「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

In this CMP process and products thereof, alumina is used including α-alumina particles with a particle size of less than 50 nm and a surface area of at least 50 m^2/g.例文帳に追加

粒子幅が５０ｎｍ未満で且つ表面積が少なくとも５０ｍ^2／ｇのα−アルミナ粒子を含むアルミナを使用するＣＭＰプロセス及び生成物とする。 - 特許庁

To provide a dummy pattern for chemical mechanical polishing (CMP) of a metal where high uniformity is provided in a chip and high chipping resistance is provided for a scribe line.例文帳に追加

チップ内では高い均一性を、スクライブ線では高い対チッピング耐性をもった金属の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）用のダミーパターンを提供することにある。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device as an embodiment of the present invention is characterized by using the CMP slurry as the embodiment of the present invention for a touch-up polishing process.例文帳に追加

また、本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、タッチアップ研磨工程に本発明の一態様のＣＭＰスラリーを用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which corrosion of a wiring metal appearing on a polishing surface is suppressed, as well as a polishing device and a polishing system that realize CMP.例文帳に追加

研磨面に表出する配線金属の腐食を抑制した半導体装置の製造方法、かかるＣＭＰを実現する研磨装置及び研磨システムを提供する。 - 特許庁

The timer 4 outputs, in response to a control signal S1 for controlling writing to registers 6a, 7a of protection objects, a timer signal CMP after the lapse of a predetermined first time.例文帳に追加

タイマ４は、保護対象のレジスタ６ａ、７ａへの書き込みを制御する制御信号Ｓ１に応答して、所定の第１時間経過後にタイマ信号ＣＭＰを出力する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid that further improves the polishing speed of at least a palladium layer compared with that when using the conventional polishing liquid, and a polishing method.例文帳に追加

従来の研磨液を用いた場合よりも、少なくともパラジウム層の研磨速度を向上させることができるＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

After that, the copper film on the interlayer dielectric film 121 is removed by low-voltage CMP polishing or ECMP polishing, and the surface is flattened to form plugs 124a and 124b.例文帳に追加

その後、低圧ＣＭＰ研磨又はＥＣＭＰ研磨により層間絶縁膜１２１上の銅膜を除去して表面を平坦化し、プラグ１２４ａ，１２４ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing composition accelerating removal of silicon oxide and silicon nitride used in the final process of a 3-process CMP-STI (Chemical Mechanical Polishing-Shallow Trench Isolation) method.例文帳に追加

３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。 - 特許庁

To establish a technique for directly evaluating the surface state of a polishing pad, achieving accurate CMP machining control, and at the same time improve machining throughput.例文帳に追加

研磨パッドの表面状態を直接的に評価する技術を確立し、高精度のＣＭＰ加工管理を可能とすると共に、加工のスループットの向上を実現する。 - 特許庁

A flat layer is formed by damascence process or by polishing an insulating film stacked after a first metal layer is formed by CMP between the first metal layers.例文帳に追加

第１金属層間を、ダマシン法、もしくは、第１金属層を形成した後に積層する絶縁膜をＣＭＰにより研磨することで平坦な層を形成する。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy platen for a CMP device keeping good affixed state of an abrasive pad even if used for a long term.例文帳に追加

長期にわたって使用しても研磨パッドの貼付け状態が良好に維持されるＣＭＰ装置用のアルミニウム合金製プラテンを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which enables the formation of a layer insulation film with a flat surface even if wet etching is carried out after CMP treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ処理後にウェットエッチングを行っても平坦な表面を有する層間絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of steps on a surface to be polished due to the difference in the polishing rate by CMP in holes or regions of groove pattern with high and low densities on the semiconductor surface.例文帳に追加

半導体基板における孔又は溝パターン密度の高い領域と低い領域でのＣＭＰにおける研磨レート差に基づく被研磨面の段差発生を防止する。 - 特許庁

And another interlayer dielectric, or a second interlayer dielectric 9a, is formed by polishing its surface using a CMP method so as to cover the dummy patterns 2, 2a.例文帳に追加

そして、上記ダミーパターン２，２ａを被覆するように別の層間絶縁膜すなわち第２層間絶縁膜９ａがＣＭＰ法で表面研磨されて形成される。 - 特許庁

A wiring material layer 4a is formed by depositing Cu over the whole surface (e), and the unwanted Cu layer is removed by CMP, RIE, etc., and a Cu wiring 4 is formed (f).例文帳に追加

全面にＣｕを堆積して配線材料層４ａを形成し（ｅ）、ＣＭＰ、ＲＩＥ等により不要のＣｕ層を除去してＣｕ配線４を形成する（ｆ）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it, in which the thickness of an interlayer insulating film of higher controllability is secured, related to a planarization process using a CMP technology.例文帳に追加

ＣＭＰ技術による平坦化工程において、より制御性の高い層間絶縁膜の厚さを確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To early find a wafer of element isolation level difference abnormality and to control a polishing amount in a CMP process to an appropriate size by a simple configuration and with good accuracy.例文帳に追加

素子分離段差異常ウェハの早期発見を可能とし、ＣＭＰ工程における研磨量を簡便な構成でしかも精度良く適切な大きさに制御する。 - 特許庁

Next, the metal oxide layer 22 is polished using a CMP process while using a slurry, and the nitride layer 31 on the upper surface of the metal structure 21 is exposed.例文帳に追加

次に、スラリを用いて、金属酸化物層２２が化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスにより研磨され、金属構造２１の上面上の窒化物層３１が露出される。 - 特許庁

The strong acid included in the cleaning solution for CMP is preferably at least one kind of compound selected from sulfuric acid, oxalic acid, hydrofluoric acid, nitric acid and hypochlorous acid.例文帳に追加

ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。 - 特許庁

After being polished by means of CMP, the upper surface of the upper electrode 112 of the capacitor is doped by the same doping process as that of the lower electrode 106a of the capacitor.例文帳に追加

キャパシター上部電極１１２の上部表面がＣＭＰにポリシングされた後、キャパシター下部電極１０６ａと同一なドーピング工程によりドーピングされる。 - 特許庁

METHOD OF CLEANING AND DRYING WAFER, METHOD OF DRYING WAFER, WAFER CLEANING/DRYING DEVICE, WAFER DRYING DEVICE, METHOD AND DEVICE FOR CMP, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ウエハの洗浄・乾燥方法、ウエハの乾燥方法、ウエハの洗浄・乾燥装置、ウエハの乾燥装置、ＣＭＰ研磨方法、ＣＭＰ研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nano SOI wafer having extremely excellent uniformity in thickness without using a CMP process and a wafer manufactured by the method.例文帳に追加

ＣＭＰ工程を使用しなくても厚さ均一度が非常に優秀なナノＳＯＩウェーハを製造する方法及びそれにより製造されたウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which can polish a polishing target film at a practical polishing speed though usage of CMP slurry is reduced.例文帳に追加

ＣＭＰスラリーの使用量を削減しても、実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

This CMP abrasive comprises a cerium oxide particle, a dispersant, an additive having >60 to 80% biodegradation degree after 28 days measured by JIS K 6,950 and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ＪＩＳ Ｋ ６９５０によって測定される２８日後の生分解度が６０超え〜８０％の添加剤、及び水からなるＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

This CMP abrasive comprises a cerium oxide particle, a dispersant, an additive having >40 to 60% biodegradation degree after 28 days measured by JIS K 6,950 and water.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、分散剤、ＪＩＳ Ｋ ６９５０によって測定される２８日後の生分解度が４０超え〜６０％の添加剤、及び水からなるＣＭＰ研磨剤。 - 特許庁

A W film is polished chemically and mechanically using a CMP device equipped with a guide ring 12, whose surface contains iron serving as a catalyst that accelerates the oxidation power of an oxidizing agent contained in slurry.例文帳に追加

スラリー中の酸化剤の酸化力を促す、触媒としての鉄を表面に含むガイドリング１２を備えたＣＭＰ装置を用いて、Ｗ膜のＣＭＰを行う。 - 特許庁

Then, after conditioning by a pad conditioner 4 is performed, a semiconductor wafer is placed on the polishing pad 2 and subjected to a CMP treatment by using a polishing head 5.例文帳に追加

その後、パッドコンディショナ４によってコンディショニングを行った後、研磨パッド２に半導体ウェーハを載置し、研磨ヘッド５によって半導体ウェーハをＣＭＰ処理する。 - 特許庁

To provide a slurry for a metal film CMP to polish the metal film stably and evenly at a low friction without causing a defect on the metal film and an insulating film.例文帳に追加

金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、低摩擦で均一に金属膜を安定して研磨し得る金属膜ＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a design and a manufacturing technology of a semiconductor device capable of optimizing the design and process of each product to materialize a flatness after a CMP process.例文帳に追加

製品毎に設計及びプロセスを最適化して、ＣＭＰ加工後の平坦化を実現することができる半導体デバイスの設計及び製造技術を提供する。 - 特許庁

This wiring is used in a semiconductor device having a double capping film which is made of silicon nitride and silicon carbide and is positioned on a Cu material that is CMP to form Cu damascene wiring.例文帳に追加

Ｃｕダマシン配線としてＣＭＰされたＣｕ上にシリコンナイトライド／シリコンカーバイドの二重膜がキャッピング膜として形成された半導体素子の配線である。 - 特許庁

The composite film formed of two or above films selected from among the metal film, the nitride film and the oxide film is polished by CMP slurry which does not comprise an oxidizer.例文帳に追加

金属膜、窒化膜及び酸化膜の中から選択される２以上で構成される複合膜に対して酸化剤を含まないＣＭＰスラリーで研磨を行なう。 - 特許庁

A first CMP (chemical mechanical polishing) is then performed using slurry containing a Cu protective film forming agent sufficiently such that the polishing rate of Cu is sufficiently higher than the polishing rate of TaN.例文帳に追加

次に、Ｃｕの研磨レートがＴａＮの研磨レートより十分大きく、かつ、Ｃｕ保護膜形成剤が十分に含有されたスラリーを用いて第１のＣＭＰを行う。 - 特許庁

To efficiently design a dummy pattern to be formed on a wiring layer for eliminating the surface step of polished surfaces after a chemical mechanical polishing(CMP) process in a production process of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程でＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程後の研磨面の表面段差を解消するために配線層に形成するダミーパターンを効率よく設計する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 11 is then planarized by CMP method and etched to expose the first metal film 20, and a second metal film 22 such as a tungsten film is further deposited thereon.例文帳に追加

次に層間絶縁膜１１をＣＭＰ法で平坦化すると共にエッチングで第１金属膜２０を露出させ、さらにタングステン膜等の第２金属膜２２を堆積する。 - 特許庁

When the excessive Cu film 28 formed on a first interlayer insulator film 22 is removed by polishing in a CMP method, the oxide film 26 is also polished and film thickness is thinned.例文帳に追加

第１層間絶縁膜２２の上に形成された余分なＣｕ膜２８をＣＭＰ法による研磨で除去するときに、酸化膜２６も研磨されて膜厚が薄くなる。 - 特許庁

A groove is formed at a position in a lower magnetic pole 14 which corresponds to a magnetic gap depth and, after the groove is covered with gap layer material, the material is processed by a CMP method to form a required gap layer 13.例文帳に追加

下部磁極の磁気ギャップ深さに相当する位置に溝を設置し、ギャップ層材で覆って終った後、所要のギャップ層になるようにＣＭＰ法で加工する。 - 特許庁

To enhance cleaning effects in a cleaning device for removing particles such as polishing refuse attached to the top and bottom sides of a substrate, after it is subjected to a treatment such as CMP treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ処理等の加工処理した後の基板の表裏面に付着した研磨屑等のパーティクルを除去する洗浄装置での洗浄効果を高める。 - 特許庁

To enhance washing effect in a washing device which removes particles, such as polishing scrap, sticking to the front and rear surfaces of substrates after the substrates are subjected to a processing treatment, such as a CMP treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ処理等の加工処理した後の基板の表裏面に付着した研磨屑等のパーティクルを除去する洗浄装置での洗浄効果を高める。 - 特許庁

Also, a surface on which the stop film appears is polished by CMP, and a portion left on an inner side of the recessed part for the magnetic pole formation of the magnetic layer is used as the main magnetic pole layer.例文帳に追加

また、停止膜が現われるまで表面をＣＭＰで研磨して、磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とする。 - 特許庁

To provide polishing solution for metal exhibiting a high CMP rate and capable of fabricating an LSI while suppressing occurrence of corrosion, scratch, thinning, dishing, erosion, and the like.例文帳に追加

迅速なＣＭＰ速度を有し、かつコロージョンやスクラッチ、シニング、ディッシング、エロージョンなどの発生が少ない、ＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供すること。 - 特許庁

To provide an element for confirmation and an inspection method thereof for determining the end point of polishing process in the CMP process to form an embedded conductive layer within the recessed area of an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜の凹部内に導電層を埋め込み形成するＣＭＰ工程おける研磨終点を判断できる確認用素子及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide chemical-mechanical polishing(CMP) equipment and its method, which use selective heating of a polishing pad/a belt in order to improve uniformity of planarizing a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの平面化の均一性を改良するため、研摩パッド／ベルトの選択的な加熱を使用した、化学機械研摩（ＣＭＰ）装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The supply of slurry to between the wafer and abrasive cloth 6 and the interaction between the abrasives and wafer surface are carried out smoothly, so the CMP speed can be increased.例文帳に追加

ウェハと研磨布６の間へのスラリの供給・砥粒とウェハ表面の相互作用が円滑に行われるのでＣＭＰ速度を増大させることが可能になる。 - 特許庁

Since the TiN local wiring is formed by patterning after the local wiring is flattened by CMP via the contact holes 9 and 10, the occurrence of steps due to the base can be eliminated.例文帳に追加

ＴｉＮの局所配線がコンタクトを介してＣＭＰにより平坦化した後にパターニングして形成されるため、下地の影響による段切れを無くすことができる。 - 特許庁

To obtain an abrasive material capable of abrading a silicon wafer with high abrading efficiency and corresponding to a fine pattern on the silicon wafer in a CMP process of semiconductor manufacture.例文帳に追加

半導体製造のＣＭＰ工程において高い研磨効率でシリコンウェハーを研磨でき、シリコンウェハー上パターンの微細化に対応できる研磨材を提供する。 - 特許庁