「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide abrasives and a polishing method in which in a CMP technology of flattening an interlayer dielectric, a BPSG film, and a shallow trench isolating insulating film, a selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film and a flatness are enhanced, whereby a CMP process can be efficiently and fast performed, and a process management can be easily performed.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、ＣＭＰプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。 - 特許庁

Similarly, when the value of the minimum value AE1 of the sum of difference absolute values calculated in advance is larger than a value TH2, the CMP device 110 outputs the vector MVTH corresponding to TH2 as MVO2 and when the value of AE1 is not larger than TH2, the CMP device 110 outputs MV1 from the ME device 103 as MVO2.例文帳に追加

また、同様に、ＣＭＰ器１１０においては、ＴＨ２よりも事前に算出された差分絶対値和の最小値ＡＥ１の値が大きい場合には、ＴＨ２に応じたベクトルＭＶＴＨをＭＶＯ２として出力し、ＴＨ２よりもＡＥ１の値が大きくない場合には、ＭＥ器１０３からのＭＶ１をＭＶＯ２として出力する。 - 特許庁

In a device for recovering abrasive from CMP process waste liquid, the abrasive recovering device comprises a recovery means to recover waste slurry flying at the polishing part of a CMP machine; a film separating means to which waste slurry from the recovering means is introduced: and a washing means to wash condensate, obtained by the film separating means, by water.例文帳に追加

ＣＭＰ工程排液から研磨材を回収する装置において、ＣＭＰマシンの研磨部で飛散する排スラリーを回収する回収手段、該回収手段からの排スラリーが導入される膜分離手段及び該膜分離手段で得られた濃縮水を水洗する洗浄手段とを備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

The alignment mark structure has a scribe line of wafer or an alignment mark 102 formed in the region of a nonconstitutional part, and a protective dummy pattern 114 for protecting it against CMP.例文帳に追加

アライメントマーク構造は、ウェハのスクライブ線又は非構成部品領域に形成されるアライメントマークと、このアライメントマークの周辺に位置し、これをＣＭＰから保護する保護ダミーパターンとを有する。 - 特許庁

The decay in the leaky mode when propagating in the clad 3 is increased by flattening the upper surface of the clad 3 by a chemical mechanical polishing (CMP) and the influence of the leaky mode coupling is further decreased.例文帳に追加

クラッド３の上面をＣＭＰ研磨して平坦化することによりクラッド３を伝搬するリーキーモードの減衰を増大でき、リーキーモード結合の影響をさらに低減できる。 - 特許庁

This CMP pad is used for chemically-mechanically polishing a polished film formed on a board and has a support layer and a thin film layer, whose hardness varies in the layer direction.例文帳に追加

基板上に形成された研磨膜を化学機械的に研磨するためのパッドにおいて、支持体層及び層方向に硬度が変化している薄膜層を備えてなるＣＭＰ用パッド。 - 特許庁

The post CMP processing liquid is one such that resin particles which have a functional group on the surface is blended into water, or one such that resin particles and an addition agent containing a functional group are blended into water.例文帳に追加

表面に官能基を有する樹脂粒子が水に配合された処理液、または樹脂粒子と、官能基を含む添加剤とが水に配合されてなる処理液である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of a crack during CMP of an interlayer insulating film and eliminating the influence of a crack even if it occurs.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰ時にクラックが発生することを抑制するとともに、クラックが発生しても、クラックによる影響を排除できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A CMP treatment is performed, by pressing the wafer W retained with a water head 11 and chemical liquid is fed to a polishing pad 20 from a chemical liquid feed source 17.例文帳に追加

ウエハヘッド１１に保持されたウエハＷを研磨パッド２０に押し付け、薬液供給源１７からの薬液を研磨パッド２０に供給することによって、ＣＭＰ処理が行われる。 - 特許庁

A semiconductor substrate provided with an integrated circuit such as an LSI is polished by CMP or the like, and the semiconductor substrate is made into a thin film by forming an embrittlement layer in the semiconductor substrate and separating a part of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、三次元半導体集積回路において、ＬＳＩチップをより薄型化して積層することで集積密度を向上させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a metal dummy pattern capable of suppressing the nonuniformity of a transistor characteristic to a maximum extent even though mask displacement is generated, while maintaining a flattening effect of the metal CMP.例文帳に追加

メタルＣＭＰ本来の平坦化効果を維持しつつ、マスクずれが発生してもトランジスタ特性の不均一性を可能な限り抑制し得るような、メタルダミーパターンの構造を提案する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid which is improved in a capability of removing fine grains and metal impurities stuck on a surface of a semiconductor wafer after CMP and does not corrode a metal wiring material.例文帳に追加

ＣＭＰ後の半導体基板の表面に付着した微小粒子および金属不純物の除去性に優れ、かつ金属配線材料を腐食しない洗浄液を提供する。 - 特許庁

It also includes a step for etching and removing at least a part of the insulation film on the peripheral circuit area and a step for flattening the surface of the insulation film by the CMP method.例文帳に追加

そして、周辺回路領域上の前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程と、絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the number of processes of flattening processing by CMP is reduced to reduce variance in thickness of a stopper film used for the flattening processing.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化処理の工程数を減らし、平坦化処理の際に用いられるストッパー膜の膜厚バラツキを低減できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing element (LHA pad) which is used for polishing by CMP method, and exhibits proper compressive elasticity for a polishing object by an internally included pore.例文帳に追加

ＣＭＰ法の研磨加工に用いられる研磨体（ＬＨＡパッド）であって、内部に有する気孔により被研磨物に対し適度な圧縮弾性を発揮する研磨体を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP pad conditioner capable of precisely positioning a base member and a metal plate each other with adhesive interposed therebetween and stably bonding them, enabling to increase bonding strength.例文帳に追加

間に接着剤が介在する基材と金属板とを、互いに精度よく位置決めできるとともに安定して接着でき、接着強度が高められるＣＭＰパッドコンディショナを提供する。 - 特許庁

When the single crystal silicon carbide is grown by a sublimation recrystallization method using a seed crystal 1, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process is used as the seed crystal 1.例文帳に追加

種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。 - 特許庁

In the method, a hard mask film HM2 is formed on a hard mask film HM1, and while an organic resin film ORF is formed on the hard mask film HM2, a resist CMP process is executed.例文帳に追加

ハードマスク膜ＨＭ１上にハードマスク膜ＨＭ２が形成され、このハードマスク膜ＨＭ２上に有機樹脂膜ＯＲＦが形成された状態で、レジストＣＭＰを実施する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) liquid capable of selectively polishing protruding parts of a surface to be polished and highly leveling the surface at a high polishing speed ratio of an silicon oxide film to a silicon nitride film without flaws.例文帳に追加

被研磨面を、傷なく、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比を大きく、凸部を選択的に研磨でき、高平坦化することが可能であるＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

The concentration of the colloidal silica is about 5 to 30% for carrying out CMP polishing on the surface of the polycrystalline silicon substrate for 5 minutes to one hour to obtain desired thickness and surface smoothness.例文帳に追加

また、コロイダルシリカの濃度としては５〜３０％程度とし、多結晶シリコン基板表面を５分〜１時間程度ＣＭＰ研磨して、所望の厚さ及び表面平滑度とする。 - 特許庁

The CMP system has (a) an abrasive, (b) an amphiphilic nonionic surfactant, (c) a means for oxidizing the metal layer, (d) an organic acid, (e) a corrosion inhibitor, and (f) a liquid carrier.例文帳に追加

このＣＭＰ系は、（ａ）研磨剤、（ｂ）両親媒性非イオン性界面活性剤、（ｃ）金属層を酸化するための手段、（ｄ）有機酸、（ｅ）腐食抑制剤、及び（ｆ）液体キャリヤーを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of inhibiting the generation of a dishing by a CMP while suppressing the lowering of an isolation capacity, the increase of a floating capacity or the like.例文帳に追加

分離能力の低下、浮遊容量の増大等を抑制しつつ、ＣＭＰによるディッシングの発生を抑制するができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After an Ir film 7 is formed on the SiO2 film 6 forming the recess part 6a, a lower electrode 8 is formed in the recess part 6a by etching back the Ir film 7 by a CMP method.例文帳に追加

上記凹部６aが形成されたＳiＯ_2膜６上にＩr膜７を形成した後、Ｉr膜７をＣＭＰ法によってエッチバックすることにより凹部６a内に下部電極８を形成する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an SOI wafer for improving uniformity of the thickness of a semiconductor layer, using an oxidizing process and a wet etching process instead of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の代りに酸化工程とウェットエッチング工程を用いることにより、半導体層の厚さの均一度を向上させることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can perform the proper embedding of a metal film by preventing the occurrence of steps on an insulation film upon polishing the metal film using a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いて金属膜を研磨する場合に、絶縁膜段差の発生を防止でき、良好な金属膜の埋込みが行える半導体装置の製造方法をを提供する。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 13 and the CVD oxide film 5 are etched by using a resist film 6 as a mask, and then the surface of the semiconductor substrate 1 is polished and removed by a CMP method.例文帳に追加

その後レジスト膜６をマスクとして用いて、シリコン窒化膜１３およびＣＶＤ酸化膜５をエッチングし、その後ＣＭＰ法によって半導体基板１表面を研磨除去する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP that can readily improve productivity efficiency by reducing risk for damaging the performance and quality of a semiconductor device, and to provide the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の性能および品質を損なうおそれを低減して、生産効率を容易に向上できるＣＭＰ用スラリーおよび半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the 1st metal film 7 formed on the 1st insulating film 4 is polished away by the CMP process, to form an interlayer connection plug 7a only in the opening part 6.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ処理により第１の絶縁膜４上に形成されている第１の金属膜７を研磨除去して、開口部６内のみに層間接続プラグ７ａを形成する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for a CMP capable uniforming a polishing rate within a polished surface with no excessive consumption of slurry as the slurry is properly held between the polished surface and the polishing pad.例文帳に追加

被研磨面と研磨パッドとの間にスラリが適切に保持されて、スラリの余分な消費がなく、被研磨面内での研磨レートを均一にできるＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that is polished without reducing the polishing rate, when conducting polishing by a CMP method using a polishing pad having high hardness.例文帳に追加

硬度の高い研磨布を用いてＣＭＰ法による研磨を行う際に、研磨レートを低下させることなく、研磨を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method capable of suppressing dishing with a low quantity of a polishing liquid in a chemical mechanical polishing (CMP) of a film to be processed in a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低い研磨液の使用量で、ディッシングを抑制しうる研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In planarizing a first silicon oxide film 15 having a seam 16 by CMP or etching it with chemicals, the seam is filled with an osmotic liq. 17 having a lower surface tension than water.例文帳に追加

シーム部１６を有する第２のシリコン酸化膜１５をＣＭＰにより平坦化又は薬液エッチングする際、シーム部１６を水よりも低表面張力である浸透液１７で埋め込む。 - 特許庁

To provide a landing plug contact forming method of a semiconductor element capable of preventing a step between a poly-silicon film and a gate hard mask nitride film in a CMP process for forming a landing plug contact.例文帳に追加

ランディングプラグコンタクト形成のためのＣＭＰ工程時、ポリシリコン膜とゲートハードマスク窒化膜との間の段差を防止できる半導体素子のランディングプラグコンタクト形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide slurry for CMP in which polishing power can be controlled for an insulating film while sustaining good polishing power for a film of Cu or a Cu alloy.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金の膜に対して良好な研磨能力を維持しつつ、絶縁膜に対する研磨性を抑制することが可能なＣＭＰ用ＣＭＰ用スラリを提供する。 - 特許庁

The polysilicon layer 12 on an element forming region is selectively opened by chemical-mechanical poling(CMP) and the embedded oxide film 8 is etched and removed via an opening.例文帳に追加

ＣＭＰにより素子形成領域上のポリシリコン層１２を選択的に開口し、開口を介して埋め込み酸化膜８をエッチングして除去する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Then, the second insulating film 4 is polished through a CMP method using slurries capable of selectively removing the second insulating film 4 until the first insulating film 3 appears on all the capacitors 2.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法による第２絶縁膜４の研磨を、全てのキャパシタ２上の第１絶縁膜３が露出するまで、第２絶縁膜４を選択的に除去するスラリーを用いて行う。 - 特許庁

The host system 500 is provided with: a CMP specific operation related file 510; a troubleshooting database 520; a trouble analysis application 530; and a display creation device (not shown).例文帳に追加

ホストシステム５００は、ＣＭＰ固有運行関連ファイル５１０と、トラブル対処データベース５２０と、トラブル分析アプリケーション５３０と、表示作成装置（図示せず）とを備えて構成される。 - 特許庁

A recording film outside a pattern in a servo area is eliminated by etching, irregularity caused by etching inside and outside the pattern is made flat by using non-magnetic film formation and CMP chemical polishing.例文帳に追加

サーボ領域におけるパターン外の記録膜をエッチングで除去し、エッチングで生じたパターン内外の凹凸は、非磁性膜成膜とＣＭＰ化学研磨を用いて平坦にする。 - 特許庁

A method includes grinding to remove a USG film 4 by 900 nm thick from the top with a CMP method, after depositing the USG film 4 with 1 ×m of film thickness all over a FSG film 3.例文帳に追加

ＵＳＧ膜４を１μｍの膜厚でＦＳＧ膜３上に全面に堆積した後、ＣＭＰ法によって、ＵＳＧ膜４をその上面から９００ｎｍの膜厚だけ研磨除去する。 - 特許庁

After a first interlayer insulating film 145 is deposited, the dummy silicide film 112b is eliminated by CMP (chemical mechanical polishing), and the first interlayer insulating 145 and polysilicon electrodes 122, 132 are flattened.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１４５を堆積した後、ＣＭＰにより、ダミーシリサイド膜１１２ｂを除去して、第１の層間絶縁膜１４５とポリシリコン電極１２２，１３２とを共に平坦化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an effect to an alignment mark of CMP of an interlayer dielectric film surface, and can accurately and securely carry out the detection of alignment mark.例文帳に追加

層間絶縁膜表面のＣＭＰのアライメントマークへの影響を排除し、アライメントマークの検出を精度良く確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a system of CMP in which abrasive adhering to the backside of a semiconductor substrate can be removed easily regardless of the state on the backside of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏面状態に関係なく、半導体基板裏面に固着する研磨剤を容易に除去することができるＣＭＰ法およびＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for electric power capable of suppressing the variation in the thickness of an insulating film in a cell region in a planarization process by CMP, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化処理においてセル領域の絶縁膜厚ばらつきを抑制することが可能な、電力用半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Then, by removing the disc- like gate section (12) from the disc-like molding (1) and mechanically processing the ring section (11) into a prescribed shape, the annular component (2) for CMP is obtained.例文帳に追加

ついで、その円板状成形物(1) から円板状ゲート部(12)を除去すると共に、リング部(11)を所定の形状に機械加工することにより、ＣＭＰ用のリング状部品(2) を得る。 - 特許庁

A film of a metal raw material is formed, the dips are filled with the metal raw material, planarization is effected using CMP process, and an interlayer film (14) is formed thereon to form noise shield wiring (22).例文帳に追加

メタル素材を成膜して凹部にメタル素材を埋め込み、ＣＭＰ法を用いて平坦化し、その上に層間膜（１４）を成膜することで、ノイズシールド配線（２２）が形成される。 - 特許庁