「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent film peeling and structure breaks of a low dielectric constant film in the peripheral edge of a substrate when a Cu film is polished by a CMP method.例文帳に追加

Ｃｕ膜をＣＭＰ法により研磨する際、基板周縁部における低誘電率膜の膜剥離や構造破壊を防止する。 - 特許庁

After the front surface of the AlCu layer is flattened with CMP, a TiN film 125-3 is formed as a conductive reflection preventing film.例文帳に追加

ＡｌＣｕ層の表面をＣＭＰにより平坦化してから導電性反射防止膜であるＴｉＮ膜１２５−３を形成する。 - 特許庁

To provide liquid used for a CMP method which effectively cleans a polisher and a wafer in a polishing process by the CMP method and a process to clean the polisher, and to provide the manufacturing method of a semiconductor device including the effective cleaning process.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨工程や、研磨装置を洗浄する工程において、研磨装置やウェハの洗浄を効率的に行なうことができるＣＭＰ法に用いる液体、および効率的な洗浄が可能な工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This pad conditioner includes abrasive grains for pad polishing and grinding used in a semiconductor planarization CMP process, a bond layer holding the abrasive grains; and a bed to which the bond layer is fixed, wherein the abrasive grains or coating material coating the abrasive grains is a material having durability against CMP slurry.例文帳に追加

パッドコンディショナーは、半導体平坦化ＣＭＰプロセスに用いるパッド研磨研削用の砥粒と、この砥粒を保持するボンド層と、このボンド層を固着した台とよりなり、砥粒あるいは砥粒を被覆する被膜物質がＣＭＰスラリーに対して耐久性を持つ物質である。 - 特許庁

A flow rate control mechanism for the slurry A, and a flow rate control mechanism for the slurry diluted solution are provided on the CMP device 30 respectively; the supplied slurry A and the slurry dilution solution are mixed in accordance with a recipe; and the CMP processing is carried out by the dilution slurry in correspondence with the product kind.例文帳に追加

ＣＭＰ装置３０には、それぞれ、スラリーＡ用の流量制御機構、スラリー希釈液用の流量制御機構を設け、供給されたスラリーＡとスラリー希釈液とをレシピに合わせて混合し、製品種に合わせた希釈スラリーでＣＭＰ処理を行う。 - 特許庁

To provide a CMP abrasive material which is easy in waste liquor treatment, capable of abrading the surface to be abraded of a silicon oxide film and the like at high speed without a mark, and renders a ratio of the abrasion rate of the silicon oxide film to that of silicon nitride film of not smaller than 10, and a method of abrading substrates by using these CMP abrasive materials.例文帳に追加

廃液処理が容易で、酸化珪素膜等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を１０以上にするＣＭＰ研磨剤、及びこれらＣＭＰ研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for CMP (chemical mechanical polishing) work having a high selectivity, that is, high in abrasion rate of copper but low in that of tantalum, and also excellent in the smoothness of the copper film surface, in the CMP work process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

Moreover, a crucible 3 can be assembled by preliminarily adhering and fixing the seed crystal 1 with a graphite-based adhesive to the upper lid 4 of the graphite crucible 3, and then subjecting the surface of the adhered seed crystal 1 to a CMP process or a CMP process and a process of forming a silicon carbide by epitaxial growth.例文帳に追加

さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 - 特許庁

To alleviate the load of chemical-mechanical polishing (CMP), enhance machining efficiency, and improve on substrate surface flatness by replacing the whole or part of substrate processing in CMP with electrochemical machining using pure water or, preferably, ultrapure water.例文帳に追加

化学機械的研磨（ＣＭＰ）による基板処理工程の一部または全部を、純水、好ましくは超純水等を用いた電解加工に置き換えることにより、化学機械的研磨（ＣＭＰ）の負荷を軽減させ、更に高効率で平坦性の高い加工を行うことができるようにする。 - 特許庁

To eliminate CMP treatment itself, for example, to machine an electrically conductive material provided on a surface of a substrate flat while reducing a load of CMP treatment to the extent and additionally to remove (clean) an attachment attached on a work such as the substrate, etc.例文帳に追加

例えばＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板等の被加工物の表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにする。 - 特許庁

There is provided a method of polishing a semiconductor substrate in which a voltage is applied to a CMP polishing pad having a center line average roughness (Ra) of 7-11 μm by pressing a semiconductor substrate against the CMP polishing pad at a pressure of 3-7 kPa, and chemical mechanical polishing is performed on a thin film formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が７〜１１μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、３〜７ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、この半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する半導体基板の研磨方法。 - 特許庁

When a wafer on which a copper layer is formed is polished in a CMP system and waited before being transferred to a cleaning system, wafers collected at the waiting position are provided with solution containing a corrosion inhibitor so that at least the polished surface of the copper layer is kept in such a state as wetted with the solution.例文帳に追加

銅層が形成されたウェーハをCMP装置で研磨した後に洗浄装置に移送するために待機する時、待機位置に集まったウェーハに腐食防止剤が含まれていた溶液を提供して少なくとも研磨された銅層表面を溶液でウェッティングされた状態で維持させる。 - 特許庁

To provide a treating method of CMP waste liquid capable of recovering treated water after the CMP waste liquid is coagulated with an inexpensive coagulant and a simple operation, separating the coagulant and abrasives from a separated solid product, recovering and reusing them and also reducing a sludge generation quantity.例文帳に追加

安価な凝集剤と簡単な操作によりＣＭＰ排液を凝集処理して処理水を回収し、分離固形物から凝集剤と研磨剤を分離回収して再使用するとともに汚泥発生量を低減することができるＣＭＰ排液の処理方法を提案する。 - 特許庁

In a method of polishing the CMP, the concentration of each component of the abrasive liquid for the CMP is found by measuring the conductivity, ultrasonic propagation speed and temperature of the abrasive liquid containing at least two components in addition to water, and the relative ratio of the quantity or concentration of each component to the quantities or concentrations of the other components is controlled.例文帳に追加

水以外に少なくとも２成分を含有するＣＭＰ用研磨液の導電率、超音波伝播速度及び温度を測定することによって各成分濃度を求め、各成分の量又は濃度相対比を制御することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。 - 特許庁

The CMP ring consists of polyester carbonate composition in which aromatic polyester contains polycarbonate diol, and the CMP ring is characterized in that: the D hardness of the surface of the polyester carbonate composition is 75 or more; and the polyester carbonate composition contains 5 to 10 wt.% of polycarbonate diol.例文帳に追加

芳香族ポリエステルにポリカーボネートジオールを配合されてなるポリエステルカーボネート組成物からなるＣＭＰリングであって、ポリエステルカーボネート組成物の表面Ｄ硬度が７５以上、ポリカーボネートジオールの含有量がポリエステルカーボネート組成物中５〜１０重量％であることを特徴とするＣＭＰリング。 - 特許庁

To provide a lapping device capable of preventing a practical CMP device from being occupied for many hours to dispense with readjustment and lapping again when attaching a retainer ring for replacement to a polishing head of the practical CMP device after polishing it in advance.例文帳に追加

ラッピング装置に関し、交換用のリテーナーリングを予め研磨してから実用ＣＭＰ装置の研磨ヘッドに取り付けるのであるが、その場合、再調整や再ラッピングなどを行う必要がないように、そして、実用ＣＭＰ装置を長時間に亙って占拠することがないようにする。 - 特許庁

To provide a method for flattening Al and/or Al alloy by CMP where the glazing of a pad is reduced, especially a method for achieving the CMP with high manufacturing throughput of the Al and/or Al alloy by eliminating or greatly reducing the glazing of the pad.例文帳に追加

パッドのグレージングを減らしたＣＭＰによるＡｌ及び／又はＡｌ合金の平坦化を可能にする方法、特に、パッドのグレージングを除去又は大幅に減少させることによるＡｌ及び／又はＡｌ合金の高製造スループットのＣＭＰを可能にする方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for abrasive for CMP processing with a high selectivity which has a big grinding rate for a copper film and a small grinding rate for a tantalum compound in a CMP processing of a semiconductor device having the copper film and the tantalum compound, and excellent in smoothness of the copper film surface.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality disc-like molding (1) for CMP and an annular component (2) for CMP which have no void inside or at least near the surface while essentially employing an injection molding method, and also to provide a method of manufacturing these.例文帳に追加

基本的には射出成形法を採用しながらも、内部にボイドを有しないか少なくとも表面近くにはボイドを有しない高品質のＣＭＰ用円板状成形物(1) とＣＭＰ用リング状部品(2) 、およびそれらを製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a level block for a CMP device and the CMP device capable of polishing a workpiece by a surface reference method, capable of flatly polishing even a workpiece of wafer or the like with pattern without being influenced by its step difference, and capable of attaining almost complete global planarization.例文帳に追加

ワークを表面基準方式で研磨することができ、しかも、パターン付きウエハ等のワークについてもパターンの段差に影響されることなく平坦に研磨することができ、ほぼ完全なグローバルプラナリゼーションを達成可能なＣＭＰ装置の定盤及びＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

In the design and the manufacturing technology of a thin film device in which a film is formed and a CMP is effected under conditions depending on design information to manufacture through an inspection, a wafer after the CMP is measured in a film thickness in detail, and the design and process are altered based on actually measured film thickness data to optimize.例文帳に追加

設計情報に基づいた条件で成膜およびＣＭＰを実施し、検査を経て製造される薄膜デバイスの設計、製造技術において、ＣＭＰ後のウェハに対して詳細に膜厚を計測し、実測した膜厚データに基づいて設計及びプロセスを変更して最適化する。 - 特許庁

Continuously, the metal wiring film 6 on the recessed part 3 is shaved chemically and physically by performing CMP(chemical-mechanical polishing) process, and when the surface of the metal wiring film 6 is almost flush with the surface of the exterior part of the recessed part 3 of an insulation film 2 as shown in figure (i), the CMP processing is finished.例文帳に追加

つづいて、ＣＭＰ処理が行われることにより、凹部３上の金属配線膜６が化学的および物理的に削られていき、図１(i) に示すように、金属配線膜６の表面と絶縁膜２の凹部３外の表面とがほぼ面一になると、このＣＭＰ処理が終了される。 - 特許庁

To provide CMP abrasive material which is easy in waste liquor treatment, capable of abrading the surface to be abraded of a silicon oxide film and the like at high speed without a mark, and renders a ratio of the abrasion rate of the silicon oxide film to that of silicon nitride film of not smaller than 10, and a method of abrading substrates by using these CMP abrasive materials.例文帳に追加

廃液処理が容易で、酸化珪素膜等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を１０以上にするＣＭＰ研磨剤、及びこれらＣＭＰ研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP treatment system that can reduce the influence of scattering of light due to a slurry which is an obstacle for an optical measurement under polishing and can mitigate the influence that the purified water used for an optical measurement gets into a polishing cloth and reduces the density of the slurry, and to provide a CMP method.例文帳に追加

研磨中の光学測定の障害となるスラリによる光の散乱の影響を少なくすると共に光学測定のために使用する純水が研磨布上に入り込んでスラリの濃度の低下を減少できるＣＭＰ処理システム及びＣＭＰ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which restrains wiring metals on the polished surface of a wafer from being corroded by eliminating a time spent for exposing the polished surface of a wafer to an atmosphere from a CMP (chemical mechanical polishing) process up to a cleansing process, to provide a polishing device that realizes the above CMP process, and to provide a polishing system.例文帳に追加

ＣＭＰ終了から洗浄までの間に、ウエーハの研磨面が雰囲気に暴露される時間をなくすことで、研磨面に表出する配線金属の腐食を抑制した半導体装置の製造方法、かかるＣＭＰを実現する研磨装置及び研磨システムを提供する。 - 特許庁

To optimize process conditions and to supervise CMP equipment by enabling residual slurry map detection equipment to detect the state of slurries etc. adhered on wafers after CMP with high accuracy, in order to, for example, realize a semiconductor device having high-reliablility Cu interconnections.例文帳に追加

スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

By applying the washing treatment of a wafer W after CMP while using a two-fluid nozzle 7 for forming mist M by mixing a pressed gas and a washing liquid, particles generated after CMP can be removed from the treated surface of the wafer W.例文帳に追加

加圧された気体と洗浄液とを混合してミストＭを形成する２流体ノズル７を用いて、ＣＭＰ（化学機械研磨処理）後の基板Ｗの洗浄処理を施すことで、ＣＭＰ後において発生したパーティクルを基板Ｗの処理面から除去することができる。 - 特許庁

By setting the processing conditions in the CMP step on the basis of the film thickness in the preceding CVD step of forming a film, even if the error occurs in the film thickness in the CVD step of forming the film, the setting of the processing conditions in the CMP step is optimized with the included error.例文帳に追加

ＣＭＰ工程における処理条件を、それよりも前のＣＶＤ成膜工程による膜厚に基づいて設定することにより、ＣＶＤ成膜工程で膜厚に誤差が生じても、その誤差も含めて、ＣＭＰ工程における処理条件の設定を最適化する。 - 特許庁

To provide a method for treating piperazine-containing waste water, such as CMP (Chemical Mechanical Polish) waste water, by which method the efficient decomposition treatment of the piperazine-containing waste water is made possible.例文帳に追加

ＣＭＰ廃水などのピペラジン含有廃水を効率良く分解処理できるピペラジン含有廃水の処理方法を提供する。 - 特許庁

To facilitate the application of CMP(chemical mechanical polishing) technique, in formation of the groove wiring in the case where an interlayer insulating film is used as an organic low permittivity film.例文帳に追加

有機系の低誘電率膜を層間絶縁膜とした場合の溝配線の形成において、ＣＭＰ技術の適用を容易とする。 - 特許庁

To provide CMP compositions and slurries that are useful for polishing a multilayer substrate at high speed and selectivity, and for polishing a plurality of substrate layers at the same or different speed and selectivity, for improving the flattening.例文帳に追加

大きい速度及び選択率で多層基体をうまく研磨することができるＣＭＰ組成物及びスラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for manufacturing a uniform wafer having higher flatness, by controlling the distribution and a flow of a polishing medium in CMP processing.例文帳に追加

ＣＭＰ加工における研磨媒体の分布及び流れを制御し、より高い平坦度の均一なウェーハを製造する研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide a slurry storage device for reducing slurry aggregate contained in slurry applied on a wafer in CMP.例文帳に追加

ＣＭＰ時において、ウェハ上に塗布するスラリ中に含有されるスラリ凝集物を低減させることが可能なスラリ貯溜装置を提供する。 - 特許庁

An entire surface of an interlayer insulating film 243a is CMP processed for a predetermined time length and an interlayer insulating film 243b with film thickness d2 is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜２４３ａの全面を所定の時間だけＣＭＰ処理し、膜厚ｄ２を有する層間絶縁膜２４３ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a pad cleaning brush for a CMP apparatus capable of preventing bristles from falling down onto the surface of a polishing pad by holding the bristles into a brush head firmly.例文帳に追加

毛をブラシヘッドにしっかりと保持して、毛がポリシングパッド表面に落ちることを防ぐＣＭＰ装置用パッド洗浄ブラシを提供する。 - 特許庁

To reduce scratches to occur on a surface of a polysilicon film even if the polysilicon film is used as a stopper film of CMP.例文帳に追加

ＣＭＰのストッパ膜として多結晶シリコン膜を用いた場合においても、多結晶シリコン膜の表面に発生するスクラッチを低減させる。 - 特許庁

Further, the normalization reference is updated during treatment by using second reflection spectrum data sample obtained in a stage before the CMP treatment.例文帳に追加

さらに、正規化参照は、ＣＭＰ処理の前の段階において取得される第２の反射スペクトルデータサンプルを用いて、処理中に更新される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can increase an throughput of CMP and suppress an increase in maintenance cost.例文帳に追加

ＣＭＰのスループットを上昇させることや、メンテナンスコストの上昇を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, the filling material on the semiconductor wafer 1 is polished, using the oxide film 14 as a stopper by the CMP method using the polishing pad of high hardness.例文帳に追加

次に、硬度の高い研磨布を用いたＣＭＰ法により、酸化膜１４をストッパとして、半導体ウェハ１上の埋込材を研磨する。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for cleaning microelectronic substrates (particularly, for post-CMP or post-via formation cleaning).例文帳に追加

超小型エレクトロニクス基板の洗浄のため（特にＣＭＰ後の洗浄のため、またはバイア形成後の洗浄のため）の洗浄溶液を提供すること。 - 特許庁

The cloth 1 is stuck to the polishing plate 4 of a CMP device 100, and the polishing surface 5a of an object 5 to be polished is polished.例文帳に追加

この薄膜研磨用研磨布１をＣＭＰ装置１００の研磨定盤４に貼付け、被研磨物５の被研磨面５ａの研磨を行なう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the influence of a scratch generated in a CMP process as compared with a prior art.例文帳に追加

ＣＭＰ工程により生じるスクラッチの影響を従来よりも低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of preventing scratches on the surface of a material to be polished without lowering the throughput in a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程においてスループットを低下させることなく、被研磨材の表面に生ずるスクラッチを防ぐことのできる技術を提供する。 - 特許庁

Next, the entirety of the phosphorus-doped silicon oxide film 107 and a part of the silicon oxide film are removed to make the surface flat using a CMP method.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて、リンドープシリコン酸化膜１０７の全部とシリコン酸化膜１０６の一部を除去し、表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a carbon film suppressing generation of a nodule and stably maintaining the quality, a production method of the carbon film, and a CMP (chemical mechanical polishing) pad conditioner.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、品質が安定して確保される炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁