「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

The CMP waste liquid, which contains colloidal silica, copper compounds, hydrogen peroxide, and COD components, and the like are treated with primary pH adjustment, membrane separation, and secondary pH adjustment in sequence.例文帳に追加

コロイド状シリカ，銅化合物，過酸化水素およびＣＯＤ成分を含有するＣＭＰ廃液等を、１次ｐＨ調整，膜分離，２次ｐＨ調整の順に処理することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device which improves productivity, compared with in the prior art, without needing a substrate polishing process by the CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による基板の研磨工程を必要とせず、従来に比べて生産性の向上を図ることのできる半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing a semiconductor device in which the surface of a buried wiring layer formed by CMP processing can be cleaned by removing copper complex effectively from the surface.例文帳に追加

ＣＭＰ処理により形成された埋込み配線層表面の銅錯体を効果的に除去してその表面を清浄化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP slurry, capable of simultaneously achieving high polishing speed, low erosion and few scratches and/or little surface roughness, even with respect to aluminum layer.例文帳に追加

アルミニウム層に対してさえ、高い研磨速度と、低いエロージョン、少ないスクラッチおよび／または少ない表面ラフネスとを同時に達成することができる化学的機械的研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

The insulating film 4 on the semiconductor substrate 1 is eliminated by CMP, so that a trench isolating structure, wherein the insulating film 4 is embedded in the trench for trench isolation, can be formed (Figure 1(e)).例文帳に追加

そして、半導体基板１上の絶縁膜４をＣＭＰにより取り除くことにより、トレンチ分離用の溝に絶縁膜４が埋め込まれたトレンチ分離構造が形成できる（図１（ｅ））。 - 特許庁

To provide cache degeneracy when mounting a CPU in a different system or adopting a CMP micro-architecture without changing system hardware or an OS and adding a computer architecture.例文帳に追加

ＣＰＵを異なるシステムに搭載する場合や、ＣＭＰマイクロアーキテクチャを採用する場合に、システムハードウェア、ＯＳの変更、コンピュータアーキテクチャの追加を必要とせずに、キャッシュ縮退を可能にする。 - 特許庁

To provide a pad conditioner capable of preventing long-time elution of metal of the pad conditioner by polishing liquid in conditioning a polishing pad for CMP by the pad conditioner.例文帳に追加

パッドコンディショナーでＣＭＰ用研磨パッドのコンディショニングを行う際に、長時間にわたりパッドコンディショナーの金属が研磨液により溶出するのを防止できるパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

The precise prediction of the variations in the topography for designing the specific mask is performed at a die level by using the existing pattern density and CMP (Chemical Mechanical Polishing) planarization length characteristics to the individual patterns.例文帳に追加

既知のパターン密度、および個々のパターンに対するＣＭＰ平坦化長特性を使用して、特定のマスク設計用のトポグラフィのばらつきの精確な予測をダイ・レベルで行う。 - 特許庁

Since the plasma silane film of high scratch resistance is provided, the plug is not bent and the short circuit with the adjacent plug is not generated in the CMP processing after forming the tungsten film.例文帳に追加

スクラッチ耐性の高いプラズマシラン膜を設けたので、タングステン膜を成膜した後のＣＭＰ処理において、プラグに曲がりが発生せず、隣接のプラグとの短絡が生じない。 - 特許庁

A W film 3 is polished with CMP technique, a slurry including thermally fused particles of PMMA 1 (organic particles) and manganese dioxide 2 (inorganic particles) is used as an abrasive.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いてＷ膜３を研磨する際に、スラリーとして、ＰＭＭＡ１（有機粒子）と二酸化マンガン２（無機粒子）とが熱接着してなる研磨粒子を含むものを使用する。 - 特許庁

According to this configuration, since the trench 5a can be formed shallowly, the generation of the dishing in the surface of the isolation insulating film 7 filled to the trench 5a during a CMP can be inhibited.例文帳に追加

本構成によれば、トレンチ５ａを浅く形成することができるため、ＣＭＰの際にトレンチ５ａに充填された分離絶縁膜７表面にディッシングが生じることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a composition for polishing which polishes preferentially a copper film in the CMP working process of a semiconductor device including the copper film and a barrier metal film, and to manufacture the semiconductor device efficiently.例文帳に追加

銅膜、バリアメタル膜を含む半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて銅膜を優先的に研磨可能な研磨用組成物が得られ、半導体デバイスを効率的に製造すること。 - 特許庁

To provide a water-based slurry composition having excellent planarization performance that can be used for chemical mechanical planarization (CMP) for a layer formed in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の製造工程中に形成される層の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）に使用され得る、優れた平坦化性能を有する水性スラリー組成物の提供。 - 特許庁

To provide a composition and the like for forming a silica-based coating film capable of forming a silica-based coating film having mechanical strengths such as sufficient CMP resistance, and excellent in low dielectric properties and adhesive properties.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れるシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer 3, an element isolation insulating film 6, a silicon oxide film 7 are formed, then a polycrystalline silicon film to be a floating gate electrode 15 is deposited, and then the surface thereof is planarized by a CMP method.例文帳に追加

拡散層３、素子分離絶縁膜６、酸化シリコン膜７を形成後、フローティングゲート電極１５となる多結晶シリコン膜を堆積し、ＣＭＰにより表面を平坦にする。 - 特許庁

The fuse forming area 14 is formed as a self-aligned structure which is allowed to remain after the lamination of the lower electrode 131, a fuse film 15, and an upper electrode 16 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ヒューズ形成領域１４は、この下部電極１３１、ヒューズ膜１５、上部電極１６の積層がＣＭＰ法で平坦化され残留した自己整合的なダマシン構造である。 - 特許庁

To provide a composition for forming an interlayer insulating film and so on whereby an insulating film can be formed with high mechanical strength such as sufficient CMP resistance, a low dielectric property, and high adhesion.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れる絶縁膜を形成できる層間絶縁膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide a rotary type polishing device including a polishing table which is rotated, in which a polishing pad can be replaced automatically without interrupting the CMP process.例文帳に追加

研磨テーブルを回転させるようにした、いわゆるロータリ型ポリッシング装置であって、ＣＭＰプロセスを停止することなく、研磨パッドを自動交換できるようにしたポリッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silica-based film forming composition and the like, which forms a silica-based film excellent in mechanical strength such as sufficient CMP (chemical mechanical polishing) resistance, low dielectric properties, and adhesive properties.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れるシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

Related to a manufacturing method for a thin-film magnetic head, a lower part shield layer 16 together with a dummy layer 54 are formed, which are coated with alumina, and the surface is polished by CMP to form a flattened layer 24.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部シールド層１６と共にダミー層５４を形成した後アルミナで被覆し、ＣＭＰにより表面研磨して平坦化層２４を形成する。 - 特許庁

To prevent nonconformity of variations in cutting amount of a Cu wiring in the plane of a wafer, when the surface of wafer is scrub-cleaned after the Cu wiring is formed by a CMP(chemical-mechanical polishing) method.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的機械研磨）法によってＣｕ配線を形成した後、ウエハの表面をスクラブ洗浄する際に、Ｃｕ配線の削れ量がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device which can suppress dishing in a pad region through a CMP step to realize suitable photolithography and etching step, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＭＰ工程を経るパッド領域におけるディッシングを抑制し、適正なフォトリソグラフィ及びエッチング工程が行える高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After an STI implanted insulation film 17 is deposited and planarized by CMP, a flat surface is obtained by etching of the stopper nitride film 16 and the insulation film 17 by constant velocity RIE, and a second polycrystalline silicon film 18 is deposited on the flat surface (e).例文帳に追加

シリコン膜１３、第１の多結晶シリコン膜１５の側面に逆テーパー面（テーパー角θが鈍角）が形成されるようにエッチングして素子分離溝を形成する。 - 特許庁

A fourth insulation film 109 and a third insulation 108 film are polished and planarized, applying a CMP method so that the top of the plug 106 and the contact layer 106a is not exposed.例文帳に追加

プラグ１０６と密着層１０６ａの上面が露出しないように、第４の絶縁膜１０９および第３の絶縁膜１０８をＣＭＰ法により研磨して平坦化する。 - 特許庁

The height d1 of a step formed along the crystal surface of the silicon carbide of a silicon carbide layer 1 having an off angle is adjusted to be ≤1nm by polishing the top surface of the silicon carbide layer 1 by the CMP method etc.例文帳に追加

オフ角を有する炭化珪素層１の上面をＣＭＰ法等により研磨して、炭化珪素の結晶面に沿った方向におけるステップ高さｄ１を１ｎｍ以下にする。 - 特許庁

This method for CMP contains the steps of forming a CMP slurry containing ceric oxide, adding a slurry reform to a slurry, namely polishing a low structure region at substantially zero rate with the slurry reform for polishing a high structure region at a rate close to a blanket polishing rate, and polishing a structure by the use of the slurry containing a reform.例文帳に追加

ＣＭＰの方法は、酸化セリウムを含有するＣＭＰスラリーを形成する工程と、スラリー改質剤をスラリーに添加する工程であって、スラリー改質剤が、実質的にゼロレートで低構造領域を研磨し、ブランケット研磨レートに近いレートで高構造領域を研磨する、工程と、改質剤を含有するスラリーを用いて構造体を研磨する工程とを包含する。 - 特許庁

To accurately detect the finish point of a CMP process for a second metal film in the case that the second metal film is accumulated on a first metal film and thereafter the CMP method is performed for the laminated film of the first metal film and the second metal film after the first metal film is accumulated on the bottom face and the wall face of a recess part formed on the insulation film and the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜に形成された凹部の底面及び壁面並びに絶縁膜の上に第１の金属膜を堆積した後、該第１の金属膜の上に第２の金属膜を堆積し、その後、第１の金属膜と第２の金属膜との積層膜に対してＣＭＰ法を行なう場合に、第２の金属膜に対するＣＭＰ工程の終点を精度良く検出できるようにする。 - 特許庁

Dummy patterns used in a CMP process are arranged in a field dummy area, separated by a separation insulating film in a p- well 23 which is potential-fixed by a ground electrode.例文帳に追加

接地電極により電位固定されているｐ^-ウェル２３領域内の分離絶縁膜によって分離されたフィールドダミー領域には、ＣＭＰ工程において利用されるダミーパターンが配置されている。 - 特許庁

To provide an abrasive mixing device and a feeder in a CMP (Chemical Mechanical Polishing) device eliminating aggregation and solidification of abrasives by adopting means for preventing drying of the abrasives.例文帳に追加

研磨剤の乾燥を防止する手段を採用することにより、研磨剤の凝集・凝固することをなくした、ＣＭＰ研磨装置における研磨剤の調合装置及び供給装置を提供する。 - 特許庁

To provide CMP abrasives capable of obtaining a highly planarized substrate by rapidly polishing, without generating polishing damages by reducing unevenness in a surface of a polishing speed, and to provide a method for polishing the substrate.例文帳に追加

研磨速度の面内バラツキを低減し、研磨傷を発生させずに高速研磨して、高平坦化された基板を得ることが可能な、ＣＭＰ研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring formation method inhibiting generation of erosion at a region where the dishing of wide wiring and concentration of wiring in the formation of copper-family groove wiring by the chemical mechanical polishing method (CMP polishing method).例文帳に追加

化学機械研磨法（ＣＭＰ研磨法）による銅系溝配線形成における広幅配線のディッシングや配線の密集する領域のエロージョン発生を抑制した配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a so-called rotary type polishing apparatus having a rotary polishing table and a polishing method, wherein a polishing pad can be automatically changed without stopping a CMP process.例文帳に追加

研磨テーブルを回転させるようにした、いわゆるロータリ型ポリッシング装置であって、ＣＭＰプロセスを停止することなく、研磨パッドを自動交換できるようにした研磨装置及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To prevent dropping-out of an edge of a main magnetic pole end and reduction of the thickness of a main magnetic pole film due to dishing for a CMP process of flattening alumina on a main magnetic pole in a trailing shield forming process.例文帳に追加

トレーリングシールド形成プロセスにおいて、主磁極上のアルミナを平坦化するＣＭＰ工程の際、ディッシングによる主磁極端部エッジの欠落及び主磁極膜厚の減少を防止する。 - 特許庁

As a result, since a recessed part corresponding to the making hole 20M cannot be formed easily on the silicon oxide layer, that is to become an interlayer insulation film 4 after being subjected to CMP polishing, retention of slurry at the recessed part can be suppressed.例文帳に追加

このため、ＣＭＰ研磨されて後に層間絶縁膜４となるシリコン酸化物層にマーク用孔２０Ｍに対応した凹部が形成されにくいので、かかる凹部へのスラリーの残留が抑制される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film is deposited so as to fill up the groove and then etched by chemomechanical polishing(CMP) or the like, by which a floating gate 36 buried in the groove is formed.例文帳に追加

溝を埋め込むように多結晶シリコン膜を堆積したあと、化学的機械研磨（ＣＭＰ）等によって多結晶シリコン膜をエッチングし、それによって溝に埋め込まれた浮遊ゲート３６形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus and its manufacturing method capable of controlling and reducing the displacement of vias caused by the deformation derived from a mechanical shock or the deformation of a wafer originated from a bonding process, a CMP process, a thermal stress or the like.例文帳に追加

ボンディング工程、ＣＭＰ工程、熱応力等による機械的衝撃やウエハの変形によるビアの変位を小さく制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP that reduces defects, such as erosion and scratches, as much as possible, and at the same time, can moreover polish a desired layer having conductivity, such as metals at sufficiently large polishing speed.例文帳に追加

エロージョンやスクラッチといった欠陥を極力低減し、しかも十分に大きな研磨速度で、メタル等の導電性を有する所望の層を研磨可能なＣＭＰ用スラリーを提供する。 - 特許庁

The top surface of the polysilicon film 3 is polished by a chemical mechanical polishing method(CMP) to remove projections of polysilicon grain boundary parts, thereby forming a flat surface in level with the top surface of the undercoat film.例文帳に追加

このポリシリコン膜の表面をケミカル−メカニカル研磨法（ＣＭＰ）法によって研磨し、ポリシリコン粒界部の突起が取り除かれアンダーコート膜の表面と同一平面に位置した平坦面とする。 - 特許庁

Cleaning a predetermined region under CMP on the surface of a treated substrate (wafer) 206 by using a cleaning liquid, the predetermined region is monitored by using an optical head 204 with a cleaning nozzle.例文帳に追加

被処理基板（ウエハ）２０６の表面のＣＭＰされた所定の領域を洗浄液を用いて洗浄しながら、この所定の領域を洗浄用ノズル付き光学ヘッド２０４を用いてモニタする。 - 特許庁

After a barrier metal 7 and a W film 8 have been formed on the entire surface, CMP is performed until there is no longer the beveled part 6 of the contact hole 5 in a region where the number of the contact holes 5 per unit area is high.例文帳に追加

全面にバリアメタル７およびW膜８を形成した後、単位面積当たりのコンタクトホール５数の多い領域にあるコンタクトホール５の面取り部６がなくなるまでＣＭＰを行なう。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

An adder 324 adds the correction amount Cmp to an image signal Dd to a 1st data line varying in voltage due to the variation in the voltage of the 2nd data line, and outputs the image signal as an image signal D'.例文帳に追加

加算器３２４は、当該データ線の電圧変位によって、電圧変動する第１のデータ線への画像信号Ｄｄに補正量Ｃmpを加算して、画像信号Ｄ’として出力する。 - 特許庁

To provide a position measurement device for the pad conditioner head of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) device capable of calibrating the position thereof so that the edge of the conditioner head can come accurately into contact with the edge of a platen.例文帳に追加

コンディショナヘッドの縁がプラテンの縁に正確に接するよう位置を校正できるＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装備のパッドコンディショナヘッドの位置測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP abrasive which enables a highly planarized polishing surface and polishes a surface of a silicon oxide insulation film, etc., at a high rate, without scratches, and is improved in store stability.例文帳に追加

研磨面の高平坦化が可能で、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷なく、高速に研磨することが可能なことに加えて、保存安定性を改良したＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a metal polishing method for discovering a high CMP rate, and for realizing high flattening, dishing amount reduction, and erosion amount reduction, and for executing high reliable metallic film embedding pattern formation.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属研磨方法を提供する。 - 特許庁