「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the number of processes of flattening processing by CMP is reduced to reduce variance in thickness of a stopper film used for the flattening processing.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化処理の工程数を減らし、平坦化処理の際に用いられるストッパー膜の膜厚バラツキを低減できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP pad conditioner capable of precisely positioning a base member and a metal plate each other with adhesive interposed therebetween and stably bonding them, enabling to increase bonding strength.例文帳に追加

間に接着剤が介在する基材と金属板とを、互いに精度よく位置決めできるとともに安定して接着でき、接着強度が高められるＣＭＰパッドコンディショナを提供する。 - 特許庁

When the single crystal silicon carbide is grown by a sublimation recrystallization method using a seed crystal 1, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process is used as the seed crystal 1.例文帳に追加

種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。 - 特許庁

In the method, a hard mask film HM2 is formed on a hard mask film HM1, and while an organic resin film ORF is formed on the hard mask film HM2, a resist CMP process is executed.例文帳に追加

ハードマスク膜ＨＭ１上にハードマスク膜ＨＭ２が形成され、このハードマスク膜ＨＭ２上に有機樹脂膜ＯＲＦが形成された状態で、レジストＣＭＰを実施する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of inhibiting the generation of a dishing by a CMP while suppressing the lowering of an isolation capacity, the increase of a floating capacity or the like.例文帳に追加

分離能力の低下、浮遊容量の増大等を抑制しつつ、ＣＭＰによるディッシングの発生を抑制するができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polysilicon layer 12 on an element forming region is selectively opened by chemical-mechanical poling(CMP) and the embedded oxide film 8 is etched and removed via an opening.例文帳に追加

ＣＭＰにより素子形成領域上のポリシリコン層１２を選択的に開口し、開口を介して埋め込み酸化膜８をエッチングして除去する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that is polished without reducing the polishing rate, when conducting polishing by a CMP method using a polishing pad having high hardness.例文帳に追加

硬度の高い研磨布を用いてＣＭＰ法による研磨を行う際に、研磨レートを低下させることなく、研磨を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method to provide high flatness by removing a protrusion part by selective polishing in a CMP flattening process for a micro uneven surface in a semiconductor process.例文帳に追加

半導体プロセスでの微小な凹凸面に対するＣＭＰ平坦化加工において、凸部の選択的研磨による除去によって、高度な平坦度を得るようにした研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP in which polishing power can be controlled for an insulating film while sustaining good polishing power for a film of Cu or a Cu alloy.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金の膜に対して良好な研磨能力を維持しつつ、絶縁膜に対する研磨性を抑制することが可能なＣＭＰ用ＣＭＰ用スラリを提供する。 - 特許庁

Then, by removing the disc- like gate section (12) from the disc-like molding (1) and mechanically processing the ring section (11) into a prescribed shape, the annular component (2) for CMP is obtained.例文帳に追加

ついで、その円板状成形物(1) から円板状ゲート部(12)を除去すると共に、リング部(11)を所定の形状に機械加工することにより、ＣＭＰ用のリング状部品(2) を得る。 - 特許庁

A protective layer 52 such as a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, or the like is separately formed on an MTJ laminate structure 20 before the formation of a silicon oxide layer 53 prior to a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰプロセスに先立つシリコン酸化物層５３の形成前に、ＭＴＪ積層構造２０の上に、シリコン窒化物層またはシリコン酸化窒化物層等の保護層５２を別途形成する。 - 特許庁

In the grinding abrasive grains used as chemical machine- grinding (CMP) slurry, a polysiloxane coated film informed on the entire surface of hard inorganic compound particles such as an alumina, a θ-alumina or the like.例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）スラリーで使用する研磨砥粒において、アルミナまたはθ−アルミナなどの硬質無機化合物粒子の表面全体にポリシロキサン被膜を形成する。 - 特許庁

A film of a metal raw material is formed, the dips are filled with the metal raw material, planarization is effected using CMP process, and an interlayer film (14) is formed thereon to form noise shield wiring (22).例文帳に追加

メタル素材を成膜して凹部にメタル素材を埋め込み、ＣＭＰ法を用いて平坦化し、その上に層間膜（１４）を成膜することで、ノイズシールド配線（２２）が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing the deterioration of flatness in the case that an interlayer insulation film comprising the material of low permittivitty is directly CMP polished.例文帳に追加

低誘電率材料からなる層間絶縁膜を直接ＣＭＰ研磨する場合の平坦性の悪化を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An operation part 15R generates compensation data Cmp-R by applying the interpolation processing of the directions of the coordinates to the compensation data DHr1 to DH4 read out from the table 14R.例文帳に追加

演算部１５Ｒは、補正テーブル１４Ｒから読み出された補正データＤＨｒ１〜ＤＨｒ４に対して、座標方向の補間処理を施して補正データＣｍｐ−Ｒを生成する。 - 特許庁

To manage CMP polishing amounts unified across all the kinds of products without affecting element arrangement in a product chip in a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、製品チップ内の素子配置等に影響を与えることなく、全ての品種に渡って統一したＣＭＰ研磨量の管理を行う。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film which has a low specific dielectric constant and mechanical strength enough for a CMP process in a copper wiring process for a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To easily set the correction amount Cmp, a pattern generating circuit 34a outputs an image signal of such a display pattern as intermediate density pixels and specific density pixels form a checkered pattern.例文帳に追加

パターン発生回路３４ａは、補正量Ｃmpを設定しやすくなるように、中間濃度の画素と特定濃度の画素とが市松模様となるような表示パターンの画像信号を出力する。 - 特許庁

Next, an upper potion of the polysilicon film 5 that is to be gate electrodes 6, 7 is exposed, and for areas that are to be source and drain portions, the insulating film is left using CMP or an etchback process (ST16).例文帳に追加

次に、ＣＭＰもしくはエッチバック法を用いて、ゲート電極６、７となるポリシリコン膜５の上部を露出させ、ソース及びドレイン部分となる領域は絶縁膜を残す（ＳＴ１６）。 - 特許庁

This CMP pad is used for chemically-mechanically polishing a polished film formed on a board and has a support layer and a thin film layer, whose hardness varies in the layer direction.例文帳に追加

基板上に形成された研磨膜を化学機械的に研磨するためのパッドにおいて、支持体層及び層方向に硬度が変化している薄膜層を備えてなるＣＭＰ用パッド。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of a crack during CMP of an interlayer insulating film and eliminating the influence of a crack even if it occurs.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰ時にクラックが発生することを抑制するとともに、クラックが発生しても、クラックによる影響を排除できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The decay in the leaky mode when propagating in the clad 3 is increased by flattening the upper surface of the clad 3 by a chemical mechanical polishing (CMP) and the influence of the leaky mode coupling is further decreased.例文帳に追加

クラッド３の上面をＣＭＰ研磨して平坦化することによりクラッド３を伝搬するリーキーモードの減衰を増大でき、リーキーモード結合の影響をさらに低減できる。 - 特許庁

To provide an endpoint detection system that reduces degradation of deflection light by scattering in a CMP (chemical mechanical planarization) system for detecting an endpoint by forming a transparent window in a polishing pad.例文帳に追加

研磨パッド中に透明な窓を形成して終点を検知するＣＭＰシステムにおいて、散乱による検出光の減衰を低減できる終点検知システムを提供する。 - 特許庁

To provide a carbon film coated member in which the peeling strength of a carbon film to a substrate is enhanced and peeling can be prevented, and to provide a method for forming a carbon film and a conditioner for a CMP (chemical mechanical polishing) pad.例文帳に追加

炭素膜の基材に対する剥離強度が高められ、剥離を防止できる炭素膜被覆部材、炭素膜の形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

Next, a conductive material such as Cu is vapor-deposited on the dual damascene structure, and by flattening this by using a CMP process, a via contact of single damascene structure without a recess is formed.例文帳に追加

次に、ここにＣｕなどの導電物質を蒸着し、それをＣＭＰ工程を利用して平坦化することによって、リセスのないシングルダマシン構造のビアコンタクトを形成する。 - 特許庁

To provide a CMP(chemical-mechanical polishing) composition for planerizing a metal layer of Cu and a Cu alloy, hardly causing dishing, capable of improving surface flatness, and capable of reducing a production cost by improving through-put.例文帳に追加

ＣｕおよびＣｕ合金の金属層を平坦化するための、ディッシングが少なく、表面平坦度が向上し、スループットを上げて製造コストを下げ得るＣＭＰ組成物を提供する。 - 特許庁

Wiring density, a total perimeter length of wiring, and a range of density difference maximum value where a height variation when CMP (Chemical Mechanical Polishing/Chemical Mechanical Planarization) is performed to a layout pattern is an upper limit are obtained as a critical region.例文帳に追加

レイアウトパターンにＣＭＰを行なった際の高さばらつきが指定された上限となる配線密度、配線周囲長、密度差最大値の範囲をクリティカル領域として求める。 - 特許庁

To provide a cleaning solution compounding device and a cleaning solution supply method in a CMP (chemical-mechanical polishing) apparatus for stabilizing the concentration and flow rate of a cleaning solution supplied to a cleaner.例文帳に追加

ＣＭＰ装置の洗浄機に供給される洗浄液の濃度と流量を安定させるＣＭＰ装置における洗浄液調合装置及び洗浄液供給方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problems that a magnetic domain control layer is chipped off due to a lift off process utilizing a CMP in creating a CPP-GMR (giant magnetorsistance effect) head thereby a reproducing head is hardly created at high stability.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果ヘッドを作成する際に、ＣＭＰを利用したリフトオフプロセスを用いると磁区制御層が削れてしまい、安定性の高い再生ヘッドを作成し難い。 - 特許庁

Then, after removing the W film grown on the bevel portion and on the rear face using sulfuric acid and hydrogen peroxide, excessive W/TiN/Ti film is removed by CMP (chemical mechanical polishing) to form a W plug.例文帳に追加

次に、ベベル部および裏面に成長したＷ膜を硫酸過水で除去した後、ＣＭＰによって余剰のＷ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜を除去し、Ｗプラグを形成する。 - 特許庁

To provide a composition for film formation which gives a cured film excellent in heat resistance, electrical insulation properties (with a relative permittivity of 3 or lower), and resistances to cracks and CMP and is useful as a material for insulation film formation.例文帳に追加

耐熱性、電気絶縁性（比誘電率３以下）、クラック耐性、ＣＭＰ耐性に優れた硬化膜が得られ、絶縁膜形成用材料として有用な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

To prevent a wafer surface from having a scar while producing no foreign matter due to collapse of interconnection material at a wafer peripheral portion when polished by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨を行った際に、ウェーハ周辺部における配線材料の崩れに起因する異物の発生が生じず、ウェーハ表面に傷をつけることがないようにする。 - 特許庁

Accordingly, the flattening based on the CMP method can be employed, while realizing stabilization of the step, and a step margin in a subsequent step such as an upper-part wiring step can be secured.例文帳に追加

従って、ＣＭＰ方法のような平坦化を工程の安定化を実現しながら適用でき、上部配線工程のような後続工程の工程マージンを確保することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus in which an abrasive cloth to be used at the time of CMP(chemical mechanical polishing) processing a wafer is surface-processed, and a wetness for a slurry and water on the surface is enhanced.例文帳に追加

ウェーハをＣＭＰ処理する時に使われる研磨布を表面処理し、その表面のスラリーや水に対する濡れ性を向上させる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silica-based film forming composition and the like, which can form a silica-based film excellent in mechanical strength such as sufficient CMP (chemical mechanical polish) resistance, low dielectric properties, and adhesive properties.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れるシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad conditioner for CMP, which is used in a polishing process of a substrate of a semiconductor device, such as a silicon wafer and which has a long service life and has no coming-off of super-abrasive grains.例文帳に追加

シリコンウエハーなどの半導体デバイス基板の研磨工程に用いるＣＭＰ用の研磨パッドのパッドコンディショナーにおいて、寿命が長く、超砥粒の脱落がないものを提供する。 - 特許庁

To provide a retainer ring for CMP equipment, which can continue to properly polish a to-be-polished surface of a wafer even if a side face on the outer periphery side of the retainer ring is brought into contact with other member.例文帳に追加

リテーナリングの外周側の側面が他の部材と接触する場合であっても、ウエハの被研磨面を適正に研磨し続けることが可能なＣＭＰ装置用リテーナリングを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit manufacturing line 1, a wafer for each lot is polished at a unit of two pieces in sequence by first and second processing systems 21 and 22 of a CMP apparatus 20.例文帳に追加

半導体集積回路製造ライン１においては、ロットごとの各ウエハは、ＣＭＰ装置２０の第１の処理系２１及び第２の処理系２２において、２枚ずつ順に研磨される。 - 特許庁

The tungsten film and barrier metal film on the film 17 are removed by the CMP method to made an upper surface of the metal within the groove 12 lower than an upper surface of the film 17.例文帳に追加

ＣＭＰ法によって層間絶縁膜１７上のタングステン膜及びバリアメタル膜を除去するとともに、溝１２内の金属の上面を層間絶縁膜１７の上面より低くする。 - 特許庁

The CMP abrasive for semiconductor metal film contains a metal-weakening agent, abrasive grain, an oxidizing agent for metals, a protective film forming agent applied to metal surface, an acid, a water-soluble high polymer, and water.例文帳に追加

金属脆弱化剤、砥粒、金属の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸、水溶性高分子及び水を含有する半導体金属膜用ＣＭＰ研磨材。 - 特許庁

To provide a CMP pad of such a structure that, even if a stress is applied thereto from a dresser, etc. reciprocating in a diametrical direction, a central area of an upper layer does not peel off from an intermediate layer.例文帳に追加

直径方向に往復移動するドレッサ等から応力が作用しても上層の中央領域が中間層から剥離しない構造のＣＭＰパッドを提供する。 - 特許庁

The single-crystal film is predetermined to the film thickness of a nitride film 19 by CMP, and an opening used as a channel and having an optional size is formed on a laminated film comprising the single-crystal film and an insulation film.例文帳に追加

この単結晶膜をＣＭＰで窒化膜１９の膜厚に規定し、この単結晶膜と絶縁膜からなる積層膜に、チャネルとなる任意の大きさの開口を形成する。 - 特許庁

The post CMP processing liquid is one such that resin particles which have a functional group on the surface is blended into water, or one such that resin particles and an addition agent containing a functional group are blended into water.例文帳に追加

表面に官能基を有する樹脂粒子が水に配合された処理液、または樹脂粒子と、官能基を含む添加剤とが水に配合されてなる処理液である。 - 特許庁

To form an electrode in a semiconductor device inexpensively by removing an undesired electrode and a barrier metal layer without using CMP consuming an expensive slurry.例文帳に追加

高価なスラリーを消費するＣＭＰを用いることなく、不所望な電極材及びバリアメタル層の部分を除去することによって、低コストで半導体装置における電極を形成する。 - 特許庁

When the comparator CMP 32 outputs the high level signal to the stop input of the driver 13, the driver 13 stops switching operations to field effect transistors PNM1, PPM1, PNM2, PPM2.例文帳に追加

コンパレータＣＭＰ３２からハイレベル信号が出力され、ドライバ１３の停止入力に供給されると、ドライバ１３は、電界効果トランジスタＰＮＭ１，ＰＰＭ１，ＰＮＭ２，ＰＰＭ２に対するスイッチング動作を停止する。 - 特許庁