「Exposed (film)」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing an electro-optical device capable of preventing the occurrence of poor development of a resin layer by measuring a light reflectivity in an exposed area of a light reflecting film formed by removing the resin layer by development to properly determine a replacement time of a developer, and to provide a method of inspecting the electro-optical device.例文帳に追加

現像により樹脂層が除去されて形成された光反射膜の露出領域において、光反射率を測定することにより、現像液の交換時期を適切に判断して、樹脂層の現像不良の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

The pads 51 in the surface of the semiconductor device 50 are aligned so as to be exposed from the through hole 42 in the center part of the PWB 40, and the periphery part of the surface of the semiconductor device 50 and the rear surface of the PWB 40 are adhered by an adhesive material 52 of the shape of a thin film formed into a frame form.例文帳に追加

半導体素子５０表面のパッド５１は、ＰＷＢ４０の中央部の貫通孔４２から露出されるように位置合わせが行われ、この半導体素子５０の表面の外周部とＰＷＢ４０の裏面との間が、枠形に形成された薄いフイルム状の接着材５２によって固着される。 - 特許庁

To provide a linear motion device of long service life, keeping high sealing performance even when it is used under an environment of being exposed to foreign matters, by forming a hard carbon film of low friction and high abrasion resistance, on a surface of a contact part with at least an inner member of a contact seal device for sealing an opening part of a clearance.例文帳に追加

隙間の開口部を密封する接触シール装置の少なくとも内方部材との接触部分の表面に低摩擦で耐摩耗性に優れた硬質炭素皮膜を形成することによって、異物がかかりうる環境下で使用しても高いシール性を維持することができる長寿命な直動装置を提供する。 - 特許庁

A Fresnel lens 8 for turning light for exposure 7a from a light source 6 into a parallel light 7b is arranged between a mask for exposure 4 and the light source 6, and a light sensing film at the inner plane of a substrate 3 is exposed in an intended pattern by making the Fresnel lens 8 rock in a direction of the inside of the plane by a rocking means 9.例文帳に追加

露光用マスク４と光源６との間に、該光源６からの露光光７ａを平行光７ｂにするためのフレネルレンズ８を配置し、フレネルレンズ８を揺動手段９により面内方向に揺動させて、平行光７ｂにより基板３の内面の感光性塗膜を所要パターンに露光する。 - 特許庁

By this polishing operation, the protrudent part 50 gets trapezoidal in cross section, a contact hole 62 is bored in the top of the trapezoid, by which an SOG film can be prevented from being exposed on the inner wall of the contact hole 62, and irregularities can be prevented from occurring on the inner wall of the contact hole 62.例文帳に追加

このように研磨を行うと盛上部５０の断面形状は台形形状となり、この台形形状の頂上部分にコンタクトホール６２を形成するようにすれば、当該コンタクトホール６２の内壁にＳＯＧ膜５４が露出するのを防止することができ、凹凸がコンタクトホール６２の内壁に生じるのを防止することができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use of an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) and to concretely provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used and forming a resist film which suppresses outgassing and has resistance to side lobe light when exposed.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、レジスト膜に露光した際のアウトガス量が抑制され、且つサイドローブ光耐性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Measuring light 12 is emanated from a light source 7 having an inclination corresponding to a Brewster angle (determined by refractive indices of a film to be polished exposed to the surface of a wafer 3 and of polishing slurry) with respect to the normal line of the surface of the wafer 3.例文帳に追加

研磨前、ブリュースター角（ウエハ３の表面に露出している被研磨膜と研磨スラリーとの屈折率で決まる）に相当する傾きをウエハ３表面の法線に対してもつ光源７から測定光１２を出射し、ウエハ３の表面から反射光を、該反射光のｓ偏光波を除去するように偏光軸を配置した偏光板１５を通過させ、受光器８に入射した反射光により光電変換する。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

An adhesive cell 13 selectively adhesively cultivated on the surface of a cell adhesive film pattern 12 on a substrate 11 is exposed to a cultivation solution dissolving a chemical substance to be tested for cytotoxicity, the camp concentration change within the adhesive cell is then measured for every cell by use of nondestructive method, and the toxicity of the chemical substance to be tested for cytotoxicity is quantitatively determined on the basis of the result.例文帳に追加

基板１１上の細胞接着性膜パターン１２表面上に選択的に接着培養し接着性細胞１３を、被毒性試験化学物質を溶解した培養液中に一定時間暴露した後、その接着性細胞内のcAMP濃度変化を細胞毎に非破壊的手法を用いて計測し、その結果に基づき、被毒性試験化学物質の毒性を定量する。 - 特許庁

Therefore, photoresist is applied onto the top surface of the polycrystalline silicon layer 6 and then exposed to light for the formation of a resist pattern conforming to the resistor 22, where the top surface of the polycrystalline silicon layer 6 is flat, and the photoresist film can be set uniform in thickness, so that the influence of a standing wave effect becomes uniform, and a resist pattern can be set uniform in width.例文帳に追加

このため、多結晶シリコン層６の上面にフォトレジストを塗布させ、フォトレジストを露光して抵抗素子２２に応じたレジストパターンを形成させるが、多結晶シリコン層６の上面は平坦でフォトレジストの膜厚を均一にできるので、定在波効果の影響が均一になり、レジストパターンの幅を均一にできる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of dispersion between developing pattern size near one end of a substrate and that near the other end due to a time difference in the feed of a developer in a developing method using a developing device for scanning a semiconductor substrate having an exposed photosensitive resin film with a rod-like developer discharge nozzle having a size corresponding to the diameter of the semiconductor substrate, in the still state of the substrate.例文帳に追加

露光された感光性樹脂膜を有する半導体基板を静止した状態で、この基板の直径に対応した大きさを有する棒状現像液吐出ノズルを走査させるようにした現像装置を用いる現像方法において、基板の一端付近と他端付近の現像パターン寸法が現像液供給の時間差でばらつくのを防止する。 - 特許庁

To provide a connecting structure which is used for connecting the liquid crystal panel and the liquid crystal driver IC of a liquid crystal display device to each other and can prevent the occurrence of short-circuiting failures, even when conductive contamination adhere between adjacent patterned wiring formed on the flexible insulating film of the liquid crystal driver I/C by covering the exposed section of the patterned wiring.例文帳に追加

液晶ドライバＩＣの可撓性絶縁フィルム上に形成されたパターン配線の露出部分を、絶縁物で作業効率良く覆い、隣接したパターン配線間に導電性異物が付着してもショート不良を防止できる液晶表示装置の液晶パネルと液晶ドライバＩＣとの接続構造を提供する。 - 特許庁

In this electrodeposition tool composed of a structure in which abrasives adhere on a surface of a tool shaft member and are held and fixed by an electrodeposited metal, electroless plating is applied to exposed faces of the abrasives and the surface of the shaft member integrally after attaching the abrasives to the surface of the shaft member by the electrodeposited metal temporarily to electrodeposit and fix the abrasives on the shaft member through an electroless-plated film.例文帳に追加

工具軸材の表面に砥粒を付着させ、電着金属で保持固定した構造からなる電着工具において、該砥粒を該軸材表面に電着金属で一旦仮付した後、該砥粒の露出面と軸材表面を一体的に無電解メッキし、該無電解メッキ膜を介して該砥粒を該軸材に電着固定してなることを特徴とする。 - 特許庁

This display device is comprised of an EL element 60 consisting of anodes 61, cathodes 67, and a light emitting element layer 66 interposed between both electrodes, and TFTs of which the source electrodes 18 are connected with their anodes, and the periphery of the anodes 61 and the whole surface of the TFTs are covered with a flattened insulating film 17 and the exposed anodes 61 are partly connected with the light emitting element layer 66.例文帳に追加

陽極６１、陰極６７及び該両電極の間に挟まれた発光素子層６６から成るＥＬ素子６０と、その陽極６１とソース電極１８が接続されたＴＦＴとから成っており、その陽極６１の周囲とＴＦＴの全面を平坦化絶縁膜１７にて覆い、露出した陽極６１の一部は発光素子層６６と接続されている。 - 特許庁

To provide a layered product which is excellent in adhesion between a substrate film and a membrane comprising an inorganic oxide also after a processing such as printing working or the like, and excellent in a gas barrier nature which prevents permeation of oxygen gas or the like, in which there is little degradation of the gas barrier nature even if exposed to physical stress such as tension or the like, further which is excellent in transparency.例文帳に追加

印刷加工その他等の加工処理後においても、基材フィルムと無機酸化物からなる薄膜との密着性に優れ、かつ、酸素ガス等の透過を阻止するガスバリア性に優れ、引っ張り等の物理ストレスにさらされても、そのガスバリア性の劣化が少なく、更に、透明性に優れた透明ガスバリア性積層体を提供することである。 - 特許庁

This method comprises the following process: a masking plate 30 with an opening 31 is placed on the surface of a baking plate 20 for food such as confectionery or bread, and then sprayed with a release oil 61 to effect adsorption of the release oil as releasant to a portion 21 exposed from the opening, and the oil film 612 of the release oil formed on the masking plate 30 is recovered.例文帳に追加

菓子、パン、食品を焼成する焼き板２０の表面に開口部３１を具えるマスク板３０をのせ、このマスク板３０上に離型油６１を吹付けて焼き板の表面上の開口部から露出する部分２１に離型剤を吸着させる一方、マスク板３０上に形成される離型油の油膜６１２を回収する。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a light diffusing film, an undercoating transparent layer is formed on the surface of a transparent undermaterial, transparent beads are embedded in the undercoating transparent layer, a coating liquid for a light absorbing layer is applied and exposed and hardened except the part on the transparent beads to form a light absorbing layer and then the unexposed part of the light absorbing layer is removed.例文帳に追加

透明基材表面に、下塗り透明層を形成し、該下塗り透明層に透明ビーズを埋設し、光吸収層用塗布液を塗布し、該透明ビーズ上を除く部分を露光し硬化により光吸収層を形成した後、該光吸収層の未露光部を除去することを特徴とする光拡散フィルムの製造方法である。 - 特許庁

This flexible flat shield cable 100 is equipped with a cable body 101 in which a plurality of signal conductors 10 are interposed parallel between flexible insulating films 30, 40 and the lower surface of an earth conductor 20 is supported by the insulating film 40; and a metal plating shield layer 8 formed on the exposed surface of the earth conductor 20 and the surfaces of the insulating films 30, 40.例文帳に追加

シールド型フレキシブルフラットケーブル１００は、平行に配列した複数本の信号導体１０を可撓性の絶縁フィルム３０，４０の間に挟み且つアース導体２０の下面を絶縁フィルム４０で担持したケーブル本体１０１と、アース導体２０の露出面および絶縁フィルム３０，４０の表面に形成したシールド用金属メッキ層８とを具備する。 - 特許庁

The concrete sleeper repairing method includes a process for applying and impregnating an epoxy-based resin composition with viscosity in a range of 300-1,000 mPa s into the cracked part of the concrete sleeper and applying the epoxy-based resin composition to the surface of the sleeper to which the cracked part is exposed, and then coating the surface with a polymer cement coating film waterproof material and curing it.例文帳に追加

コンクリート製枕木の補修方法は、コンクリート製枕木のひび割れ部分に、粘度が３００〜１０００ｍＰａ・ｓの範囲のエポキシ系樹脂組成物を塗布含浸させ、当該ひび割れ部分が露出している枕木表面に該エポキシ系樹脂組成物を塗布した後、ポリマーセメント系塗膜防水材で当該表面を被覆して養生する工程を含む。 - 特許庁

When the lens 100 is attached, the projection 110 is engaged with the part 25 by the rotation of the lens 100 at the attaching time, a rack plate 54 is moved upward by such actuation, and the curtain 4 is taken up by a light shielding curtain take-up drum 46 through a pinion gear 56 and an acceleration gear train 58, whereby the film 6 can be exposed.例文帳に追加

レンズ１００を装着すると装着時のレンズ１００の回転によりレンズ側突起１１０は中継リンク曲げ起こし部２５に係合し、この作動によりラック板５４は上方へ移動し、ピニオン歯車５６、増速歯車列５８を介して遮光幕巻取ドラム４６が遮光幕４を巻取り、フィルム６は露光可能となる。 - 特許庁

Further the method for manufacturing the module comprises steps of: polishing the insulating layer 5 formed on the substrate 2; flatening the upper surface 51 of the insulating layer 5 and exposing the upper surface 42 of the conductive material 4; and forming the conductive film 6 on the upper surface 51 of the insulating layer 5 and the upper surface 42 of the exposed conductive material 4.例文帳に追加

さらに、モジュールの製造方法は、基板２上に形成された絶縁層５を研磨して、絶縁層５の上面５１を平面状に形成するとともに導電体４の上面４２を露出させる工程と、絶縁層５の上面５１と、露出した導電体４の上面４２とに導電膜６を形成する工程とを備える。 - 特許庁

When the conductive film wherein a silane compound having at least pyrrolyl groups are immobilized on a substrate surface via a siloxane bond and wherein a conjugated system is formed among the pyrrolyl groups is used for the various sensors, a pyrrolyl group moiety where the conductive conjugated system is formed is exposed on a surface, and conductivity is varied greatly by an atmosphere of the surface, that is, the highly sensitive sensor is provided thereby.例文帳に追加

少なくともピロリル基を有するシラン化合物をシロキサン結合を介して基板表面に固定化し、さらにピロリル基間で共役系を形成した導電膜を各種センサーに用いる場合、導電性を有する共役系を形成したピロール基部分が表面に露出するため、表面の雰囲気による導電率の変化が大きい、つまり感度が高いセンサーとなる。 - 特許庁

In the fuel cell formed by stacking an electrolyte assembly, a cooling medium, a separator having a passage through which at least one of fuel gas and oxidant gas flows, and a manifold, and a sealant arranged in the peripheries of the passage and the manifold, the exposed surface of a sealing material for various kinds of fluid is covered with a water repellent film.例文帳に追加

電解質アッセンブリと、冷却媒体、燃料ガスおよび酸化剤ガスのうち少なくとも一つが流れる流路ならびにマニホールドを備えたセパレータと、流路およびマニホールドの周囲に配置されるシール材と、を積層した燃料電池において、各種流体用のシール材の露出表面は、撥水性皮膜で被覆される。 - 特許庁

The insulating film is subjected to overetching, to make its surface lower than that of the semiconductor substrate, a gate spacer is formed on the side of the gate stack, then an epitaxial layer is selectively grown on the side and base of the semiconductor substrate which are exposed by overetching, and first source/drain region 112 and second source/drain regions 114 are formed.例文帳に追加

半導体基板表面以下にエッチングされるように絶縁膜をオーバーエッチングしながらゲートスタックの側面にゲートスペーサを形成した後、オーバーエッチングにより露出した半導体基板の側面及び底面で同時に選択的なエピタキシャル層を成長させ、第１及び第２ソース／ドレイン領域１１２、１１４を形成する。 - 特許庁

The base material 11 used by the method contains a matrix material 11a having a relatively high thermal expansion coefficient and a dispersion material 11b having a relatively low thermal expansion coefficient at plating temperature and a portion of the dispersion material 11b in the base material 11 is exposed to the film formation surface 11A of the base material 11.例文帳に追加

本方法で用いられる基材１１は、めっき処理温度にて相対的に大きな熱膨張率を有するマトリックス材１１ａと相対的に小さな熱膨張率を有する分散材１１ｂとを含み、基材１１中の分散材１１ｂの一部は基材１１の膜形成対象面１１Ａに露出している。 - 特許庁

The window member for plasma processors such as film forming apparatus, etching apparatus, surface reformers, etc., is characterized in that at least a surface to be exposed to plasma of a halogen gas is made of a fluoride of at least one element selected among Mg, Ca, Sr and Ba, ZrF_4 glass or AlF_3 glass, each having a transparency.例文帳に追加

少なくともハロゲン系ガスのプラズマに曝される面が、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの群から選ばれた少なくとも１種の透光性を有するＦ化物、ＺｒＦ_４系ガラスもしくはＡｌＦ_３系ガラスで形成されていることを特徴とする成膜装置、エッチング装置あるいは表面改質装置などのプラズマ処理装置用窓部材である。 - 特許庁

In the immersion lithography system, areas that an immersion medium comes into contact with during an exposure process is cleaned using the cleaning fluid containing the ether-based solvent, alcohol-based solvent, and semi-water type solvent when a predetermined period has elapsed after a plurality of wafers each having a photoresist film formed are exposed in the immersion lithography process using the immersion medium.例文帳に追加

液浸リソグラフィシステムで、フォトレジスト膜が形成された複数のウェーハを、液浸媒体を利用する液浸リソグラフィ工程によって露光した後、所定の周期が経過したとき、露光工程中に液浸媒体が接触した領域をエーテル系溶剤と、アルコール系溶剤と、準水系溶剤とを含む洗浄液を使用して洗浄する。 - 特許庁

On the other hand, an opening 66 having an arbitrary area smaller than an area of each under surface is provided at a part corresponding to the undersurface of the electrode 64 and the electrode 65 of the insulating film, the electrode 65 is bonded to a bump 72 through the opening 66 and the lower end surface of the electrode 64 is exposed to the atmospheric air.例文帳に追加

他方、前記絶縁フィルムの前記固着電極６４と取出し電極６５の下面に対応する部分には、前記各下面の面積よりも小さい任意の大きさの開口６６を設け、取出し電極６５は開口６６を通してバンプ７２に接合すると共に、固着電極６４の下端面を大気に露出する。 - 特許庁

The laminate for white board comprises a fluororesin film layer 1 prepared by molding an ethylene-tetrafluoroethylene copolymer containing inorganic fillers and a white backing material 2 superposed on one side of the layer 1, and an exposed surface of the layer 1 has irregularities due to the inorganic fillers and has a surface tension of 30-42 dyne/cm.例文帳に追加

無機フィラーを含むエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体を成形してなるフッ素樹脂フィルム層１とその片面に積層された白色の裏打材２を有し、フッ素樹脂フィルム層１の露出面が無機フィラーに起因する凹凸を有し、かつその表面張力が３０〜４２ダイン／ｃｍである。 - 特許庁

The adhesive masking tape for a molded underfill process of die exposed flip-chip packages comprises a heat resistant substrate and an adhesive layer applied on the heat resistant substrate, wherein the heat resistant substrate is a PEN film and has a thickness of 25-50 μm.例文帳に追加

本発明は、耐熱基材と、該耐熱基材上に塗布された粘着層とからなるものの、前記耐熱基材は、ＰＥＮフィルムで、前記耐熱基材の厚さは、２５〜５０ｕｍであることを特徴とするダイエクスポーズドフリップチップパッケージのモールドアンダーフィル工程用粘着マスキングテープを提供する。 - 特許庁

This device is used to crystalize an amorphous semiconductor film with a laser light, and it is provided with a chamber 4 for emitting laser light and at least one heating chamber 3, and further it has such a structure that a sample to be treated can be moved, without being exposed in an outside air between the chambers 4 and 3.例文帳に追加

非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化するための装置であって、レーザーを照射するチャンバー４以外に、少なくとも一つの加熱処理チャンバー３を有し、処理されるべき試料は、前記レーザー照射チャンバー４と加熱処理チャンバー３の間を外気にさらされることなく移動できる構造を有するレーザーアニール装置。 - 特許庁

In a structure of a crimping connection 20 made by crimping and connecting a wire barrel 4 of a tinned copper terminal 1 to a core wire 12 exposed by stripping off an insulating coating 11 at the end of an aluminum electric wire 10, a deposited film 24 made from nickel powders covers the core wire 12 and the copper terminal 1 in the crimping connection 20.例文帳に追加

アルミ電線１０の端部の絶縁被覆１１を剥いて露出された芯線１２に、錫メッキされた銅端子１のワイヤバレル４をかしめて接続してなる圧着接続部２０の構造において、圧着接続部２０の芯線１２と銅端子１がニッケル粉末の蒸着膜２４により覆われていることを特徴とする。 - 特許庁

Since a timing when a copper thin film layer Cu is exposed at a hole formation position is detected on the basis of the detected output from photo sensors 75 and 76, the supply of a UV laser beam UL for processing is stopped without damaging the layer Cu at the step of exposing the layer Cu on the bottom of the VIA hole.例文帳に追加

フォトセンサ７５、７６の検出出力に基づいてホール形成位置に銅薄膜層Ｃｕが露出するタイミングを検出するので、銅薄膜層ＣｕがＶＩＡホール底部に露出した段階で銅薄膜層Ｃｕにダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光ＵＬの供給を停止させることができる。 - 特許庁

It becomes possible to eliminate a non-exposed area 21a, caused by the dust sticking to the photomask 22 which blocks the exposure, by moving the photomask 22 and applying the exposure twice before and after the movement, and to well perform a pattern exposure on a photosensitive Ag paste film 21.例文帳に追加

フォトマスク２２を移動させて、その前後で計２回の露光を行えば、フォトマスク２２に付着したダスト２２ｂにより露光が遮られることで未感光となる領域２１ａを、ほとんどなくすことが可能となり、すなわち、感光性Ａｇペースト膜２１に対するパターン露光を良好に行うことが可能となる。 - 特許庁

A mask material formed of an insulating film is formed on a first nitride semiconductor layer to coat a control electrode formation region, and a second nitride semiconductor layer which consists of a nitride semiconductor layer comprising at least one of iron, carbon, zinc or magnesium as impurity and does not comprise aluminum is selectively formed on the exposed first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも１つを含む窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁

The radiation-sensitive resin composition for liquid immersion exposure is used in liquid immersion exposure by which a resist film is exposed through water, and contains an alkali-insoluble or slightly alkali-soluble resin which contains a methacrylate unit of norborneol having a lactone ring and becomes alkali-soluble under the action of an acid and a radiation-sensitive acid generator.例文帳に追加

本液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、水を介してレジスト被膜を露光する液浸露光に用いられる液浸露光用感放射線性樹脂組成物であって、ラクトン環を有するノルボルネオールのメタアクリレート単位を含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂と、感放射線性酸発生剤と、を含有する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 is provided with a hole injection electrode layer 12, an electron injection electrode layer 14, an organic material layer 13 pinched between the hole injection electrode layer 12 and the electron injection electrode layer 14, and a protective film 20 coating an exposed face each of the electron injection electrode layer 14 and the organic material layer 13.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子１は、ホール注入電極層１２と、電子注入電極層１４と、ホール注入電極層１２と電子注入電極層１４との間に挟持された有機物層１３と、電子注入電極層１４と有機物層１３の露出面を被覆する保護膜２０とを有する。 - 特許庁

In the second fluororesin including plating coating film 14, a second fluororesin particle 14P having a diameter smaller than the first fluororesin particle 13P is included in a second plating matrix 13M, and a part of the second fluororesin particle 14P and the first fluororesin particle 13P is also exposed from a surface of the second plating matrix 14M.例文帳に追加

第２フッ素樹脂含有めっき皮膜１４は、前記第１フッ素樹脂粒子１３Ｐよりも直径が小さい第２フッ素樹脂粒子１４Ｐが、第２めっきマトリックス１３Ｍに含有され、かつ第２フッ素樹脂粒子１４Ｐ及び前記第１フッ素樹脂粒子１３Ｐの一部は、前記第２めっきマトリックス１４Ｍの表面から露出する。 - 特許庁

In the ashing of an organosilicon film containing an organosilicon compound having an Si-Si bond in the principal chain formed on a substrate 3, a gaseous mixture of oxygen, a fluorine-containing compound and chlorine is used as a reactive gas and the substrate 3 is exposed to plasma generated by activating the reactive gas.例文帳に追加

本発明は基体３上に形成された主鎖にＳｉ−Ｓｉ結合を有するシリコン有機化合物を含有するシリコン有機膜をアッシング処理する際に、反応ガスとして酸素とフッ素を含む化合物と塩素の混合ガスを用い、活性化されて発生したプラズマに基体３をさらすことを特徴とするものである。 - 特許庁

In the carrier uniformly carrying a catalyst, the ceramic base material is impregnated with a solution containing a first metallic compound as a solute, thereafter, the ceramic base material is exposed to an active gas which reacts with the solute and forms precipitate and, thereby, a precipitate film of a second metallic compound is formed on the surface of the ceramic base material.例文帳に追加

第一の金属化合物を溶質として含む溶液をセラミック基材に含浸させた後、セラミック基材を該溶質と反応して沈殿を生じせしめる活性気体に暴露させ、セラミック基材の表面に得られる第二の金属化合物沈着膜を有する触媒を均一に担持させた担体及びその製造方法。 - 特許庁

That is, after the formation of the trench 9a by dry etching, the polyimide film is removed by a method other than dry etching, and the inside of the connection hole 4 is exposed, so that etching at lower aspect ratio becomes possible as compared with the case of forming the trench 9a and the connection hole 4 with one dry etching.例文帳に追加

すなわち、トレンチ９ａをドライエッチングで形成してから、ドライエッチング以外の手法でポリイミド膜５を除去し、接続孔４内部を露出させるので、トレンチ９ａと接続孔４とを一度のドライエッチングで形成することに比べて、低いアスペクト比でのドライエッチングが可能となる。 - 特許庁

In the disk-shaped rotor structure that constitutes the axial gap rotating electric machine with a stator and a rotor opposed to each other along a rotating shaft, the magnets 22 arranged on the surface of a disk (plate) 21 are covered with film-shaped thin members 26a, 26b so as not to be directly exposed to the air gap.例文帳に追加

回転軸に沿ってステータとロータとが対向して配置されるアキシャルギャップ型の回転電機を構成するディスク状のロータ構造において、ディスク（プレート）２１の表面に配置される磁石２２を、エアギャップに直接露出しないように、フィルム状の薄肉部材２６ａ、２６ｂで覆う。 - 特許庁

After a gate electrode or a dummy gate electrode 11 for forming the gate electrode is patterned, an insulation film 29 is deposited, and after the upper part of the gate electrode or the dummy electrode is exposed by an etch-back, a first sidewall 22 is provided there, and successively, gate sidewalls 20, 21 are provided by performing an etching-back.例文帳に追加

ゲート電極またはゲート電極を形成するためのダミーゲート電極１１をパターニング後、絶縁膜２０を堆積し、エッチバックによりゲート電極またはダミーゲート電極の上部を露出させたのち、ここに第一の側壁２２を設け、続いてエッチバックを行うことにより、ゲートサイドウォール２０、２１を設ける。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device having the gate electrodes containing high melting point metal as material, comprises a step of carrying out initial oxidation of oxidation at a prescribed temperature, for forming an oxide film for covering the side face of the exposed gate electrodes after forming the gate electrodes; and a step of additional oxidation of oxidation at higher temperature than the initial oxidation after the initial oxidation.例文帳に追加

高融点金属を材料に含むゲート電極を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極を形成した後、露出したゲート電極の側面を覆うための酸化膜を形成するために所定の温度で酸化する初期酸化を行うステップと、初期酸化の後、初期酸化よりも高温で酸化する追加酸化を行うステップとを有するものである。 - 特許庁