその高さを低くする第２の工程と、その後に、絶縁膜３５に対して画素領域１０及び周辺領域５０の全体に渡ってＣＭＰによる研磨を行って、絶縁膜３５を平坦化する第３の工程と、を備える。 - 特許庁

Thus, when the polymer is used as a CMP abrasive, the dispersion stability of abrasive grains is improved and abrasion scratches are reduced.例文帳に追加

Ｎ-ビニルアミド系ポリマー中に含まれる微量のＮ-ビニルアミド系モノマー及び/またはＮ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の含有量をＮ−ビニルアミド系ポリマーに対して１０，０００ｐｐｍ以下に押さえること、またＮ−ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の含有量が、Ｎ−ビニルアミド系ポリマーに対して５％以下に抑える事によりＣＭＰ用研磨剤として用いた時砥粒の分散安定性が改良され、研磨傷が低減される。 - 特許庁