「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, the conductive film is removed by CMP and a polishing pad 102 is used to remove a foreign substance left on a surface to be polished, thereby forming a wiring structure.例文帳に追加

ここで、導電膜の除去はＣＭＰにより行い、その際に研磨パッド１０２を用いて被研磨面に残留した異物を除去することにより、配線構造を形成する。 - 特許庁

For example, colloidal silica with average grain diameter of 20 to 80 nm is used for the slurry for CMP polishing, and pH of the slurry in the range of 2 to 7, acid or neutral is used.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨用スラリとしては、例えば、平均粒径２０乃至８０ｎｍのコロイダルシリカが用いられ、このスラリのｐＨ値を２〜7の酸性もしくは中性領域として用いる。 - 特許庁

After a barrier metal film 4 is formed on an insulation film 2 in which a recessed part 3 is formed, by performing an CMP(chemical- mechanical polishing) processing, a barrier metal film 4 on the outside of the recessed part 3 is removed as shown in figure (d).例文帳に追加

凹部３が形成された絶縁膜２上にバリアメタル膜４を形成した後、ＣＭＰ処理を行うことにより、図１(d) に示すように、凹部３外のバリアメタル膜４を除去する。 - 特許庁

To provide such a composition for forming a silica-based coating film as capable of forming a silica-based coating film which is excellent in the mechanical strength such as sufficient resistance to CMP, low dielectric properties and also adhesive properties.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れるシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide a pad conditioner of a CMP device used in working a semiconductor substrate, capable of improving the working efficiency, and preventing the dropping of diamond abrasive grain and breaking by micron, of a cutting edge.例文帳に追加

半導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコンディショナーにおいて加工能率が良好なだけでなく、ダイヤモンド砥粒の脱落、切れ刃のミクロの破砕がないものを提供する。 - 特許庁

To improve in-plane uniformity of the machining quantity in a CMP polishing device for polishing machined material of plate shape using a polishing tool of small area compared to a polished surface.例文帳に追加

平板状の被加工材を被研磨面と比べて小さな面積の研磨工具を用いて研磨するタイプのＣＭＰ研磨装置において、加工量の面内均一性を改善する。 - 特許庁

A pattern, such as a transistor for DRAMs, is formed in a chip region 121 on a silicon substrate 101, and first and second CMP monitor patterns 127B and 127C are formed in a scribe region 124.例文帳に追加

シリコン基板１０１のチップ領域１２１にＤＲＡＭ用のトランジスタ等のパターンを形成し、スクライブ領域１２４に第１，第２ＣＭＰモニタパターン１２７Ｂ，１２７Ｃを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of inhibiting the generation of a dishing by a CMP while suppressing the lowering of an isolation capacity, the increase of a floating capacity or the like.例文帳に追加

分離能力の低下、浮遊容量の増大等を抑制しつつ、ＣＭＰによるディッシングの発生を抑制するができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polysilicon layer 12 on an element forming region is selectively opened by chemical-mechanical poling(CMP) and the embedded oxide film 8 is etched and removed via an opening.例文帳に追加

ＣＭＰにより素子形成領域上のポリシリコン層１２を選択的に開口し、開口を介して埋め込み酸化膜８をエッチングして除去する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that is polished without reducing the polishing rate, when conducting polishing by a CMP method using a polishing pad having high hardness.例文帳に追加

硬度の高い研磨布を用いてＣＭＰ法による研磨を行う際に、研磨レートを低下させることなく、研磨を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method to provide high flatness by removing a protrusion part by selective polishing in a CMP flattening process for a micro uneven surface in a semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスでの微小な凹凸面に対するＣＭＰ平坦化加工において、凸部の選択的研磨による除去によって、高度な平坦度を得るようにした研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP in which polishing power can be controlled for an insulating film while sustaining good polishing power for a film of Cu or a Cu alloy.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金の膜に対して良好な研磨能力を維持しつつ、絶縁膜に対する研磨性を抑制することが可能なＣＭＰ用ＣＭＰ用スラリを提供する。 - 特許庁

Then, by removing the disc- like gate section (12) from the disc-like molding (1) and mechanically processing the ring section (11) into a prescribed shape, the annular component (2) for CMP is obtained.例文帳に追加

ついで、その円板状成形物(1) から円板状ゲート部(12)を除去すると共に、リング部(11)を所定の形状に機械加工することにより、ＣＭＰ用のリング状部品(2) を得る。 - 特許庁

A protective layer 52 such as a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, or the like is separately formed on an MTJ laminate structure 20 before the formation of a silicon oxide layer 53 prior to a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰプロセスに先立つシリコン酸化物層５３の形成前に、ＭＴＪ積層構造２０の上に、シリコン窒化物層またはシリコン酸化窒化物層等の保護層５２を別途形成する。 - 特許庁

To provide a polishing element (LHA pad) which is used for polishing by CMP method, and exhibits proper compressive elasticity for a polishing object by an internally included pore.例文帳に追加

ＣＭＰ法の研磨加工に用いられる研磨体（ＬＨＡパッド）であって、内部に有する気孔により被研磨物に対し適度な圧縮弾性を発揮する研磨体を提供する。 - 特許庁

The tungsten film and barrier metal film on the film 17 are removed by the CMP method to made an upper surface of the metal within the groove 12 lower than an upper surface of the film 17.例文帳に追加

ＣＭＰ法によって層間絶縁膜１７上のタングステン膜及びバリアメタル膜を除去するとともに、溝１２内の金属の上面を層間絶縁膜１７の上面より低くする。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit manufacturing line 1, a wafer for each lot is polished at a unit of two pieces in sequence by first and second processing systems 21 and 22 of a CMP apparatus 20.例文帳に追加

半導体集積回路製造ライン１においては、ロットごとの各ウエハは、ＣＭＰ装置２０の第１の処理系２１及び第２の処理系２２において、２枚ずつ順に研磨される。 - 特許庁

The CMP abrasive for semiconductor metal film contains a metal-weakening agent, abrasive grain, an oxidizing agent for metals, a protective film forming agent applied to metal surface, an acid, a water-soluble high polymer, and water.例文帳に追加

金属脆弱化剤、砥粒、金属の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸、水溶性高分子及び水を含有する半導体金属膜用ＣＭＰ研磨材。 - 特許庁

The post CMP processing liquid is one such that resin particles which have a functional group on the surface is blended into water, or one such that resin particles and an addition agent containing a functional group are blended into water.例文帳に追加

表面に官能基を有する樹脂粒子が水に配合された処理液、または樹脂粒子と、官能基を含む添加剤とが水に配合されてなる処理液である。 - 特許庁

This CMP pad is used for chemically-mechanically polishing a polished film formed on a board and has a support layer and a thin film layer, whose hardness varies in the layer direction.例文帳に追加

基板上に形成された研磨膜を化学機械的に研磨するためのパッドにおいて、支持体層及び層方向に硬度が変化している薄膜層を備えてなるＣＭＰ用パッド。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of a crack during CMP of an interlayer insulating film and eliminating the influence of a crack even if it occurs.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰ時にクラックが発生することを抑制するとともに、クラックが発生しても、クラックによる影響を排除できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The decay in the leaky mode when propagating in the clad 3 is increased by flattening the upper surface of the clad 3 by a chemical mechanical polishing (CMP) and the influence of the leaky mode coupling is further decreased.例文帳に追加

クラッド３の上面をＣＭＰ研磨して平坦化することによりクラッド３を伝搬するリーキーモードの減衰を増大でき、リーキーモード結合の影響をさらに低減できる。 - 特許庁

Thereby increase in the resistance of wiring or generation of a short-circuiting caused by excessive polishing, excessive etching or the like when the flattening is carried out by the CMP method can be prevented.例文帳に追加

これにより、ＣＭＰ方法のような平坦化を利用する場合に発生する過多研磨または過多蝕刻等による配線の抵抗の増加あるいは短絡の発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a CMP (Chemical Mechanical Polishing) device and a fixing method of a dresser which prevent biased wear of the dresser, suitably maintain polishing characteristics of a polishing pad, and prolong the life of the dresser.例文帳に追加

ドレッサの片削れが防止され、研磨パッドの研磨特性を良好に維持できると共に、ドレッサの長寿命化を実現されたＣＭＰ装置及びドレッサ固定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning solution compounding device and a cleaning solution supply method in a CMP (chemical-mechanical polishing) apparatus for stabilizing the concentration and flow rate of a cleaning solution supplied to a cleaner.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の洗浄機に供給される洗浄液の濃度と流量を安定させるＣＭＰ装置における洗浄液調合装置及び洗浄液供給方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problems that a magnetic domain control layer is chipped off due to a lift off process utilizing a CMP in creating a CPP-GMR (giant magnetorsistance effect) head thereby a reproducing head is hardly created at high stability.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果ヘッドを作成する際に、ＣＭＰを利用したリフトオフプロセスを用いると磁区制御層が削れてしまい、安定性の高い再生ヘッドを作成し難い。 - 特許庁

Then, after removing the W film grown on the bevel portion and on the rear face using sulfuric acid and hydrogen peroxide, excessive W/TiN/Ti film is removed by CMP (chemical mechanical polishing) to form a W plug.例文帳に追加

次に、ベベル部および裏面に成長したＷ膜を硫酸過水で除去した後、ＣＭＰによって余剰のＷ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜を除去し、Ｗプラグを形成する。 - 特許庁

To prevent a wafer surface from having a scar while producing no foreign matter due to collapse of interconnection material at a wafer peripheral portion when polished by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨を行った際に、ウェーハ周辺部における配線材料の崩れに起因する異物の発生が生じず、ウェーハ表面に傷をつけることがないようにする。 - 特許庁

To provide an endpoint detection system that reduces degradation of deflection light by scattering in a CMP (chemical mechanical planarization) system for detecting an endpoint by forming a transparent window in a polishing pad.例文帳に追加

研磨パッド中に透明な窓を形成して終点を検知するＣＭＰシステムにおいて、散乱による検出光の減衰を低減できる終点検知システムを提供する。 - 特許庁

To provide a carbon film coated member in which the peeling strength of a carbon film to a substrate is enhanced and peeling can be prevented, and to provide a method for forming a carbon film and a conditioner for a CMP (chemical mechanical polishing) pad.例文帳に追加

炭素膜の基材に対する剥離強度が高められ、剥離を防止できる炭素膜被覆部材、炭素膜の形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

Next, a conductive material such as Cu is vapor-deposited on the dual damascene structure, and by flattening this by using a CMP process, a via contact of single damascene structure without a recess is formed.例文帳に追加

次に、ここにＣｕなどの導電物質を蒸着し、それをＣＭＰ工程を利用して平坦化することによって、リセスのないシングルダマシン構造のビアコンタクトを形成する。 - 特許庁

To provide a CMP(chemical-mechanical polishing) composition for planerizing a metal layer of Cu and a Cu alloy, hardly causing dishing, capable of improving surface flatness, and capable of reducing a production cost by improving through-put.例文帳に追加

ＣｕおよびＣｕ合金の金属層を平坦化するための、ディッシングが少なく、表面平坦度が向上し、スループットを上げて製造コストを下げ得るＣＭＰ組成物を提供する。 - 特許庁

Wiring density, a total perimeter length of wiring, and a range of density difference maximum value where a height variation when CMP (Chemical Mechanical Polishing/Chemical Mechanical Planarization) is performed to a layout pattern is an upper limit are obtained as a critical region.例文帳に追加

レイアウトパターンにＣＭＰを行なった際の高さばらつきが指定された上限となる配線密度、配線周囲長、密度差最大値の範囲をクリティカル領域として求める。 - 特許庁

In the grinding abrasive grains used as chemical machine- grinding (CMP) slurry, a polysiloxane coated film informed on the entire surface of hard inorganic compound particles such as an alumina, a θ-alumina or the like.例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）スラリーで使用する研磨砥粒において、アルミナまたはθ−アルミナなどの硬質無機化合物粒子の表面全体にポリシロキサン被膜を形成する。 - 特許庁

A film of a metal raw material is formed, the dips are filled with the metal raw material, planarization is effected using CMP process, and an interlayer film (14) is formed thereon to form noise shield wiring (22).例文帳に追加

メタル素材を成膜して凹部にメタル素材を埋め込み、ＣＭＰ法を用いて平坦化し、その上に層間膜（１４）を成膜することで、ノイズシールド配線（２２）が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing the deterioration of flatness in the case that an interlayer insulation film comprising the material of low permittivitty is directly CMP polished.例文帳に追加

低誘電率材料からなる層間絶縁膜を直接ＣＭＰ研磨する場合の平坦性の悪化を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An operation part 15R generates compensation data Cmp-R by applying the interpolation processing of the directions of the coordinates to the compensation data DHr1 to DH4 read out from the table 14R.例文帳に追加

演算部１５Ｒは、補正テーブル１４Ｒから読み出された補正データＤＨｒ１〜ＤＨｒ４に対して、座標方向の補間処理を施して補正データＣｍｐ−Ｒを生成する。 - 特許庁

To manage CMP polishing amounts unified across all the kinds of products without affecting element arrangement in a product chip in a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、製品チップ内の素子配置等に影響を与えることなく、全ての品種に渡って統一したＣＭＰ研磨量の管理を行う。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film which has a low specific dielectric constant and mechanical strength enough for a CMP process in a copper wiring process for a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To easily set the correction amount Cmp, a pattern generating circuit 34a outputs an image signal of such a display pattern as intermediate density pixels and specific density pixels form a checkered pattern.例文帳に追加

パターン発生回路３４ａは、補正量Ｃmpを設定しやすくなるように、中間濃度の画素と特定濃度の画素とが市松模様となるような表示パターンの画像信号を出力する。 - 特許庁

Next, an upper potion of the polysilicon film 5 that is to be gate electrodes 6, 7 is exposed, and for areas that are to be source and drain portions, the insulating film is left using CMP or an etchback process (ST16).例文帳に追加

次に、ＣＭＰもしくはエッチバック法を用いて、ゲート電極６、７となるポリシリコン膜５の上部を露出させ、ソース及びドレイン部分となる領域は絶縁膜を残す（ＳＴ１６）。 - 特許庁

To provide a CMP pad of such a structure that, even if a stress is applied thereto from a dresser, etc. reciprocating in a diametrical direction, a central area of an upper layer does not peel off from an intermediate layer.例文帳に追加

直径方向に往復移動するドレッサ等から応力が作用しても上層の中央領域が中間層から剥離しない構造のＣＭＰパッドを提供する。 - 特許庁

The single-crystal film is predetermined to the film thickness of a nitride film 19 by CMP, and an opening used as a channel and having an optional size is formed on a laminated film comprising the single-crystal film and an insulation film.例文帳に追加

この単結晶膜をＣＭＰで窒化膜１９の膜厚に規定し、この単結晶膜と絶縁膜からなる積層膜に、チャネルとなる任意の大きさの開口を形成する。 - 特許庁

To form an electrode in a semiconductor device inexpensively by removing an undesired electrode and a barrier metal layer without using CMP consuming an expensive slurry.例文帳に追加

高価なスラリーを消費するＣＭＰを用いることなく、不所望な電極材及びバリアメタル層の部分を除去することによって、低コストで半導体装置における電極を形成する。 - 特許庁

When the comparator CMP 32 outputs the high level signal to the stop input of the driver 13, the driver 13 stops switching operations to field effect transistors PNM1, PPM1, PNM2, PPM2.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰ３２からハイレベル信号が出力され、ドライバ１３の停止入力に供給されると、ドライバ１３は、電界効果トランジスタＰＮＭ１，ＰＰＭ１，ＰＮＭ２，ＰＰＭ２に対するスイッチング動作を停止する。 - 特許庁