「Exposed (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In this insulating film, the base region 11 is not exposed to the front surface, and the front surface region 12 is exposed.例文帳に追加

本絶縁膜においては、ベース領域１１が表面に露出せず、表面領域１２が露出する。 - 特許庁

After etching and removing selectively the protection film 24 exposed to the opening 40 relatively to the plating seed film 22, a plating film to be changed into a barrier metal is formed on the plating seed film 22 exposed to the opening 40.例文帳に追加

開口部４０に露出した保護膜２４をシード膜２０に対して選択的にエッチング除去した後、開口部４０に露出したシード膜２２上にバリアメタルとなるめっき膜を形成する。 - 特許庁

Next, a protective film is formed, and gate pads and data pads are exposed by removing the protective film as well as the gate insulating film corresponding to the exposed part of the thin film transistor substrate by dry-etching after the assembly process.例文帳に追加

その次に、保護膜を形成し、アセンブリー工程後に薄膜トランジスタ基板の露出された部分に該当する保護膜をゲート絶縁膜と共に乾式エッチングで除去してゲートパッドとデータパッドとを露出させる。 - 特許庁

In this case, a flank of the low-dielectric-constant film 4 outside the groove 6 is exposed, but even if the exposed low-dielectric-constant film 4 peels, only the flank of the projection film 10 is exposed and the low-dielectric-constant film 4 inside the groove 6 never peels successively thereto.例文帳に追加

この場合、溝６の外側における低誘電率膜４の側面が露出されているが、この露出された低誘電率膜４が剥離しても、保護膜１０の側面が露出されるだけであり、溝６の内側における低誘電率膜４がそれに続いて剥離することはない。 - 特許庁

The surface of a laminate is covered with an insulation film; the end of the thermoelectric film that is the lowest lower in the thermoelectric film is exposed from the insulation film for covering the surface of the laminate; and the end of the thermoelectric film that is the highest layer in the thermoelectric film is exposed from the insulation film for covering the surface of the laminate.例文帳に追加

積層体の表面が絶縁膜により覆われ、熱電膜のうちの最下層である熱電膜の端部が、積層体の表面を覆う絶縁膜から露出し、熱電膜のうちの最上層である熱電膜の端部が、積層体の表面を覆う絶縁膜から露出している。 - 特許庁

Each organic EL element has a thick film 33ac of relatively large film thickness provided nearby the center of an exposed part where a portion of a lower electrode is not covered with an interlayer insulating film 33b to be exposed, and a thin film 33ae of relatively small film thickness arranged on the exposed part and nearby an end of the exposed part.例文帳に追加

各有機ＥＬ素子が、下部電極の一部が層間絶縁膜３３ｂによって被覆されずに露出した露出部の中央部近傍に配置された膜厚が相対的に大きな厚膜部３３ａｃと、露出部上であって当該露出部の端部近傍に配置された膜厚が相対的に小さな薄膜部３３ａｅとを有する。 - 特許庁

The polycrystal silicon film 7 is exposed, and a cobalt film is formed and a cobalt silicide film 8 is formed by a silicide treatment.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７を露出させ、コバルト膜を成膜してシリサイド処理を行いコバルトシリサイド膜８を形成する。 - 特許庁

A contact hole is formed by etching the exposed etching inhibiting film while the antireflection film 114 is left on the polysilicon film 112.例文帳に追加

ポリシリコン膜１１２上に反射防止膜１１４を残しながら、露出したエッチング阻止膜をエッチングして、コンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Thereafter, a plate electrode composed of the TiO_xN_y film 19 and TiN film 20 is formed by removing the exposed TiO_xN_y film 19.例文帳に追加

その後、露出するＴｉＯ_xＮ_y膜１９を除去することにより、ＴｉＯ_xＮ_y膜１９およびＴｉＮ膜２０からなるプレート電極を形成する。 - 特許庁

A second n-type semiconductor film 21 is formed on an exposed first semiconductor film 17 and first insulating film 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体膜２１を露出した第１の半導体膜１７と第１絶縁膜１９の上に形成する。 - 特許庁

The exposed part of the copper thin film 1 is coated with a molybdenum film (base layer protective film) 4 (only partially shown in Fig 1).例文帳に追加

銅薄膜１の露出している部分には、モリブデン膜（下地層保護膜）４が成膜されている（図１には一部のみが示されている）。 - 特許庁

The first resist pattern is removed, and a transition metal film is formed on the amorphous film and the exposed upper layer insulating film.例文帳に追加

前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。 - 特許庁

The amorphous film is processed using the first resist film as a mask and the upper layer insulating film is exposed.例文帳に追加

前記第１のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。 - 特許庁

Then, the insulating film 21c is removed selectively, and the silicon film 12c is exposed into a recess 30c surrounded by the sidewall insulating film 14c.例文帳に追加

然る後、絶縁膜２１ｃを選択的に除去して、側壁絶縁膜１４ｃに囲まれる凹部３０ｃ内にシリコン膜１２ｃを露出させる。 - 特許庁

Moreover, the aperture 52 is filled with the insulating film 25 by etching back the insulating film 25, until the surface of the conductive film 32 is exposed.例文帳に追加

さらに、その絶縁膜２５を導電膜３２の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５２を絶縁膜２５で埋め込む。 - 特許庁

Then, the USG film 7 and LTO film 8 are polished through a CMP method until the surface of the silicon nitride film 3 is exposed.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜３表面が露出するまで、ＵＳＧ膜７及びＬＴＯ膜８をＣＭＰ法を用いて研磨する。 - 特許庁

The base electrode film 21 is stuck to the exposed part of the internal electrode, and the plating film 22 is stuck to the surface of the base electrode film 21.例文帳に追加

下地電極膜２１は、内部電極の露出部に付着されており、メッキ膜２２は、下地電極膜２１の表面に付着されている。 - 特許庁

The pad nitride film 22 and the pad oxide film 21 are removed so that the semiconductor substrate 20 in the active region can be exposed, and a gate oxide film 26 is formed.例文帳に追加

パッド窒化膜２２とパッド酸化膜２１を除去してアクティブ領域の半導体基板２０を露出させ、ゲート酸化膜２６を形成する。 - 特許庁

A second layer STO film 17b becoming the overlying dielectric film 16b is formed to cover the exposed surface of the STO film 17a.例文帳に追加

ＳＴＯ膜１７ａの露出表面を覆うように、上層誘電体膜１６ｂとなる第２層目のＳＴＯ膜１７ｂを成膜する。 - 特許庁

The surface of the multi-crystal Si film 6 is exposed by washing treatment, and then an amorphous Si film 7 is formed on the multi-crystal Si film 6.例文帳に追加

洗浄処理により多結晶Ｓｉ膜６の表面が露出した状態にした後、多結晶Ｓｉ膜６上に非晶質Ｓｉ膜７を形成する。 - 特許庁

(e) A dry film photoresist is applied onto the Ti film 44 and then exposed and developed to form a choking film 49 on the openings 44-1.例文帳に追加

(e) Ｔｉ膜４４上にドライフィルムフォトレジストを被覆し、露光・現像して、開口４４−１上部に閉塞膜４９を形成する。 - 特許庁

The separation insulation films 6 on the sacrifice insulation film 3 and the film 3 are removed by polishing, to have the protective film 20 exposed.例文帳に追加

犠牲酸化膜３上の分離絶縁膜６および犠牲絶縁膜３が研磨除去され、保護膜２０が露出される。 - 特許庁

A photoresist film is then formed on the developer soluble film, and the photoresist film is exposed through a photomask.例文帳に追加

次に、現像液溶解性膜上にフォトレジスト膜を形成し、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光する。 - 特許庁

To provide a camera for both film exposure and electronic exposure in which image magnetic rewrite-in on a film strip adjacent to a finally exposed frame is attained by delaying the rewinding of the film after the last exposure.例文帳に追加

最終露光後、フィルム巻き戻しを遅延させフィルム再書込を可能とするフィルム露光、電子露光併用カメラを提供する。 - 特許庁

The second thermal oxide film is removed, and an embedded part 18 is formed by removing the second thermal oxide film and making the height of the precursor embedding oxide film same as that of a substrate exposed surface.例文帳に追加

第２熱酸化膜を除去し、かつ前駆埋込み酸化膜を、基板露出面と同一の高さとして、埋込み部１８を形成する。 - 特許庁

Consequently, the conductive fine particles constantly sustain a new exposed surface free from a gas compound film, e.g. an oxide film or a nitride film.例文帳に追加

したがって、導電性微粒子の露出面は常に酸化膜や窒化膜等のガス化合物膜のない新しい面に維持される。 - 特許庁

A second thermal oxide film is formed on the exposed surface of the board, where the HfSiON film and the first thermal oxide film have been removed.例文帳に追加

ＨｆＳｉＯＮ膜及び第１熱酸化膜が除去された基板の露出面に、第２熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect film 46 below the first insulating film 51 and the magnetoresistance effect film 46 exposed in the contact hole 53 are almost uniformly processed.例文帳に追加

第１絶縁膜５１下の磁気抵抗効果膜４６と、コンタクトホール５３で露出する磁気抵抗効果膜４６とはほぼ均一に削り取られる。 - 特許庁

After that, the dummy gate electrode 4 and the thick-film sidewalls are exposed from the interlayer insulating film to be removed, the edges of the extension region 7 and part of the semiconductor substrate 1 are exposed, and a gate insulating film is grown on the exposed surface, thus forming a gate electrode in an embedded way.例文帳に追加

次いで、層間絶縁膜からダミーゲート電極４および厚膜のサイドウォールを露出させてこれらを除去し、エクステンション領域７の端縁および半導体基板１の一部を露出させ、露出面にゲート絶縁膜を成長させゲート電極を埋込形成する。 - 特許庁

Since the insulated thin film is present in the untrimmed exposed face among the surfaces of the inductor exposed from the opening, the untrimmed exposed face is not contaminated by dust.例文帳に追加

すると前記開口部から露出するインダクタの表面のうち、トリミングされない露出面では前記絶縁薄膜が存在するので塵埃で汚染されることはない。 - 特許庁

The resist film on the seed film is removed, the seed film which is exposed by removing the resist film is removed, the seed film which is exposed by removing the resist film is removed, and the bump BM and the part 12 can be obtained on the pad 15A for interchip connection and the pad 15B for external connection.例文帳に追加

その後、シード膜上のレジスト膜を除去し、さらにレジスト膜の除去によって露出したシード膜を除去することにより、チップ間接続用パッド１５Ａおよび外部接続用パッド１５Ｂ上に、それぞれバンプＢＭおよびワイヤ接続部１２を得ることができる。 - 特許庁

A sacrificial film 16 is formed on the emitter film and on the exposed surface of the substrate 10, a second gate film 17 is formed on the whole surface of the sacrificial film 16, and then the emitter film and the first and second gate films are exposed by removing unnecessary portions including at least, a part of the substrate and, the sacrificial film 16.例文帳に追加

そして、エミッタ膜と基板の露出面の上に犠牲膜（１６）を形成し、犠牲膜の全面に第２のゲート膜（１７）を形成してから、基板と犠牲膜の少なくとも一部を含む不要部分を除去することによりエミッタ膜と第１と第２のゲート膜とを露出させる。 - 特許庁

The protective film 4 is evenly ground, and when a part of the metallic film 3 is exposed from the protective film 4, polishing is carried out with an eccentric load impressed onto the protective film 4 side, and when most of the metallic film 3 is exposed, this impression is removed and the metallic film is polished to a predetermined thickness.例文帳に追加

保護膜４を平坦に研磨し、保護膜４から金属膜３の一部が露出した段階で保護膜４側に偏心荷重を印加して研磨し、金属膜３の大部分が露出した段階で偏心荷重の印加を解消して金属膜を所定厚に研磨する。 - 特許庁

Next, the exposed conductive film 20 for source wires is etched by using the thick-film portions 21b of the resist 21 a mask, so that the impurity semiconductor film 14 is exposed.例文帳に追加

次に、レジスト２１の厚膜部２１ｂをマスクとして、露出したソース配線用導電膜２０をエッチングし、不純物半導体膜１４を露出させる。 - 特許庁

In a pre-via type dual damascene method, a via hole 10 and a wiring groove 13 are formed, and then an SiN film 8, the exposed part of an SiC film 5 and the exposed part of an SiC film 3 are removed by etching.例文帳に追加

先ビア方式のデュアルダマシン法において、ビアホール１０及び配線溝１３を形成した後、ＳｉＮ膜８、ＳｉＣ膜５の露出部及びＳｉＣ膜３の露出部をエッチングにより除去する。 - 特許庁

An exposed section of the inorganic insulated layer 21 is removed by using a resist layer 23 as a mask to expose the plated substrate film 20, and a film for a metallic thin film pattern is formed on the exposed part by a plating method.例文帳に追加

そして、レジスト層２３をマスクに無機絶縁層２１の露出部位を除去して鍍金下地膜２０を露出させ、該露出部分上に、鍍金法によって金属薄膜パターンを成膜する。 - 特許庁

To provide a hardenable emulsion capable of forming a film in which the characteristics of the film after hardening by the sunlight are maintained and further the water resistance and the stain resistance, when the film has not fully been exposed to the sunlight or before it is exposed to the sunlight, are improved.例文帳に追加

太陽光による硬化後の皮膜の特性を維持したうえで、太陽光が充分当たらないか、又は太陽光が当たる前の耐水性及び耐汚染性を改良した皮膜を形成し得る硬化性エマルションの提供。 - 特許庁

When a photoresist is exposed, the photoresist is exposed by dislocating it in the transportation direction of an insulating film in accordance with the type of the product wiring pattern of the film carrier for mounting electronic parts, which is to be formed on the surface of the insulating film.例文帳に追加

フォトレジストを露光する際に、絶縁フィルム表面に形成すべき電子部品実装用フィルムキャリアの製品配線パターンの種類に応じて、絶縁フィルムの搬送方向に位置をずらして露光する。 - 特許庁

Hereby, a film thicker that polyimide can be exposed and developed.例文帳に追加

これにより、ポジ系ポリイミドに比して厚い膜厚を露光・現像することができる。 - 特許庁

The surface of the gallium nitride semiconductor film 13e is exposed to the atmosphere 21.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体膜１３ｅの表面は雰囲気２１に露出されている。 - 特許庁

The antenna element (12) includes feeding terminals (126, 127) formed by being exposed from the resin film.例文帳に追加

アンテナ素子（１２）は、樹脂フィルムから露出して形成された給電端子（１２６，１２７）を含む。 - 特許庁

Then a bus electrode 3b is formed by developing the metal film 14 after exposed.例文帳に追加

その後、露光後の金属膜１４を現像することによりバス電極３ｂを形成する。 - 特許庁

The edge part 1E of the graphene 1a is exposed in the main surface 1S of the carbon thin film 1.例文帳に追加

炭素薄膜１の主表面１Ｓにおいてグラフェン１ａの端部１Ｅは露出している。 - 特許庁

Meanwhile, the subject image is exposed on silver salt film 11 by the silver salt photographing device.例文帳に追加

一方、銀塩撮影装置では、上記被写体像が銀塩フィルム１１に露光される。 - 特許庁

Meanwhile, the subject image is exposed on silver salt film 11 by the silver salt photographing device.例文帳に追加

一方、上記被写体像は、銀塩撮影装置によって銀塩フィルム１１に露光される。 - 特許庁