「CMP」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a CMP apparatus in which the consumption of slurry can be reduced with a simple structure without spending any cost, and reliable cleaning of the polishing pad can be made.例文帳に追加

ＣＭＰ装置において、コストを要せず簡易な構造でスラリーの使用量を低減すると共に、研磨パッドの洗浄も確実にできるようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film magnetic head includes a process for forming a 2nd magnetic substance pattern 9 on an upper part of a flat surface formed by CMP processing.例文帳に追加

ＣＭＰ加工によって形成された平坦面の上方に第２の磁性体パターン９を形成する工程を有する薄膜磁気ヘッド製造方法。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加

２次に亘るウェットエッチング工程により、ＣＭＰ工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, the TaN film 111, the Cu film 112, and the Cu film 113 deposited on the surface of the FSG film 108 are removed by a CMP method.例文帳に追加

次にＦＳＧ膜１０８の表面に堆積されたＴａＮ膜１１１、Ｃｕ膜１１２およびＣｕ膜１１３をＣＭＰ法により除去する。 - 特許庁

To improve the retaining force and chemical resistance of abrasive grains in a CMP machining dresser while maintaining the cutting quality equal or higher than that of the conventional dresser.例文帳に追加

ＣＭＰ加工用ドレッサにおいて、従来のドレッサと同等以上の切れ味を維持したうえで、砥粒の保持力と耐薬品性を向上させる。 - 特許庁

To provide a wafer storage device which is capable of preventing a Cu wiring from being corroded by an oxidizing agent contained in abrasives when wafers are stored after they are subjected to Cu-CMP (Chemical Mechanical Polish).例文帳に追加

Ｃｕ−ＣＭＰ後のウェハを保管する際に、研磨剤に含まれる酸化剤がＣｕ配線を腐食するのを防止できる保管装置を提供する。 - 特許庁

To provide a conditioning method for preventing deterioration of a polishing rate in a CMP step, and reducing scratches on a wafer surface.例文帳に追加

ＣＭＰ工程におけるウェハの研磨レートの低下を防止し、且つウェハの表面に発生するスクラッチを低減させるコンディショニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an operation information management system for quickly responding to a trouble at an operation site when trouble occurs in a CMP device.例文帳に追加

ＣＭＰ装置におけるトラブル発生に対して作業現場で迅速にトラブル対策を講じることができるような作業情報管理システムを提供する。 - 特許庁

To realize a dry etching method, where a connecting metal can be embedded through a dry etching treatment, without using a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法を用いることなく、ドライエッチング処理によって接続用金属の埋め込み工程を完了することができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This configuration allows the planar shape of an epipolysilicon film 24 functioning as a stopper for CMP processing to be almost the same as that of the element isolation layer 13.例文帳に追加

このような構成であれば、ＣＭＰ処理のストッパーとして機能するエピポリシリコン膜２４の平面形状も素子分離層１３とほぼ同一の形状となる。 - 特許庁

To provide highly reliable semiconductor device, without nonconformities such as the disconnection of wiring due to the retention and scattering of slurry that is used in the CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法で用いるスラリーの残留・飛散に起因した配線の断線等の不具合を有さず、高い信頼性の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide Cu (copper) wiring forming method, in which elution of Cu will not be generated upon CMP (chemical mechanical polishing) when the Ru material is employed as a barrier metal film for the Cu wiring.例文帳に追加

Ｒｕ材料をＣｕ配線のバリアメタル膜として使用した際、ＣＭＰ時にＣｕ溶出の発生しないＣｕ配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing head in a CMP polishing device, which will disengage a polished wafer in a moment that is absorbed and held by itself.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨装置における研磨ヘッドであって、該研磨ヘッドに吸着保持された研磨済ウェーハを短時間で離脱させることを目的とする。 - 特許庁

The CMP polishing liquid contains an α-amino acid represented by general formula (1) [wherein R^1 represents an alkyl group with 1 to 2 atoms which may be substituted with a hydroxyl group, or a hydrogen atom], phosphoric acids, an oxidizing agent, and abrasive grains.例文帳に追加

本発明のＣＭＰ研磨液は、下記一般式（１）で表されるα−アミノ酸、リン酸類、酸化剤及び砥粒を含有する。 - 特許庁

The surface of the organic compound film 2 is exposed by polishing (etch back) through the use of CMP, RIE, etc., (c), and the organic compound film 2 is removed (d).例文帳に追加

ＣＭＰ、ＲＩＥ等により研磨（エッチバック）を行って有機化合物膜２の表面を露出させ（ｃ）、有機化合物膜２を除去する（ｄ）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of polishing a metallic film entirely on a wafer in just proportion by a chemical mechanical polishing (CMP) method.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学的機械研磨）法による金属膜の研磨をウエハ全体で過不足なく行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide polishing liquid for metal and a polishing method that have a fast CMP speed and can improve flatness of a polished surface with small dishing.例文帳に追加

、迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシングが少なく被研磨面の平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device chemical mechanical polishing (CMP) slurry composition for polishing a phase-change memory device at high speed.例文帳に追加

本発明は、高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

After forming an element isolation oxide film 118, a CMP is conducted with a silicon nitride film 118 as a stopper and the element isolation oxide film 118 is planarized.例文帳に追加

素子分離酸化膜１１８を形成後、シリコン窒化膜１１８をストッパとしてＣＭＰ処理を実行して素子分離酸化膜１１８を平坦化する。 - 特許庁

To enhance flexural strength of a semiconductor chip by increasing an R-shaped curvature radius at the edge of the rear surface of a semiconductor chip in CMP (Chemical Mechanical Polishing).例文帳に追加

ＣＭＰにおいて，半導体チップの裏面のエッジ部におけるＲ形状の曲率半径を大きくし，半導体チップの抗折強度をさらに高める。 - 特許庁

Next, the copper film 7 and the barrier metal 6 are ground and removed in this order by a CMP method until the upper surface of the rare gas atom containing layer 3 is exposed.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法により、希ガス原子含有層３の上面が露出するまで銅膜７及びバリアメタル６をこの順に研磨除去する。 - 特許庁

Used slurry discharged from polishing equipment, like CMP equipment, is subjected to recycling by concentration adjusting treatment, particle size adjustment treatment and PH adjusting treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ装置などの研磨装置から排出される使用済みスラリーを、濃度調整処理、粒径調整処理、ＰＨ調整処理によりリサイクルする。 - 特許庁

To provide a CMP method and apparatus which can suppress a decline in yield of a product by reducing scratches on a polished surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板被研磨面のスクラッチを低減し、製品歩留の低下を抑制することの可能なＣＭＰ法及びＣＭＰ装置を提供すること。 - 特許庁

In manufacture for such a damascene wiring structure, the first SRO layer 4 acts as an etching stopper film, and the second SRO layer 6 acts a stopper film for CMP.例文帳に追加

このようなダマシン配線構造の製造において、第１のＳＲＯ層４がエッチングストッパ膜に、第２のＳＲＯ層６がＣＭＰのストッパ膜になる。 - 特許庁

A correction amount output part 340 outputs a correction amount Cmp corresponding to an image signal to a 2nd data line varying in voltage due to selection of blocks.例文帳に追加

補正量出力部３４０は、ブロックの選択により電圧変位する第２のデータ線への画像信号に対応して補正量Ｃmpを出力する。 - 特許庁

The film 3 is polished by a CMP(chemical-mechanical polishing) method until a thickness of the film from the gate electrode 2 becomes 0.8 μm to be thereby flatten.例文帳に追加

さらに、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁膜３をゲート電極２からの厚さが０．８μｍとなるまで研磨し、層間絶縁膜３を平坦化する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid with which even a film composed principally of an organic compound which is "softer" than an inorganic film can be selectively polished through a CMP process.例文帳に追加

無機膜と比較して「柔らかい」有機化合物を主成分とする膜であっても、ＣＭＰプロセスにより選択的に研磨可能な研磨液を提供する。 - 特許庁

To achieve drying using HFE (hydrofluoroether) as a solvent for drying adaptively to spin drying which is widely employed for existent CMP apparatuses etc.例文帳に追加

既存のＣＭＰ装置等で広く採用されているスピン乾燥に対応させて、乾燥用溶剤としてＨＦＥを使用した乾燥を実現できるようにする。 - 特許庁

Alternatively, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process and a process of forming a silicon carbide film by epitaxial growth can be used as the seed crystal 1.例文帳に追加

また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing (CMP) apparatus includes: a polishing table 12; a head 11; a slurry supply 16; a mechanical conditioner 14; and a chemical conditioner 15.例文帳に追加

化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置は、研磨テーブル１２、ヘッド１１、スラリー供給部１６、機械的コンディショナ１４、及び化学的コンディショナ１５を有する。 - 特許庁

The CMP system further comprises a slurry processing unit for processing used slurry from the abrasive unit and delivering the processed slurry to the abrasive unit.例文帳に追加

ＣＭＰ系は、研磨装置からの使用済みスラリーを処理するための、そして処理されたスラリーを研磨装置に送達するためのスラリー処理機も含有する。 - 特許庁

Based on the evaluation result, the dressing conditions of a dresser 4 are optimized, and accurate CMP machining is made while maintaining the improved surface state of the pad.例文帳に追加

この評価結果に基づいてドレッサー４のドレッシング条件を最適化し、良好なパッドの表面状態を維持しながら高精度のＣＭＰ加工を行う。 - 特許庁

To carry out the silicide formation of the source drain portion and the full silicide formation of the gate electrode at once, and to prevent the retreat of a sidewall because of CMP processing.例文帳に追加

ソースドレイン部のシリサイド化およびゲート電極のフルシリサイド化を１回で行うとともに、ＣＭＰ処理によるサイドウォールの後退を防ぐことを目的とする。 - 特許庁

Local wiring is formed in a laminated structure which is formed after the local wiring is flattened by CMP through the contact holes 9 and 10 of an interlayer film 8.例文帳に追加

局所配線は、層間膜８に設けられたコンタクト９、１０を介してＣＭＰで平坦化された後に形成された積層構造である。 - 特許庁

A scratch is formed on the first insulating film 51 by polishing abrasive gains in this CMP time, and the part is embedded with copper so that residual metal 54 can be formed.例文帳に追加

このＣＭＰ時に研磨砥粒により第１の絶縁膜５１上にスクラッチが形成され、その部分に銅が埋め込まれて金属残５４が形成される。 - 特許庁

Subsequently, a second CMP is performed under such conditions as the polishing rate of Cu is equal to or higher than the polishing rate of TaN thus forming a Cu interconnect line 13.例文帳に追加

次に、Ｃｕの研磨レートが、ＴａＮの研磨レートと同等以上となる条件で、第２のＣＭＰを行い、Ｃｕ配線１３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for CMP polishing, capable of selectively polishing a surface to be polished at a stably polishing speed and highly planarizing the surface.例文帳に追加

安定した研磨速度で被研磨面を選択的に研磨することができ、高平坦化することが可能であるＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide CMP polishing liquid that can polish a metal film at high polishing speed with excellent flatness and a method of polishing a substrate using the same.例文帳に追加

金属膜を高研磨速度で且つ平坦性よく研磨することが可能なＣＭＰ研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for effectively removing abrasive particles which remain on a surface after a flattening process by CMP.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化工程後に表面上に残った研磨粒子を効果的に除去する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pipe connecting structure for a rotary joint preventing contamination such as metal ions and further miniaturized, for example, in a CMP polishing device.例文帳に追加

例えばＣＭＰ研磨装置において、金属イオンの汚染等を防止でき、また、より小形化し得るロータリジョイントの配管接続構造を提供する。 - 特許庁

The polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17, a polysilicon layer 19, sidewall insulating layers 25a and 25b, and field oxide layers 27a and 27b are polished by the CMP.例文帳に追加

次に、ＣＭＰにより、ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７、ポリシリコン層１９、サイドウォール絶縁層２５ａ、２５ｂおよびフィールド酸化層２７ａ、２７ｂを研磨する。 - 特許庁

On the surface of a silicon oxide film 111a where a micro scratch 115 is generated by CMP, a silicon oxide film 121a made of an organic SOG film is formed.例文帳に追加

ＣＭＰによりマイクロ・スクラッチ１１５が発生した酸化シリコン膜１１１ａの表面に、有機ＳＯＧ膜からなる酸化シリコン膜１２１ａが形成される。 - 特許庁

To provide a polishing pad having hydrophilic nature and durability and used in a CMP improved in maintenance of polishing slurry on a pad surface.例文帳に追加

親水性及び耐久性を有し、パッド表面の研磨スラリーの保持性を改善したＣＭＰにおいて用いられる研磨パッドを提供することを目的とする。 - 特許庁

Lower layer interconnections 3, 4 having a broad intersection 4a and a narrow connection 3a in an lower layer insulation film 2 are formed by damascene method using CMP.例文帳に追加

下層絶縁膜２に幅広の交差部４ａと幅狭の接続部３ａを有する下層配線３、４をＣＭＰを用いたダマシン法により形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a scouring pad, in which polymer capsules useful for flattening a base material by CMP working using a scouring composition are embedded.例文帳に追加

研磨組成物を使用するＣＭＰ加工で基材を平坦化するのに有用な、ポリマーカプセルを埋め込まれた研磨パッドを製造する方法を提供する。 - 特許庁