「Exposed (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

On the exposed side surface of the fin portion, an oxide film 71 is formed and removed.例文帳に追加

露出させたフィン部側面に酸化膜７１を形成し除去する。 - 特許庁

A conductive film 8 is formed on the exposed surface of the resin block 6.例文帳に追加

樹脂ブロック６の露出面に導電膜８を形成する。 - 特許庁

A part of the seed layer 120 is exposed by the pattern dry film layer.例文帳に追加

シード層１２０の一部がパターンドライフィルム層により露出される。 - 特許庁

Next, the base film is removed by the portion of an optional thickness from an exposed surface (S4).例文帳に追加

次に、下地膜を露出表面から任意の厚さ分除去する（Ｓ４）。 - 特許庁

Therefore, the conductive film 13 is not completely exposed.例文帳に追加

そのため、導電性膜１３が完全に露出してしまうことがない。 - 特許庁

Thereafter, it is exposed and then developed after removing the protective film 10.例文帳に追加

その後，露光してから保護フィルム１０を除去し，次いで現像する。 - 特許庁

The film body 23 has both surfaces thereof substantially exposed.例文帳に追加

膜状体２３の両側面は実質的に露出されている。 - 特許庁

A laminated film given by using the curing-type water-based non-exposed surface coating and sequentially forming a base coat film and a non-exposed surface film which is formed by using the curing-type water-based non-exposed surface coating on a coated material.例文帳に追加

積層塗膜は、硬化型水系非露出面用塗料を用い、被塗物に、ベースコート塗膜と硬化型水系非露出面用塗料を用いて形成した非露出面塗膜を順次形成して成る。 - 特許庁

A laminated film given by using the curing-type solvent-based non-exposed surface coating and sequentially forming a base coat film and a non-exposed surface film which is formed by using the curing-type solvent-based non-exposed surface coating on a coated material.例文帳に追加

積層塗膜は、硬化型溶剤系非露出面用塗料を用い、被塗物に、ベースコート塗膜と硬化型溶剤系非露出面用塗料を用いて形成した非露出面塗膜を順次形成して成る。 - 特許庁

The underlying film 12 is then exposed by subjecting the electrode film 13 to reactive ion etching with chlorine based gas.例文帳に追加

塩素系ガスにより電極膜１３を反応性イオンエッチングして下地膜１２を露出させる。 - 特許庁

A photoresist film for etching a lower electrode material film is exposed by using an evaporation mask.例文帳に追加

下部電極材料膜をエッチングするためのフォトレジスト膜を、蒸着マスクを用いて露光する。 - 特許庁

Then the exposed portion of the metallic film 11 and the remainder of the photoresist film 12 are removed.例文帳に追加

次いで、金属膜１１の露出している部分及び残りのフォトレジスト膜１２を除去する。 - 特許庁

The surface of the conductive film 5 is exposed again by removing the oxide film 9, selectively.例文帳に追加

酸化膜９を選択的に除去して導電膜５の表面を再び露出させる。 - 特許庁

To provide a technology that can selectively form a film on a part exposed from an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜から露出した部分に選択的に膜を形成可能な技術を提供する。 - 特許庁

The front surface side of the embedded silicon oxide film BI is polished until the silicon nitride film ST1 is exposed.例文帳に追加

シリコン窒化膜ＳＴ１が露出するまで埋込シリコン酸化膜ＢＩの表面側が研磨される。 - 特許庁

The silicon nitride film 86 exposed on the bottom surface of an opening 116 constitutes a reflection preventing film.例文帳に追加

開口部１１６の底部に露出したシリコン窒化膜８６は反射防止膜を構成する。 - 特許庁

FILM UNIT WITH LENS, ITS EXPOSED FILM TAKE-OUT METHOD, AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

レンズ付きフィルムユニット、その露光済みフィルム取出し方法及びその製造方法 - 特許庁

When the shield layer 22B laminated on a remaining film layer 22A wears out, the remaining film layer 22A is exposed.例文帳に追加

残膜層２２Ａ上に積層された遮蔽層２２Ｂが摩耗してなくなると、残膜層２２Ａが露出する。 - 特許庁

Then, an exposed nitride film 108 and a buffer oxide film 106 are sequentially etched to remove the both.例文帳に追加

次に、露出した窒化膜１０８およびバッファ酸化膜１０６を順次エッチングして除去する。 - 特許庁

The interlayer insulation film in the fuse region is removed by etching and the stopper film is exposed.例文帳に追加

ヒューズ領域の層間絶縁膜をエッチングにより除去して、ストッパ膜を露出する。 - 特許庁

In this case, an offset 50 is provided wherein the nitride film 202 is exposed around the second oxide film.例文帳に追加

このとき、第２の酸化膜周囲に窒化膜202が露出したオフセット部50を設ける。 - 特許庁

A plating film 8 acting as a metal film is formed on an exposed surface of the copper paste 7.例文帳に追加

銅ペースト７の露出面に金属膜としてのめっき膜８を形成する。 - 特許庁

Next, the Al film 42h is etched until a surface of a SiO2 film 43g is exposed.例文帳に追加

次に、Ａｌ膜４２ｈをＳｉＯ_2膜４３ｇの表面が露出するまでエッチングする(e)。 - 特許庁

At least a part of the semiconductor film which is exposed from the metal film is removed by wet etching.例文帳に追加

金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁

An upper part of the polycrystalline film 9a is exposed and a metal film is formed and subjected to silicide-making processing.例文帳に追加

多結晶シリコン膜９ａの上部を露出させ、金属膜を形成してシリサイド化をする。 - 特許庁

The formed insulating film is exposed, by using a mask and developed to form a pretilt film 310.例文帳に追加

次に、形成された絶縁膜をマスクを用いて露光現像してプレチルト膜３１０を形成する。 - 特許庁

The interconnection layer and the second insulating film are ground until the first insulating film is exposed.例文帳に追加

第１の絶縁膜が露出するまで配線層及び第２の絶縁膜を研磨する。 - 特許庁

Then the surface of the TiN film 109 is exposed to SiH4, to form a TiSiN film 110.例文帳に追加

次に、ＴｉＮ膜１０９の表面をＳｉＨ４に暴露し、ＴｉＳｉＮ膜１１０を形成する。 - 特許庁

The photosensitive insulating film is exposed and developed to form ruggedness on the surface of the photosensitive insulating film.例文帳に追加

この感光性絶縁膜を露光現像して、感光性絶縁膜の表面に凹凸を形成する。 - 特許庁

The exposed surface of the capacity film is oxidized thermally, and a second upper-layer insulating film 110 is formed.例文帳に追加

次に、露出した容量膜表面を熱酸化して第２の上層の絶縁膜110を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film is flattened to make the surface of the polysilicon film 106 exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８を平坦化してポリシリコン膜１０６の表面を露出させる。 - 特許庁

The interlayer insulting film is polished by means of a CMP method until the diffusion protective film 26 is exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜１０ａを拡散防止膜２６の部分が露出するまでＣＭＰ法により研磨する。 - 特許庁

Since the thin film 27 can avoid being exposed to an etchant, the variation of the thin film 27 can be suppressed.例文帳に追加

誘電体薄膜２７をエッチャントに晒さずに済むので、そのばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

A ferroelectric film 106 is formed from above the lower electrode film exposed from an aperture 60 of the paraelectric film over the paraelectric film in the periphery of the exposed lower electrode film.例文帳に追加

常誘電体膜の開口部６０から露出している下部電極膜上から、当該露出している下部電極膜の周囲の常誘電体膜上にわたって、強誘電体膜１０６を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor substrate 1 is exposed by removing the exposed liner film 26 by etching in a vacuum, and a conductive film is formed on the exposed semiconductor substrate 1 continuously in the vacuum, thus forming a contact structure.例文帳に追加

この後、露出したライナ膜２６を真空中でエッチング除去し、半導体基板１を露出させ、当該真空中で連続して、露出した半導体基板１上に導電膜を形成することでコンタクト構造を形成する。 - 特許庁

The antireflection film is exposed together with a photoresist film to be converted to a developable structure and the antireflection film is developed simultaneously with the photoresist film.例文帳に追加

前記反射防止膜はフォトレジスト膜と共に露光されて現像可能な構造に変った後、前記フォトレジスト膜と同時に現像される。 - 特許庁

The silicon nitride film 30 is etched with the glass film 29 as a stop film, and the glass film 29 is exposed.例文帳に追加

ガラス膜２９をストップ膜としてシリコン窒化膜３０をエッチングし、ガラス膜２９を露出させる。 - 特許庁

There are removed the nitride film 12 and the SOG film 13 exposed under substantially the same condition in the etching selection ratio of the nitride film 12 and the SOG film 13.例文帳に追加

窒化膜１２とＳＯＧ膜１３のエッチング選択比がほぼ同じ条件で露出している窒化膜１２とＳＯＧ膜１３を除去する。 - 特許庁

A metal film 30 is formed as a third film in a region wherein a photo resist 20 is not formed on a metal film 10 and the metal film 10 is exposed.例文帳に追加

金属膜１０の上にフォトレジスト２０がなく金属膜１０が露出している領域に、第３の膜としての金属膜３０を生成する。 - 特許庁

An EL film 14 is formed on the exposed part of the ITO film 12, and a conductive film 15 is formed on the EL film 14.例文帳に追加

ＩＴＯ膜１２の露出部にＥＬ膜１４を形成し、ＥＬ膜１４の上に導電膜１５を形成する。 - 特許庁

The photoresist is exposed to a developer for dissolving the exposed photoresist and a selected part of the thin film is removed.例文帳に追加

フォトレジストは、露光後のフォトレジストを溶解する現像液に晒され、薄膜の選択部分が除去される。 - 特許庁

The sides of the silicon electrode 5 exposed at the process are covered by an insulating film 21 with the surface of the silicon electrode 5 exposed.例文帳に追加

シリコン電極５の表面を露出させた状態で、先の工程で露出したシリコン電極５の側壁を絶縁膜２１で覆う。 - 特許庁

An acid catalyst 8 is generated in an exposed part in the resist film 6 and the exposed part is made soluble in a developing solution.例文帳に追加

レジスト膜６内の露光部分には酸触媒８が発生し、露光された部分が現像液に対して可溶性となる。 - 特許庁

In a region of the insulation film covering the drain electrode, the central part is entirely exposed to light and the peripheral part is exposed to light to the half thickness.例文帳に追加

ドレイン電極を覆う絶縁膜の領域では、中央部の全体を感光させ、周辺部を半分の厚みまで感光させる。 - 特許庁

The exposed wafer is carried to a development unit 13, and the exposed resist film is supplied with developer, and development processing is performed.例文帳に追加

露光されたウエハを現像ユニット１３に搬送し、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像処理を行なう。 - 特許庁