| 例文 |
Common drainの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 205件
A drain port 6 on the server 2 is connected to a drain pipe 4 through a common drain pipe 17.例文帳に追加
サーバー2の排水口6を共通の排水管17で排水ヘッダー4に接続する。 - 特許庁
Drain from each drain separation points is recovered to the common drain pot 8a with blow-through of gas and reverse flow of the drain prevented.例文帳に追加
各ドレン分離個所からのドレンを、ガスの吹き抜けや、ドレンの逆流を防止した状態で共通のドレンポット8aへ回収させる。 - 特許庁
A common drain electrode and its interconnect line are shown at 806.例文帳に追加
806は共通のドレイン電極およびドレイン配線である。 - 特許庁
Respective memory cells are provided with a common source formed in a base and a common drain.例文帳に追加
それぞれのメモリセルは、ベース内に形成された共用のソースと、共用のドレインとを備える。 - 特許庁
Drain pipes 12A and 12B from the heat exchangers 11A and 11B are connected to a common drain tank 20.例文帳に追加
熱交換器11A、11Bからのドレン管12A、12Bは共通のドレンタンク20に接続されている。 - 特許庁
The drain of a transistor N7 constituting an N type sense amplifier NSAt is connected to a common line SA, and the drain of a transistor N8 is connected to a common line /SA.例文帳に追加
N型センスアンプNSAtを構成するトランジスタN7のドレインが共有線SAに接続され、トランジスタN8のドレインが共有線/SAに接続される。 - 特許庁
Further, the common drain source line DSL in one group G_N and the common drain source line DSL in other group G_N are different from each other.例文帳に追加
さらに、一のグループG_Nにおける共通のドレインソース線DSLと、他のグループG_Nにおける共通のドレインソース線DSLとが互いに異なっている。 - 特許庁
A common source plug formed on a common source and a portion of a drain contact plug formed on a drain are formed together with word lines and select lines.例文帳に追加
共通ソース上に形成される共通ソースプラグやドレイン上に形成されるドレインコンタクトプラグの一部をワードライン及びセレクトラインと共に形成する。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY CELL ARRAY HAVING COMMON DRAIN LINE AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加
共通のドレインラインを備える不揮発性メモリセルアレイ及びその動作方法 - 特許庁
A first vertical drain pipe 20 is arranged at a common road T side facing the north side of an exclusive housing site J and a second vertical drain pipe 22 is disposed at the balcony side opposite to the common road T.例文帳に追加
本発明では、水回り器具の多様なレイアウトに容易に対応することができる排水立て管の配管構造を提供する。 - 特許庁
Neighboring memory cells in each column have a common source contact point or a common drain contact point.例文帳に追加
各列において隣り合うメモリーセルは、共通のソース接続点、または、共通のドレイン接続点を共有している。 - 特許庁
A multiplicity of such cells 35 are arranged and commonly connected by common source electrodes 36, 37, common drain electrodes 38,39, and common gate electrodes 40, 41.例文帳に追加
セル35を多数本配置し、共通ソース電極36、37、共通ドレイン電極38、39、及び共通ゲート電極40、41で共通接続する。 - 特許庁
A drain D1 of the control transistor receives an input voltage of the common die on one side face (for example, an upper face) of the common die.例文帳に追加
制御トランジスタのドレインD1が共通ダイの入力電圧を共通ダイの一側面(例えば上面)で受ける。 - 特許庁
A multiplicity of such cells 35 are arranged and commonly connected by common source electrodes 36, 37 and common drain electrodes 38, 39.例文帳に追加
セル35を多数本配置し、共通ソース電極36、37、共通ドレイン電極38、39で共通接続する。 - 特許庁
Further, the signal line includes: a transfer control line 8; a reset control line 9; a reset drain line 7; a common drain line 10; and a common vertical (output) signal line 11.例文帳に追加
また、信号配線は、転送制御線8、リセット制御線9、リセットドレイン線7、共通ドレイン制御線10、共通垂直(出力)信号線11を有する。 - 特許庁
The drain of a transistor N9 constituting an N type sense amplifier NSAb is connected to the common line SA, and the drain of a transistor N10 is connected to the common line /SA.例文帳に追加
N型センスアンプNSAbを構成するトランジスタN9のドレインが共有線SAに接続され、トランジスタN10のドレインが共有線/SAに接続される。 - 特許庁
Further, the signal line includes: a transfer control line 8; a reset control line 9; a reset drain line 7; a common drain control line 10; and a common vertical (output) signal line 11.例文帳に追加
また、信号配線は、転送制御線8、リセット制御線9、リセットドレイン線7、共通ドレイン制御線10、共通垂直(出力)信号線11を有する。 - 特許庁
Further, a signal wiring has a transfer control line 8, a reset control line 9, a reset drain line 7, a common drain control line 10, and a vertical (output) common signal line 11.例文帳に追加
また、信号配線は、転送制御線8、リセット制御線9、リセットドレイン線7、共通ドレイン制御線10、共通垂直(出力)信号線11を有する。 - 特許庁
This causes a drain voltage to be impressed in common on drain electrodes D of a prescribed number of MMICs 40-1 to 40-n.例文帳に追加
これによって、ドレイン電圧が所定数のMMIC40−1〜40−nのドレイン電極Dに共通に印加される。 - 特許庁
Both transistor devices share common drain and gate electrodes.例文帳に追加
これらのトランジスタデバイスはともに、共通のドレイン電極およびゲート電極を共有している。 - 特許庁
To enable wash place drain to be discharged efficiently in a drain trap having a reception chamber for receiving wash place drain and a bathtub drain channel in which bathtub drain flows, from which drain water is discharged through a common outflow port.例文帳に追加
洗い場排水を受け入れる受入室と、浴槽排水が流入する浴槽排水流路とを有し、該受入室及び浴槽排水流路から水が共通の流出口を通って排水される排水トラップにおいて、洗い場排水が効率よく排出されるようにする。 - 特許庁
The first gate 6a and the second gate 6b are provided with respect to the same (common) source 4 and the same (common) drain 5.例文帳に追加
第1のゲート6aおよび第2のゲート6bは、同一(共通)のソース4および同一(共通)のドレイン5に対して設けられている。 - 特許庁
A drain contact 10 and a well contact 11 are made common in the same active region.例文帳に追加
ドレインコンタクト10とウェルコンタクト11を同じ活性領域(アクティブ領域)で共通化している。 - 特許庁
PIPING SLEEVE STRUCTURE BETWEEN BUILDINGS AND COMMON- USE DRAIN EQUIPMENT USING IT BETWEEN BUILDINGS例文帳に追加
建屋間の配管スリーブ構造及びその構造を用いた複数建屋間の共用排水設備 - 特許庁
A slit part is arranged on a center of the shield common electrode which overlaps with the drain wire in mutually different layers.例文帳に追加
ドレイン配線と異層で重なっているシールド共通電極の中央にスリット部を設ける。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory cell array having common drain lines, and a method of operating the same.例文帳に追加
共通のドレインラインを備える不揮発性メモリセルアレイ及びその動作方法を提供する。 - 特許庁
The drain diffusion layers of the transistors T1 and T2 are connected to a common bit line.例文帳に追加
第1および第2トランジスタの各々のドレイン拡散層が共通のビット線に接続される。 - 特許庁
The respective transistors P3, N1 are connected in series and common drain current I3 flows to them and the drain current I3 shows a current value corresponding to drain current I1 of a transistor P1.例文帳に追加
各トランジスタP3,N1は直列接続されて共通のドレイン電流I3が流れ、ドレイン電流I3はトランジスタP1のドレイン電流I1に対応した電流値になる。 - 特許庁
A power MOSFET for switching on and off a load current of a load connected to the drain, and a MOSFET for receiving a fed constant current at the drain as a reference for detecting the current, are wired in the source-common and drain-common connection to form a current mirror circuit.例文帳に追加
ドレインに接続された負荷の負荷電流を開閉するパワーMOSFETと、電流検出の基準となる定電流の供給をドレインに受けるMOSFETとをソース共通、ドレイン共通に接続してカレントミラー回路を構成する。 - 特許庁
A gate 4G and a drain 4D of the MOS transistor 4 are connected in common, and a drain 3D of a MOS transistor 3 is connected to an output terminal 7.例文帳に追加
MOSトランジスタ4のゲート4Gとドレイン4Dは共通接続され、MOSトランジスタ3のドレイン3Dは出力端子7に接続される。 - 特許庁
Drain of the TP12 is connected in common with the source of the TN12, the source of the TP13 and the drain of the TN13 and an output X is taken out therefrom.例文帳に追加
TP12のドレインは、TN12のソース、TP13のソースおよびTN13のドレインと共通に接続し、ここから出力Xを取り出す。 - 特許庁
The drain regions and the source regions are formed in parallel in a common semiconductor substrate, and source resistance is made higher than drain resistance.例文帳に追加
ドレイン領域及びソース領域は、共通の半導体基板に互いに平行に延在して形成されていて、ソース抵抗をドレイン抵抗よりも高くしてある。 - 特許庁
To provide a low tank stabilizing the opening action of a drain valve in the low tank while following the actuation mechanism of the existing drain valve and making the parts common.例文帳に追加
現状の排水弁の動作機構をそのまま踏襲して、部品の共用化などを図りながら、ロータンク内の排水弁の開放動作を安定させる。 - 特許庁
In respective groups G_N, all input terminals IN are connected to a common drain source line DSL.例文帳に追加
各グループG_Nにおいて、全ての入力端子INが共通のドレインソース線DSLに接続されている。 - 特許庁
To restrain an electrical connection between a common electrode and two drain regions from being insufficient.例文帳に追加
共通電極と2つのドレイン領域との電気的な接続が不十分になることを抑制する。 - 特許庁
A current mirror circuit comprising transistors M11, M12 is connected to the second common source amplifier M10 and a drain current of the second common source amplifier M10 drives the transistor M12.例文帳に追加
第2のソース接地アンプM10には電流ミラー回路M11,M12を接続し、これを第2のソース接地アンプM10のドレイン電流によって駆動する。 - 特許庁
Diodes are connected between control terminals of components configuring the totempole of the totempole type push-pull amplifier adopting a common collector follower output and a common drain follower output.例文帳に追加
共通コレクタフォロア、共通ドレインフォロア出力のトーテムポール型プッシュプル増幅器のトーテムポールを構成する素子の制御端子間にダイオードを接続する。 - 特許庁
A switch S3 is arranged between a source of the first field-effect transistor and a drain of the second field-effect transistor and a switch S2 is connected between a gate connected in common and a source/drain connected in common.例文帳に追加
第1の電界効果トランジスタのソースと第2の電界効果トランジスタのドレインとの間にスイッチS3を設け、共通接続されたゲートと共通接続されたソース・ドレインとの間にスイッチS2を設ける。 - 特許庁
The cell connected to the common gate and drain electrodes 40 and 38 is formed as a first transistor 6, while the cell connected to the common gate and drain electrodes 41 and 39 are formed as a second transistor 7.例文帳に追加
共通ゲート電極40と共通ドレイン電極38に接続されたセルを第1のトランジスタ6、共通ゲート電極41と共通ドレイン電極39に接続されたセルを第2のトランジスタ7として構成する。 - 特許庁
The semiconductor substrate 10 serves as a common drain electrode for the first and second MOS transistors TR1 and TR2.例文帳に追加
半導体基板10は、第1及び第2のMOSトランジスタTR1,TR2の共通のドレイン領域となる。 - 特許庁
Programming each cell is effected by voltage biasing a common control gate line and source/drain for a sensing transistor 12.例文帳に追加
セルのプログラミングは、共通の制御ゲートラインと、感知トランジスタのソース/ドレインとをバイアスする電圧により行われる。 - 特許庁
An ion is implanted to the exposed substrate to form a common source region 120 and a drain region 122.例文帳に追加
露出された基板にイオン注入して共通ソース領域120及びドレイン領域122を形成する。 - 特許庁
A plurality of source/drain regions are formed on the active regions, and each source/drain region has in common two memory cells adjacent to each other of the plurality of the memory cells.例文帳に追加
活性領域には、複数のソース/ドレイン領域が形成されており、ソース/ドレイン領域は、複数のメモリセルのうち、相互隣接した2つのメモリセルを共有する。 - 特許庁
A gate 11G and a drain 11D of the MOS transistor 11 are connected in common, and are also connected to a drain 2D and an output terminal 5 of the MOS transistor 2.例文帳に追加
MOSトランジスタ11のゲート11Gとドレイン11Dは、共通接続されているとともに、MOSトランジスタ2のドレイン2D及び出力端子5に接続される。 - 特許庁
Acidic drain produced upon latent heat in combustion exhaust gas in a heat exchanger 18 being recovered passes through a drain passage 35, and is mixed with hot water supply drain used at a hot water supply destination such as a kitchen and a toilet, etc., in a drain tube 65 and is diluted, and is thereafter discharged to a common drain passage such as a sewage 66.例文帳に追加
熱交換器18で燃焼排気中の潜熱を回収する際に発生する酸性ドレンは、ドレン通路35を通り、排水管65において台所や洗面所等の給湯先で使用された給湯排水と混合して希釈されながら、下水道66等の一般排水通路へ排出される。 - 特許庁
A drain electrode 15 is therefore disposed between a common potential line COM and the gate line GL and a first contact part C1 overlaps with the common potential line COM.例文帳に追加
そのためドレイン電極15は共通電位線COMとゲート線GLの間に配置され、第1のコンタクト部C1は、共通電位線COMにオーバーラップする。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
JESC: Japanese-English Subtitle Corpus映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書のコンテンツは、特に明示されている場合を除いて、次のライセンスに従います: Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0) |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0)