「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Similarly, when the value of the minimum value AE1 of the sum of difference absolute values calculated in advance is larger than a value TH2, the CMP device 110 outputs the vector MVTH corresponding to TH2 as MVO2 and when the value of AE1 is not larger than TH2, the CMP device 110 outputs MV1 from the ME device 103 as MVO2.例文帳に追加

また、同様に、ＣＭＰ器１１０においては、ＴＨ２よりも事前に算出された差分絶対値和の最小値ＡＥ１の値が大きい場合には、ＴＨ２に応じたベクトルＭＶＴＨをＭＶＯ２として出力し、ＴＨ２よりもＡＥ１の値が大きくない場合には、ＭＥ器１０３からのＭＶ１をＭＶＯ２として出力する。 - 特許庁

In a device for recovering abrasive from CMP process waste liquid, the abrasive recovering device comprises a recovery means to recover waste slurry flying at the polishing part of a CMP machine; a film separating means to which waste slurry from the recovering means is introduced: and a washing means to wash condensate, obtained by the film separating means, by water.例文帳に追加

ＣＭＰ工程排液から研磨材を回収する装置において、ＣＭＰマシンの研磨部で飛散する排スラリーを回収する回収手段、該回収手段からの排スラリーが導入される膜分離手段及び該膜分離手段で得られた濃縮水を水洗する洗浄手段とを備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

To provide abrasives and a polishing method in which in a CMP technology of flattening an interlayer dielectric, a BPSG film, and a shallow trench isolating insulating film, a selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film and a flatness are enhanced, whereby a CMP process can be efficiently and fast performed, and a process management can be easily performed.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、ＣＭＰプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing slurry foreign matters to be generated in CMP treatment from remaining in a semiconductor wafer, and for preventing dusts from being generated in a post-process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理の際に発生するスラリー異物が半導体ウエハに残留することなく、また、後工程において発塵することが無い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve margin of CMP processing to form the STI in a NAND-type flash memory, in which the gate is formed first.例文帳に追加

本発明は、ゲート先作りのＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ＳＴＩを形成するためのＣＭＰ処理のマージンが低下するのを改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

By a CMP method, a first part A, a magnetic domain control film 8, and an insulating film 7 positioned on the MR element 10 of a second film 9 are polished to make a surface flat.例文帳に追加

ＣＭＰ法により、第２の膜９におけるＭＲ素子１０の上部に位置する第１の部分Ａ、磁区制御膜８及び絶縁膜７を研磨して表面平坦化する。 - 特許庁

To find the film thickness distribution of a sample at a high speed without positioning points of measurement and a specific pattern on the sample in finding the in-plane film thickness distribution of the sample by measuring the film thickness of the sample after CMP processing.例文帳に追加

ＣＭＰ加工後、膜厚を計測し面内膜厚分布を求める際、試料上の測定個所及び、特定パターンの位置決めすることなしに高速に膜厚分布を求める。 - 特許庁

This invention provides the polishing compound for CMP comprising an oxidizing agent, a metal-oxide-dissolving agent, a protective-film-forming agent, a water-soluble polymer, and water; and a polishing method using this polishing compound.例文帳に追加

本発明では、酸化剤と、酸化金属溶解剤と、保護膜形成剤と、水溶性ポリマと、水とを含有するＣＭＰ用研磨剤と、これを用いる研磨方法とが提供される。 - 特許庁

The alignment mark structure has a scribe line of wafer or an alignment mark 102 formed in the region of a nonconstitutional part, and a protective dummy pattern 114 for protecting it against CMP.例文帳に追加

アライメントマーク構造は、ウェハのスクライブ線又は非構成部品領域に形成されるアライメントマークと、このアライメントマークの周辺に位置し、これをＣＭＰから保護する保護ダミーパターンとを有する。 - 特許庁

In this case, the conductive film is removed by CMP and a polishing pad 102 is used to remove a foreign substance left on a surface to be polished, thereby forming a wiring structure.例文帳に追加

ここで、導電膜の除去はＣＭＰにより行い、その際に研磨パッド１０２を用いて被研磨面に残留した異物を除去することにより、配線構造を形成する。 - 特許庁

For example, colloidal silica with average grain diameter of 20 to 80 nm is used for the slurry for CMP polishing, and pH of the slurry in the range of 2 to 7, acid or neutral is used.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨用スラリとしては、例えば、平均粒径２０乃至８０ｎｍのコロイダルシリカが用いられ、このスラリのｐＨ値を２〜7の酸性もしくは中性領域として用いる。 - 特許庁

After a barrier metal film 4 is formed on an insulation film 2 in which a recessed part 3 is formed, by performing an CMP(chemical- mechanical polishing) processing, a barrier metal film 4 on the outside of the recessed part 3 is removed as shown in figure (d).例文帳に追加

凹部３が形成された絶縁膜２上にバリアメタル膜４を形成した後、ＣＭＰ処理を行うことにより、図１(d) に示すように、凹部３外のバリアメタル膜４を除去する。 - 特許庁

To provide such a composition for forming a silica-based coating film as capable of forming a silica-based coating film which is excellent in the mechanical strength such as sufficient resistance to CMP, low dielectric properties and also adhesive properties.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れるシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide a pad conditioner of a CMP device used in working a semiconductor substrate, capable of improving the working efficiency, and preventing the dropping of diamond abrasive grain and breaking by micron, of a cutting edge.例文帳に追加

半導体基板加工に用いるＣＭＰ装置のパッドコンディショナーにおいて加工能率が良好なだけでなく、ダイヤモンド砥粒の脱落、切れ刃のミクロの破砕がないものを提供する。 - 特許庁

To improve in-plane uniformity of the machining quantity in a CMP polishing device for polishing machined material of plate shape using a polishing tool of small area compared to a polished surface.例文帳に追加

平板状の被加工材を被研磨面と比べて小さな面積の研磨工具を用いて研磨するタイプのＣＭＰ研磨装置において、加工量の面内均一性を改善する。 - 特許庁

A pattern, such as a transistor for DRAMs, is formed in a chip region 121 on a silicon substrate 101, and first and second CMP monitor patterns 127B and 127C are formed in a scribe region 124.例文帳に追加

シリコン基板１０１のチップ領域１２１にＤＲＡＭ用のトランジスタ等のパターンを形成し、スクライブ領域１２４に第１，第２ＣＭＰモニタパターン１２７Ｂ，１２７Ｃを形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate provided with an integrated circuit such as an LSI is polished by CMP or the like, and the semiconductor substrate is made into a thin film by forming an embrittlement layer in the semiconductor substrate and separating a part of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、三次元半導体集積回路において、ＬＳＩチップをより薄型化して積層することで集積密度を向上させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

A CMP treatment is performed, by pressing the wafer W retained with a water head 11 and chemical liquid is fed to a polishing pad 20 from a chemical liquid feed source 17.例文帳に追加

ウエハヘッド１１に保持されたウエハＷを研磨パッド２０に押し付け、薬液供給源１７からの薬液を研磨パッド２０に供給することによって、ＣＭＰ処理が行われる。 - 特許庁

To provide a structure of a metal dummy pattern capable of suppressing the nonuniformity of a transistor characteristic to a maximum extent even though mask displacement is generated, while maintaining a flattening effect of the metal CMP.例文帳に追加

メタルＣＭＰ本来の平坦化効果を維持しつつ、マスクずれが発生してもトランジスタ特性の不均一性を可能な限り抑制し得るような、メタルダミーパターンの構造を提案する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid which is improved in a capability of removing fine grains and metal impurities stuck on a surface of a semiconductor wafer after CMP and does not corrode a metal wiring material.例文帳に追加

ＣＭＰ後の半導体基板の表面に付着した微小粒子および金属不純物の除去性に優れ、かつ金属配線材料を腐食しない洗浄液を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing element (LHA pad) which is used for polishing by CMP method, and exhibits proper compressive elasticity for a polishing object by an internally included pore.例文帳に追加

ＣＭＰ法の研磨加工に用いられる研磨体（ＬＨＡパッド）であって、内部に有する気孔により被研磨物に対し適度な圧縮弾性を発揮する研磨体を提供する。 - 特許庁

A recording film outside a pattern in a servo area is eliminated by etching, irregularity caused by etching inside and outside the pattern is made flat by using non-magnetic film formation and CMP chemical polishing.例文帳に追加

サーボ領域におけるパターン外の記録膜をエッチングで除去し、エッチングで生じたパターン内外の凹凸は、非磁性膜成膜とＣＭＰ化学研磨を用いて平坦にする。 - 特許庁

The host system 500 is provided with: a CMP specific operation related file 510; a troubleshooting database 520; a trouble analysis application 530; and a display creation device (not shown).例文帳に追加

ホストシステム５００は、ＣＭＰ固有運行関連ファイル５１０と、トラブル対処データベース５２０と、トラブル分析アプリケーション５３０と、表示作成装置（図示せず）とを備えて構成される。 - 特許庁

To provide a landing plug contact forming method of a semiconductor element capable of preventing a step between a poly-silicon film and a gate hard mask nitride film in a CMP process for forming a landing plug contact.例文帳に追加

ランディングプラグコンタクト形成のためのＣＭＰ工程時、ポリシリコン膜とゲートハードマスク窒化膜との間の段差を防止できる半導体素子のランディングプラグコンタクト形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing pad for a CMP capable uniforming a polishing rate within a polished surface with no excessive consumption of slurry as the slurry is properly held between the polished surface and the polishing pad.例文帳に追加

被研磨面と研磨パッドとの間にスラリが適切に保持されて、スラリの余分な消費がなく、被研磨面内での研磨レートを均一にできるＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for electric power capable of suppressing the variation in the thickness of an insulating film in a cell region in a planarization process by CMP, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化処理においてセル領域の絶縁膜厚ばらつきを抑制することが可能な、電力用半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

A method includes grinding to remove a USG film 4 by 900 nm thick from the top with a CMP method, after depositing the USG film 4 with 1 ×m of film thickness all over a FSG film 3.例文帳に追加

ＵＳＧ膜４を１μｍの膜厚でＦＳＧ膜３上に全面に堆積した後、ＣＭＰ法によって、ＵＳＧ膜４をその上面から９００ｎｍの膜厚だけ研磨除去する。 - 特許庁

To provide a polishing method capable of suppressing dishing with a low quantity of a polishing liquid in a chemical mechanical polishing (CMP) of a film to be processed in a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低い研磨液の使用量で、ディッシングを抑制しうる研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In planarizing a first silicon oxide film 15 having a seam 16 by CMP or etching it with chemicals, the seam is filled with an osmotic liq. 17 having a lower surface tension than water.例文帳に追加

シーム部１６を有する第２のシリコン酸化膜１５をＣＭＰにより平坦化又は薬液エッチングする際、シーム部１６を水よりも低表面張力である浸透液１７で埋め込む。 - 特許庁

After an Ir film 7 is formed on the SiO2 film 6 forming the recess part 6a, a lower electrode 8 is formed in the recess part 6a by etching back the Ir film 7 by a CMP method.例文帳に追加

上記凹部６aが形成されたＳiＯ_2膜６上にＩr膜７を形成した後、Ｉr膜７をＣＭＰ法によってエッチバックすることにより凹部６a内に下部電極８を形成する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an SOI wafer for improving uniformity of the thickness of a semiconductor layer, using an oxidizing process and a wet etching process instead of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の代りに酸化工程とウェットエッチング工程を用いることにより、半導体層の厚さの均一度を向上させることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can perform the proper embedding of a metal film by preventing the occurrence of steps on an insulation film upon polishing the metal film using a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いて金属膜を研磨する場合に、絶縁膜段差の発生を防止でき、良好な金属膜の埋込みが行える半導体装置の製造方法をを提供する。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 13 and the CVD oxide film 5 are etched by using a resist film 6 as a mask, and then the surface of the semiconductor substrate 1 is polished and removed by a CMP method.例文帳に追加

その後レジスト膜６をマスクとして用いて、シリコン窒化膜１３およびＣＶＤ酸化膜５をエッチングし、その後ＣＭＰ法によって半導体基板１表面を研磨除去する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP that can readily improve productivity efficiency by reducing risk for damaging the performance and quality of a semiconductor device, and to provide the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の性能および品質を損なうおそれを低減して、生産効率を容易に向上できるＣＭＰ用スラリーおよび半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the 1st metal film 7 formed on the 1st insulating film 4 is polished away by the CMP process, to form an interlayer connection plug 7a only in the opening part 6.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ処理により第１の絶縁膜４上に形成されている第１の金属膜７を研磨除去して、開口部６内のみに層間接続プラグ７ａを形成する。 - 特許庁

To form a resistance zone of an active region, while excessive polishing of the resistance zone region by the CMP method and the margin deterioration of a working process in a succeeding process are prevented.例文帳に追加

抵抗帯領域のＣＭＰ過研磨および後工程での加工プロセスのマージン劣化を防止しつつ、活性領域による抵抗帯を形成することを主要な目的とする。 - 特許庁

Thereby increase in the resistance of wiring or generation of a short-circuiting caused by excessive polishing, excessive etching or the like when the flattening is carried out by the CMP method can be prevented.例文帳に追加

これにより、ＣＭＰ方法のような平坦化を利用する場合に発生する過多研磨または過多蝕刻等による配線の抵抗の増加あるいは短絡の発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a CMP (Chemical Mechanical Polishing) device and a fixing method of a dresser which prevent biased wear of the dresser, suitably maintain polishing characteristics of a polishing pad, and prolong the life of the dresser.例文帳に追加

ドレッサの片削れが防止され、研磨パッドの研磨特性を良好に維持できると共に、ドレッサの長寿命化を実現されたＣＭＰ装置及びドレッサ固定方法を提供する。 - 特許庁

In the preliminary polishing step, polishing is performed by a CMP method, by shifting the polishing pad 310 relative to the polished film 200, at a second speed which is smaller than that of the first speed.例文帳に追加

予備研磨工程では、研磨パッド３１０を第１の速度より遅い第２の速度で被研磨膜２００に対して相対的に移動させてＣＭＰ法による研磨を行う。 - 特許庁

To provide a polishing pad in which a slurry holding function is high- accurately controlled, the variation of polishing performance is reduced and a service life is prolonged in the field of polishing, in particular, in a CMP process.例文帳に追加

研磨分野、その中でも特にＣＭＰプロセスにおいて、高精度にスラリー保持機能が制御され、研磨性能ばらつきの小さい、かつライフの長い研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide a CMP device for enhancing flatness of a substrate after polishing by bringing the polishing rate of an outer peripheral portion of the substrate to be polished closer to that of a center portion of the substrate to be polished.例文帳に追加

被研磨基板の外周部の研磨レートを被研磨基板の中央部のそれにより近づけ、研磨後の基板の平坦性を向上できるＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To provide the forming method of a contact in a semiconductor device capable of minimizing dishing phenomenon generated in subsequent CMP processes if a contact substance is formed as an epitaxial silicon using SPE system and subsequent thermal treatments.例文帳に追加

ＳＰＥ方式及び後続熱処理を用いてコンタクト物質をエピタキシャルシリコンとして形成する場合に発生する後続ＣＭＰ工程でのディッシング現象を最小化させること。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) liquid capable of selectively polishing protruding parts of a surface to be polished and highly leveling the surface at a high polishing speed ratio of an silicon oxide film to a silicon nitride film without flaws.例文帳に追加

被研磨面を、傷なく、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比を大きく、凸部を選択的に研磨でき、高平坦化することが可能であるＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

The concentration of the colloidal silica is about 5 to 30% for carrying out CMP polishing on the surface of the polycrystalline silicon substrate for 5 minutes to one hour to obtain desired thickness and surface smoothness.例文帳に追加

また、コロイダルシリカの濃度としては５〜３０％程度とし、多結晶シリコン基板表面を５分〜１時間程度ＣＭＰ研磨して、所望の厚さ及び表面平滑度とする。 - 特許庁

The CMP system has (a) an abrasive, (b) an amphiphilic nonionic surfactant, (c) a means for oxidizing the metal layer, (d) an organic acid, (e) a corrosion inhibitor, and (f) a liquid carrier.例文帳に追加

このＣＭＰ系は、（ａ）研磨剤、（ｂ）両親媒性非イオン性界面活性剤、（ｃ）金属層を酸化するための手段、（ｄ）有機酸、（ｅ）腐食抑制剤、及び（ｆ）液体キャリヤーを含む。 - 特許庁