「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

N register units (11 to 1n) are in cascade connection and the respective register units compare sizes of data inputted from a data bus 102 with those of data being stored and outputs comparison results CMP.例文帳に追加

ｎ個のレジスタユニット（１１〜１ｎ）が縦続に接続され、各レジスタユニットはデータバス１０２から入力されるデータと現在格納中のデータとの大小を比較し、比較結果ＣＭＰを出力する。 - 特許庁

To provide a drive device for a table or a polisher for polishing and CMP having large output torque and high rotating speed precision, of low vibration and low noises, hollow, compact and light.例文帳に追加

大きな出力トルクと高い回転速度精度を有し、且つ、低振動、低騒音で、更に中空であるコンパクトで、軽量なポリッシング、ＣＭＰ用テーブルまたはポリッシャの駆動装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for simply and efficiently synthesizing cytidine 5'-triphosphate (CTP) from inexpensive cytidine 5'-monophosphate (CMP), and a method for producing a compound by utilizing an enzymatic reaction that consumes CTP.例文帳に追加

安価なシチジン５’−モノリン酸（ＣＭＰ）から簡便かつ効率的にシチジン５’−トリリン酸（ＣＴＰ）を合成する方法およびＣＴＰを消費する酵素反応を利用した化合物の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a table for a wafer polishing device, capable of efficiently performing polishing even when CMP is performed and obtaining the suitable polishing state, and excellent in chemical resistance and abrasion resistance.例文帳に追加

ＣＭＰを行った場合でも効率よく研磨を行うことができかつ好適な研磨状態が得られ、しかも耐薬品性及び耐磨耗性に優れたウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor, having high throughput property and its manufacturing method which inserts a minimum required dummy pattern for improving high planarity, after CMP process.例文帳に追加

本発明の目的は、必要最小限のダミーパターンの挿入によってＣＭＰ工程後の平坦性が向上でき、又、高いスループット性を有する半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To develop a novel chemical mechanical polishing (CMP) composition capable of removing a phase change material selectively at high removal rate, while reducing total defects and Te residuum defects.例文帳に追加

高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。 - 特許庁

To provide a device capable of accurately adjusting the concentration of adjusting agent such as ammonia or hydrogen peroxide for stabilizing the abrasive grain dispersibility and the grain diameter in abrasives to be used for chemical and mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

化学機械研磨（ＣＭＰ）に使用される研磨剤において、砥粒分散性、及び、粒径を安定させるアンモニアや過酸化水素等の調整剤濃度を正確に調整できる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the influence of a stress applied by an upper wiring layer on the semiconductor device, and maintaining the effect obtained by providing a dummy wiring pattern and applying a CMP technology.例文帳に追加

上部配線層が半導体素子に与えるストレスの影響を低減すると共に、ダミー配線パターンを設けてＣＭＰ技術を適用した効果を維持し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the rear surface of the semiconductor wafer 10 is rendered hydrophilic by forming a silicon oxide film, dust particles can be prevented from adhering to the rear surface of the semiconductor wafer 10 during CMP processing.例文帳に追加

半導体ウエハ１０の裏面には酸化シリコン膜が形成され親水性とされているので、ＣＭＰ処理の際に半導体ウエハ１０の裏面に異物が付着するのを防止することができる。 - 特許庁

By using the polishing pad having recesses generated as a result of selectively eliminating the defective parts and existing not corresponding to the above regularity on its polishing surface, CMP processing can be performed efficiently at low cost.例文帳に追加

欠陥部位を選択的に除去することにより形成され、前記規則に一致することなく配設された凹部を有する研磨パッドは、ＣＭＰ処理の低コスト化、効率化を図ることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing a CMP liquid includes a filtering process which filters a dispersing liquid containing cerium oxide particles, a dispersant and water, with a filtration rate less than 75 L/(min x m^2).例文帳に追加

本発明に係るＣＭＰ研磨液の製造方法は、酸化セリウム粒子と分散剤と水とを含む分散液を７５Ｌ／ｍｉｎ・ｍ^２以下のろ過速度でフィルタを用いてろ過するろ過工程を備える。 - 特許庁

The first super-abrasives 4 contain blocky super-abrasives 6 and angular super-abrasives 7, and the angular super-abrasives 7 is 3 mass % or more of the super-abrasives 3 of the CMP conditioner 1.例文帳に追加

第１超砥粒４は、ブロッキーな超砥粒６と、アンギュラーな超砥粒７とを含有し、アンギュラーな超砥粒７がＣＭＰコンディショナ１の超砥粒３に対して３質量％以上である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the method includes a means for sufficiently removing foreign matter such as polishing wastes positioned in recesses formed on a polishing surface of a polishing pad, and to provide a CMP device.例文帳に追加

研磨パッドの研磨面に形成された凹み内に位置する研磨屑などの異物を十分に取り除く手段を備えた半導体装置製造方法及びＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a flat membrane by a CMP technique without generating a dishing in a sacrificial layer, in an infrared ray sensor consisting of the membrane and a cavity section below the membrane, which are formed on one side of a silicone substrate.例文帳に追加

シリコン基板の一面側からメンブレンおよびメンブレン下の空洞部を形成してなる赤外線センサにおいて、犠牲層のディッシングを起こすことなくＣＭＰ技術により平坦なメンブレンを得る。 - 特許庁

Only in the upper portion of the W layer 8 protruding from an interlayer insulation film 2, a Ti layer 9 and a TiN layer 10 are removed by a CMP method, and then an Al alloy layer 11 is formed to form an interconnection pattern.例文帳に追加

層間絶縁膜２から突出したＷ層８の上部のみＴｉ層９、ＴｉＮ層１０をＣＭＰ法で除去し、その後にＡｌ合金層１１を形成して配線パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a means to remove any deposit or prevent generation of any deposit in advance in a grinding solution transport pipe such as a feed pipe and a discharge pipe of a grinding solution to a CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置に対する研磨液の供給管や排出管のような研磨液輸送管内における付着物の除去又は付着物発生の未然防止のための手段を提供することにある。 - 特許庁

To provide a polishing liquid which has high CMP speed, has less dishing, can improve the planarity of a surface to be polished and is stable when being condensed, and to provide a polishing method employing the same.例文帳に追加

迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシングが少なく被研磨面の平坦性を向上させることが可能で、濃縮しても安定な金属用研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an image sensor capable of performing fine patterning while enhancing a fill factor even if roughness or uniformity is not improved by a CMP or WET process.例文帳に追加

本発明は、フィルファクターを高めながら、ＣＭＰやＷＥＴ工程による粗さやユニフォーミティの改善を施さなくても、微細パターニングすることができるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The other version of this method comprises carrying out reaction by adding, to a reaction system including GlcNAc and CMP, yeast cells, microbial cells having GlcNAc-6P 2-epimerase activity or a treated product thereof, microbial cells having NeuAc synthase activity or a treated product thereof, and microbial cells having CMP-NeuAc synthase activity or a treated product thereof.例文帳に追加

また、本発明は、ＧｌｃＮＡｃおよびＣＭＰを含有する反応系に、酵母菌体、ＧｌｃＮＡｃ−６Ｐ ２−エピメラーゼ活性を有する菌体またはその処理物、ＮｅｕＡｃシンセターゼ活性を有する菌体またはその処理物およびＣＭＰ−ＮｅｕＡｃシンセターゼ活性を有する菌体またはその処理物を添加し、反応させることを特徴とする、ＣＭＰ−ＮｅｕＡｃの製造法に関する。 - 特許庁

To provide a CMP polisher with a small foot print in which the exhaustion of the surface of a polishing pad is progressed uniformly in the pad surface by a simple control, even if the diameter of the polishing pad is not enlarged, in the CMP polisher.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨装置に於いて、研磨パッドの径を大きくしなくも、ウェハの被研磨面の各点に於ける研磨パッドの相対速度が均一、従って研磨速度の均一性が良く、研磨経過時間毎に複雑に変化させる揺動を行うための特別な複雑な制御を行わなくても、簡単な制御で研磨パッドの表面の消耗がパッド面内で均一に進行するフットプリントが小さいＣＭＰ研磨装置を提供することである。 - 特許庁

The collecting apparatus for collecting polishing material from discharged water in the CMP process comprises a concentrating section for introducing the discharged water in the CMP process in batch-wise way to concentrate the concentration of the polishing material to the extent of given concentration with filtration film and a washing section for adding washing water to the concentrated water obtained by the concentrating section.例文帳に追加

ＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、ＣＭＰ工程排水が回分的に導入され、ろ過膜により研磨材濃度が所定濃度まで濃縮される濃縮部、及び、濃縮部で得られた濃縮水に洗浄水が加えられ、ろ過膜により不純物が除去されるとともに、研磨材濃度が所望濃度まで濃縮される洗浄部とを備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

The first copper-plated film 7a is recrystallized by heat treatment and its hardness decreases, and a polishing speed becomes faster than that of the second copper-plated film 7b, thus inhibiting the dishing of wide wiring in CMP polishing.例文帳に追加

第１の銅めっき膜７ａが熱処理により再結晶化して硬度が減少し、第２の銅めっき膜７ｂよりも研磨速度が大きくなり、ＣＭＰ研磨における広幅配線のディッシングが抑制できる。 - 特許庁

The wafer W is retained by the wafer holder 12 for rotating and driving, and is flatly polished and machined by the CMP operation of slurry at a portion to the polishing pad 21 that is crimped to the surface to be polished of the wafer for relative movement.例文帳に追加

ウェハＷはウェハホルダ１２に保持されて回転駆動され、ウェハの被研磨面に圧着されて相対移動される研磨パッド２１との間でスラリのＣＭＰ作用により平坦に研磨加工される。 - 特許庁

The insulation film 5 is polished by a CMP method, to remove the part of deposits formed on the sidewall of the conductive layer 2, which is higher than at least the surface of the conductive layer 2.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法によって絶縁膜５を研磨し、導電層２側壁に形成された側壁堆積物４のうち、少なくとも導電層２表面よりも高く形成された部分を除去する工程とを有する。 - 特許庁

Then unwanted parts of the deposition and thin films 17 and 18 are removed by mechanochemical polishing (CMP), to obtain a bonding pad 13 and a connecting thin film 14 as shown in (e) at the same time.例文帳に追加

そして、この金属堆積層１７および金属薄膜１８の不要部分をＣＭＰ処理によって除去することにより、図１(e)に示すように、ボンディングパッド１３および接続用薄膜１４を同時に得ることができる。 - 特許庁

A CMP apparatus 1 is provided with a wafer chuck mechanism 20 on which a wafer W is mounted and held, a polishing pad 4 by which the face to be worked on the wafer W is polished and worked and a polishing head 2 used to hold the polishing pad 4.例文帳に追加

ウエハＷを載置保持するウエハチャック機構２０と、ウエハＷの被加工面の研磨加工を行う研磨パッド４と、研磨パッド４を保持する研磨ヘッド２とを備えてＣＭＰ装置１が構成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, by which even a step bunching with large unevenness is flattened and the need for a polishing process such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) for the flattening is eliminated.例文帳に追加

凹凸の大きいステップバンチングに対しても平坦化可能で、かつ平坦化にあたりＣＭＰ研磨などの研磨工程を必要としない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The CMP waste liquid 11 is introduced into a coagulation tank 1, and is coagulated at pH≥10 in the presence of magnesium ions to separate the solid from the solution with a first separation tank 2, and the separated water is recovered as treated water 14.例文帳に追加

ＣＭＰ排液１１を凝集槽１に導入し、マグネシウムイオンの存在下にｐＨ１０以上で凝集処理して第１分離槽２で固液分離し、分離水を処理水１４として回収する。 - 特許庁

As shown in diagram (g), after the patterning film 6 is removed through wet etching, a chemical-mechanical polishing (CMP) treatment is applied, and the metal wiring film 7 on the recessed part 3 as well as the seed film 5 outside the recessed part 3 is polished.例文帳に追加

次いで、図１(g) に示すように、たとえばウエットエッチングによってパターニング膜６を除去した後、ＣＭＰ処理を行うことにより、凹部３上の金属配線膜７および凹部３外のシード膜５を研磨していく。 - 特許庁

To provide an abrasive used to polish silica-based substrates, for example, rock crystal, quartz glass for photomasks, organic films for semiconductor devices, interlayer insulation films, CMP for trench separation or to polish glass hard disks.例文帳に追加

シリカを主成分とする基板の研磨、例えば水晶、フォトマスク用石英ガラス、半導体デバイスの有機膜、層間絶縁膜及びトレンチ分離のＣＭＰ、又はガラス製ハードディスクの研磨に用いられる研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad capable of providing both high flatness and high uniformity in a wafer surface, eliminating the possibility of causing a separation at the time of use, and providing an excellent durability in the polishing pad used in CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法で使用する研磨パッドにおいて、高い平坦度とウエハ面内での高い均一性とが両立可能であって、使用時に剥離等の生じる恐れがなく耐久性に優れるものを提供する - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method of a substrate using the abrasive that can easily reduce polishing scratch after polishing of a silicon oxide film etc., with respect to CMP technique for flattening an interlayer insulating film, a BPSG film, and an STI film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨後の研磨傷低減を容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

A conductive film is formed in the contact hole 8c and on the insulating film, and a conductor 9 is buried in the contact hole 8c by removing the conductive film located above an insulating film 8a by CMP.例文帳に追加

接続孔８ｃの中及び絶縁膜上に導電膜を形成し、さらに、絶縁膜８ａ上に位置する導電膜をＣＭＰ法で除去することにより、接続孔８ｃに導電体９を埋め込む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the occurrence of scratch by CMP (Chemical Mechanical Polishing) in an interlayer insulating film, is prevented and deterioration in film thickness uniformity of the interlayer insulating film is also prevented.例文帳に追加

層間絶縁膜にＣＭＰによるスクラッチが発生することを防止することや層間絶縁膜の膜厚均一性の悪化を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the CMP method, when cleaning the surface of a substrate by the cleaning liquid containing a surface active agent to remove residual slurries and polishing residues therefrom, an interlayer insulating film 3 is impregnated with organic substances present in the cleaning liquid containing the surface active agent.例文帳に追加

界面活性剤を含む洗浄液で洗浄して、残留するスラリーと研磨残留物を除去すると、界面活性剤を含む洗浄液中の有機物が層間絶縁膜３の中に染み込む。 - 特許庁

Thereafter, unnecessary parts of the film 7 for a Cu interconnection and the TaN film 4 on the insulation film 2 are polished and removed by CMP to form a Cu interconnection 7a and barrier layers 4a in the trenches 3 for interconnections.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて絶縁膜２上の不要なＣｕ配線用膜７及びＴａＮ膜４を研磨除去することにより、配線用溝３内にＣｕ配線７ａ及びバリア層４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a polishing material for an insulation film layer of a semiconductor capable of improving a polishing speed in the abrasion of an insulation film layer of a semiconductor by CMP method, at the same time, capable of reducing scratch and dust, and having excellent quality.例文帳に追加

ＣＭＰ法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる、品質の優れた、半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMR layer of a CMOS integrated circuit by a method that can be commercially achieved in a manufacturing method of the CMR layer in the CMOS integrated circuit, including CMP of the CMR layer in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程にＣＭＲ層のＣＭＰを含むＣＭＯＳ集積回路中のＣＭＲ層の製造方法であって、商業的に実現可能な方法でＣＭＯＳ集積回路のＣＭＲ層を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method, which enable the high speed polishing and a high flatness level in a CMP technology, which can plavarize an interlayer insulation film and a shallow trench isolating insulation film, without producing abrasive flaws.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨傷を発生することなく高速研磨と高平坦化を可能にする研磨剤および研磨法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein variation in film thickness of an inter-layer insulating film, variation in polishing of a CMP, variation in rate of dry-etching, and the like are absorbed, for avoiding excessive etching and damage to a semiconductor substrate.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜厚バラ付き、ＣＭＰの研磨バラ付き、ドライエッチングのレートバラ付きなどを吸収し、半導体基板上への過剰なエッチング、ダメージを回避できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for supplying a polishing agent in a CMP polishing device which is an effective coping means to the occurrence of flaws of a wafer, the drop of the quality or the like, and the drop of the yield of the wafer or the like.例文帳に追加

ウェーハの傷の発生、ウェーハの品質の低下、ウェーハの歩留りの低下等に対し有効な対処手段となり得るＣＭＰ研磨装置における研磨剤の供給装置及び供給方法を提供する。 - 特許庁

To prepare a porous silica film which has a low relative permittivity and the mechanical strengths to sufficiently withstand a chemical and mechanical polishing (CMP) step in the copper wiring step of a semiconductor device and, simultaneously, reduces the amount of gaseous pollutants on forming a via hole.例文帳に追加

比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid composition for CMP which can exhibit a high polishing speed and a high etching suppression effect at the same time, can provide for a uniform and stable effect, and can be used even in a conventional wide-use polishing apparatus.例文帳に追加

高い研磨速度と高いエッチング抑制効果を両立して発現でき、均一で安定的な効果が得られ、従来汎用の研磨装置を用いることも可能である、ＣＭＰ用の研磨液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing pad capable of making compatible both the improvement of the flatness of a surface to be polished and the reduction of a polishing defect (scratch) in CMP, and a chemical mechanical polishing method using the pad.例文帳に追加

ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁