「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing composition for CMP with high preservation stability even in the case of containing a persulfate compound, and with a sufficiently long utility period of time.例文帳に追加

過硫酸塩化合物を含有しても保存安定性が高く、可使時間が十分に長いＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming a wiring with reduced manufacture costs by not applying electroplating and CMP.例文帳に追加

電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for subjecting a sacrificial insulator layer to treatment including a CMP method which may be unsuitable to low-permittivity insulating materials.例文帳に追加

犠牲絶縁体層に、低誘電率絶縁体材料には不適合であり得る、ＣＭＰ法を含む処理を実施する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent galvanic corrosion on the surface of a copper film due to exposure to water during conveyance of a wafer on which copper interconnections are formed after CMP polishing.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨後の銅配線を形成したウエハの搬送中に、銅膜表面に水がかかることによるガルバニック腐食を防止する。 - 特許庁

Concurrently with the increased removing speed of the barrier metal layer, dishing of the bulk metal layer is prevented in the trench during the process of the CMP.例文帳に追加

増大された障壁金属層の除去速度と共に、ＣＭＰ工程の間の、バルク金属層の皿状のくぼみは溝の中で防がれる。 - 特許庁

The abrasive composition for the CMP process comprises water, an abrasive, and a compound (A) which exhibits thermal reversibility in an aqueous medium.例文帳に追加

水、研磨材及び水媒体中で熱可逆性を示す化合物（Ａ）からなることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨組成物を用いる。 - 特許庁

Between an analog block 50 and a digital block 51, a dummy diffusion layer 11 is formed as countermeasures against dishing in CMP of STI process.例文帳に追加

アナログブロック５０とデジタルブロック５１との間に、ＳＴＩ工程のＣＭＰにおけるディッシング対策のために、ダミー拡散層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of dressing a polishing pad of a CMP apparatus which reduces the dressing process time and prolongs the life of the pad.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の研磨パッドのドレッシング方法として、ドレッシング処理時間が短く、研磨パッドの寿命を長くできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP composition and method for removing copper and tantalum barrier materials and time effectively in cost.例文帳に追加

銅およびタンタルバリヤ材料の除去を時間的にも費用的にも効率的に行うことのできるＣＭＰ組成物および方法を提供する。 - 特許庁

After the silicon oxide nitride layer generated at the upper part is removed with the CMP method, the silicon nitride film 54 is removed using the hot phosphoric acid solution.例文帳に追加

窒化シリコン膜５４は、上部に生じた酸化窒化シリコン層をＣＭＰ法によって除去した後、熱燐酸溶液を用いて除去する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD AND SYSTEM FOR AUTOMATICALLY OPERATING SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD OF AUTOMATICALLY OPERATING CMP DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法、半導体製造装置の自動運転方法および自動運転システム、並びにＣＭＰ装置の自動運転方法 - 特許庁

To provide a dress method wherein the polishing speed of CMP is maximized, the uniformity of polishing is maintained and the long life time of a pad is assured.例文帳に追加

ＣＭＰの研磨速度を最大にし、研磨の均一性を維持すると同時に、パッドの長寿命化を測るドレス方法を提供する。 - 特許庁

The sol form fine particle component in the CMP waste water is removed by means of filtration using a filter device 13 having a gelatinous second filter.例文帳に追加

ゲル状の第２のフィルタを有するフィルタ装置１３を用いた濾過処理により、ＣＭＰ排水中のゾル状の微粒子成分を除去する。 - 特許庁

An output signal S CMP of the level comparator circuit 34 is taken out as the detection result of the vibration of the CD-R 10 or the optical pickup 12.例文帳に追加

レベル比較回路３４の出力信号ＳCMPを、ＣＤ−Ｒ１０あるいは光ピックアップ１２の振動の検出結果として取り出す。 - 特許庁

Thus, a polishing pressure to be applied to the center of the part 9 is reducing from other part, and the part 9 is subjected to CMP processing.例文帳に追加

これにより、被処理部９の中央部にかかる研磨圧力を他の部分よりも低減させつつ、被処理部９にＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁

A CMP post-cleaning device is provided with two or more drying chambers behind a cleaning process chamber, to enable drying processes to be performed in parallel.例文帳に追加

ＣＭＰ後洗浄装置において、洗浄処理室の後段に、２以上の乾燥室を設け、並列的に乾燥処理を行えるようにした。 - 特許庁

Therefore, a simple wiring circuit forming technique of low resistance without the CMP process is required.例文帳に追加

本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、ダマシン法に代わる簡便な低抵抗の配線形成技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a CMP apparatus that can eliminate diamond fine particles that fall down to a polishing pad by a conditioner, and to provide a method for cleaning the polishing pad.例文帳に追加

コンディショナーより研磨パッドに脱落したダイヤモンド微粒子を除去できるＣＭＰ装置及び研磨パッドの掃除方法を提供する。 - 特許庁

A chemimechanical polishing(CMP) device comprises a wafer carrier 1; six roll shape polishing pads 2; a dresser 3; a slurry container 4; and an optical end point device(EPD) 5.例文帳に追加

ＣＭＰ装置において、ウェーハキャリア１、６個のロール形状の研磨パッド２、ドレッサー３、スラリ容器４および光学式のＥＰＤ５を設ける。 - 特許庁

Thereafter, surface roughness is moderated in the tangsten film by CMP, and a bit line pattern 103 is formed of low-resistance tangsten by an etching process.例文帳に追加

この後、ＣＭＰによりタングステン膜の表面粗さを緩和し、エッチングにより低抵抗タングステンからなるビットラインパターン１０３を形成する。 - 特許庁

After executing a heat treatment on the BPSG film to fluidize it, the BPSG film is subjected to a CMP process to flatten the surface of the film.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜に流動化のための熱処理を施した後、ＢＰＳＧ膜にＣＭＰ処理を施してＢＰＳＧ膜の表面を平坦化する。 - 特許庁

The Cu plating is carried out on this groove, and the flattening process (CMP) is carried out to form the upper layer coil 22, then the subject two layers coil is completed.例文帳に追加

この溝にＣｕめっきを行い、平坦化処理（ＣＭＰ）を行いと上層コイル２２が形成でき、本発明の２層コイルができる。 - 特許庁

Then, the surface is polished by a CMP method until the upper surface of the insulating film 12 is exposed, and a recess 51 for alignment is obtained.例文帳に追加

続いてこの表面を、絶縁膜１２の上面が露出するまでＣＭＰ法により研磨して、位置合わせのための窪み５１を得る。 - 特許庁

A magnetic pole part 10 composed of a magnetic film 6 of an inverse trapezoidal cross section is formed on a substrate 1 and covered with a stopper film 7 of CMP (chemical mechanical polishing) polishing.例文帳に追加

基板１上に逆台形断面の磁性膜６からなる磁極部１０を形成し、ＣＭＰ研摩のストッパ膜７で被覆する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing an electric interference between underlying wirings through a dummy sheet disposed for a CMP.例文帳に追加

ＣＭＰのために配置するダミーシートを介した下地の配線間での電気的干渉を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP device in which a polishing pad becoming thin due to conditioning can be replaced with a new polishing pad in suitable timing.例文帳に追加

コンディショニングにより薄くなった研磨パッドを、適切なタイミングで新たな研磨パッドと交換することが可能となるＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To achieve high planarization on a surface to be polished after CMP, and to ensure a high polishing rate for obtaining a sufficient amount of over cutting.例文帳に追加

ＣＭＰ後における被研磨面の高平坦化を可能にしつつ、高い研磨レートを確保して十分な削り込み量を得られるようにする。 - 特許庁

To provide means for preventing such a phenomenon as particles aggregate in the opening region of the slurry output in a CMP system arrangement.例文帳に追加

ＣＭＰ装置構成におけるスラリーの出口の開口部領域に粒子が凝集化する現象を防ぐための手段を提供すること - 特許庁

Then, an X-ray absorbing material 37 is implanted in the groove part 35 by a plating method and the whole surface is polished and flattened by a CMP method.例文帳に追加

そして、メッキ法により溝部３５にＸ線吸収材３７を埋め込み、ＣＭＰ法により表面全体を研摩して平坦化する。 - 特許庁

Then the protective film PL is left only in a hollow H1 in, for example, a CMP(chemical-mechanical polishing) method, and with it as a cover, the wiring film 7 is etched isotropically.例文帳に追加

その後、例えばＣＭＰ法により空隙Ｈ１にのみ保護膜ＰＬを残し、それをカバーとして配線膜７を等方性エッチングする。 - 特許庁

An ion exchange material is used in a CMP methodology for polishing or thinning a semiconductor substrate and a layer on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板および半導体基板上の層を、研磨あるいはシンニングするために、ＣＭＰ方法論にイオン交換物質が用いられる。 - 特許庁

The CMP process of a tungsten thin film normally utilizes aqueous slurry containing an abrasive, an oxidizing agent, and a solute having polarity lower than that of water.例文帳に追加

タングステン薄膜のＣＭＰプロセスは通常、研磨剤、酸化剤、および極性が水のそれより小さい溶質を含む水系スラリーを利用する。 - 特許庁

After that, the SiO2 film 6 and the polycrystalline silicon 9 in the trench 7 are polished and removed at the same time, using the Si3N4 film 5 as stopper by CMP.例文帳に追加

この後、ＣＭＰにより、Ｓｉ_3Ｎ_4膜５をストッパとして、ＳｉＯ_2膜６とトレンチ７内の多結晶シリコン９を、同時に研磨除去する。 - 特許庁

Subsequently the film thickness of the interlayer insulating film 243b is adjusted by etching the surface of the CMP processed interlayer insulating film 243b.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ処理された層間絶縁膜２４３ｂの表面をエッチングすることにより、層間絶縁膜２４３ｂの膜厚を調整する。 - 特許庁

This problem is solved by a phase-change memory device chemical mechanical polishing (CMP) slurry composition containing deionized water and a nitride compound.例文帳に追加

前記課題は、脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物によって解決する。 - 特許庁

After that, the photoresist pattern PR2 is removed and the insulation film 6 is subjected to a CMP treatment to make parts of the insulation film 6 left in the isolation grooves 4.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンＰＲ２を除去した後、絶縁膜６が分離溝４内に残されるように絶縁膜６をＣＭＰ処理する。 - 特許庁

Distilled water or ultrapure water is employed as the solvent of the CMP slurry composition for oxide film while grinding agent contains selia, colloidal or humed type silica.例文帳に追加

酸化膜用ＣＭＰスラリー組成物の溶媒は蒸留水又は超純水を用い、研磨剤はセリア、コロイダル又はヒュームド型のシリカを含む。 - 特許庁

After a polysilicon film 13 is formed inside the contact hole 12, a polysilicon plug 13a is formed with CMP using the silicon nitride film 7 as a stopper film.例文帳に追加

コンタクトホール１２内にポリシリコン膜１３を形成した後、シリコン窒化膜７をストッパ膜としたＣＭＰによりポリシリコンプラグ１３ａを形成する。 - 特許庁

Thus, the metal particles can be removed from the slurry during CMP to avoid damaging and/or contaminating the semiconductor wafer.例文帳に追加

従って、金属粒子はＣＭＰ中にスラリーから除去することができ、その結果、半導体ウエハの損傷及び／又は汚染を避けることができる。 - 特許庁

The CMP abrasive comprising cerium oxide particles, an organic compound and water does not freeze even at ambient temperatures of -5°C and below.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、有機化合物及び水を含むＣＭＰ研磨剤において−５℃以下の雰囲気下においても凍結しないＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

CERIUM OXIDE POLISHING PARTICLE AND ITS PRODUCTION PROCESS, SLURRY COMPOSITION FOR CMP AND ITS PRODUCTION PROCESS, AND SUBSTRATE POLISHING METHOD UTILIZING IT例文帳に追加

酸化セリウム研磨粒子及びその製造方法と、ＣＭＰ用スラリー組成物及びその製造方法と、それらを利用した基板研磨方法 - 特許庁

As a result, CMP is not required, and only wet etching is adopted to remove the outer electrode layer and the outer barrier metal layer.例文帳に追加

そのため、ＣＭＰを用いる必要がなく、ウェットエッチングのみを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層を除去することができる。 - 特許庁

The unnecessary conductor layer 5 formed on the interlayer insulation film 2 is polished and removed by CMP until the barrier metal 4 is exposed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２上に形成されている不要な導電層５を、ＣＭＰを用いてバリアメタル４が露出するまで研磨除去する。 - 特許庁

To reduce the film peeling damages of the interlayer insulation film, etc. of a semiconductor wafer which are generated in its periphery, in a CMP for forming its damascene wiring.例文帳に追加

ダマシン配線を形成するＣＭＰにおいて半導体ウエハ周辺部での層間絶縁膜等の膜剥がれ損傷を低減させる。 - 特許庁

To provide a CMP device that can ensure an improvement in productivity and a reduction in the cost of polishing a product wafer by virtue of no needs to use a dummy wafer.例文帳に追加

ダミーウェーハの使用を不要として生産性を向上し、製品ウェーハの研磨コストを削減することが可能なＣＭＰ装置を提供することである。 - 特許庁